JP6121915B2 - 発光モジュール、ランプ、照明器具、及び表示装置 - Google Patents
発光モジュール、ランプ、照明器具、及び表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6121915B2 JP6121915B2 JP2013557203A JP2013557203A JP6121915B2 JP 6121915 B2 JP6121915 B2 JP 6121915B2 JP 2013557203 A JP2013557203 A JP 2013557203A JP 2013557203 A JP2013557203 A JP 2013557203A JP 6121915 B2 JP6121915 B2 JP 6121915B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- light
- solid state
- ssl
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 449
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 127
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 50
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 23
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 458
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 88
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 80
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 37
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 28
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 23
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 22
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 21
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 21
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 17
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 16
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 14
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 13
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 13
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 12
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 11
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 11
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 11
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 10
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 alkyl silicate Chemical compound 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 6
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 5
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 4
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000995 Spectralon Polymers 0.000 description 2
- 244000154870 Viola adunca Species 0.000 description 2
- 235000005811 Viola adunca Nutrition 0.000 description 2
- 235000013487 Viola odorata Nutrition 0.000 description 2
- 235000002254 Viola papilionacea Nutrition 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 2
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 238000013041 optical simulation Methods 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017109 AlON Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 description 1
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 244000172533 Viola sororia Species 0.000 description 1
- NFRFIMNIYLSHNB-UHFFFAOYSA-N [Sr].[Ba].[Si] Chemical compound [Sr].[Ba].[Si] NFRFIMNIYLSHNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 239000002480 mineral oil Substances 0.000 description 1
- 235000010446 mineral oil Nutrition 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229920003217 poly(methylsilsesquioxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000009700 powder processing Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000007569 slipcasting Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Planar Illumination Modules (AREA)
- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
として定められてもよく、基底反射係数Rbaseは、基底309の光反射面306の反射係数であり、壁反射係数Rwallは、壁314の光反射面304の反射係数であり、Abaseは基底309の反射面306の総面積であり、Awallは壁314の反射面304の総面積である。
として定められる固体発光素子面積比ρSSLに依存する。従って、図1a及び図1bの実施形態に比べ、この場合、壁314の反射面304の面積も考慮に入れられ、即ち今度は総反射面積が基底及び壁の反射面積を含む。固体発光素子312の上面の面積に対し、基底309及び壁314の比較的広い反射面積を示すρSSL<0.1の場合、比較的効率的な発光モジュールを有するために、因子cの値は0.2以上であるべきである。固体発光素子312の上面の面積に匹敵する基底309及び壁314の反射面積を示す0.1≦ρSSL≦0.25の場合、比較的効率的な発光モジュールを有するために、因子cの値は0.3以上であるべきである。固体発光素子312の上面の面積に対し、基底309及び壁314の比較的狭い反射面積を示すρSSL>0.25の場合、比較的効率的な発光モジュールを有するために、因子cの値は0.4以上であるべきである。いずれの場合も、因子cの値は実際には1.0未満である。
1. 発光モジュールの光出口窓を介して光を発するための前記発光モジュールであって、
前記光出口窓に面し、基底の光反射面によって反射される光量と、前記基底の該光反射面に当たる光量との間の比率によって定められる基底反射係数を有する、前記光反射面を含む前記基底と、
前記光出口窓の方に向く上面を含み、少なくとも1つの固体発光素子によって反射される光量と、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面に当たる光量との間の比率によって定められる固体発光素子反射係数を有し、第1の色の範囲の光を発する、前記基底上に設けられる前記少なくとも1つの固体発光素子と、
部分的に拡散性の反射層であって、前記光出口窓が前記部分的に拡散性の反射層の少なくとも一部を含み、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面と前記部分的に拡散性の反射層との間に隔たりがある、前記部分的に拡散性の反射層と、
前記基底と前記光出口窓との間に入れられる壁とを含み、前記基底、前記壁、及び前記光出口窓が空洞を囲み、前記壁が前記空洞の方を向く光反射壁面を含み、前記光反射壁面が、前記光反射壁面によって反射される光量と前記光反射壁面に当たる光量との間の比率によって定められる壁反射係数を有し、
固体発光素子面積比(ρ SSL )が、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の面積と、前記基底の反射面の面積及び前記壁の前記反射面の面積の和との間の比率として定められ、
実効反射係数の値は、1と前記固体発光素子反射係数との差に因子cを掛けた値に、前記固体発光素子反射係数を加えた値よりも大きく、
0<ρ SSL <0.1では0.2≦c≦1であり、0.1≦ρ SSL ≦0.25では0.3≦c≦1であり、及びρ SSL >0.25では0.4≦c≦1であり、
前記実効反射係数は、前記基底の前記反射面の面積と前記壁の前記反射面の面積とに応じて重み付けられた、前記基底反射係数及び前記壁反射係数の加重平均である、
発光モジュール。
2. 前記部分的に拡散性の反射層が、前記第1の色の範囲の前記光の少なくとも一部を第2の色の範囲の光に変換するための発光材料を含む、上記1.に記載の発光モジュール。
3. 複数の固体発光素子を含み、前記固体発光素子のそれぞれが特定の色の範囲で光を発し、前記固体発光素子のそれぞれが上面を有し、前記固体発光素子反射係数が、前記複数の固体発光素子の前記反射係数の平均値として定められる、上記1.又は2.に記載の発光モジュール。
4. 前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面と前記部分的に拡散性の反射層との間の距離は、0<ρ SSL <0.1では、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の最大直線寸法に0.3を掛けた最小値、及び前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の前記最大直線寸法に5を掛けた最大値を有する範囲内の値であり、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面と前記部分的に拡散性の反射層との間の前記距離は、0.1≦ρ SSL ≦0.25では、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の前記最大直線寸法に0.15を掛けた最小値、及び前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の前記最大直線寸法に3を掛けた最大値を有する範囲内の値であり、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面と前記部分的に拡散性の反射層との間の前記距離は、ρ SSL >0.25では、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の前記最大直線寸法に0.1を掛けた最小値、及び前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の前記最大直線寸法に2を掛けた最大値を有する範囲内の値であり、
前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の前記最大直線寸法は、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面のある点から、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の別の点までの直線に沿った最長距離として定められる、
上記1.又は2.に記載の発光モジュール。
5. 前記壁反射係数が95%未満であり、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面と前記部分的に拡散性の反射層との間の前記距離は、0<ρ SSL <0.1では、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の前記最大直線寸法に0.3を掛けた最小値、及び前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の前記最大直線寸法に0.75を掛けた値未満の最大値を有する範囲内の値であり、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面と前記部分的に拡散性の反射層との間の前記距離は、0.1≦ρ SSL ≦0.25では、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の前記最大直線寸法に0.15を掛けた最小値、及び前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の前記最大直線寸法に0.3を掛けた値未満の最大値を有する範囲内の値であり、又は前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面と前記部分的に拡散性の反射層との間の前記距離は、ρ SSL >0.25では、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の前記最大直線寸法に0.1を掛けた最小値、及び前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の前記最大直線寸法に0.2を掛けた値未満の最大値を有する範囲内の値である、上記4.に記載の発光モジュール。
6. 前記壁反射係数が95%以上であり、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面と前記部分的に拡散性の反射層との間の前記距離は、0<ρ SSL <0.1では、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の前記最大直線寸法に0.75を掛けた最小値、及び前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の前記最大直線寸法に2を掛けた最大値を有する範囲内の値であり、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面と前記部分的に拡散性の反射層との間の前記距離は、0.1≦ρ SSL ≦0.25では、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の前記最大直線寸法に0.3を掛けた最小値、及び前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の前記最大直線寸法に0.7を掛けた最大値を有する範囲内の値であり、又は前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面と前記部分的に拡散性の反射層との間の前記距離は、ρ SSL >0.25では、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の前記最大直線寸法に0.2を掛けた最小値、及び前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の前記最大直線寸法に0.5を掛けた最大値を有する範囲内の値である、上記4.に記載の発光モジュール。
7. 前記基底の前記反射面の少なくとも一部が、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面よりも前記部分的に拡散性の反射層に近く、
前記上面と前記部分的に拡散性の反射層との間の距離は、0<ρ SSL <0.1では、0.4*d SSL +Δh/2の最小値及び5*d SSL +Δh/2の最大値を有する範囲内の値であり、
前記上面と前記部分的に拡散性の反射層との間の前記距離は、0.1≦ρ SSL ≦0.25では、0.15*d SSL +Δh/2の最小値及び3*d SSL +Δh/2の最大値を有する範囲内の値であり、
前記上面と前記部分的に拡散性の反射層との間の前記距離は、ρ SSL >0.25では、0.1*d SSL +Δh/2の最小値及び2*d SSL +Δh/2の最大値を有する範囲内の値であり、
Δhは、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面と前記部分的に拡散性の反射層との間の前記距離と、前記反射基底面と前記部分的に拡散性の反射層との間の最短距離との差の絶対値である、
上記1.に記載の発光モジュール。
8. 前記光出口窓の方への光の前記反射を増やすために、前記光反射壁面が前記基底の垂直軸に対して傾けられ、又は前記光出口窓の方への光の前記反射を増やすために前記光反射壁面が湾曲される、上記1.に記載の発光モジュール。
9. 前記少なくとも1つの固体発光素子と前記部分的に拡散性の反射層との間に配置される実質的に透明な材料を含み、該透明な材料は前記少なくとも1つの固体発光素子に光学的に結合される、上記1.から8.のいずれか一に記載の発光モジュール。
10. 前記実質的に透明な材料が、前記部分的に拡散性の反射層に光学的且つ熱的にさらに結合される、上記9.に記載の発光モジュール。
11. 前記実質的に透明な材料が、44μmよりも大きい又は1μmよりも小さい粒子サイズを有する透光性の焼結多結晶アルミナである、上記9.又は10.に記載の発光モジュール。
12. ρ SSL >0.25では0.8≦c≦1が成立する、上記1.から11.のいずれか一に記載の発光モジュール。
13. 上記1.から12.のいずれか一に記載の発光モジュールを含む、ランプ。
14. 上記1.から12.のいずれか一に記載の発光モジュール、又は上記13.に記載のランプを含む、照明器具。
15. 上記1.から12.のいずれか一に記載の発光モジュールを含む、表示装置。
Claims (12)
- 発光モジュールの光出口窓を介して光を発するための前記発光モジュールであって、
前記光出口窓に面し、基底の光反射面によって反射される光量と、前記基底の該光反射面に当たる光量との間の比率によって定められる基底反射係数を有する、前記光反射面を含む前記基底と、
前記光出口窓の方に向く上面を含み、少なくとも1つの固体発光素子によって反射される光量と、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面に当たる光量との間の比率によって定められる固体発光素子反射係数を有し、第1の色の範囲の光を発する、前記基底上に設けられる前記少なくとも1つの固体発光素子と、
部分的に拡散性の反射層であって、前記光出口窓が前記部分的に拡散性の反射層の少なくとも一部を含み、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面と前記部分的に拡散性の反射層との間に隔たりがある、前記部分的に拡散性の反射層と、
前記基底と前記光出口窓との間に入れられる壁とを含み、前記基底、前記壁、及び前記光出口窓が空洞を囲み、前記壁が前記空洞の方を向く光反射壁面を含み、前記光反射壁面が、前記光反射壁面によって反射される光量と前記光反射壁面に当たる光量との間の比率によって定められる壁反射係数を有し、
固体発光素子面積比(ρSSL)が、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の面積と、前記基底の反射面の面積及び前記壁の前記反射面の面積の和との間の比率として定められ、
実効反射係数の値は、1と前記固体発光素子反射係数との差に因子cを掛けた値に、前記固体発光素子反射係数を加えた値よりも大きく、
0<ρSSL<0.1では0.2≦c≦1であり、0.1≦ρSSL≦0.25では0.3≦c≦1であり、及びρSSL>0.25では0.4≦c≦1であり、
前記実効反射係数は、前記基底の前記反射面の面積と前記壁の前記反射面の面積とに応じて重み付けられた、前記基底反射係数及び前記壁反射係数の加重平均であり、
前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面と前記部分的に拡散性の反射層との間の距離は、0<ρ SSL <0.1では、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の最大直線寸法に0.3を掛けた最小値、及び前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の前記最大直線寸法に5を掛けた最大値を有する範囲内の値であり、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面と前記部分的に拡散性の反射層との間の前記距離は、0.1≦ρ SSL ≦0.25では、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の前記最大直線寸法に0.15を掛けた最小値、及び前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の前記最大直線寸法に3を掛けた最大値を有する範囲内の値であり、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面と前記部分的に拡散性の反射層との間の前記距離は、ρ SSL >0.25では、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の前記最大直線寸法に0.1を掛けた最小値、及び前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の前記最大直線寸法に2を掛けた最大値を有する範囲内の値であり、
前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の前記最大直線寸法は、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面のある点から、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の別の点までの直線に沿った最長距離として定められ、
前記壁反射係数が95%未満であり、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面と前記部分的に拡散性の反射層との間の前記距離は、0<ρ SSL <0.1では、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の前記最大直線寸法に0.3を掛けた最小値、及び前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の前記最大直線寸法に0.75を掛けた値未満の最大値を有する範囲内の値であり、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面と前記部分的に拡散性の反射層との間の前記距離は、0.1≦ρ SSL ≦0.25では、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の前記最大直線寸法に0.15を掛けた最小値、及び前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の前記最大直線寸法に0.3を掛けた値未満の最大値を有する範囲内の値であり、又は前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面と前記部分的に拡散性の反射層との間の前記距離は、ρ SSL >0.25では、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の前記最大直線寸法に0.1を掛けた最小値、及び前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の前記最大直線寸法に0.2を掛けた値未満の最大値を有する範囲内の値である、
発光モジュール。 - 前記部分的に拡散性の反射層が、前記第1の色の範囲の前記光の少なくとも一部を第2の色の範囲の光に変換するための発光材料を含む、請求項1に記載の発光モジュール。
- 複数の固体発光素子を含み、前記固体発光素子のそれぞれが特定の色の範囲で光を発し、前記固体発光素子のそれぞれが上面を有し、前記固体発光素子反射係数が、前記複数の固体発光素子の前記反射係数の平均値として定められる、請求項1又は2に記載の発光モジュール。
- 発光モジュールの光出口窓を介して光を発するための前記発光モジュールであって、
前記光出口窓に面し、基底の光反射面によって反射される光量と、前記基底の該光反射面に当たる光量との間の比率によって定められる基底反射係数を有する、前記光反射面を含む前記基底と、
前記光出口窓の方に向く上面を含み、少なくとも1つの固体発光素子によって反射される光量と、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面に当たる光量との間の比率によって定められる固体発光素子反射係数を有し、第1の色の範囲の光を発する、前記基底上に設けられる前記少なくとも1つの固体発光素子と、
部分的に拡散性の反射層であって、前記光出口窓が前記部分的に拡散性の反射層の少なくとも一部を含み、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面と前記部分的に拡散性の反射層との間に隔たりがある、前記部分的に拡散性の反射層と、
前記基底と前記光出口窓との間に入れられる壁とを含み、前記基底、前記壁、及び前記光出口窓が空洞を囲み、前記壁が前記空洞の方を向く光反射壁面を含み、前記光反射壁面が、前記光反射壁面によって反射される光量と前記光反射壁面に当たる光量との間の比率によって定められる壁反射係数を有し、
固体発光素子面積比(ρ SSL )が、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面の面積と、前記基底の反射面の面積及び前記壁の前記反射面の面積の和との間の比率として定められ、
実効反射係数の値は、1と前記固体発光素子反射係数との差に因子cを掛けた値に、前記固体発光素子反射係数を加えた値よりも大きく、
0<ρ SSL <0.1では0.2≦c≦1であり、0.1≦ρ SSL ≦0.25では0.3≦c≦1であり、及びρ SSL >0.25では0.4≦c≦1であり、
前記実効反射係数は、前記基底の前記反射面の面積と前記壁の前記反射面の面積とに応じて重み付けられた、前記基底反射係数及び前記壁反射係数の加重平均であり、
前記基底の前記反射面の少なくとも一部が、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面よりも前記部分的に拡散性の反射層に近く、
前記上面と前記部分的に拡散性の反射層との間の距離は、0<ρSSL<0.1では、0.4*dSSL+Δh/2の最小値及び5*dSSL+Δh/2の最大値を有する範囲内の値であり、
前記上面と前記部分的に拡散性の反射層との間の前記距離は、0.1≦ρSSL≦0.25では、0.15*dSSL+Δh/2の最小値及び3*dSSL+Δh/2の最大値を有する範囲内の値であり、
前記上面と前記部分的に拡散性の反射層との間の前記距離は、ρSSL>0.25では、0.1*dSSL+Δh/2の最小値及び2*dSSL+Δh/2の最大値を有する範囲内の値であり、
Δhは、前記少なくとも1つの固体発光素子の前記上面と前記部分的に拡散性の反射層との間の前記距離と、前記反射基底面と前記部分的に拡散性の反射層との間の最短距離との差の絶対値である、
発光モジュール。 - 前記光出口窓の方への光の前記反射を増やすために、前記光反射壁面が前記基底の垂直軸に対して傾けられ、又は前記光出口窓の方への光の前記反射を増やすために前記光反射壁面が湾曲される、請求項1に記載の発光モジュール。
- 前記少なくとも1つの固体発光素子と前記部分的に拡散性の反射層との間に配置される実質的に透明な材料を含み、該透明な材料は前記少なくとも1つの固体発光素子に光学的に結合される、請求項1から5のいずれか一項に記載の発光モジュール。
- 前記実質的に透明な材料が、前記部分的に拡散性の反射層に光学的且つ熱的にさらに結合される、請求項6に記載の発光モジュール。
- 前記実質的に透明な材料が、44μmよりも大きい又は1μmよりも小さい粒子サイズを有する透光性の焼結多結晶アルミナである、請求項6又は7に記載の発光モジュール。
- ρSSL>0.25では0.8≦c≦1が成立する、請求項1から8のいずれか一項に記載の発光モジュール。
- 請求項1から9のいずれか一項に記載の発光モジュールを含む、ランプ。
- 請求項1から9のいずれか一項に記載の発光モジュール、又は請求項10に記載のランプを含む、照明器具。
- 請求項1から9のいずれか一項に記載の発光モジュールを含む、表示装置。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/IB2011/050952 WO2012120332A1 (en) | 2011-03-07 | 2011-03-07 | A light emitting module, a lamp and a luminaire |
IBPCT/IB2011/050952 | 2011-03-07 | ||
EP11181913.2 | 2011-09-20 | ||
EP11181913 | 2011-09-20 | ||
PCT/IB2012/051019 WO2012120434A1 (en) | 2011-03-07 | 2012-03-05 | A light emitting module, a lamp, a luminaire and a display device |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014515863A JP2014515863A (ja) | 2014-07-03 |
JP2014515863A5 JP2014515863A5 (ja) | 2015-04-23 |
JP6121915B2 true JP6121915B2 (ja) | 2017-04-26 |
Family
ID=45875969
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013557203A Active JP6121915B2 (ja) | 2011-03-07 | 2012-03-05 | 発光モジュール、ランプ、照明器具、及び表示装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9082946B2 (ja) |
EP (1) | EP2684224B1 (ja) |
JP (1) | JP6121915B2 (ja) |
KR (1) | KR101906863B1 (ja) |
CN (1) | CN103403894B (ja) |
RU (1) | RU2581426C2 (ja) |
TW (1) | TWI529348B (ja) |
WO (1) | WO2012120434A1 (ja) |
Families Citing this family (77)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2636938A1 (en) * | 2010-11-04 | 2013-09-11 | Panasonic Corporation | Light emitting device, bulb-type lamp, and illuminating device |
CN103384794B (zh) | 2010-12-23 | 2018-05-29 | 三星电子株式会社 | 包含量子点的光学元件 |
US10147853B2 (en) | 2011-03-18 | 2018-12-04 | Cree, Inc. | Encapsulant with index matched thixotropic agent |
EP2715815B1 (en) * | 2011-06-01 | 2020-02-05 | Signify Holding B.V. | A light emitting module comprising a thermal conductor, a lamp and a luminaire |
KR101937643B1 (ko) | 2011-09-20 | 2019-01-11 | 루미리즈 홀딩 비.브이. | 발광 모듈, 램프, 조명기구 및 디스플레이 장치 |
US9437581B2 (en) * | 2012-05-31 | 2016-09-06 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | LED module |
US20130329429A1 (en) * | 2012-06-11 | 2013-12-12 | Cree, Inc. | Emitter package with integrated mixing chamber |
US10468565B2 (en) | 2012-06-11 | 2019-11-05 | Cree, Inc. | LED package with multiple element light source and encapsulant having curved and/or planar surfaces |
US9887327B2 (en) | 2012-06-11 | 2018-02-06 | Cree, Inc. | LED package with encapsulant having curved and planar surfaces |
US9818919B2 (en) | 2012-06-11 | 2017-11-14 | Cree, Inc. | LED package with multiple element light source and encapsulant having planar surfaces |
US10424702B2 (en) * | 2012-06-11 | 2019-09-24 | Cree, Inc. | Compact LED package with reflectivity layer |
DE102012109217A1 (de) | 2012-09-28 | 2014-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Beleuchtungsvorrichtung zum Erzeugen einer Lichtemission und Verfahren zum Erzeugen einer Lichtemission |
KR102071424B1 (ko) * | 2013-01-08 | 2020-01-30 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
US9324692B2 (en) * | 2013-02-18 | 2016-04-26 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc. | Transparent LED layer between phosphor layer and light exit surface of lamp |
EP2979022B1 (en) | 2013-03-26 | 2021-09-08 | Lumileds LLC | Method for manufacturing hermetically sealed illumination device with luminescent material |
CN104168009B (zh) * | 2013-05-17 | 2018-03-23 | 光宝电子(广州)有限公司 | 发光型触控开关装置及发光型触控开关模组 |
US9461024B2 (en) | 2013-08-01 | 2016-10-04 | Cree, Inc. | Light emitter devices and methods for light emitting diode (LED) chips |
JP6324683B2 (ja) * | 2013-08-09 | 2018-05-16 | 日亜化学工業株式会社 | 直下型光源装置 |
JP2015092529A (ja) * | 2013-10-01 | 2015-05-14 | ソニー株式会社 | 発光装置、発光ユニット、表示装置、電子機器、および発光素子 |
US9821713B2 (en) * | 2013-10-07 | 2017-11-21 | Jet Optoelectronics Co., Ltd. | In-vehicle lighting device and operating method |
JP2015088636A (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | セイコーエプソン株式会社 | 蛍光発光素子、光源装置、およびプロジェクター |
WO2015077369A1 (en) * | 2013-11-19 | 2015-05-28 | Qd Vision, Inc. | Light emitting device including quantum dots |
EP3092665B1 (en) | 2014-01-08 | 2019-03-27 | Lumileds Holding B.V. | Wavelength converted semiconductor light emitting device |
DE102014205470B4 (de) * | 2014-03-24 | 2016-10-13 | Osram Gmbh | Leuchtvorrichtung mit CoB-Bereich |
JP6540050B2 (ja) * | 2014-04-09 | 2019-07-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
CN105895788A (zh) * | 2014-05-08 | 2016-08-24 | 罗冠杰 | 片式白光发光二极管、制备片式白光发光二极管的方法及封装胶材 |
JP2016009761A (ja) * | 2014-06-24 | 2016-01-18 | 株式会社小糸製作所 | 発光モジュール |
DE102014213582A1 (de) * | 2014-07-11 | 2016-01-14 | Osram Gmbh | LED-Modul mit einer Mehrzahl LEDs |
US10205069B2 (en) | 2014-07-31 | 2019-02-12 | Bridgelux Inc. | LED array package |
US20170256692A1 (en) * | 2014-09-17 | 2017-09-07 | Philips Lighting Holding B.V. | Flexible light emitting device |
KR20160038568A (ko) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | (주)포인트엔지니어링 | 복수의 곡면 캐비티를 포함하는 칩 기판 |
DE102014117440B3 (de) * | 2014-11-27 | 2016-04-07 | Seaborough IP IV BV | Lichtemittierende Remote-Phosphor-Vorrichtung |
US9804317B2 (en) * | 2015-02-06 | 2017-10-31 | Japan Display Inc. | Display apparatus |
US10297581B2 (en) * | 2015-07-07 | 2019-05-21 | Apple Inc. | Quantum dot integration schemes |
WO2017048825A1 (en) * | 2015-09-14 | 2017-03-23 | Ernest Lee | Local quantum dot optics |
US10706621B2 (en) | 2015-11-30 | 2020-07-07 | Photopotech LLC | Systems and methods for processing image information |
US11217009B2 (en) | 2015-11-30 | 2022-01-04 | Photopotech LLC | Methods for collecting and processing image information to produce digital assets |
US10778877B2 (en) | 2015-11-30 | 2020-09-15 | Photopotech LLC | Image-capture device |
US10114467B2 (en) | 2015-11-30 | 2018-10-30 | Photopotech LLC | Systems and methods for processing image information |
US10306156B2 (en) | 2015-11-30 | 2019-05-28 | Photopotech LLC | Image-capture device |
KR101836253B1 (ko) * | 2015-12-15 | 2018-03-08 | 현대자동차 주식회사 | 광원 모듈 및 이를 이용한 차량용 헤드 램프 |
JP6700792B2 (ja) * | 2016-01-06 | 2020-05-27 | キヤノン株式会社 | 光源装置 |
CN105805572B (zh) * | 2016-04-12 | 2018-12-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Ld灯源、背光模组和液晶显示器 |
US20190081028A1 (en) * | 2016-05-30 | 2019-03-14 | Mitsumi Electric Co., Ltd. | Optical module, module, and methods for manufacturing optical module and module |
US20180180795A1 (en) * | 2016-12-22 | 2018-06-28 | Dura Operating, Llc | Light guide and method of creating a light guide by screen-printing |
JP7108171B2 (ja) * | 2016-12-27 | 2022-07-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US10332443B2 (en) * | 2017-02-03 | 2019-06-25 | Abl Ip Holding Llc | Luminaire and lighting system, combining transparent lighting device and display coupled to output image via the transparent lighting device |
US10611298B2 (en) * | 2017-03-13 | 2020-04-07 | Ford Global Technologies, Llc | Illuminated cargo carrier |
US10440792B2 (en) | 2017-03-24 | 2019-10-08 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Illumination apparatus and illumination system |
CN108598241B (zh) * | 2017-04-18 | 2021-05-28 | 烨曜贸易(重庆)有限公司 | Led封装件的系统和制造方法 |
DE102017113380A1 (de) | 2017-06-19 | 2018-12-20 | Schreiner Group Gmbh & Co. Kg | Folienaufbau mit Erzeugen von sichtbarem Licht mittels LED-Technologie |
DE102017113375A1 (de) * | 2017-06-19 | 2018-12-20 | Schreiner Group Gmbh & Co. Kg | Folienaufbau mit Erzeugen von sichtbarem Licht mittels LED-Technologie |
TWI757315B (zh) * | 2017-07-28 | 2022-03-11 | 晶元光電股份有限公司 | 發光裝置以及其製造方法 |
US10837607B2 (en) | 2017-09-26 | 2020-11-17 | Lumileds Llc | Light emitting device with improved warm-white color point |
WO2019093339A1 (ja) * | 2017-11-13 | 2019-05-16 | デンカ株式会社 | Led照明用実装基板を有する照明装置 |
EP3718183B1 (en) * | 2017-11-29 | 2023-02-15 | Vixar, Inc. | Power monitoring approach for vcsels and vcsel arrays |
US11404400B2 (en) | 2018-01-24 | 2022-08-02 | Apple Inc. | Micro LED based display panel |
CN108447968A (zh) * | 2018-02-06 | 2018-08-24 | 惠州市华星光电技术有限公司 | 一种量子点led及其制备方法 |
DE102018103748A1 (de) * | 2018-02-20 | 2019-08-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes bauteil und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden bauteils |
CN111868487B (zh) | 2018-03-20 | 2024-08-30 | 维克萨股份有限公司 | 对眼睛安全的光学模块 |
US10522722B2 (en) | 2018-04-19 | 2019-12-31 | Cree, Inc. | Light-emitting diode package with light-altering material |
KR102646700B1 (ko) | 2018-08-16 | 2024-03-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 조명 장치 |
US11178392B2 (en) * | 2018-09-12 | 2021-11-16 | Apple Inc. | Integrated optical emitters and applications thereof |
TWI666788B (zh) * | 2018-09-26 | 2019-07-21 | 鼎元光電科技股份有限公司 | Laser package structure |
CN118117450A (zh) | 2019-02-04 | 2024-05-31 | 苹果公司 | 具有一体式微透镜的竖直发射器 |
US11326763B1 (en) * | 2019-02-06 | 2022-05-10 | Apple Inc. | Light-emitting diodes with optical filters |
US11861941B1 (en) | 2019-02-06 | 2024-01-02 | Apple Inc. | Eye camera systems with polarized light |
US11450648B2 (en) * | 2019-03-19 | 2022-09-20 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device package and application thereof |
CN110061115B (zh) * | 2019-04-28 | 2024-07-26 | 深圳市晶泓科技有限公司 | 一种透明led显示屏及其制备方法 |
DE102020115536A1 (de) | 2019-06-21 | 2020-12-24 | Lg Display Co., Ltd. | Lichtleiterfilm, Hintergrundlichteinheit und Anzeigevorrichtung |
JP7313925B2 (ja) * | 2019-06-25 | 2023-07-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR20210004019A (ko) * | 2019-07-03 | 2021-01-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 색변환 시트, 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치 |
WO2021002158A1 (ja) | 2019-07-04 | 2021-01-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光モジュールの製造方法、並びに、発光装置及び発光モジュール |
CN112310054A (zh) * | 2019-07-30 | 2021-02-02 | 中强光电股份有限公司 | 光源模块 |
JP6787515B1 (ja) * | 2019-08-02 | 2020-11-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および面発光光源 |
US11552229B2 (en) | 2020-09-14 | 2023-01-10 | Creeled, Inc. | Spacer layer arrangements for light-emitting diodes |
US11994694B2 (en) | 2021-01-17 | 2024-05-28 | Apple Inc. | Microlens array with tailored sag profile |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3761756A (en) * | 1971-12-28 | 1973-09-25 | Hitachi Ltd | Fluorescent screens for use in cathode ray tubes |
RU2083031C1 (ru) * | 1993-03-26 | 1997-06-27 | Саратовский научно-исследовательский институт "Волга" | Полупроводниковый излучатель |
US6653765B1 (en) * | 2000-04-17 | 2003-11-25 | General Electric Company | Uniform angular light distribution from LEDs |
US7800121B2 (en) * | 2002-08-30 | 2010-09-21 | Lumination Llc | Light emitting diode component |
EP1930959B1 (en) | 2002-08-30 | 2019-05-08 | GE Lighting Solutions, LLC | Phosphor-coated light emitting diode with improved efficiency |
WO2004021461A2 (en) * | 2002-08-30 | 2004-03-11 | Gelcore Llc | Phosphor-coated led with improved efficiency |
US7091661B2 (en) | 2003-01-27 | 2006-08-15 | 3M Innovative Properties Company | Phosphor based light sources having a reflective polarizer |
US20040159900A1 (en) * | 2003-01-27 | 2004-08-19 | 3M Innovative Properties Company | Phosphor based light sources having front illumination |
US20060171152A1 (en) | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting device and method of making the same |
EP1686630A3 (en) * | 2005-01-31 | 2009-03-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Led device having diffuse reflective surface |
US20060213591A1 (en) * | 2005-03-24 | 2006-09-28 | Brooks Charles E | High strength aluminum alloys and process for making the same |
WO2006104061A1 (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-05 | Kyocera Corporation | 反射部材、これを用いた発光装置および照明装置 |
JP4873963B2 (ja) * | 2006-02-27 | 2012-02-08 | 京セラ株式会社 | 発光装置およびそれを用いた照明装置 |
US7663152B2 (en) | 2006-08-09 | 2010-02-16 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Illumination device including wavelength converting element side holding heat sink |
US7703942B2 (en) | 2006-08-31 | 2010-04-27 | Rensselaer Polytechnic Institute | High-efficient light engines using light emitting diodes |
US8128273B2 (en) | 2006-10-26 | 2012-03-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Illumination system and display device |
US8651685B2 (en) * | 2007-03-16 | 2014-02-18 | Cree, Inc. | Apparatus and methods for backlight unit with vertical interior reflectors |
KR101273083B1 (ko) * | 2007-06-21 | 2013-06-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광장치 |
JP2010532104A (ja) * | 2007-06-27 | 2010-09-30 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 高効率白色発光ダイオードのための光学設計 |
DE102007049799A1 (de) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
US8410681B2 (en) | 2008-06-30 | 2013-04-02 | Bridgelux, Inc. | Light emitting device having a refractory phosphor layer |
EP2366077B1 (en) | 2008-11-19 | 2018-08-15 | 3M Innovative Properties Company | Brewster angle film for light management in luminaires and other lighting systems |
US20110062469A1 (en) * | 2009-09-17 | 2011-03-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Molded lens incorporating a window element |
-
2012
- 2012-03-05 JP JP2013557203A patent/JP6121915B2/ja active Active
- 2012-03-05 CN CN201280012271.8A patent/CN103403894B/zh active Active
- 2012-03-05 RU RU2013144759/28A patent/RU2581426C2/ru active
- 2012-03-05 WO PCT/IB2012/051019 patent/WO2012120434A1/en active Application Filing
- 2012-03-05 EP EP12710116.0A patent/EP2684224B1/en active Active
- 2012-03-05 KR KR1020137026495A patent/KR101906863B1/ko active IP Right Grant
- 2012-03-05 US US14/002,467 patent/US9082946B2/en active Active
- 2012-03-05 TW TW101107319A patent/TWI529348B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014515863A (ja) | 2014-07-03 |
RU2581426C2 (ru) | 2016-04-20 |
EP2684224B1 (en) | 2019-05-08 |
EP2684224A1 (en) | 2014-01-15 |
TWI529348B (zh) | 2016-04-11 |
WO2012120434A1 (en) | 2012-09-13 |
US9082946B2 (en) | 2015-07-14 |
CN103403894A (zh) | 2013-11-20 |
CN103403894B (zh) | 2016-10-26 |
RU2013144759A (ru) | 2015-04-20 |
US20130334559A1 (en) | 2013-12-19 |
KR101906863B1 (ko) | 2018-10-11 |
KR20140006971A (ko) | 2014-01-16 |
TW201245626A (en) | 2012-11-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6121915B2 (ja) | 発光モジュール、ランプ、照明器具、及び表示装置 | |
JP6170495B2 (ja) | 発光モジュール、ランプ、照明器具及び表示装置 | |
TWI433344B (zh) | 發光裝置及照明裝置 | |
US11043615B2 (en) | Light-emitting device having a dielectric multilayer film arranged on the side surface of the light-emitting element | |
JP2011171504A (ja) | 発光装置 | |
WO2017038209A1 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
WO2012120332A1 (en) | A light emitting module, a lamp and a luminaire | |
JP6646982B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6566791B2 (ja) | 発光装置 | |
JP4417757B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法ならびに照明装置 | |
JP5362538B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2017050342A (ja) | 発光装置 | |
JP6695114B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6643831B2 (ja) | 発光装置 | |
KR101053049B1 (ko) | 엘이디 패키지 | |
JP6944494B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2018006704A (ja) | 発光装置および照明装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150302 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150302 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20150519 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151215 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160823 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161025 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170307 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170330 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6121915 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |