RU2014111557A - Способ управления устройством для ионной имплантации в плазменно-иммерсионном режиме - Google Patents

Способ управления устройством для ионной имплантации в плазменно-иммерсионном режиме Download PDF

Info

Publication number
RU2014111557A
RU2014111557A RU2014111557/07A RU2014111557A RU2014111557A RU 2014111557 A RU2014111557 A RU 2014111557A RU 2014111557/07 A RU2014111557/07 A RU 2014111557/07A RU 2014111557 A RU2014111557 A RU 2014111557A RU 2014111557 A RU2014111557 A RU 2014111557A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
stage
switch
power source
pole
plasma
Prior art date
Application number
RU2014111557/07A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2651583C2 (ru
Inventor
Франк ТОРРЕГРОСА
Лорен РУ
Original Assignee
Ион Бим Сервисез
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ион Бим Сервисез filed Critical Ион Бим Сервисез
Publication of RU2014111557A publication Critical patent/RU2014111557A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2651583C2 publication Critical patent/RU2651583C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/48—Ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
    • H01J37/32146—Amplitude modulation, includes pulsing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32412—Plasma immersion ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32422—Arrangement for selecting ions or species in the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32697—Electrostatic control
    • H01J37/32706—Polarising the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/223—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a gaseous phase
    • H01L21/2236—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a gaseous phase from or into a plasma phase

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

1. Способ управления устройством для ионной имплантации, содержащий источник (АР) питания плазмы и источник (PS) питания подложки, причем источник питания подложки содержит:- электрогенератор (НТ) с заземленным положительным полюсом;- первый переключатель (SW1), первый полюс которого соединен с отрицательным полюсом генератора (НТ), и второй полюс которого соединен с выходным разъемом (S) источника питания подложки; и- второй переключатель (SW2), первый полюс которого соединен с выходным разъемом (S), а второй полюс которого соединен с нейтрализующим разъемом (N);при этом способ включает стадию (A-D) имплантации, на которой:- приводят в действие источник питания плазмы;- замыкают первый переключатель (SW1) и- размыкают второй переключатель (SW2);причем способ также включает стадию (Е-Н) нейтрализации, на которой:- размыкают первый переключатель (SW1); и- замыкают второй переключатель (SW2);при этом способ отличается тем, что:- он дополнительно включает стадию (C-F) релаксации, которая по времени наложена на стадию имплантации и стадию нейтрализации, причем в стадии релаксации источник (АР) питания плазмы не приведен в действие; а- стадия нейтрализации включает предварительный этап (E-F) замыкания второго переключателя (SW2), причем после предварительного этапа следует отменяющий этап (F-G) для приведения в действие источника (АР) питания плазмы.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после отменяющего этапа (F-G) следует инактивирующий этап (G-H) для отключения указанного источника (АР) питания плазмы.3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что после указанного инактивирующего этапа (G-H) следует прерывающий этап, на котором размыкают второй переключатель

Claims (7)

1. Способ управления устройством для ионной имплантации, содержащий источник (АР) питания плазмы и источник (PS) питания подложки, причем источник питания подложки содержит:
- электрогенератор (НТ) с заземленным положительным полюсом;
- первый переключатель (SW1), первый полюс которого соединен с отрицательным полюсом генератора (НТ), и второй полюс которого соединен с выходным разъемом (S) источника питания подложки; и
- второй переключатель (SW2), первый полюс которого соединен с выходным разъемом (S), а второй полюс которого соединен с нейтрализующим разъемом (N);
при этом способ включает стадию (A-D) имплантации, на которой:
- приводят в действие источник питания плазмы;
- замыкают первый переключатель (SW1) и
- размыкают второй переключатель (SW2);
причем способ также включает стадию (Е-Н) нейтрализации, на которой:
- размыкают первый переключатель (SW1); и
- замыкают второй переключатель (SW2);
при этом способ отличается тем, что:
- он дополнительно включает стадию (C-F) релаксации, которая по времени наложена на стадию имплантации и стадию нейтрализации, причем в стадии релаксации источник (АР) питания плазмы не приведен в действие; а
- стадия нейтрализации включает предварительный этап (E-F) замыкания второго переключателя (SW2), причем после предварительного этапа следует отменяющий этап (F-G) для приведения в действие источника (АР) питания плазмы.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после отменяющего этапа (F-G) следует инактивирующий этап (G-H) для отключения указанного источника (АР) питания плазмы.
3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что после указанного инактивирующего этапа (G-H) следует прерывающий этап, на котором размыкают второй переключатель (SW2).
4. Способ по любому из предшествующих пунктов, отличающийся тем, что стадия имплантации включает инициализирующий этап (А-В) для замыкания первого переключателя, причем за этим инициализирующим этапом после периода стабилизации следует активирующий этап (В-С) для приведения в действие источника питания плазмы.
5. Способ по п. 4, отличающийся тем, что после активирующего этапа (В-С) следует этап (C-D) угасания для отключения источника (АР) питания плазмы.
6. Способ по п. 5, отличающийся тем, что после этапа (C-D) угасания следует этап (D-E) приостановки для размыкания первого переключателя (SW1).
7. Устройство для ионной имплантации, отличающееся тем, что оно содержит средства выполнения способа по любому из пп. 1-6.
RU2014111557A 2011-10-06 2012-10-04 Способ управления устройством для ионной имплантации в плазменно-иммерсионном режиме RU2651583C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1103032A FR2981193B1 (fr) 2011-10-06 2011-10-06 Procede de commande d'un implanteur ionique en mode immersion plasma.
FR1103032 2011-10-06
PCT/FR2012/000392 WO2013057390A1 (fr) 2011-10-06 2012-10-04 Procédé de commande d'un implanteur ionique en mode immersion plasma

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2014111557A true RU2014111557A (ru) 2015-11-20
RU2651583C2 RU2651583C2 (ru) 2018-04-23

Family

ID=47263397

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014111557A RU2651583C2 (ru) 2011-10-06 2012-10-04 Способ управления устройством для ионной имплантации в плазменно-иммерсионном режиме

Country Status (10)

Country Link
US (1) US9552962B2 (ru)
EP (1) EP2764531B1 (ru)
JP (1) JP6157482B2 (ru)
KR (1) KR101963761B1 (ru)
BR (1) BR112014008050A2 (ru)
FR (1) FR2981193B1 (ru)
RU (1) RU2651583C2 (ru)
SG (1) SG11201400914UA (ru)
TW (1) TWI496184B (ru)
WO (1) WO2013057390A1 (ru)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9384937B2 (en) * 2013-09-27 2016-07-05 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. SiC coating in an ion implanter
FR3045206B1 (fr) * 2015-12-10 2020-01-03 Ion Beam Services Procede de commande pour un implanteur fonctionnant en immersion plasma
WO2021241201A1 (ja) * 2020-05-29 2021-12-02 東京エレクトロン株式会社 電源システム及びプラズマ処理装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6237527B1 (en) * 1999-08-06 2001-05-29 Axcelis Technologies, Inc. System for improving energy purity and implant consistency, and for minimizing charge accumulation of an implanted substrate
US6716727B2 (en) * 2001-10-26 2004-04-06 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Methods and apparatus for plasma doping and ion implantation in an integrated processing system
FR2871934B1 (fr) * 2004-06-16 2006-09-22 Ion Beam Services Sa Alimentation d'implanteur ionique prevue pour une limitation de l'effet de charge
FR2871812B1 (fr) * 2004-06-16 2008-09-05 Ion Beam Services Sa Implanteur ionique fonctionnant en mode plasma pulse
KR20070012894A (ko) * 2005-07-25 2007-01-30 주식회사 셈테크놀러지 펄스 형태의 유도결합 플라즈마를 이용한 반도체의 도핑방법 및 그 시스템
JP4998972B2 (ja) 2005-08-16 2012-08-15 株式会社アルバック イオン注入装置およびイオン注入方法
US20070069157A1 (en) * 2005-09-28 2007-03-29 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Methods and apparatus for plasma implantation with improved dopant profile
JP5252613B2 (ja) 2006-12-25 2013-07-31 国立大学法人東北大学 イオン注入装置およびイオン注入方法
US7566887B2 (en) * 2007-01-03 2009-07-28 Axcelis Technologies Inc. Method of reducing particle contamination for ion implanters
FR2961010A1 (fr) * 2010-06-03 2011-12-09 Ion Beam Services Dispositif de mesure de dose pour l'implantation ionique en mode immersion plasma
FR2976400B1 (fr) * 2011-06-09 2013-12-20 Ion Beam Services Machine d'implantation ionique en mode immersion plasma pour procede basse pression.
FR2980911B1 (fr) * 2011-10-04 2013-11-22 Ion Beam Services Module de commande pour implanteur ionique
FR2985087B1 (fr) * 2011-12-21 2014-03-07 Ion Beam Services Support comportant un porte-substrat electrostatique
FR2998707B1 (fr) * 2012-11-27 2016-01-01 Ion Beam Services Implanteur ionique pourvu d'une pluralite de corps de source plasma

Also Published As

Publication number Publication date
TWI496184B (zh) 2015-08-11
TW201331976A (zh) 2013-08-01
FR2981193B1 (fr) 2014-05-23
KR20140088101A (ko) 2014-07-09
JP2014535130A (ja) 2014-12-25
WO2013057390A1 (fr) 2013-04-25
FR2981193A1 (fr) 2013-04-12
BR112014008050A2 (pt) 2017-04-11
JP6157482B2 (ja) 2017-07-05
SG11201400914UA (en) 2014-09-26
CN104106124A (zh) 2014-10-15
EP2764531A1 (fr) 2014-08-13
US20140327358A1 (en) 2014-11-06
KR101963761B1 (ko) 2019-03-29
EP2764531B1 (fr) 2019-11-20
RU2651583C2 (ru) 2018-04-23
US9552962B2 (en) 2017-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2014111557A (ru) Способ управления устройством для ионной имплантации в плазменно-иммерсионном режиме
WO2010048076A3 (en) Plasma source for chamber cleaning and process
EP2247347A4 (en) METHOD AND APPARATUS FOR PROCESSING WASTE
WO2010117503A3 (en) High voltage supply to increase rise time of current through light source in an optical sensor system
MY167558A (en) Electric vehicle control device
EA201170730A1 (ru) Бытовой прибор с автоматическим отключением
TW200717213A (en) Startup circuit, bandgap voltage genertor utilizing the startup circuit, and startup method thereof
WO2014046294A3 (en) Power generation control device, photovoltaic power generation system and power generation control method
WO2006116621A3 (en) Methods for treating eye conditions
WO2013041286A3 (de) Ladevorrichtung, insbesondere für kraftfahrzeuge, verfahren und kraftfahrzeug
WO2016134396A3 (en) Emergency power supply unit and method for operating an emergency lighting means
MX2017014686A (es) Dispositivo de control de suministro de energia y metodo de control de suministro de energia.
MX350850B (es) Terminal y método para controlar la pantalla.
EA201200788A2 (ru) Способ и устройство для управления работой прерывателя цепи
WO2013019431A3 (en) Method and system for providing haptic feedback of variable intensity
RU2012127217A (ru) Устройство для зарядки и разрядки электрического устройства
WO2013185955A3 (de) Schaltvorrichtung für eine batterie und entsprechendes schaltverfahren
EP1854998A3 (de) Zündeinrichtung für eine Brennkraftmaschine
JP2015217859A5 (ru)
WO2011138556A3 (fr) Procédé de contrôle de l'alimentation en énergie électrique d'une batterie d'un dispositif d'occultation par un panneau photovoltaïque et dispositif d'occultation comportant un système pour un tel contrôle
MX2012005141A (es) Un accionador operado por resorte para un aparato de conmutacion electrico.
WO2013055141A3 (ko) 생체용 재료의 표면개질 장치 및 표면개질 방법
WO2009119974A3 (ko) Ｒｆ 스위칭 장치 및 방법
WO2013038094A3 (fr) Procede de commande d'un interrupteur commande pilotant l'alimentation d'un moteur electrique
WO2014029614A3 (de) Motorstarter