RU2014130596A - Ленточный сверхпроводящий элемент с улучшенной собственной защитой в случае перехода из сверхпроводящего в нормальное состояние - Google Patents
Ленточный сверхпроводящий элемент с улучшенной собственной защитой в случае перехода из сверхпроводящего в нормальное состояние Download PDFInfo
- Publication number
- RU2014130596A RU2014130596A RU2014130596A RU2014130596A RU2014130596A RU 2014130596 A RU2014130596 A RU 2014130596A RU 2014130596 A RU2014130596 A RU 2014130596A RU 2014130596 A RU2014130596 A RU 2014130596A RU 2014130596 A RU2014130596 A RU 2014130596A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- superconducting
- layer
- superconducting element
- insulating layer
- substrate
- Prior art date
Links
- 230000007704 transition Effects 0.000 title claims 4
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract 60
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 21
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract 15
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims abstract 4
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K aluminium phosphate Chemical compound O1[Al]2OP1(=O)O2 ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 2
- 229910021523 barium zirconate Inorganic materials 0.000 claims 2
- DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N barium(2+);dioxido(oxo)zirconium Chemical compound [Ba+2].[O-][Zr]([O-])=O DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims 2
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
- H10N60/83—Element shape
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H7/00—Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions
- H02H7/001—Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for superconducting apparatus, e.g. coils, lines, machines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/20—Permanent superconducting devices
- H10N60/203—Permanent superconducting devices comprising high-Tc ceramic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/30—Devices switchable between superconducting and normal states
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0576—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers characterised by the substrate
- H10N60/0632—Intermediate layers, e.g. for growth control
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
Abstract
1. Сверхпроводящий элемент (1), содержащий металлическую подложку (2), изоляционный слой (3), сверхпроводящий слой (5) и металлический защитный слой (6), причем изоляционный слой (3) расположен между подложкой (2) и сверхпроводящим слоем (5),отличающийся тем, чтоизоляционный слой (3) в поперечном сечении сверхпроводящего элемента (1) выступает с обоих концов за участок (B) подложки (2), покрытый сверхпроводящим слоем (5),изоляционный слой (3) гальванически развязывает сверхпроводящий слой (5) и металлический защитный слой (6) от подложки (2),и что толщина (D) изоляционного слоя (3) установлена таким образом, что сверхпроводящий элемент (1) имеет поперечное напряжение пробоя от металлической подложки (2) к сверхпроводящему слою (5) и к металлическому защитному слою (6), равное по меньшей мере 25 В.2. Сверхпроводящий элемент (1) по п. 1, отличающийся тем, что металлический защитный слой (6) соприкасается с изоляционным слоем (3).3. Сверхпроводящий элемент (1) по п. 1, отличающийся тем, что металлический защитный слой (6) в поперечном сечении окружает сверхпроводящий слой (5) в форме кожуха.4. Сверхпроводящий элемент (1) по п. 1, отличающийся тем, что изоляционный слой (3) в поперечном сечении также частично или полностью покрывает короткие стороны (16) подложки (2).5. Сверхпроводящий элемент (1) по п. 1, отличающийся тем, что изоляционный слой (3) также покрывает нижнюю сторону (15) подложки (2), противоположную сверхпроводящему слою (5).6. Сверхпроводящий элемент (1) по п. 1, отличающийся тем, что изоляционный слой (3) окружает в поперечном сечении подложку (2) со всех сторон.7. Сверхпроводящий элемент (1) по п. 1, отличающийся тем, что дополнительно к изоляционному слою (3), предусмотрен планаризующий слой (7), который осажден на подложку (2).8. Сверхпроводящий элемент (1) по п. 1, от
Claims (21)
1. Сверхпроводящий элемент (1), содержащий металлическую подложку (2), изоляционный слой (3), сверхпроводящий слой (5) и металлический защитный слой (6), причем изоляционный слой (3) расположен между подложкой (2) и сверхпроводящим слоем (5),
отличающийся тем, что
изоляционный слой (3) в поперечном сечении сверхпроводящего элемента (1) выступает с обоих концов за участок (BSL) подложки (2), покрытый сверхпроводящим слоем (5),
изоляционный слой (3) гальванически развязывает сверхпроводящий слой (5) и металлический защитный слой (6) от подложки (2),
и что толщина (D) изоляционного слоя (3) установлена таким образом, что сверхпроводящий элемент (1) имеет поперечное напряжение пробоя от металлической подложки (2) к сверхпроводящему слою (5) и к металлическому защитному слою (6), равное по меньшей мере 25 В.
2. Сверхпроводящий элемент (1) по п. 1, отличающийся тем, что металлический защитный слой (6) соприкасается с изоляционным слоем (3).
3. Сверхпроводящий элемент (1) по п. 1, отличающийся тем, что металлический защитный слой (6) в поперечном сечении окружает сверхпроводящий слой (5) в форме кожуха.
4. Сверхпроводящий элемент (1) по п. 1, отличающийся тем, что изоляционный слой (3) в поперечном сечении также частично или полностью покрывает короткие стороны (16) подложки (2).
5. Сверхпроводящий элемент (1) по п. 1, отличающийся тем, что изоляционный слой (3) также покрывает нижнюю сторону (15) подложки (2), противоположную сверхпроводящему слою (5).
6. Сверхпроводящий элемент (1) по п. 1, отличающийся тем, что изоляционный слой (3) окружает в поперечном сечении подложку (2) со всех сторон.
7. Сверхпроводящий элемент (1) по п. 1, отличающийся тем, что дополнительно к изоляционному слою (3), предусмотрен планаризующий слой (7), который осажден на подложку (2).
8. Сверхпроводящий элемент (1) по п. 1, отличающийся тем, что толщина D изоляционного слоя (3) выбирается таким образом, что сверхпроводящий элемент (1) имеет поперечное напряжение пробоя от металлической подложки (2) к сверхпроводящему слою (5) и к металлическому защитному слою (6), равное по меньшей мере 50 В, предпочтительно по меньшей мере 100 В, особенно предпочтительно по меньшей мере 300 В.
9. Сверхпроводящий элемент (1) по п. 1, отличающийся тем, что изоляционный слой (3) имеет толщину D, по меньшей мере равную 0,2 мкм, предпочтительно по меньшей мере 2,0 мкм, особенно предпочтительно по меньшей мере 3,5 мкм, еще более предпочтительно по меньшей мере 5,0 мкм.
10. Сверхпроводящий элемент (1) по п. 1, отличающийся тем, что изоляционный слой (3) содержит один или несколько оксидов металла, в частности, стабилизированный иттрием оксид циркония, оксид циркония, оксид иттрия, титанат стронция, оксид алюминия, оксид церия, цирконат гадолиния, цирконат бария и/или оксид магния.
11. Сверхпроводящий элемент (1) по п. 1, отличающийся тем, что изоляционный слой (3) содержит фосфат алюминия, в частности, при этом изоляционный слой (3) содержит смесь из фосфата алюминия с оксидом кремния, оксидом германия, оксидом циркония, оксидом иттрия, титанатом стронция, оксидом алюминия, оксидом церия, цирконатом гадолиния, цирконатом бария и/или оксидом магния.
12. Сверхпроводящий элемент (1) по п. 1, отличающийся тем, что сверхпроводящий элемент (1) содержит буферный слой (4), причем буферный слой (4) расположен между изоляционным слоем (3) и сверхпроводящим слоем (5), в частности, при этом буферный слой (4) содержит по меньшей мере один диэлектрический подслой (4а).
13. Сверхпроводящий элемент (1) по п. 1, отличающийся тем, что в продольном сечении сверхпроводящего элемента (1) примерно в середине изоляционного слоя (3) создается электропроводное соединение (8) между металлической подложкой (2) и сверхпроводящим слоем (5).
14. Сверхпроводящий элемент (1) по п. 1, отличающийся тем, что металлический защитный слой (6) имеет толщину DS между 0,07 мкм и 3 мкм, и/или что металлический защитный слой (6) содержит Ag, Au, Rt, Pd, Cu, Ni, Cr, Al, Y или их смеси или сплавы.
15. Сверхпроводящий элемент (1) по п. 1, отличающийся тем, что металлический защитный слой (6) имеет продольное сопротивление в продольном направлении сверхпроводящего элемента (1) между 5 и 100 Ом на метр длины (L) и на сантиметр ширины (B) сверхпроводящего элемента (1), предпочтительно между 15 и 40 Ом на метр длины (L) и на каждый сантиметр ширины (B) сверхпроводящего элемента (1).
16. Применение сверхпроводящего элемента (1) по любому из пп. 1 - 15 на внешнем источнике (13) напряжения, посредством которого в случае перехода сверхпроводящего элемента (1) из сверхпроводящего в нормальное состояние к сверхпроводящему элементу (1) прикладывается внешнее напряжение Vext elem, причем длина L сверхпроводящего элемента (1) выбирается таким образом, что устанавливающееся вдоль сверхпроводящего элемента (1) в случае перехода из сверхпроводящего в нормальное состояние электрическое поле Е||, определяемое как Е||= Vext elem/L, меньше, чем критическое электрическое поле Е|| krit, которое сверхпроводящий слой (5) может выдерживать без повреждения,
причем толщина D изоляционного слоя (3) сверхпроводящего элемента (1) выбирается таким образом, что справедливо:
где i - численная переменная диэлектрических слоев сверхпроводящего элемента (1), соответственно, как между подложкой (2) и сверхпроводящим элементом (5), так и между подложкой (2) и металлическим защитным слоем (6) без изоляционного слоя (3), εi - диэлектрическая постоянная i-го диэлектрического слоя, εISO - диэлектрическая постоянная изоляционного слоя (3), di - толщина i-го диэлектрического слоя, Е┴ krit - поперечная напряженность поля пробоя в изоляционном слое (3); m - геометрический параметр, с m=2 при наличии и m=1 при отсутствии электропроводного соединения (8), созданного в продольном сечении приблизительно в середине изоляционного слоя (3), между металлической подложкой (2) и сверхпроводящим слоем (5), и k - параметр безопасности с k≥1.
17. Применение по п. 16, отличающееся тем, что справедливо:
0,5 В/см≤Е|| krit≤10 В/см и/или
2·103 В/см≤Е┴ krit≤5·105 В/см.
18. Применение по п. 16, отличающееся тем, что
L≥50 см, предпочтительно L≥150 см, особенно предпочтительно L≥200 см.
19. Применение по п. 16, отличающееся тем, что сверхпроводящий элемент (1) включается в последовательное соединение других сверхпроводящих элементов (11, 12), сверхпроводящие слои (5) которых электрически соединены друг с другом, а их подложки (2) электрически изолированы друг от друга, и что в случае перехода сверхпроводящего элемента (1) из сверхпроводящего в нормальное состояние приложенное к нему внешнее напряжение Vext elem получается согласно соотношению Vext elem=Vext ges·L/Lges, где Vext ges - напряжение, приложенное через последовательное соединение сверхпроводящего элемента (1) и других сверхпроводящих элементов (11, 12) в целом посредством внешнего источника (13) напряжения, и Lges - сумма длин сверхпроводящего элемента (1) и длин других сверхпроводящих элементов (11, 12).
20. Применение по п. 19, отличающееся тем, что справедливо: Vext ges≥10 кВ.
21. Применение по п. 16, отличающееся тем, что сверхпроводящий элемент (1) встроен в сверхпроводящий ограничитель тока утечки.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102013214447.4 | 2013-07-24 | ||
| DE102013214447.4A DE102013214447B3 (de) | 2013-07-24 | 2013-07-24 | Bandförmiges, supraleitendes Element mit verbessertem Eigenschutz im Quenchfall |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2014130596A true RU2014130596A (ru) | 2016-02-20 |
| RU2638968C2 RU2638968C2 (ru) | 2017-12-19 |
Family
ID=51257304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2014130596A RU2638968C2 (ru) | 2013-07-24 | 2014-07-23 | Ленточный сверхпроводящий элемент с улучшенной собственной защитой в случае перехода из сверхпроводящего в нормальное состояние |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9640979B2 (ru) |
| EP (1) | EP2830107B1 (ru) |
| DE (1) | DE102013214447B3 (ru) |
| ES (1) | ES2609634T3 (ru) |
| RU (1) | RU2638968C2 (ru) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019224830A1 (en) * | 2018-05-24 | 2019-11-28 | Guy Deutscher | Fault current limiter |
| EP3789745B1 (en) * | 2019-09-09 | 2024-04-10 | Yageo Nexensos GmbH | Flexible passive electronic component and method for producing the same |
| CN115835768B (zh) * | 2023-02-10 | 2023-05-30 | 材料科学姑苏实验室 | 一种超导量子芯片制备用保护层及超导量子芯片 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3522492A (en) * | 1967-10-23 | 1970-08-04 | Texas Instruments Inc | Superconductive barrier devices |
| US5132283A (en) | 1987-12-28 | 1992-07-21 | Ford Motor Company | Thin film superconductor assembly and method of making the same |
| US6114287A (en) * | 1998-09-30 | 2000-09-05 | Ut-Battelle, Llc | Method of deforming a biaxially textured buffer layer on a textured metallic substrate and articles therefrom |
| US6475311B1 (en) * | 1999-03-31 | 2002-11-05 | American Superconductor Corporation | Alloy materials |
| US6517944B1 (en) * | 2000-08-03 | 2003-02-11 | Teracomm Research Inc. | Multi-layer passivation barrier for a superconducting element |
| US7774035B2 (en) * | 2003-06-27 | 2010-08-10 | Superpower, Inc. | Superconducting articles having dual sided structures |
| US6884527B2 (en) | 2003-07-21 | 2005-04-26 | The Regents Of The University Of California | Biaxially textured composite substrates |
| DE102004048439B4 (de) * | 2004-10-02 | 2007-05-10 | Alpha Ip Verwertungsgesellschaft Mbh | Supraleiter mit elektrischer Isolation |
| US7627356B2 (en) | 2006-07-14 | 2009-12-01 | Superpower, Inc. | Multifilament AC tolerant conductor with striated stabilizer and devices incorporating the same |
| WO2008118127A1 (en) * | 2006-07-21 | 2008-10-02 | American Superconductor Corporation | Low resistance splice for high temperature superconductor wires |
| KR100807640B1 (ko) | 2006-12-22 | 2008-02-28 | 한국기계연구원 | 저온 열처리에 의해 이축배향성 완충층을 형성하는전구용액 |
| JP5244337B2 (ja) | 2007-06-12 | 2013-07-24 | 公益財団法人国際超電導産業技術研究センター | テープ状酸化物超電導体 |
| EP2117056B1 (en) * | 2008-03-05 | 2010-11-03 | Bruker HTS GmbH | Superconducting device for current conditioning |
| ES2404655T3 (es) * | 2008-11-29 | 2013-05-28 | Alstom Technology Ltd. | Limitador de corriente de falla con una pluralidad de elementos de superconducción conectados según una conformación a modo de anillo |
| IT1398934B1 (it) * | 2009-06-18 | 2013-03-28 | Edison Spa | Elemento superconduttivo e relativo procedimento di preparazione |
| CN103069595B (zh) * | 2010-06-24 | 2016-05-18 | 休斯敦大学体系 | 具有降低的ac损耗的多细丝超导体及其形成方法 |
| WO2012005977A1 (en) * | 2010-06-29 | 2012-01-12 | Los Alamos National Security, Llc | Solution deposition planarization method |
| JP5615616B2 (ja) | 2010-07-27 | 2014-10-29 | 昭和電線ケーブルシステム株式会社 | テープ状酸化物超電導体及びその製造方法 |
| JP2013122822A (ja) * | 2011-12-09 | 2013-06-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 酸化物超電導線材 |
| EP2672537B1 (en) * | 2012-06-06 | 2015-12-16 | Bruker HTS GmbH | Superconductive device without an external shunt system, in particular with a ring shape |
-
2013
- 2013-07-24 DE DE102013214447.4A patent/DE102013214447B3/de not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-07-10 US US14/327,581 patent/US9640979B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-07-23 RU RU2014130596A patent/RU2638968C2/ru active
- 2014-07-24 ES ES14178335.7T patent/ES2609634T3/es active Active
- 2014-07-24 EP EP14178335.7A patent/EP2830107B1/de not_active Not-in-force
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102013214447B3 (de) | 2014-11-20 |
| ES2609634T3 (es) | 2017-04-21 |
| EP2830107B1 (de) | 2016-12-21 |
| RU2638968C2 (ru) | 2017-12-19 |
| US20150031548A1 (en) | 2015-01-29 |
| EP2830107A1 (de) | 2015-01-28 |
| US9640979B2 (en) | 2017-05-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6678751B2 (ja) | 導電構造及び薄膜トランジスタアレイパネルの製造方法 | |
| RU2014130596A (ru) | Ленточный сверхпроводящий элемент с улучшенной собственной защитой в случае перехода из сверхпроводящего в нормальное состояние | |
| US9059336B2 (en) | Thermoelectric conversion element | |
| CN105405959B (zh) | 一种横向伸缩振动模式的三元系弛豫铁电单晶压电变压器 | |
| Li et al. | Improvement of surface flashover performance in vacuum of ABA insulator by adopting ZnO varistor ceramics as layer A | |
| Wawrzała et al. | Charge-discharge properties of PLZT x/90/10 ceramics | |
| KR101329682B1 (ko) | 전압 비직선성 저항체 자기 조성물 및 전압 비직선성저항체 소자 | |
| KR20170094677A (ko) | 복합 전자 부품 | |
| US20120214673A1 (en) | Superconducting element with elongated opening and method for manufacturing a superconducting element | |
| Nishiyama et al. | Cyclic properties and impedance analysis of (Li, Na, K) NbO3-based multilayered piezoceramics | |
| RU2597211C1 (ru) | Провод из оксидного сверхпроводника | |
| US9882367B2 (en) | Device for conducting electrical direct current | |
| US20140196930A1 (en) | High Temperature Wire Insulation | |
| Zhang et al. | Frequency dispersion analysis of thin dielectric MOS capacitor in a five-element model | |
| WO2015064284A1 (ja) | 薄膜超電導線材および超電導機器 | |
| JP5569102B2 (ja) | 積層正特性サーミスタ及び積層正特性サーミスタの製造方法 | |
| Politova et al. | Structure and ferroelectric properties of lead-free NBT-KBT-BF ceramics | |
| JP5437248B2 (ja) | 電気的多層構成要素 | |
| Lisnevskaya et al. | Yttrium iron garnet–lead-barium titanate particulate multiferroic composites | |
| JP2004186540A (ja) | 積層型電子部品 | |
| WO2021006239A1 (ja) | 酸化物超電導線材、酸化物超電導コイル、酸化物超電導線材の製造方法 | |
| WO2018216064A1 (ja) | 超電導線材および超電導コイル | |
| JP2016009721A (ja) | 超電導電流リード | |
| US20070191232A1 (en) | Superconductor Wire Material Having Structure For Inhibiting Crack, Superconductor Power Cable Using The Same And Manufacturing Method Thereof | |
| Ochi et al. | Solid-state capacitor for voltage control of magnetism formed on a flexible substrate |