RU2014105489A - Способ выращивания монокристаллов из расплава - Google Patents
Способ выращивания монокристаллов из расплава Download PDFInfo
- Publication number
- RU2014105489A RU2014105489A RU2014105489/05A RU2014105489A RU2014105489A RU 2014105489 A RU2014105489 A RU 2014105489A RU 2014105489/05 A RU2014105489/05 A RU 2014105489/05A RU 2014105489 A RU2014105489 A RU 2014105489A RU 2014105489 A RU2014105489 A RU 2014105489A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- crystal
- screen
- melt
- growing
- seed
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
1. Способ выращивания монокристаллов из расплава, включающий затравливание кристалла на затравочный кристалл, его вытягивание из расплава с разращиванием и заужением для образования перетяжек, разращивание кристалла, выращивание и охлаждение кристалла, отличающийся тем, что на этапах затравливания, образования перетяжек и частично разращивания область контакта кристалла с расплавом ограждают сбоку от основной массы расплава экраном, при погружении нижнего торца экрана в расплав весь экран фиксируется в этом положении опорой его верхнего торца на тигель, экран выполнен в виде отрезка полого профиля, и производят удаление экрана из расплава после того, как отношение диаметра разращиваемого кристалла к заданному диаметру кристалла достигает 0,1-0,5.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что экран подвешивается за отводы либо приливы его верхнего контура с возможностью вертикального перемещения экрана вверх вместе с кристаллом, затравочным кристаллом, затравкодержателем и верхним штоком при сохранении остальных элементов зоны кристаллизации неподвижными, при этом затравочный кристалл проходит внутри экрана.
Claims (2)
1. Способ выращивания монокристаллов из расплава, включающий затравливание кристалла на затравочный кристалл, его вытягивание из расплава с разращиванием и заужением для образования перетяжек, разращивание кристалла, выращивание и охлаждение кристалла, отличающийся тем, что на этапах затравливания, образования перетяжек и частично разращивания область контакта кристалла с расплавом ограждают сбоку от основной массы расплава экраном, при погружении нижнего торца экрана в расплав весь экран фиксируется в этом положении опорой его верхнего торца на тигель, экран выполнен в виде отрезка полого профиля, и производят удаление экрана из расплава после того, как отношение диаметра разращиваемого кристалла к заданному диаметру кристалла достигает 0,1-0,5.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что экран подвешивается за отводы либо приливы его верхнего контура с возможностью вертикального перемещения экрана вверх вместе с кристаллом, затравочным кристаллом, затравкодержателем и верхним штоком при сохранении остальных элементов зоны кристаллизации неподвижными, при этом затравочный кристалл проходит внутри экрана.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2014105489/05A RU2560402C1 (ru) | 2014-02-14 | 2014-02-14 | Способ выращивания монокристаллов из расплава |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2014105489/05A RU2560402C1 (ru) | 2014-02-14 | 2014-02-14 | Способ выращивания монокристаллов из расплава |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2014105489A true RU2014105489A (ru) | 2015-08-20 |
RU2560402C1 RU2560402C1 (ru) | 2015-08-20 |
Family
ID=53880083
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2014105489/05A RU2560402C1 (ru) | 2014-02-14 | 2014-02-14 | Способ выращивания монокристаллов из расплава |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2560402C1 (ru) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1354495A (en) * | 1970-07-30 | 1974-06-05 | Mullard Ltd | Methods of growing crystals |
SU768052A1 (ru) * | 1978-11-27 | 1991-02-23 | Предприятие П/Я Х-5476 | Способ выращивани монокристаллов корунда методом Киропулоса |
-
2014
- 2014-02-14 RU RU2014105489/05A patent/RU2560402C1/ru active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2560402C1 (ru) | 2015-08-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2014190165A3 (en) | Methods for producing low oxygen silicon ingots | |
TW201612179A (en) | A process for preparing a crystalline organic semiconductor material | |
WO2017209376A3 (ko) | 탄화규소 단결정 잉곳의 성장장치 및 그 성장방법 | |
EP3561158A4 (en) | PROCESS FOR CULTURING A LARGE DIAMETER MONOCCRYSTALLINE SILICON CARBIDE INGOT | |
JP2013212952A5 (ru) | ||
ATE555236T1 (de) | Glasartiger quarztiegel und verfahren zum ziehen von einkristall-silicium | |
WO2013025024A3 (en) | Ingot growing apparatus and method of manufacturing ingot | |
SA517390506B1 (ar) | بوتقة تشوخرالسكي للتحكم بالأكسجين وطرق ذات صلة | |
JP2015190012A5 (ru) | ||
JP2012513950A5 (ru) | ||
ZA201904719B (en) | Process for ingot casting, melting, and crystallization of polysilicon seed crystal in buffered fashion | |
RU2014105489A (ru) | Способ выращивания монокристаллов из расплава | |
AR081659A1 (es) | Procedimiento de obtencion de la forma cristalina ii del febuxostat | |
MY168105A (en) | Method for manufacturing a silicon monocrystal seed and a silicon-wafer, silicon-wafer and silicon solar-cell | |
WO2014013305A8 (en) | APPARATUS FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL BY SOLUTION GROWTH METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL BY USING THE PRODUCTION APPARATUS AND CRUCIBLE USED IN THE PRODUCTION APPARATUS | |
MY184018A (en) | Continuous process for dry fractionation of glyceride oils | |
FR3022563B1 (fr) | Procede de formation d'un monocristal de materiau a partir d'un substrat monocristallin | |
SG11202012910YA (en) | Methods for producing a silicon ingot that involve monitoring a moving average of the ingot neck pull rate | |
RU2015116077A (ru) | Устройство вертикального непрерывного литья и способ вертикального непрерывного литья | |
FR3039251B1 (fr) | Procede et installation clc avec production d'azote de haute purete | |
FR3016166B1 (fr) | Procede de fabrication du bromo methyl cyclopropane et du bromo methyl cyclobutane | |
KR200450238Y1 (ko) | 필라멘트 컷 지그 | |
MD402Z (ru) | Способ быстрого выращивания монокристалла висмута | |
RU2011143444A (ru) | Способ выращивания кристаллов галогенидов серебра и таллия | |
TWI563132B (en) | Method of supporting a growing single crystal during crystallization of the single crystal according to the fz method |