RU2013152797A - Фотоэлектрическое устройство - Google Patents

Фотоэлектрическое устройство Download PDF

Info

Publication number
RU2013152797A
RU2013152797A RU2013152797/28A RU2013152797A RU2013152797A RU 2013152797 A RU2013152797 A RU 2013152797A RU 2013152797/28 A RU2013152797/28 A RU 2013152797/28A RU 2013152797 A RU2013152797 A RU 2013152797A RU 2013152797 A RU2013152797 A RU 2013152797A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
photovoltaic device
radiation
conductor
semiconductor layer
incident
Prior art date
Application number
RU2013152797/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2587530C2 (ru
Inventor
Маттео РЕПЕТТО
Original Assignee
Маттео РЕПЕТТО
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Маттео РЕПЕТТО filed Critical Маттео РЕПЕТТО
Publication of RU2013152797A publication Critical patent/RU2013152797A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2587530C2 publication Critical patent/RU2587530C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/055—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means where light is absorbed and re-emitted at a different wavelength by the optical element directly associated or integrated with the PV cell, e.g. by using luminescent material, fluorescent concentrators or up-conversion arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02322—Optical elements or arrangements associated with the device comprising luminescent members, e.g. fluorescent sheets upon the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/0543—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the refractive type, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/0547—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the reflecting type, e.g. parabolic mirrors, concentrators using total internal reflection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/056—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means the light-reflecting means being of the back surface reflector [BSR] type
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S20/00—Supporting structures for PV modules
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S20/00—Supporting structures for PV modules
    • H02S20/30—Supporting structures being movable or adjustable, e.g. for angle adjustment
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

1. Фотоэлектрическое устройство (1), содержащее:• солнечный концентратор (2), имеющий кольцеобразную форму, в свою очередь содержащий:• внешний проводник (3), расположенный вдоль внешней части кольца;• внешнюю люминесцентную пластину (22), имеющую трапециевидный профиль и имеющую внешнюю периферийную приемную поверхность (221), выполненную с возможностью приема светового излучения, падающего и приходящего от проводника (3);• внутреннюю люминесцентную пластину (21), расположенную вдоль внутренней части кольца и имеющую трапециевидный профиль;• наноструктурный полупроводниковый слой (23), лежащий между двумя пластинами (21, 22) таким образом, что большие основания соответствующих трапециевидных профилей обращены к нему, причем упомянутый полупроводниковый слой (23) выполнен с возможностью приема излучения, переданного внешней и внутренней пластинами (21, 22) и реализации фотоэлектрического эффекта;• средство (3, 5) передачи, выполненное с возможностью сбора и концентрации падающего светового излучения на упомянутой периферийной приемной поверхности (221).2. Фотоэлектрическое устройство (1) по п.1, в котором упомянутая внешняя люминесцентная пластина (22) выполнена таким образом, чтобы поглощать часть падающего излучения, имеющего частоту в ультрафиолетовой области, и излучать первое излучение к полупроводниковому слою (23) на такой частоте, чтобы произвести фотоэлектрический эффект.3. Фотоэлектрическое устройство (1) по п.1 или 2, в котором упомянутая внутренняя люминесцентная пластина (21) выполнена с возможностью поглощения части падающего излучения, имеющего частоту в инфракрасной области, и излучения второго излучения к п�

Claims (21)

1. Фотоэлектрическое устройство (1), содержащее:
• солнечный концентратор (2), имеющий кольцеобразную форму, в свою очередь содержащий:
• внешний проводник (3), расположенный вдоль внешней части кольца;
• внешнюю люминесцентную пластину (22), имеющую трапециевидный профиль и имеющую внешнюю периферийную приемную поверхность (221), выполненную с возможностью приема светового излучения, падающего и приходящего от проводника (3);
• внутреннюю люминесцентную пластину (21), расположенную вдоль внутренней части кольца и имеющую трапециевидный профиль;
• наноструктурный полупроводниковый слой (23), лежащий между двумя пластинами (21, 22) таким образом, что большие основания соответствующих трапециевидных профилей обращены к нему, причем упомянутый полупроводниковый слой (23) выполнен с возможностью приема излучения, переданного внешней и внутренней пластинами (21, 22) и реализации фотоэлектрического эффекта;
• средство (3, 5) передачи, выполненное с возможностью сбора и концентрации падающего светового излучения на упомянутой периферийной приемной поверхности (221).
2. Фотоэлектрическое устройство (1) по п.1, в котором упомянутая внешняя люминесцентная пластина (22) выполнена таким образом, чтобы поглощать часть падающего излучения, имеющего частоту в ультрафиолетовой области, и излучать первое излучение к полупроводниковому слою (23) на такой частоте, чтобы произвести фотоэлектрический эффект.
3. Фотоэлектрическое устройство (1) по п.1 или 2, в котором упомянутая внутренняя люминесцентная пластина (21) выполнена с возможностью поглощения части падающего излучения, имеющего частоту в инфракрасной области, и излучения второго излучения к полупроводниковому слою (23) на такой частоте, чтобы произвести фотоэлектрический эффект.
4. Фотоэлектрическое устройство (1) по п.1, в котором упомянутый наноструктурный полупроводниковый слой (23) имеет конфигурацию в виде подковы, содержащую внешнюю часть из кремния P-типа, имеющего по существу перевернутую U-образную форму, и внутреннюю часть из кремния N-типа.
5. Фотоэлектрическое устройство (1) по п.1, в котором упомянутое средство (3, 5) передачи содержит проводник (3), расположенный вдоль внешней периферии кольца и имеющий треугольный профиль, имеющий первую грань (31), являющуюся дополнением упомянутой внешней люминесцентной пластины (22) вдоль упомянутой периферийной приемной поверхности (221), и вторую грань (32), выполненную с возможностью сбора и передачи падающего излучения.
6. Фотоэлектрическое устройство (1) по п.1, в котором упомянутый проводник (3) имеет секцию в виде равнобедренного прямоугольного треугольника, содержащего третью снабженную зеркалом наклонную грань (33), расположенную напротив упомянутых первой и второй граней (31, 32).
7. Фотоэлектрическое устройство (1) по п.5 или 6, в котором упомянутый проводник (3) сделан из полиметилметакрилата, который можно получить из смеси plexit 55 в сочетании со слоем PE 399 Kristalflex или другой противоотражающей пленкой на ее приемной грани (32).
8. Фотоэлектрическое устройство (1) по п.5 или 6, в котором упомянутое средство (3, 5) передачи содержит одну или более линз (5) Френеля, перекрытых и находящихся на некотором расстоянии от упомянутого проводника (3) и расположенных так, чтобы концентрировать световое излучение, падающее на нее, на последнем.
9. Фотоэлектрическое устройство (1) по п.8, содержащее четыре линзы (5) Френеля, расположенные в нем таким образом, что они образуют круг, в котором каждая линза занимает соответствующий его квадрант, причем каждая линза (5) Френеля способна концентрировать падающее излучение на соответствующей части второй грани (32) облучаемого им упомянутого проводника (3).
10. Фотоэлектрическое устройство (1) по п.1, в котором упомянутые внешняя и внутренняя люминесцентные пластины (22, 21) сделаны из полиметилметакрилата, который можно получить из смеси plexit 55.
11. Фотоэлектрическое устройство (1) по п.1, в котором упомянутая внешняя люминесцентная пластина (22) содержит пару внешних отражающих полос (222, 223), каждая из которых расположена вдоль соответствующей наклонной стороны.
12. Фотоэлектрическое устройство (1) по п.1, в котором упомянутая внутренняя люминесцентная пластина (21) содержит пару внутренних отражающих полос (211, 212), каждая из которых расположена вдоль соответствующей наклонной стороны, и отражающую полосу (213), расположенную вдоль малого основания ее трапециевидного профиля.
13. Фотоэлектрическое устройство (1) по п.1, в котором упомянутые внешняя и внутренняя люминесцентные пластины (22, 21) содержат внутри пигменты, способные производить фосфоресцирующий эффект.
14. Фотоэлектрическое устройство (1) по п.13, в котором упомянутые пигменты имеют «желто - зеленый» тип.
15. Фотоэлектрическое устройство (1) по п.11 или 12, содержащее четыре полусферических крышки (7), каждая из которых расположена на соответствующей стороне кольца.
16. Фотоэлектрическое устройство (1) по п.1, дополнительно содержащее систему охлаждения, связанную с упомянутым солнечным концентратором (2).
17. Фотоэлектрическое устройство (1) по п.16, в котором упомянутая система охлаждения содержит один или более каналов (10) системы охлаждения, снабженных хладагентом.
18. Фотоэлектрическое устройство (1) по п.17, в котором упомянутые каналы (10) системы охлаждения образованы внутри упомянутых полусферических крышек (7).
19. Фотоэлектрическое устройство (1) по п.9, содержащее контейнер (4), внутри которого оно вставлено и закреплено, причем упомянутый контейнер (4) закрывается сверху упомянутыми четырьмя линзами (5) Френеля, расположенными по кругу.
20. Фотоэлектрическая панель (100), содержащая множество фотоэлектрических устройств (1) по любому из предыдущих пунктов, расположенных в узлах решетчатой структуры убирающегося типа.
21. Фотоэлектрическая панель (100) по п.20, дополнительно содержащая систему (200) автосопровождения солнца.
RU2013152797/28A 2011-07-11 2012-04-18 Фотоэлектрическое устройство RU2587530C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
ITRM2011A000361 2011-07-11
IT000361A ITRM20110361A1 (it) 2011-07-11 2011-07-11 Dispositivo fotovoltaico.
PCT/IB2012/051934 WO2013008105A1 (en) 2011-07-11 2012-04-18 Photovoltaic device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2013152797A true RU2013152797A (ru) 2015-08-20
RU2587530C2 RU2587530C2 (ru) 2016-06-20

Family

ID=44584443

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013152797/28A RU2587530C2 (ru) 2011-07-11 2012-04-18 Фотоэлектрическое устройство

Country Status (12)

Country Link
US (1) US20140345672A1 (ru)
EP (1) EP2695204B1 (ru)
JP (1) JP6165140B2 (ru)
CN (1) CN103597611A (ru)
AU (1) AU2012282149B2 (ru)
BR (1) BR112013033470B1 (ru)
ES (1) ES2535648T3 (ru)
IL (1) IL229332B (ru)
IT (1) ITRM20110361A1 (ru)
RU (1) RU2587530C2 (ru)
WO (1) WO2013008105A1 (ru)
ZA (1) ZA201309509B (ru)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3079693A1 (fr) * 2018-03-31 2019-10-04 Francois Geli Production d’electricite photovoltaique en immeuble avec balcons ou verandas d’appartement
EP3745469A1 (en) * 2019-05-29 2020-12-02 Insolight SA Optomechanical system with hybrid architecture and corresponding method for converting light energy

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5124888A (ru) * 1974-08-23 1976-02-28 Hitachi Ltd
JPS59176690A (ja) * 1983-03-25 1984-10-06 Matsushita Electric Works Ltd 太陽電池時計
US5304255A (en) * 1993-01-05 1994-04-19 Wisconsin Alumni Research Foundation Photovoltaic cell with photoluminescent plasma polymerized film
AU2003268487A1 (en) * 2002-09-05 2004-03-29 Nanosys, Inc. Nanocomposites
JP2004214491A (ja) * 2003-01-07 2004-07-29 Yasunori Tanji 太陽エネルギーの集積装置及び光電エネルギー変換装置並びに熱電エネルギー変換装置
JP2006128156A (ja) * 2004-10-26 2006-05-18 Canon Inc 埋め込み電極型太陽電池およびその製造方法
US7906722B2 (en) * 2005-04-19 2011-03-15 Palo Alto Research Center Incorporated Concentrating solar collector with solid optical element
CN101443431B (zh) * 2006-03-21 2014-05-21 超点公司 在可见区或近红外区中发光的发光材料
US20070227579A1 (en) * 2006-03-30 2007-10-04 Benyamin Buller Assemblies of cylindrical solar units with internal spacing
US7638708B2 (en) * 2006-05-05 2009-12-29 Palo Alto Research Center Incorporated Laminated solar concentrating photovoltaic device
US7851693B2 (en) * 2006-05-05 2010-12-14 Palo Alto Research Center Incorporated Passively cooled solar concentrating photovoltaic device
US20070256725A1 (en) * 2006-05-05 2007-11-08 Palo Alto Research Center Incorporated Solar Concentrating Photovoltaic Device With Resilient Cell Package Assembly
JP2008004661A (ja) * 2006-06-21 2008-01-10 Daido Steel Co Ltd 集光型太陽発電装置
US20110114174A1 (en) * 2007-08-17 2011-05-19 Basf Se Solar cell structure
WO2009049048A2 (en) * 2007-10-12 2009-04-16 Ultradots, Inc. Solar modules with enhanced efficiencies via use of spectral concentrators
US20090223555A1 (en) * 2008-03-05 2009-09-10 Stalix Llc High Efficiency Concentrating Photovoltaic Module Method and Apparatus
US20110162711A1 (en) * 2008-06-06 2011-07-07 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Wavelength-converting composition and photovoltaic device comprising layer composed of wavelength-converting composition
EP2139048A1 (en) * 2008-06-23 2009-12-30 Photon BV Photovoltaic device with improved spectral response
US9496442B2 (en) * 2009-01-22 2016-11-15 Omnipv Solar modules including spectral concentrators and related manufacturing methods
ES1069703Y (es) * 2009-01-23 2009-08-06 Lampon Jose Luis Romero Unidad solar movil con torre de iluminacion
RU2426198C1 (ru) * 2010-04-02 2011-08-10 Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Солнечный фотоэлектрический модуль на основе наногетероструктурных фотопреобразователей
JP2011091450A (ja) * 2011-02-07 2011-05-06 Nikkeikin Aluminium Core Technology Co Ltd 太陽電池パネル

Also Published As

Publication number Publication date
IL229332B (en) 2018-01-31
JP6165140B2 (ja) 2017-07-19
JP2014523137A (ja) 2014-09-08
BR112013033470B1 (pt) 2021-04-20
AU2012282149A1 (en) 2013-11-21
RU2587530C2 (ru) 2016-06-20
AU2012282149B2 (en) 2015-02-05
WO2013008105A1 (en) 2013-01-17
ITRM20110361A1 (it) 2013-01-12
IL229332A0 (en) 2014-01-30
US20140345672A1 (en) 2014-11-27
EP2695204A1 (en) 2014-02-12
CN103597611A (zh) 2014-02-19
EP2695204B1 (en) 2015-03-18
BR112013033470A2 (pt) 2017-01-24
ZA201309509B (en) 2014-08-27
ES2535648T3 (es) 2015-05-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101232120B1 (ko) 고온 환경을 위한 태양에너지 발전시스템
KR101685178B1 (ko) 발전효율을 향상시킨 태양전지모듈
KR101707716B1 (ko) 이중 층 구조의 태양광 모듈 및 이의 제조방법
JP2012160783A5 (ru)
WO2016020797A3 (en) Solar cell element and cell arrangement made from the elements
US20140150865A1 (en) Concentrating solar cell
CN102280511A (zh) 一种密集阵列式聚光太阳能光伏装置
JP2014519718A5 (ru)
TWM561365U (zh) 聚光式光能接收裝置
RU2013152797A (ru) Фотоэлектрическое устройство
JP2004297025A (ja) 高効率太陽電池
CN203859722U (zh) 一种聚光-分光型太阳能光伏发电模组
US20140251413A1 (en) Photovoltaic solar concentration module
TW201005971A (en) Solar cell with polymer multilayer film
WO2014180019A1 (zh) 太阳能模块
RU2016120128A (ru) Фотодиод для средневолнового инфракрасного излучения
JP6694072B2 (ja) 光起電装置
CN106024961A (zh) 一种密集阵列式聚光太阳能光伏装置
KR20120038625A (ko) 태양전지
US10199527B2 (en) Solar concentrator and illumination apparatus
RU2496181C1 (ru) Фотоэлектрический концентраторный субмодуль
US20090293935A1 (en) Solar collector capable of receiving light rays with different incident angles
CN204272009U (zh) 光子晶体聚光器
WO2016055669A1 (es) Colector fotovoltaico
CN202583495U (zh) 自由曲面光学微镜阵列