RU2014101458A - Способ управления техническим ресурсом энергонезависимой памяти - Google Patents

Способ управления техническим ресурсом энергонезависимой памяти Download PDF

Info

Publication number
RU2014101458A
RU2014101458A RU2014101458/08A RU2014101458A RU2014101458A RU 2014101458 A RU2014101458 A RU 2014101458A RU 2014101458/08 A RU2014101458/08 A RU 2014101458/08A RU 2014101458 A RU2014101458 A RU 2014101458A RU 2014101458 A RU2014101458 A RU 2014101458A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
sector
sectors
reserve
working
memory
Prior art date
Application number
RU2014101458/08A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2600525C2 (ru
Inventor
Самюэль ШАРБУЙО
Ив ФУЗЕЛЛА
Стефан РИКАР
Original Assignee
Старшип
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Старшип filed Critical Старшип
Publication of RU2014101458A publication Critical patent/RU2014101458A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2600525C2 publication Critical patent/RU2600525C2/ru

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/0223User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
    • G06F12/023Free address space management
    • G06F12/0238Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
    • G06F12/0246Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02Addressing or allocation; Relocation
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/08Addressing or allocation; Relocation in hierarchically structured memory systems, e.g. virtual memory systems
    • G06F12/10Address translation
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/08Addressing or allocation; Relocation in hierarchically structured memory systems, e.g. virtual memory systems
    • G06F12/12Replacement control
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10Programming or data input circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/349Arrangements for evaluating degradation, retention or wearout, e.g. by counting erase cycles
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/44Indication or identification of errors, e.g. for repair
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/10Providing a specific technical effect
    • G06F2212/1032Reliability improvement, data loss prevention, degraded operation etc
    • G06F2212/1036Life time enhancement
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/72Details relating to flash memory management
    • G06F2212/7204Capacity control, e.g. partitioning, end-of-life degradation
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/72Details relating to flash memory management
    • G06F2212/7209Validity control, e.g. using flags, time stamps or sequence numbers
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/72Details relating to flash memory management
    • G06F2212/7211Wear leveling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

1. Способ управления техническим ресурсом системы хранения данных, содержащей набор секторов, обладающих собственным гарантированным техническим ресурсом (G), содержащий следующие этапы:- разбивают упомянутую систему хранения данных на ряд рабочих секторов и ряд резервных секторов, способных сформировать резерв технического ресурса, причем определенные рабочие сектора подлежат замещению резервными секторами в случае износа упомянутых рабочих секторов после определенного количества циклов программирования и/или стирания;- задают зону управления адресами для определения расположения резервных секторов, назначаемых на замещение изношенных рабочих секторов;- определяют, сектор за сектором, изношен ли текущий сектор физически и замещают данный рабочий сектор резервным сектором, только если текущий сектор признан физически изношенным;отличающийся тем, что для оценки износа сектора производят автоматическое считывание качества стирания точек памяти упомянутого сектора и сравнивают с пограничным критерием считываемости (Margin Vref), то есть с более жестким критерием, чем нормальный критерий считываемости (Normal Vref).2. Способ по п.1, отличающийся тем, что единственный импульс для стирания сектора заменяют несколькими, более короткими последовательными импульсами, и тем, что контроль качества стирания производят после каждого импульса, причем рабочий сектор памяти признают изношенным, если результат контроля качества остается отрицательным после максимального заранее заданного числа импульсов и процедур контроля.3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что:- используют строго типовую память с равномерной струк�

Claims (8)

1. Способ управления техническим ресурсом системы хранения данных, содержащей набор секторов, обладающих собственным гарантированным техническим ресурсом (G), содержащий следующие этапы:
- разбивают упомянутую систему хранения данных на ряд рабочих секторов и ряд резервных секторов, способных сформировать резерв технического ресурса, причем определенные рабочие сектора подлежат замещению резервными секторами в случае износа упомянутых рабочих секторов после определенного количества циклов программирования и/или стирания;
- задают зону управления адресами для определения расположения резервных секторов, назначаемых на замещение изношенных рабочих секторов;
- определяют, сектор за сектором, изношен ли текущий сектор физически и замещают данный рабочий сектор резервным сектором, только если текущий сектор признан физически изношенным;
отличающийся тем, что для оценки износа сектора производят автоматическое считывание качества стирания точек памяти упомянутого сектора и сравнивают с пограничным критерием считываемости (Margin Vref), то есть с более жестким критерием, чем нормальный критерий считываемости (Normal Vref).
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что единственный импульс для стирания сектора заменяют несколькими, более короткими последовательными импульсами, и тем, что контроль качества стирания производят после каждого импульса, причем рабочий сектор памяти признают изношенным, если результат контроля качества остается отрицательным после максимального заранее заданного числа импульсов и процедур контроля.
3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что:
- используют строго типовую память с равномерной структурой, где отсутствует физическое отличие между исходным сектором и резервным сектором;
- количество резервных секторов может быть задано конечным пользователем в зависимости от целевых потребностей в техническом ресурсе;
- резервный сектор, заместивший рабочий сектор, сам становится рабочим сектором, который может быть замещен при достижении своего порога физического износа.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что для восстановления маршрута между замещаемыми секторами и замещающими секторами используют зону управления энергонезависимой памяти, где каждый элемент упомянутой зоны соотнесен с одним замещающим сектором и представляет собой адрес замещенного исходного сектора.
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что маршрут восстановления между исходным сектором и замещающим сектором определяют с использованием упомянутой зоны управления в режиме реального времени во время обращения к исходному сектору.
6. Способ по п.4, отличающийся тем, что маршрут между исходным сектором и замещающим сектором восстанавливают при подаче питания на схему и сохраняют в RAM памяти кратчайший путь между исходным сектором и последним замещающим сектором.
7. Способ по п.4, отличающийся тем, что способ обновления зоны управления рассчитан на то, чтобы выдержать возможное отключение питания и тем самым избежать какого-либо повреждения упомянутой зоны управления.
8. Устройство для реализации способа управления техническим ресурсом по любому из пп.1-7, отличающееся тем, что содержит память, разбитую на ряд рабочих секторов и ряд резервных секторов, зону управления резервными секторами и логический контроллер, способный обеспечить выполнение этапов способа по любому из пп.1-7.
RU2014101458/08A 2011-06-22 2012-06-22 Способ управления техническим ресурсом энергонезависимой памяти RU2600525C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR11/01929 2011-06-22
FR1101929A FR2977047B1 (fr) 2011-06-22 2011-06-22 Procede de gestion de l'endurance de memoires non volatiles.
PCT/FR2012/000251 WO2012175827A1 (fr) 2011-06-22 2012-06-22 Procédé de gestion de l'endurance de mémoires non volatiles

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2014101458A true RU2014101458A (ru) 2015-07-27
RU2600525C2 RU2600525C2 (ru) 2016-10-20

Family

ID=46579142

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014101458/08A RU2600525C2 (ru) 2011-06-22 2012-06-22 Способ управления техническим ресурсом энергонезависимой памяти

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9286207B2 (ru)
EP (1) EP2724237B1 (ru)
CN (1) CN103842974B (ru)
BR (1) BR112013033196B1 (ru)
FR (1) FR2977047B1 (ru)
RU (1) RU2600525C2 (ru)
WO (1) WO2012175827A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2735407C2 (ru) * 2016-09-14 2020-10-30 Алибаба Груп Холдинг Лимитед Способ и устройство для записи сохраненных данных на носитель данных на основе флэш-памяти

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6403162B2 (ja) * 2015-07-23 2018-10-10 東芝メモリ株式会社 メモリシステム
CN109448774B (zh) * 2018-10-15 2021-03-19 上海华虹宏力半导体制造有限公司 快闪存储器干扰存储区位置的判定方法
FR3125897A1 (fr) 2021-07-30 2023-02-03 Idemia Identity & Security France Procédé pour optimiser un fonctionnement d’un élément sécurisé
FR3138536A1 (fr) 2022-07-28 2024-02-02 Idemia Identity & Security France Procédé de gestion d’une mémoire d’un élément sécurisé
CN115509465B (zh) * 2022-11-21 2023-03-28 杭州字节方舟科技有限公司 一种扇区管理方法、装置、电子设备及存储介质

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5835413A (en) 1996-12-20 1998-11-10 Intel Corporation Method for improved data retention in a nonvolatile writeable memory by sensing and reprogramming cell voltage levels
JP4085478B2 (ja) * 1998-07-28 2008-05-14 ソニー株式会社 記憶媒体及び電子機器システム
IT1302433B1 (it) * 1998-08-13 2000-09-05 Texas Instruments Italia Spa Circuito di lettura per dispositivi di memoria flash con perfezionatimargini di programmazione e procedimento di funzionamento
JP2002074999A (ja) * 2000-08-23 2002-03-15 Sharp Corp 不揮発性半導体記憶装置
JP4129381B2 (ja) * 2002-09-25 2008-08-06 株式会社ルネサステクノロジ 不揮発性半導体記憶装置
US7106636B2 (en) * 2004-06-22 2006-09-12 Intel Corporation Partitionable memory device, system, and method
US20060282610A1 (en) * 2005-06-08 2006-12-14 M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. Flash memory with programmable endurance
US20070174549A1 (en) * 2006-01-24 2007-07-26 Yevgen Gyl Method for utilizing a memory interface to control partitioning of a memory module
US20070208904A1 (en) * 2006-03-03 2007-09-06 Wu-Han Hsieh Wear leveling method and apparatus for nonvolatile memory
WO2007134133A2 (en) * 2006-05-15 2007-11-22 Sandisk Corporation Non-volatile memory system with end of life calculation
US8060718B2 (en) * 2006-06-20 2011-11-15 International Business Machines Updating a memory to maintain even wear
US7804718B2 (en) * 2007-03-07 2010-09-28 Mosaid Technologies Incorporated Partial block erase architecture for flash memory
CN101409108B (zh) * 2007-10-09 2011-04-13 群联电子股份有限公司 平均磨损方法及使用此方法的控制器
CN100592427C (zh) * 2007-12-05 2010-02-24 苏州壹世通科技有限公司 一种数据块的磨损处理方法和装置
US8244959B2 (en) * 2008-11-10 2012-08-14 Atmel Rousset S.A.S. Software adapted wear leveling
US20100199020A1 (en) * 2009-02-04 2010-08-05 Silicon Storage Technology, Inc. Non-volatile memory subsystem and a memory controller therefor
US20120117303A1 (en) * 2010-11-04 2012-05-10 Numonyx B.V. Metadata storage associated with flash translation layer

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2735407C2 (ru) * 2016-09-14 2020-10-30 Алибаба Груп Холдинг Лимитед Способ и устройство для записи сохраненных данных на носитель данных на основе флэш-памяти
US11099744B2 (en) 2016-09-14 2021-08-24 Ant Financial (Hang Zhou) Network Technology Co., Ltd. Method and device for writing stored data into storage medium based on flash memory
US11287984B2 (en) 2016-09-14 2022-03-29 Beijing Oceanbase Technology Co., Ltd. Method and device for writing stored data into storage medium based on flash memory

Also Published As

Publication number Publication date
RU2600525C2 (ru) 2016-10-20
FR2977047A1 (fr) 2012-12-28
CN103842974A (zh) 2014-06-04
EP2724237A1 (fr) 2014-04-30
EP2724237B1 (fr) 2018-03-28
US20140223082A1 (en) 2014-08-07
WO2012175827A1 (fr) 2012-12-27
FR2977047B1 (fr) 2013-08-16
BR112013033196B1 (pt) 2021-04-27
BR112013033196A8 (pt) 2018-07-10
CN103842974B (zh) 2016-06-29
BR112013033196A2 (pt) 2017-03-01
US9286207B2 (en) 2016-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2014101458A (ru) Способ управления техническим ресурсом энергонезависимой памяти
US20160041760A1 (en) Multi-Level Cell Flash Memory Control Mechanisms
US8156393B2 (en) Memory system
TWI420303B (zh) 基於寫入頻率將資料寫至記憶體不同部份之方法、非暫態電腦可讀媒體與裝置
US7962807B2 (en) Semiconductor storage apparatus managing system, semiconductor storage apparatus, host apparatus, program and method of managing semiconductor storage apparatus
KR101686376B1 (ko) 메모리 시스템에서의 소거 관리
CN104380381A (zh) 存储器芯片电力管理
JP5990430B2 (ja) Ssd(ソリッドステートドライブ)装置
TW201037728A (en) A non-volatile memory subsystem and a memory controller therefor
US20170277603A1 (en) Data saving method, device and terminal
TW201843476A (zh) 智慧型備用電容器管理
CN107329902B (zh) 数据储存装置以及快闪存储器控制方法
CN102298543A (zh) 一种存储器管理方法和装置
KR20180045091A (ko) 메모리 시스템 및 이를 이용한 웨어-레벨링 방법
CN104464809A (zh) 一种延长快闪存储器使用寿命的方法
JP2016115105A (ja) 不揮発性メモリ制御装置、不揮発性メモリ制御方法及びプログラム
JP2012079100A (ja) ディスク制御装置及びディスク制御方法、並びにプログラム
CN102929784A (zh) 非挥发性内存的写入方法
WO2015139432A1 (zh) 一种磁盘掉电保护电路及方法
JP5579135B2 (ja) データ記憶装置、メモリ制御装置及びメモリ制御方法
JP5601480B2 (ja) ストレージ装置及びストレージ装置のデータ保存装置交換方法
CN109325373B (zh) 一种元数据的保存方法、装置、设备及可读存储介质
CN102543177A (zh) 一种固态盘静态磨损平衡算法
TWI692691B (zh) 記憶體控制裝置與記憶體控制方法
JP2013200688A (ja) メモリシステムおよびその制御方法