RU2013156440A - Способ и устройство для изготовления обособленных кристаллов гитридов элементов iii группы - Google Patents
Способ и устройство для изготовления обособленных кристаллов гитридов элементов iii группы Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013156440A RU2013156440A RU2013156440/05A RU2013156440A RU2013156440A RU 2013156440 A RU2013156440 A RU 2013156440A RU 2013156440/05 A RU2013156440/05 A RU 2013156440/05A RU 2013156440 A RU2013156440 A RU 2013156440A RU 2013156440 A RU2013156440 A RU 2013156440A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- growing
- nitrides
- group iii
- layer
- elements
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
- C30B25/20—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate the substrate being of the same materials as the epitaxial layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/08—Reaction chambers; Selection of materials therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
- C30B25/186—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate being specially pre-treated by, e.g. chemical or physical means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/04—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure using electric or magnetic fields or particle radiation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1016—Apparatus with means for treating single-crystal [e.g., heat treating]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
1. Способ изготовления обособленной пластины (6) нитридов элементов III группы, причем способ включает стадии:- выращивания при температуре выращивания внутри реактора (7) выращивания первого слоя (2) нитридов элементов III группы на инородной подложке (1) для выращивания,- выращивания при температуре выращивания внутри реактора (7) выращивания второго слоя (5) нитридов элементов III группы на первом слое (2) нитридов элементов III группы, и- отделения путем лазерного отслаивания второго слоя (5) нитридов элементов III группы от подложки (1) для выращивания так, чтобы образовать обособленную пластину (6) нитридов элементов III группы,отличающийся тем, что- стадию отделения путем лазерного отслаивания второго слоя (5) нитридов элементов III группы от подложки для выращивания посредством лазерного отслаивания выполняют при температуре выращивания и внутри реактора (7) выращивания, и что- способ также включает стадию обработки первого слоя нитридов элементов III группы путем лазерной обработки при температуре выращивания внутри реактора (7) выращивания перед выращиванием второго слоя нитридов элементов III группы так, чтобы обеспечить области (4) снятия напряжения в первом слое (2) нитридов элементов III группы.2. Способ по п.1, в котором стадию отделения путем лазерного отслаивания второго слоя (5) нитридов элементов III группы от подложки (1) для выращивания выполняют при температуре, которая находится в пределах ±50°C от температуры выращивания.3. Способ по п.1, в котором стадия обработки первого слоя (2) нитридов элементов III группы путем лазерной обработки включает по меньшей мере одно из следующего: отрезание, сверление и травление.4. Способ п
Claims (7)
1. Способ изготовления обособленной пластины (6) нитридов элементов III группы, причем способ включает стадии:
- выращивания при температуре выращивания внутри реактора (7) выращивания первого слоя (2) нитридов элементов III группы на инородной подложке (1) для выращивания,
- выращивания при температуре выращивания внутри реактора (7) выращивания второго слоя (5) нитридов элементов III группы на первом слое (2) нитридов элементов III группы, и
- отделения путем лазерного отслаивания второго слоя (5) нитридов элементов III группы от подложки (1) для выращивания так, чтобы образовать обособленную пластину (6) нитридов элементов III группы,
отличающийся тем, что
- стадию отделения путем лазерного отслаивания второго слоя (5) нитридов элементов III группы от подложки для выращивания посредством лазерного отслаивания выполняют при температуре выращивания и внутри реактора (7) выращивания, и что
- способ также включает стадию обработки первого слоя нитридов элементов III группы путем лазерной обработки при температуре выращивания внутри реактора (7) выращивания перед выращиванием второго слоя нитридов элементов III группы так, чтобы обеспечить области (4) снятия напряжения в первом слое (2) нитридов элементов III группы.
2. Способ по п.1, в котором стадию отделения путем лазерного отслаивания второго слоя (5) нитридов элементов III группы от подложки (1) для выращивания выполняют при температуре, которая находится в пределах ±50°C от температуры выращивания.
3. Способ по п.1, в котором стадия обработки первого слоя (2) нитридов элементов III группы путем лазерной обработки включает по меньшей мере одно из следующего: отрезание, сверление и травление.
4. Способ по п.3, в котором стадия обработки первого слоя (2) нитридов элементов III группы путем лазерной обработки включает образование бороздок, отверстий или других полостей (3) в первом слое нитридов элементов III группы.
5. Способ по любому из пп.1-4, в котором на стадии выращивания при температуре выращивания внутри реактора выращивания первого слоя (2) нитридов элементов III группы на инородной подложке (1) для выращивания образуют первый слой нитридов элементов III группы, содержащий множество подслоев.
6. Реактор (7) выращивания для выращивания слоев (2, 5) нитридов элементов III группы на инородной подложке (1) для выращивания, где реактор выращивания содержит первую зону (8) для указанного выращивания слоев нитридов элементов III группы путем ХОПФ, отличающийся тем, что реактор (7) выращивания также содержит
- вторую зону (9) и систему (10) лазерного отслаивания для отделения во второй зоне путем лазерного отслаивания от обратной стороны слоя (5) нитридов элементов III группы подложки (1) для выращивания, и
- систему (11) лазерной обработки для обработки во второй зоне (9) с передней стороны слоя (2) нитридов элементов III группы, выращенного в первой зоне (8), так, чтобы обеспечить области (4) снятия напряжения в слое нитридов элементов III группы.
7. Реактор (7) выращивания по п.6, в котором система (11) лазерной обработки смонтирована для обработки слоя (2) нитридов элементов III группы путем по меньшей мере одного из следующего: лазерного отрезания, сверления и травления.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201161491393P | 2011-05-31 | 2011-05-31 | |
| US61/491,393 | 2011-05-31 | ||
| PCT/EP2012/060225 WO2012164005A1 (en) | 2011-05-31 | 2012-05-31 | Method and apparatus for fabricating free-standing group iii nitride crystals |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013156440A true RU2013156440A (ru) | 2015-07-10 |
| RU2593868C2 RU2593868C2 (ru) | 2016-08-10 |
Family
ID=46317346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013156440/05A RU2593868C2 (ru) | 2011-05-31 | 2012-05-31 | Способ и устройство для изготовления обособленных кристаллов нитридов элементов iii группы |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20140116327A1 (ru) |
| RU (1) | RU2593868C2 (ru) |
| WO (1) | WO2012164005A1 (ru) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111719135A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-09-29 | 安徽鑫泰钻石有限公司 | 制备金刚石单晶的激光等离子体cvd设备及其工作方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6958093B2 (en) * | 1994-01-27 | 2005-10-25 | Cree, Inc. | Free-standing (Al, Ga, In)N and parting method for forming same |
| US6163557A (en) * | 1998-05-21 | 2000-12-19 | Xerox Corporation | Fabrication of group III-V nitrides on mesas |
| US6498113B1 (en) | 2001-06-04 | 2002-12-24 | Cbl Technologies, Inc. | Free standing substrates by laser-induced decoherency and regrowth |
| US7202141B2 (en) * | 2004-03-29 | 2007-04-10 | J.P. Sercel Associates, Inc. | Method of separating layers of material |
| KR100616656B1 (ko) | 2005-01-03 | 2006-08-28 | 삼성전기주식회사 | 질화갈륨계 단결정 기판의 제조방법 및 제조장치 |
| RU2400866C1 (ru) * | 2009-05-22 | 2010-09-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Светоизлучающий диод |
-
2012
- 2012-05-31 WO PCT/EP2012/060225 patent/WO2012164005A1/en active Application Filing
- 2012-05-31 US US14/122,835 patent/US20140116327A1/en not_active Abandoned
- 2012-05-31 RU RU2013156440/05A patent/RU2593868C2/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20140116327A1 (en) | 2014-05-01 |
| WO2012164005A1 (en) | 2012-12-06 |
| RU2593868C2 (ru) | 2016-08-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2977260B1 (fr) | Procede de fabrication d'une couche epitaxiale epaisse de nitrure de gallium sur un substrat de silicium ou analogue et couche obtenue par ledit procede | |
| WO2009004980A1 (ja) | 発光ダイオードの製造方法 | |
| WO2009148253A3 (ko) | 반도체 발광소자 제조용 지지기판 및 상기 지지기판을 이용한 반도체 발광소자 | |
| WO2009155247A3 (en) | Semiconductor die separation method | |
| SG155840A1 (en) | A semiconductor wafer with a heteroepitaxial layer and a method for producing the wafer | |
| WO2012173790A3 (en) | Hybrid laser and plasma etch wafer dicing using substrate carrier | |
| EP2439316A4 (en) | NITRIDE-SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR | |
| SG154396A1 (en) | Strain-direct-on-insulator (sdoi) substrate and method of forming | |
| WO2013010284A3 (en) | Opto -electronic modules and methods of manufacturing the same | |
| WO2013061047A3 (en) | Silicon carbide epitaxy | |
| US8951842B2 (en) | Semiconductor growth substrates and associated systems and methods for die singulation | |
| EP2472566A3 (en) | Template, method for manufacturing the template and method for manufacturing vertical type nitride-based semiconductor light emitting device using the template | |
| SG148930A1 (en) | Process for fabricating a structure for epitaxy without an exclusion zone | |
| TW200703462A (en) | Wafer separation technique for the fabrication of free-standing (Al, In, Ga)N wafers | |
| RU2018113434A (ru) | Способ изготовления составной подложки из sic | |
| FR2984599B1 (fr) | Procede de fabrication d'un micro- ou nano- fil semiconducteur, structure semiconductrice comportant un tel micro- ou nano- fil et procede de fabrication d'une structure semiconductrice | |
| EP2365538A3 (en) | Light emitting diode and fabrication method thereof | |
| RU2013144315A (ru) | Полупроводниковые устройства и способы изготовления | |
| RU2018113432A (ru) | Способ изготовления составной подложки из sic | |
| PH12018502444A1 (en) | Production method for fabry-perot interference filter | |
| WO2012051618A3 (en) | Method for producing gallium nitride substrates for electronic and optoelectronic devices | |
| WO2014056762A3 (de) | Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauteils und optoelektronisches halbleiterbauteil | |
| WO2009014345A3 (en) | Light emitting device and method of manufacturing the same | |
| TW201003981A (en) | Substrate structure and method of removing the substrate structure | |
| WO2012143467A3 (de) | Verfahren zur herstellung einer solarzelle |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20160925 |