RU2013127359A - Способ изготовления полупроводниковой структуры - Google Patents
Способ изготовления полупроводниковой структуры Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013127359A RU2013127359A RU2013127359/28A RU2013127359A RU2013127359A RU 2013127359 A RU2013127359 A RU 2013127359A RU 2013127359/28 A RU2013127359/28 A RU 2013127359/28A RU 2013127359 A RU2013127359 A RU 2013127359A RU 2013127359 A RU2013127359 A RU 2013127359A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor
- semiconductor structure
- producing semiconductor
- kev
- sapphire
- Prior art date
Links
Abstract
Способ изготовления полупроводниковой структуры, включающий процессы эпитаксиального наращивания рабочего слоя полупроводника и легирования, отличающийся тем, что после формирования полупроводникового слоя кремния на сапфире структуру обрабатывают ионами водорода с энергией 25-30 кэВ, дозой (3-5)·10H/сми в последующем проводят высокотемпературный термический отжиг в инертной атмосфере при температуре 1000°C в течение 30-60 мин.
Claims (1)
- Способ изготовления полупроводниковой структуры, включающий процессы эпитаксиального наращивания рабочего слоя полупроводника и легирования, отличающийся тем, что после формирования полупроводникового слоя кремния на сапфире структуру обрабатывают ионами водорода с энергией 25-30 кэВ, дозой (3-5)·1015 H+/см2 ,и в последующем проводят высокотемпературный термический отжиг в инертной атмосфере при температуре 1000°C в течение 30-60 мин.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013127359/28A RU2539789C1 (ru) | 2013-06-14 | 2013-06-14 | Способ изготовления полупроводниковой структуры |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013127359/28A RU2539789C1 (ru) | 2013-06-14 | 2013-06-14 | Способ изготовления полупроводниковой структуры |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013127359A true RU2013127359A (ru) | 2014-12-20 |
| RU2539789C1 RU2539789C1 (ru) | 2015-01-27 |
Family
ID=53278260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013127359/28A RU2539789C1 (ru) | 2013-06-14 | 2013-06-14 | Способ изготовления полупроводниковой структуры |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2539789C1 (ru) |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5854625A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-03-31 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US6150239A (en) * | 1997-05-31 | 2000-11-21 | Max Planck Society | Method for the transfer of thin layers monocrystalline material onto a desirable substrate |
| JP3697106B2 (ja) * | 1998-05-15 | 2005-09-21 | キヤノン株式会社 | 半導体基板の作製方法及び半導体薄膜の作製方法 |
| US6852652B1 (en) * | 2003-09-29 | 2005-02-08 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method of making relaxed silicon-germanium on glass via layer transfer |
| US7067430B2 (en) * | 2003-09-30 | 2006-06-27 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method of making relaxed silicon-germanium on insulator via layer transfer with stress reduction |
| RU2388108C1 (ru) * | 2008-12-30 | 2010-04-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова | Способ изготовления полупроводникового прибора |
| RU2390874C1 (ru) * | 2009-01-30 | 2010-05-27 | Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственная фирма "Топаз-К" | Способ получения гетероэпитаксиальных структур кремния на сапфире |
-
2013
- 2013-06-14 RU RU2013127359/28A patent/RU2539789C1/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2539789C1 (ru) | 2015-01-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| PH12016501052A1 (en) | Solar cell emitter region fabrication using ion implantation | |
| JP2011199273A5 (ru) | ||
| JP2011222988A5 (ru) | ||
| JP2014519723A5 (ru) | ||
| PH12016501871A1 (en) | Solar cells with tunnel dielectrics | |
| EP2648235A3 (en) | Method of manufacturing photoelectric device | |
| JP2011192974A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| TW201613107A (en) | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device | |
| TW201614849A (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JP2013016785A5 (ru) | ||
| MY182430A (en) | Method and device for producing a photovoltaic element with stabilized efficiency | |
| MY184311A (en) | Etching processes for solar cell fabrication | |
| TW201614719A (en) | Semiconductor manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus | |
| GB2514711A (en) | Power semiconductor device and method for manufacturing thereof | |
| MY162202A (en) | Methods of treating a semiconductor layer | |
| PH12016501055B1 (en) | Solar cell emitter region fabrication using self-aligned implant and cap | |
| MY173528A (en) | Method for producing a solar cell involving doping by ion implantation and the depositing of an outdiffusion barrier | |
| EP3104417A3 (en) | Method of manufacturing a protective film for a solar cell | |
| JP2014007398A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| MY196698A (en) | Photovoltaic Devices and Semiconductor Layers With Group V Dopants and Methods for Forming the Same | |
| RU2010120545A (ru) | Способ изготовления полупроводниковой структуры | |
| RU2013127359A (ru) | Способ изготовления полупроводниковой структуры | |
| RU2015139867A (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2015115265A (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| JP2014059155A5 (ru) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20160615 |