RU2013144759A - Светоизлучающий модуль, лампа, осветительное устройство и устройство отображения - Google Patents

Светоизлучающий модуль, лампа, осветительное устройство и устройство отображения Download PDF

Info

Publication number
RU2013144759A
RU2013144759A RU2013144759/28A RU2013144759A RU2013144759A RU 2013144759 A RU2013144759 A RU 2013144759A RU 2013144759/28 A RU2013144759/28 A RU 2013144759/28A RU 2013144759 A RU2013144759 A RU 2013144759A RU 2013144759 A RU2013144759 A RU 2013144759A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
solid
ssl
light
state
light emitter
Prior art date
Application number
RU2013144759/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2581426C2 (ru
Inventor
Александр Валентинович ВДОВИН
Хендрик Йоханнес Баудевейн ЯГТ
Кун Адрианус ВЕРСЮРЕН
Кристиан КЛЕЙНЕН
Дюрандус Корнелиус ДЕЙКЕН
Марселлинус Петрус Каролус Михал КРЕЙН
Original Assignee
Конинклейке Филипс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from PCT/IB2011/050952 external-priority patent/WO2012120332A1/en
Application filed by Конинклейке Филипс Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Н.В.
Publication of RU2013144759A publication Critical patent/RU2013144759A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2581426C2 publication Critical patent/RU2581426C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

1. Светоизлучающий модуль (100, 150, 300, 350), служащий для испускания света через световыводящее окно (104, 402) светоизлучающего модуля (100, 150, 300, 350), содержащий:основание (110, 309, 358), содержащее светоотражающую поверхность (112, 306, 354), обращенную в направлении световыводящего окна (104, 402), светоотражающая поверхность (112, 306, 354) имеет коэффициент (Rbase) отражения основания, определяемый посредством соотношения между количеством света, которое отражается посредством светоотражающей поверхности (112, 306, 354) основания, и количеством света, которое падает на светоотражающую поверхность (112, 306, 354) основания,по меньшей мере, один твердотельный излучатель (108, 154, 156, 312, 360) света, обеспеченный на основании (110, 309, 358) и конфигурируемый для испускания света первого цветового диапазона (114), по меньшей мере, один твердотельный излучатель (108, 154, 156, 312, 360) света содержит верхнюю поверхность (106, 152, 158, 412) и имеет коэффициент (R_SSL) отражения твердотельного излучателя света, определяемый посредством соотношения между количеством света, которое отражается посредством, по меньшей мере, одного твердотельного излучателя (108, 154, 156, 312, 360) света, и количеством света, которое падает на верхнюю поверхность (106, 152, 158, 412), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя (108, 154, 156, 312, 360) света, причем верхняя поверхность (106, 152, 158, 412), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя (108, 154, 156,312, 360) света обращена в направлении световыводящего окна (104, 402),частично диффузно-отражающий слой (102, 308, 352), причем световыводящее окно (104, 402) содержит, по меньшей мере, часть частично диффузно-отражающего слоя (102, 308, 352), причем между верхней поверхностью (106, 152, 158, 412), по меньшей мере, одн

Claims (15)

1. Светоизлучающий модуль (100, 150, 300, 350), служащий для испускания света через световыводящее окно (104, 402) светоизлучающего модуля (100, 150, 300, 350), содержащий:
основание (110, 309, 358), содержащее светоотражающую поверхность (112, 306, 354), обращенную в направлении световыводящего окна (104, 402), светоотражающая поверхность (112, 306, 354) имеет коэффициент (Rbase) отражения основания, определяемый посредством соотношения между количеством света, которое отражается посредством светоотражающей поверхности (112, 306, 354) основания, и количеством света, которое падает на светоотражающую поверхность (112, 306, 354) основания,
по меньшей мере, один твердотельный излучатель (108, 154, 156, 312, 360) света, обеспеченный на основании (110, 309, 358) и конфигурируемый для испускания света первого цветового диапазона (114), по меньшей мере, один твердотельный излучатель (108, 154, 156, 312, 360) света содержит верхнюю поверхность (106, 152, 158, 412) и имеет коэффициент (R_SSL) отражения твердотельного излучателя света, определяемый посредством соотношения между количеством света, которое отражается посредством, по меньшей мере, одного твердотельного излучателя (108, 154, 156, 312, 360) света, и количеством света, которое падает на верхнюю поверхность (106, 152, 158, 412), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя (108, 154, 156, 312, 360) света, причем верхняя поверхность (106, 152, 158, 412), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя (108, 154, 156,
312, 360) света обращена в направлении световыводящего окна (104, 402),
частично диффузно-отражающий слой (102, 308, 352), причем световыводящее окно (104, 402) содержит, по меньшей мере, часть частично диффузно-отражающего слоя (102, 308, 352), причем между верхней поверхностью (106, 152, 158, 412), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя (108, 154, 156, 312, 360) света и частично диффузно-отражающим слоем (102, 308, 352) присутствует зазор (h, h1, h2), и
стенку (314, 362, 404), располагаемую между основанием (110, 309, 358) и световыводящим окном (104, 402), причем основание (110, 309, 358), стенка (314, 362, 404) и световыводящее окно (104, 402) формируют полость (316), стенка (314, 362, 404) содержит светоотражающую поверхность (304, 406) стенки, обращенную в направлении полости (316), светоотражающая поверхность (304, 406) стенки имеет коэффициент (Rwall) отражения стенки, определяемый посредством соотношения между количеством света, которое отражается посредством светоотражающей поверхности (304, 406) стенки, и количеством света, которое падает на светоотражающую поверхность (304, 406) стенки,
причем относительная площадь (ρSSL) области твердотельного излучателя света определяется как соотношение между областью верхней поверхности, по меньшей мере, одного твердотельного излучателя света и суммой области отражающей поверхности основания и области отражающей поверхности (304, 406) стенки,
причем величина эффективного коэффициента (Reff) отражения больше коэффициента (R_SSL) отражения твердотельного излучателя света плюс множитель с на разность между 1 и коэффициентом (R_SSL) отражения твердотельного излучателя света, и
причем 0,4 ≤ с ≤ 1 при ρSSL >0,25, эффективный коэффициент (Reff) отражения является средневзвешенной величиной коэффициента (Rbase) отражения основания и коэффициента отражения (Rwall) стенки.
2. Светоизлучающий модуль (100, 150, 300, 350) по п. 1, в котором частично диффузно-отражающий слой (102, 308, 352) содержит люминесцирующий материал для преобразования, по меньшей мере, части света первого цветового диапазона (114) в свет второго цветового диапазона (116).
3. Светоизлучающий модуль (100, 150, 300, 350) по п. 1 или 2, содержащий множество твердотельных излучателей (108, 154, 156, 312, 360) света, причем каждый из твердотельных излучателей (108, 154, 156, 312, 360) света сконфигурирован для испускания света в конкретном цветовом диапазоне, и каждый из твердотельных излучателей света имеет верхнюю поверхность (106, 152, 158, 412), причем коэффициент (R_SSL) отражения твердотельного излучателя света определяется как средняя величина коэффициентов отражения множества твердотельных излучателей (108, 154, 156, 312, 360) света.
4. Светоизлучающий модуль (100, 150, 300, 350) по п. 1, в котором расстояние (h, h1, h2) между верхней поверхностью (106, 152, 158, 412), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя света и частично диффузно-отражающим слоем (102, 308,
352) является величиной, находящейся в диапазоне от минимальной величины, равной 0,3 наибольшего линейного размера (dSSL, 202, 252, 260) верхней поверхности (106, 152, 158, 412), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя света до максимальной величины, равной 5-кратному наибольшему линейному размеру (dSSL, 202, 252, 260) верхней поверхности (106, 152, 158, 412), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя света, при 0 < ρSSL < 0,1, расстояние (h, h1, h2) между верхней поверхностью (106, 152, 158, 412), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя света и частично диффузно-отражающим слоем (102, 308, 352) является величиной, находящейся в диапазоне от минимальной величины, равной 0,15 наибольшего линейного размера (dSSL 202, 252, 260) верхней поверхности (106, 152, 158, 412), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя света до максимальной величины, равной 3-кратному наибольшему линейному размеру (dSSL, 202, 252, 260) верхней поверхности (106, 152, 158, 412), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя света, при 0,1 ≤ ρSSL ≤ 0,25, расстояние (h, h1, h2) между верхней поверхностью (106, 152, 158, 412), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя света и частично диффузно-отражающим слоем (102, 308, 352) является величиной, находящейся в диапазоне от минимальной величины, равной 0,1 наибольшего линейного размера (dSSL, 202, 252, 260) верхней поверхности (106, 152, 158, 412), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя света до максимальной величины, равной 2-кратному наибольшему линейному размеру (dSSL, 202, 252, 260) верхней поверхности (106,152, 158, 412), по
меньшей мере, одного твердотельного излучателя света, при ρSSL > 0,25, и
причем наибольший линейный размер (dSSL, 202, 252, 260) верхней поверхности (106, 152, 158, 412), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя света определяется как наибольшее расстояние от точки, находящейся на верхней поверхности (106, 152, 158, 412), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя света, до другой точки, находящейся на верхней поверхности (106, 152, 158, 412), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя света, по прямой линии.
5. Светоизлучающий модуль (100, 150, 300, 350) по п. 4, в котором коэффициент (Rwall) отражения стенки меньше 95% и расстояние (h, h1, h2) между верхней поверхностью (106, 152, 158, 412), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя света и частично диффузно-отражающим слоем (102, 308, 352) является величиной, находящейся в диапазоне от минимальной величины, равной 0,3 наибольшего линейного размера (dSSL, 202, 252, 260) верхней поверхности (106, 152, 158, 412), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя света, до максимальной величины, которая меньше 0,75 наибольшего линейного размера (dSSL, 202, 252, 260) верхней поверхности (106, 152, 158, 412), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя света, при 0 < ρSSL < 0,1, расстояние (h, h1, h2) между верхней поверхностью (106, 152, 158, 412), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя света и частично диффузно-отражающим слоем (102, 308, 352) является величиной, находящейся в диапазоне от минимальной величины, равной 0,15 наибольшего линейного размера (dSSL, 202,
252, 260) верхней поверхности (106, 152, 158, 412), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя света, до максимальной величины, которая меньше 0,3 наибольшего линейного размера (dSSL, 202, 252, 260) верхней поверхности (106, 152, 158, 412), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя света, при 0,1 ≤ ρSSL ≤ 0,25, расстояние (h, h1, h2) между верхней поверхностью (106, 152, 158, 412), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя света и частично диффузно-отражающим слоем (102, 308, 352) является величиной, находящейся в диапазоне от минимальной величины, равной 0,1 наибольшего линейного размера (dSSL, 202, 252, 260) верхней поверхности (106, 152, 158, 412), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя света, до максимальной величины, которая меньше 0,2 наибольшего линейного размера (dSSL, 202, 252, 260) верхней поверхности (106, 152, 158, 412), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя света, при ρSSL > 0,25.
6. Светоизлучающий модуль (100, 150, 300, 350) по п. 4, в котором коэффициент (Rwall) отражения стенки больше или равен 95% и расстояние (h, h1, h2) между верхней поверхностью (106, 152, 158, 412), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя света и частично диффузно-отражающим слоем (102, 308, 352) является величиной, находящейся в диапазоне от минимальной величины, равной 0,75 наибольшего линейного размера (dSSL, 202, 252, 260) верхней поверхности (106, 152, 158, 412), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя света, до максимальной величины, равной 2-кратному наибольшему линейному размеру (dSSL, 202, 252, 260) верхней поверхности (106, 152, 158, 412), по
меньшей мере, одного твердотельного излучателя света, при 0 < ρSSL < 0,1, расстояние (h, h1, h2) между верхней поверхностью (106, 152, 158, 412), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя света и частично диффузно-отражающим слоем (102, 308, 352) является величиной, находящейся в диапазоне от минимальной величины, равной 0,3 наибольшего линейного размера (dSSL, 202, 252, 260) верхней поверхности (106, 152, 158, 412), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя света, до максимальной величины, равной 0,7 наибольшего линейного размера (dSSL, 202, 252, 260) верхней поверхности (106, 152, 158, 412), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя света, при 0,1 ≤ ρSSL ≤ 0,25, расстояние (h, h1, h2) между верхней поверхностью (106, 152, 158, 412), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя света и частично диффузно-отражающим слоем (102, 308, 352) является величиной, находящейся в диапазоне от минимальной величины, равной 0,2 наибольшего линейного размера (dSSL, 202, 252, 260) верхней поверхности (106, 152, 158, 412), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя света, до максимальной величины, равной 0,5 наибольшего линейного размера (dSSL, 202, 252, 260) верхней поверхности (106, 152, 158, 412), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя света, при ρSSL > 0,25.
7. Светоизлучающий модуль (910) по п. 1, в котором, по меньшей мере, часть отражающей поверхности (901) основания (906) располагается на меньшем расстоянии до частично диффузно-отражающего слоя (902) по сравнению с верхней поверхностью (903), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя (908) света,
причем расстояние (h) между верхней поверхностью (903) и частично диффузно-отражающим слоем (902) является величиной, находящейся в диапазоне от минимальной величины, равной 0,4·dSSL+∆h/2, до максимальной величины, равной 5·dSSL+∆h/2, при 0 < ρSSL <0,1,
расстояние (h) между верхней поверхностью (903) и частично диффузно-отражающим слоем (902) является величиной, находящейся в диапазоне от минимальной величины, равной 0,15·dSSL+∆h/2, до максимальной величины, равной 3·dSSL+∆h/2, при 0,1 ≤ ρSSL ≤ 0,25,
расстояние (h) между верхней поверхностью (903) и частично диффузно-отражающим слоем (902) является величиной, находящейся в диапазоне от минимальной величины, равной 0,1·dSSL+∆h/2, до максимальной величины, равной 2·dSSL+∆h/2, при ρSSL > 0,25,
и причем ∆h является абсолютной величиной разности между расстоянием (h) между верхней поверхностью (903), по меньшей мере, одного твердотельного излучателя света и частично диффузно-отражающим слоем (902) и наименьшим расстоянием (h2) между отражающей поверхностью (901) основания и частично диффузно-отражающим слоем (902).
8. Светоизлучающий модуль (100, 150, 300, 350) по п. 1, в котором светоотражающая поверхность (304, 406) стенки наклонена относительно нормальной оси основания (110, 309, 358) для усиления отражения света в направлении световыводящего окна (104, 402), или светоотражающая поверхность (304, 406) стенки искривлена для усиления отражения света в направлении световыводящего окна (104, 402).
9. Светоизлучающий модуль (100, 150, 300, 350) по п. 1, содержащий по существу прозрачный материал, расположенный между, по меньшей мере, одним твердотельным излучателем (108, 154, 156, 312, 360) света и частично диффузно-отражающим слоем (102, 308, 352), причем прозрачный материал оптически сопряжен с, по меньшей мере, одним твердотельным излучателем (108, 154, 156, 312, 360) света.
10. Светоизлучающий модуль (100, 150, 300, 350) по п. 9, в котором по существу прозрачный материал дополнительно оптически и термически сопряжен с частично диффузно-отражающим слоем (102, 308, 352).
11. Светоизлучающий модуль (100, 150, 300, 350) по п. 9, в котором по существу прозрачный материал является спеченным просвечивающим поликристаллическим оксидом алюминия с размером зерна, больше 44 мкм или меньше 1 мкм.
12. Светоизлучающий модуль (100, 150, 300, 350) по п. 1, в котором 0,8 ≤ с ≤ 1 при ρSSL > 0,25.
13. Лампа (1000, 1020), содержащая светоизлучающий модуль (100, 150, 300, 350), по любому из пп. 1-12.
14. Осветительное устройство (1050), содержащее светоизлучающий модуль (100, 150, 300, 350) по любому из пп. 1-12 или содержащее лампу (1000, 1020) по п. 13.
15. Устройство (1400) отображения, содержащее светоизлучающий модуль (100, 150, 300, 350, 1300) по любому из пп. 1-12.
RU2013144759/28A 2011-03-07 2012-03-05 Светоизлучающий модуль, лампа, осветительное устройство и устройство отображения RU2581426C2 (ru)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/IB2011/050952 WO2012120332A1 (en) 2011-03-07 2011-03-07 A light emitting module, a lamp and a luminaire
IBPCT/IB2011/050952 2011-03-07
EP11181913.2 2011-09-20
EP11181913 2011-09-20
PCT/IB2012/051019 WO2012120434A1 (en) 2011-03-07 2012-03-05 A light emitting module, a lamp, a luminaire and a display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2013144759A true RU2013144759A (ru) 2015-04-20
RU2581426C2 RU2581426C2 (ru) 2016-04-20

Family

ID=45875969

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013144759/28A RU2581426C2 (ru) 2011-03-07 2012-03-05 Светоизлучающий модуль, лампа, осветительное устройство и устройство отображения

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9082946B2 (ru)
EP (1) EP2684224B1 (ru)
JP (1) JP6121915B2 (ru)
KR (1) KR101906863B1 (ru)
CN (1) CN103403894B (ru)
RU (1) RU2581426C2 (ru)
TW (1) TWI529348B (ru)
WO (1) WO2012120434A1 (ru)

Families Citing this family (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5147997B2 (ja) * 2010-11-04 2013-02-20 パナソニック株式会社 発光装置、電球形ランプ及び照明装置
CN103384794B (zh) 2010-12-23 2018-05-29 三星电子株式会社 包含量子点的光学元件
US9048396B2 (en) 2012-06-11 2015-06-02 Cree, Inc. LED package with encapsulant having planar surfaces
US10147853B2 (en) 2011-03-18 2018-12-04 Cree, Inc. Encapsulant with index matched thixotropic agent
CN103563111B (zh) * 2011-06-01 2017-09-12 飞利浦照明控股有限公司 包括导热体的发光模块、灯和灯具
CN103797597B (zh) * 2011-09-20 2017-08-15 皇家飞利浦有限公司 发光模块、灯、照明器和显示装置
EP2858132B1 (en) * 2012-05-31 2017-09-13 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Led module
US10468565B2 (en) 2012-06-11 2019-11-05 Cree, Inc. LED package with multiple element light source and encapsulant having curved and/or planar surfaces
US9887327B2 (en) 2012-06-11 2018-02-06 Cree, Inc. LED package with encapsulant having curved and planar surfaces
US20130329429A1 (en) * 2012-06-11 2013-12-12 Cree, Inc. Emitter package with integrated mixing chamber
US10424702B2 (en) * 2012-06-11 2019-09-24 Cree, Inc. Compact LED package with reflectivity layer
DE102012109217A1 (de) 2012-09-28 2014-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungsvorrichtung zum Erzeugen einer Lichtemission und Verfahren zum Erzeugen einer Lichtemission
KR102071424B1 (ko) * 2013-01-08 2020-01-30 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
US9324692B2 (en) * 2013-02-18 2016-04-26 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Transparent LED layer between phosphor layer and light exit surface of lamp
JP6316403B2 (ja) * 2013-03-26 2018-04-25 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 発光材料を有する気密封止された照明装置及びその製造方法
CN104168009B (zh) * 2013-05-17 2018-03-23 光宝电子(广州)有限公司 发光型触控开关装置及发光型触控开关模组
US9461024B2 (en) 2013-08-01 2016-10-04 Cree, Inc. Light emitter devices and methods for light emitting diode (LED) chips
JP6324683B2 (ja) * 2013-08-09 2018-05-16 日亜化学工業株式会社 直下型光源装置
JP2015092529A (ja) * 2013-10-01 2015-05-14 ソニー株式会社 発光装置、発光ユニット、表示装置、電子機器、および発光素子
US9821713B2 (en) * 2013-10-07 2017-11-21 Jet Optoelectronics Co., Ltd. In-vehicle lighting device and operating method
JP2015088636A (ja) * 2013-10-31 2015-05-07 セイコーエプソン株式会社 蛍光発光素子、光源装置、およびプロジェクター
WO2015077369A1 (en) * 2013-11-19 2015-05-28 Qd Vision, Inc. Light emitting device including quantum dots
KR102299238B1 (ko) 2014-01-08 2021-09-07 루미리즈 홀딩 비.브이. 파장 변환 반도체 발광 디바이스
DE102014205470B4 (de) * 2014-03-24 2016-10-13 Osram Gmbh Leuchtvorrichtung mit CoB-Bereich
JP6540050B2 (ja) * 2014-04-09 2019-07-10 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN105895788A (zh) * 2014-05-08 2016-08-24 罗冠杰 片式白光发光二极管、制备片式白光发光二极管的方法及封装胶材
JP2016009761A (ja) * 2014-06-24 2016-01-18 株式会社小糸製作所 発光モジュール
DE102014213582A1 (de) * 2014-07-11 2016-01-14 Osram Gmbh LED-Modul mit einer Mehrzahl LEDs
US10205069B2 (en) 2014-07-31 2019-02-12 Bridgelux Inc. LED array package
WO2016041795A1 (en) * 2014-09-17 2016-03-24 Philips Lighting Holding B.V. Flexible light emitting device
KR20160038568A (ko) * 2014-09-30 2016-04-07 (주)포인트엔지니어링 복수의 곡면 캐비티를 포함하는 칩 기판
DE102014117440B3 (de) * 2014-11-27 2016-04-07 Seaborough IP IV BV Lichtemittierende Remote-Phosphor-Vorrichtung
US9804317B2 (en) * 2015-02-06 2017-10-31 Japan Display Inc. Display apparatus
US10297581B2 (en) * 2015-07-07 2019-05-21 Apple Inc. Quantum dot integration schemes
WO2017048825A1 (en) * 2015-09-14 2017-03-23 Ernest Lee Local quantum dot optics
US10778877B2 (en) 2015-11-30 2020-09-15 Photopotech LLC Image-capture device
US10114467B2 (en) 2015-11-30 2018-10-30 Photopotech LLC Systems and methods for processing image information
US10306156B2 (en) 2015-11-30 2019-05-28 Photopotech LLC Image-capture device
US11217009B2 (en) 2015-11-30 2022-01-04 Photopotech LLC Methods for collecting and processing image information to produce digital assets
US10706621B2 (en) 2015-11-30 2020-07-07 Photopotech LLC Systems and methods for processing image information
KR101836253B1 (ko) 2015-12-15 2018-03-08 현대자동차 주식회사 광원 모듈 및 이를 이용한 차량용 헤드 램프
JP6700792B2 (ja) * 2016-01-06 2020-05-27 キヤノン株式会社 光源装置
CN105805572B (zh) * 2016-04-12 2018-12-07 深圳市华星光电技术有限公司 Ld灯源、背光模组和液晶显示器
US20190081028A1 (en) * 2016-05-30 2019-03-14 Mitsumi Electric Co., Ltd. Optical module, module, and methods for manufacturing optical module and module
US20180180795A1 (en) * 2016-12-22 2018-06-28 Dura Operating, Llc Light guide and method of creating a light guide by screen-printing
JP7108171B2 (ja) * 2016-12-27 2022-07-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10332443B2 (en) * 2017-02-03 2019-06-25 Abl Ip Holding Llc Luminaire and lighting system, combining transparent lighting device and display coupled to output image via the transparent lighting device
US10611298B2 (en) * 2017-03-13 2020-04-07 Ford Global Technologies, Llc Illuminated cargo carrier
DE102018106937A1 (de) 2017-03-24 2018-09-27 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Beleuchtungsvorrichtung
CN108598241B (zh) * 2017-04-18 2021-05-28 烨曜贸易（重庆）有限公司 Led封装件的系统和制造方法
DE102017113375A1 (de) 2017-06-19 2018-12-20 Schreiner Group Gmbh & Co. Kg Folienaufbau mit Erzeugen von sichtbarem Licht mittels LED-Technologie
DE102017113380A1 (de) 2017-06-19 2018-12-20 Schreiner Group Gmbh & Co. Kg Folienaufbau mit Erzeugen von sichtbarem Licht mittels LED-Technologie
TWI757315B (zh) * 2017-07-28 2022-03-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置以及其製造方法
US10837607B2 (en) 2017-09-26 2020-11-17 Lumileds Llc Light emitting device with improved warm-white color point
US11482646B2 (en) * 2017-11-13 2022-10-25 Denka Company Limited Lighting apparatus having mounting substrate for LED lighting
US11894658B2 (en) * 2017-11-29 2024-02-06 Vixar, Inc. Power monitoring approach for VCSELS and VCSEL arrays
US11404400B2 (en) 2018-01-24 2022-08-02 Apple Inc. Micro LED based display panel
CN108447968A (zh) * 2018-02-06 2018-08-24 惠州市华星光电技术有限公司 一种量子点led及其制备方法
DE102018103748A1 (de) * 2018-02-20 2019-08-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes bauteil und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden bauteils
US10522722B2 (en) * 2018-04-19 2019-12-31 Cree, Inc. Light-emitting diode package with light-altering material
KR102646700B1 (ko) 2018-08-16 2024-03-13 엘지이노텍 주식회사 조명 장치
US11178392B2 (en) * 2018-09-12 2021-11-16 Apple Inc. Integrated optical emitters and applications thereof
TWI666788B (zh) * 2018-09-26 2019-07-21 鼎元光電科技股份有限公司 Laser package structure
CN113557644B (zh) 2019-02-04 2024-03-29 苹果公司 具有一体式微透镜的竖直发射器
US11326763B1 (en) * 2019-02-06 2022-05-10 Apple Inc. Light-emitting diodes with optical filters
US11861941B1 (en) 2019-02-06 2024-01-02 Apple Inc. Eye camera systems with polarized light
US11450648B2 (en) * 2019-03-19 2022-09-20 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device package and application thereof
CN110061115A (zh) * 2019-04-28 2019-07-26 深圳市晶泓科技有限公司 一种透明led显示屏及其制备方法
DE102020115536A1 (de) * 2019-06-21 2020-12-24 Lg Display Co., Ltd. Lichtleiterfilm, Hintergrundlichteinheit und Anzeigevorrichtung
JP7313925B2 (ja) * 2019-06-25 2023-07-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20210004019A (ko) * 2019-07-03 2021-01-13 엘지디스플레이 주식회사 색변환 시트, 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치
WO2021002158A1 (ja) 2019-07-04 2021-01-07 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光モジュールの製造方法、並びに、発光装置及び発光モジュール
JP6787515B1 (ja) * 2019-08-02 2020-11-18 日亜化学工業株式会社 発光装置および面発光光源
US11552229B2 (en) 2020-09-14 2023-01-10 Creeled, Inc. Spacer layer arrangements for light-emitting diodes
US11994694B2 (en) 2021-01-17 2024-05-28 Apple Inc. Microlens array with tailored sag profile

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3761756A (en) * 1971-12-28 1973-09-25 Hitachi Ltd Fluorescent screens for use in cathode ray tubes
RU2083031C1 (ru) * 1993-03-26 1997-06-27 Саратовский научно-исследовательский институт "Волга" Полупроводниковый излучатель
US6653765B1 (en) * 2000-04-17 2003-11-25 General Electric Company Uniform angular light distribution from LEDs
US7800121B2 (en) 2002-08-30 2010-09-21 Lumination Llc Light emitting diode component
EP1930959B1 (en) 2002-08-30 2019-05-08 GE Lighting Solutions, LLC Phosphor-coated light emitting diode with improved efficiency
DE60330023D1 (de) * 2002-08-30 2009-12-24 Lumination Llc Geschichtete led mit verbessertem wirkungsgrad
US7091661B2 (en) 2003-01-27 2006-08-15 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a reflective polarizer
US7157839B2 (en) * 2003-01-27 2007-01-02 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources utilizing total internal reflection
US20060171152A1 (en) 2005-01-20 2006-08-03 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and method of making the same
EP1686630A3 (en) * 2005-01-31 2009-03-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Led device having diffuse reflective surface
US20060213591A1 (en) * 2005-03-24 2006-09-28 Brooks Charles E High strength aluminum alloys and process for making the same
EP1873563B1 (en) * 2005-03-29 2017-03-22 Kyocera Corporation Light-emitting device using reflective member and illuminating device
JP4873963B2 (ja) * 2006-02-27 2012-02-08 京セラ株式会社 発光装置およびそれを用いた照明装置
US7663152B2 (en) 2006-08-09 2010-02-16 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Illumination device including wavelength converting element side holding heat sink
US7703942B2 (en) * 2006-08-31 2010-04-27 Rensselaer Polytechnic Institute High-efficient light engines using light emitting diodes
TW200827872A (en) 2006-10-26 2008-07-01 Koninkl Philips Electronics Nv Illumination system and display device
US8651685B2 (en) * 2007-03-16 2014-02-18 Cree, Inc. Apparatus and methods for backlight unit with vertical interior reflectors
KR101273083B1 (ko) * 2007-06-21 2013-06-10 엘지이노텍 주식회사 발광장치
WO2009003176A1 (en) * 2007-06-27 2008-12-31 The Regents Of The University Of California Optical designs for high-efficacy white-light emitting diodes
DE102007049799A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US8410681B2 (en) 2008-06-30 2013-04-02 Bridgelux, Inc. Light emitting device having a refractory phosphor layer
US8662687B2 (en) 2008-11-19 2014-03-04 3M Innovative Properties Company Brewster angle film for light management in luminaires and other lighting systems
US20110062469A1 (en) * 2009-09-17 2011-03-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Molded lens incorporating a window element

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014515863A (ja) 2014-07-03
WO2012120434A1 (en) 2012-09-13
CN103403894A (zh) 2013-11-20
KR101906863B1 (ko) 2018-10-11
TWI529348B (zh) 2016-04-11
EP2684224B1 (en) 2019-05-08
KR20140006971A (ko) 2014-01-16
RU2581426C2 (ru) 2016-04-20
CN103403894B (zh) 2016-10-26
TW201245626A (en) 2012-11-16
US20130334559A1 (en) 2013-12-19
EP2684224A1 (en) 2014-01-15
US9082946B2 (en) 2015-07-14
JP6121915B2 (ja) 2017-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2013144759A (ru) Светоизлучающий модуль, лампа, осветительное устройство и устройство отображения
RU2014115713A (ru) Светоизлучающий модуль, лампа, осветительное устройство и устройство отображения
JP2014515863A5 (ru)
KR101816669B1 (ko) 발광 장치
TWI446018B (zh) 光取出膜及應用其之發光元件
JP6228598B2 (ja) 遠隔波長変換層を有する照明装置
DK2769142T3 (en) LIGHTING DEVICE WITH Omnidirectional Light Distribution
RU2624348C2 (ru) Светоизлучающее устройство
RU2648980C2 (ru) Испускающий свет узел, лампа и осветительный прибор
RU2011153699A (ru) Осветительное устройство с корпусом, заключающим в себе источник света
US9755117B2 (en) Phosphor-enhanced lighting device, retrofit light bulb and light tube with reduced color appearance
CN104576881A (zh) 发光二极管封装结构
US9632295B2 (en) Flood optic
WO2009082011A1 (ja) 発光装置および照明装置
WO2013086694A1 (en) Side-emitting guidepipe technology on led lamp to make filament effect
TW201327926A (zh) 光轉換結構和其應用之發光二極體的封裝結構
US9255666B2 (en) Illumination apparatus
JP2014086232A (ja) 発光装置用レンズ、発光装置及び照明装置
JP2010103060A (ja) 表示装置
RU105402U1 (ru) Светодиодный светильник
US10191204B2 (en) Materials and lightguides for color filtering in lighting units
RU2565419C1 (ru) Светоизлучающее тело и светодиодное осветительное устройство, содержащее такое тело
KR20130110963A (ko) 광학 필터가 포함된 ｌｅｄ 패키지
RU154787U1 (ru) Светодиодное осветительное устройство
CN207880479U (zh) 高亮度led发光模组及照明灯

Legal Events

Date Code Title Description
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20190823

PD4A Correction of name of patent owner