RU2014101458A - Способ управления техническим ресурсом энергонезависимой памяти - Google Patents
Способ управления техническим ресурсом энергонезависимой памяти Download PDFInfo
- Publication number
- RU2014101458A RU2014101458A RU2014101458/08A RU2014101458A RU2014101458A RU 2014101458 A RU2014101458 A RU 2014101458A RU 2014101458/08 A RU2014101458/08 A RU 2014101458/08A RU 2014101458 A RU2014101458 A RU 2014101458A RU 2014101458 A RU2014101458 A RU 2014101458A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- sector
- sectors
- reserve
- working
- memory
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
- G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
- G06F12/023—Free address space management
- G06F12/0238—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
- G06F12/0246—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
- G06F12/08—Addressing or allocation; Relocation in hierarchically structured memory systems, e.g. virtual memory systems
- G06F12/10—Address translation
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
- G06F12/08—Addressing or allocation; Relocation in hierarchically structured memory systems, e.g. virtual memory systems
- G06F12/12—Replacement control
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/349—Arrangements for evaluating degradation, retention or wearout, e.g. by counting erase cycles
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
- G11C29/44—Indication or identification of errors, e.g. for repair
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
- G06F2212/10—Providing a specific technical effect
- G06F2212/1032—Reliability improvement, data loss prevention, degraded operation etc
- G06F2212/1036—Life time enhancement
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
- G06F2212/72—Details relating to flash memory management
- G06F2212/7204—Capacity control, e.g. partitioning, end-of-life degradation
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
- G06F2212/72—Details relating to flash memory management
- G06F2212/7209—Validity control, e.g. using flags, time stamps or sequence numbers
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
- G06F2212/72—Details relating to flash memory management
- G06F2212/7211—Wear leveling
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
1. Способ управления техническим ресурсом системы хранения данных, содержащей набор секторов, обладающих собственным гарантированным техническим ресурсом (G), содержащий следующие этапы:- разбивают упомянутую систему хранения данных на ряд рабочих секторов и ряд резервных секторов, способных сформировать резерв технического ресурса, причем определенные рабочие сектора подлежат замещению резервными секторами в случае износа упомянутых рабочих секторов после определенного количества циклов программирования и/или стирания;- задают зону управления адресами для определения расположения резервных секторов, назначаемых на замещение изношенных рабочих секторов;- определяют, сектор за сектором, изношен ли текущий сектор физически и замещают данный рабочий сектор резервным сектором, только если текущий сектор признан физически изношенным;отличающийся тем, что для оценки износа сектора производят автоматическое считывание качества стирания точек памяти упомянутого сектора и сравнивают с пограничным критерием считываемости (Margin Vref), то есть с более жестким критерием, чем нормальный критерий считываемости (Normal Vref).2. Способ по п.1, отличающийся тем, что единственный импульс для стирания сектора заменяют несколькими, более короткими последовательными импульсами, и тем, что контроль качества стирания производят после каждого импульса, причем рабочий сектор памяти признают изношенным, если результат контроля качества остается отрицательным после максимального заранее заданного числа импульсов и процедур контроля.3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что:- используют строго типовую память с равномерной струк�
Claims (8)
1. Способ управления техническим ресурсом системы хранения данных, содержащей набор секторов, обладающих собственным гарантированным техническим ресурсом (G), содержащий следующие этапы:
- разбивают упомянутую систему хранения данных на ряд рабочих секторов и ряд резервных секторов, способных сформировать резерв технического ресурса, причем определенные рабочие сектора подлежат замещению резервными секторами в случае износа упомянутых рабочих секторов после определенного количества циклов программирования и/или стирания;
- задают зону управления адресами для определения расположения резервных секторов, назначаемых на замещение изношенных рабочих секторов;
- определяют, сектор за сектором, изношен ли текущий сектор физически и замещают данный рабочий сектор резервным сектором, только если текущий сектор признан физически изношенным;
отличающийся тем, что для оценки износа сектора производят автоматическое считывание качества стирания точек памяти упомянутого сектора и сравнивают с пограничным критерием считываемости (Margin Vref), то есть с более жестким критерием, чем нормальный критерий считываемости (Normal Vref).
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что единственный импульс для стирания сектора заменяют несколькими, более короткими последовательными импульсами, и тем, что контроль качества стирания производят после каждого импульса, причем рабочий сектор памяти признают изношенным, если результат контроля качества остается отрицательным после максимального заранее заданного числа импульсов и процедур контроля.
3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что:
- используют строго типовую память с равномерной структурой, где отсутствует физическое отличие между исходным сектором и резервным сектором;
- количество резервных секторов может быть задано конечным пользователем в зависимости от целевых потребностей в техническом ресурсе;
- резервный сектор, заместивший рабочий сектор, сам становится рабочим сектором, который может быть замещен при достижении своего порога физического износа.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что для восстановления маршрута между замещаемыми секторами и замещающими секторами используют зону управления энергонезависимой памяти, где каждый элемент упомянутой зоны соотнесен с одним замещающим сектором и представляет собой адрес замещенного исходного сектора.
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что маршрут восстановления между исходным сектором и замещающим сектором определяют с использованием упомянутой зоны управления в режиме реального времени во время обращения к исходному сектору.
6. Способ по п.4, отличающийся тем, что маршрут между исходным сектором и замещающим сектором восстанавливают при подаче питания на схему и сохраняют в RAM памяти кратчайший путь между исходным сектором и последним замещающим сектором.
7. Способ по п.4, отличающийся тем, что способ обновления зоны управления рассчитан на то, чтобы выдержать возможное отключение питания и тем самым избежать какого-либо повреждения упомянутой зоны управления.
8. Устройство для реализации способа управления техническим ресурсом по любому из пп.1-7, отличающееся тем, что содержит память, разбитую на ряд рабочих секторов и ряд резервных секторов, зону управления резервными секторами и логический контроллер, способный обеспечить выполнение этапов способа по любому из пп.1-7.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR11/01929 | 2011-06-22 | ||
FR1101929A FR2977047B1 (fr) | 2011-06-22 | 2011-06-22 | Procede de gestion de l'endurance de memoires non volatiles. |
PCT/FR2012/000251 WO2012175827A1 (fr) | 2011-06-22 | 2012-06-22 | Procédé de gestion de l'endurance de mémoires non volatiles |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2014101458A true RU2014101458A (ru) | 2015-07-27 |
RU2600525C2 RU2600525C2 (ru) | 2016-10-20 |
Family
ID=46579142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2014101458/08A RU2600525C2 (ru) | 2011-06-22 | 2012-06-22 | Способ управления техническим ресурсом энергонезависимой памяти |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9286207B2 (ru) |
EP (1) | EP2724237B1 (ru) |
CN (1) | CN103842974B (ru) |
BR (1) | BR112013033196B1 (ru) |
FR (1) | FR2977047B1 (ru) |
RU (1) | RU2600525C2 (ru) |
WO (1) | WO2012175827A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2735407C2 (ru) * | 2016-09-14 | 2020-10-30 | Алибаба Груп Холдинг Лимитед | Способ и устройство для записи сохраненных данных на носитель данных на основе флэш-памяти |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6403162B2 (ja) * | 2015-07-23 | 2018-10-10 | 東芝メモリ株式会社 | メモリシステム |
CN109448774B (zh) * | 2018-10-15 | 2021-03-19 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 快闪存储器干扰存储区位置的判定方法 |
FR3125897A1 (fr) | 2021-07-30 | 2023-02-03 | Idemia Identity & Security France | Procédé pour optimiser un fonctionnement d’un élément sécurisé |
FR3138536A1 (fr) | 2022-07-28 | 2024-02-02 | Idemia Identity & Security France | Procédé de gestion d’une mémoire d’un élément sécurisé |
CN115509465B (zh) * | 2022-11-21 | 2023-03-28 | 杭州字节方舟科技有限公司 | 一种扇区管理方法、装置、电子设备及存储介质 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5835413A (en) | 1996-12-20 | 1998-11-10 | Intel Corporation | Method for improved data retention in a nonvolatile writeable memory by sensing and reprogramming cell voltage levels |
JP4085478B2 (ja) * | 1998-07-28 | 2008-05-14 | ソニー株式会社 | 記憶媒体及び電子機器システム |
IT1302433B1 (it) * | 1998-08-13 | 2000-09-05 | Texas Instruments Italia Spa | Circuito di lettura per dispositivi di memoria flash con perfezionatimargini di programmazione e procedimento di funzionamento |
JP2002074999A (ja) * | 2000-08-23 | 2002-03-15 | Sharp Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP4129381B2 (ja) * | 2002-09-25 | 2008-08-06 | 株式会社ルネサステクノロジ | 不揮発性半導体記憶装置 |
US7106636B2 (en) * | 2004-06-22 | 2006-09-12 | Intel Corporation | Partitionable memory device, system, and method |
US20060282610A1 (en) * | 2005-06-08 | 2006-12-14 | M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. | Flash memory with programmable endurance |
US20070174549A1 (en) * | 2006-01-24 | 2007-07-26 | Yevgen Gyl | Method for utilizing a memory interface to control partitioning of a memory module |
US20070208904A1 (en) * | 2006-03-03 | 2007-09-06 | Wu-Han Hsieh | Wear leveling method and apparatus for nonvolatile memory |
WO2007134133A2 (en) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Sandisk Corporation | Non-volatile memory system with end of life calculation |
US8060718B2 (en) * | 2006-06-20 | 2011-11-15 | International Business Machines | Updating a memory to maintain even wear |
US7804718B2 (en) * | 2007-03-07 | 2010-09-28 | Mosaid Technologies Incorporated | Partial block erase architecture for flash memory |
CN101409108B (zh) * | 2007-10-09 | 2011-04-13 | 群联电子股份有限公司 | 平均磨损方法及使用此方法的控制器 |
CN100592427C (zh) * | 2007-12-05 | 2010-02-24 | 苏州壹世通科技有限公司 | 一种数据块的磨损处理方法和装置 |
US8244959B2 (en) * | 2008-11-10 | 2012-08-14 | Atmel Rousset S.A.S. | Software adapted wear leveling |
US20100199020A1 (en) * | 2009-02-04 | 2010-08-05 | Silicon Storage Technology, Inc. | Non-volatile memory subsystem and a memory controller therefor |
US20120117303A1 (en) * | 2010-11-04 | 2012-05-10 | Numonyx B.V. | Metadata storage associated with flash translation layer |
-
2011
- 2011-06-22 FR FR1101929A patent/FR2977047B1/fr active Active
-
2012
- 2012-06-22 WO PCT/FR2012/000251 patent/WO2012175827A1/fr active Application Filing
- 2012-06-22 CN CN201280040808.1A patent/CN103842974B/zh active Active
- 2012-06-22 EP EP12738481.6A patent/EP2724237B1/fr active Active
- 2012-06-22 US US14/127,914 patent/US9286207B2/en active Active
- 2012-06-22 RU RU2014101458/08A patent/RU2600525C2/ru active
- 2012-06-22 BR BR112013033196-8A patent/BR112013033196B1/pt active IP Right Grant
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2735407C2 (ru) * | 2016-09-14 | 2020-10-30 | Алибаба Груп Холдинг Лимитед | Способ и устройство для записи сохраненных данных на носитель данных на основе флэш-памяти |
US11099744B2 (en) | 2016-09-14 | 2021-08-24 | Ant Financial (Hang Zhou) Network Technology Co., Ltd. | Method and device for writing stored data into storage medium based on flash memory |
US11287984B2 (en) | 2016-09-14 | 2022-03-29 | Beijing Oceanbase Technology Co., Ltd. | Method and device for writing stored data into storage medium based on flash memory |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2600525C2 (ru) | 2016-10-20 |
FR2977047A1 (fr) | 2012-12-28 |
CN103842974A (zh) | 2014-06-04 |
EP2724237A1 (fr) | 2014-04-30 |
EP2724237B1 (fr) | 2018-03-28 |
US20140223082A1 (en) | 2014-08-07 |
WO2012175827A1 (fr) | 2012-12-27 |
FR2977047B1 (fr) | 2013-08-16 |
BR112013033196B1 (pt) | 2021-04-27 |
BR112013033196A8 (pt) | 2018-07-10 |
CN103842974B (zh) | 2016-06-29 |
BR112013033196A2 (pt) | 2017-03-01 |
US9286207B2 (en) | 2016-03-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2014101458A (ru) | Способ управления техническим ресурсом энергонезависимой памяти | |
US20160041760A1 (en) | Multi-Level Cell Flash Memory Control Mechanisms | |
US8156393B2 (en) | Memory system | |
TWI420303B (zh) | 基於寫入頻率將資料寫至記憶體不同部份之方法、非暫態電腦可讀媒體與裝置 | |
US7962807B2 (en) | Semiconductor storage apparatus managing system, semiconductor storage apparatus, host apparatus, program and method of managing semiconductor storage apparatus | |
KR101686376B1 (ko) | 메모리 시스템에서의 소거 관리 | |
CN104380381A (zh) | 存储器芯片电力管理 | |
JP5990430B2 (ja) | Ssd(ソリッドステートドライブ)装置 | |
TW201037728A (en) | A non-volatile memory subsystem and a memory controller therefor | |
US20170277603A1 (en) | Data saving method, device and terminal | |
TW201843476A (zh) | 智慧型備用電容器管理 | |
CN107329902B (zh) | 数据储存装置以及快闪存储器控制方法 | |
CN102298543A (zh) | 一种存储器管理方法和装置 | |
KR20180045091A (ko) | 메모리 시스템 및 이를 이용한 웨어-레벨링 방법 | |
CN104464809A (zh) | 一种延长快闪存储器使用寿命的方法 | |
JP2016115105A (ja) | 不揮発性メモリ制御装置、不揮発性メモリ制御方法及びプログラム | |
JP2012079100A (ja) | ディスク制御装置及びディスク制御方法、並びにプログラム | |
CN102929784A (zh) | 非挥发性内存的写入方法 | |
WO2015139432A1 (zh) | 一种磁盘掉电保护电路及方法 | |
JP5579135B2 (ja) | データ記憶装置、メモリ制御装置及びメモリ制御方法 | |
JP5601480B2 (ja) | ストレージ装置及びストレージ装置のデータ保存装置交換方法 | |
CN109325373B (zh) | 一种元数据的保存方法、装置、设备及可读存储介质 | |
CN102543177A (zh) | 一种固态盘静态磨损平衡算法 | |
TWI692691B (zh) | 記憶體控制裝置與記憶體控制方法 | |
JP2013200688A (ja) | メモリシステムおよびその制御方法 |