RU2015115265A - Способ изготовления полупроводникового прибора - Google Patents
Способ изготовления полупроводникового прибора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2015115265A RU2015115265A RU2015115265A RU2015115265A RU2015115265A RU 2015115265 A RU2015115265 A RU 2015115265A RU 2015115265 A RU2015115265 A RU 2015115265A RU 2015115265 A RU2015115265 A RU 2015115265A RU 2015115265 A RU2015115265 A RU 2015115265A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- manufacturing
- dose
- semiconductor device
- kev
- energy
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 3
- -1 fluorine ions Chemical class 0.000 claims abstract 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims abstract 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract 2
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий процессы создания активных областей прибора и подзатворного диэлектрика, отличающийся тем, что после формирования подзатворного диэлектрика последовательно проводят легирование окисла ионами бора с энергией 55 кэВ, дозой 3·10сми ионами фтора с энергией 55 кэВ, дозой 1·10смс последующим отжигом при температуре 900°C в течение 15 мин в среде азота.
Claims (1)
- Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий процессы создания активных областей прибора и подзатворного диэлектрика, отличающийся тем, что после формирования подзатворного диэлектрика последовательно проводят легирование окисла ионами бора с энергией 55 кэВ, дозой 3·1013 см-2 и ионами фтора с энергией 55 кэВ, дозой 1·1013 см-2 с последующим отжигом при температуре 900°C в течение 15 мин в среде азота.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015115265A RU2606246C2 (ru) | 2015-04-23 | 2015-04-23 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015115265A RU2606246C2 (ru) | 2015-04-23 | 2015-04-23 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2015115265A true RU2015115265A (ru) | 2016-11-10 |
| RU2606246C2 RU2606246C2 (ru) | 2017-01-10 |
Family
ID=57267557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015115265A RU2606246C2 (ru) | 2015-04-23 | 2015-04-23 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2606246C2 (ru) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2709603C1 (ru) * | 2019-05-28 | 2019-12-18 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3050717B2 (ja) * | 1993-03-24 | 2000-06-12 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP3356629B2 (ja) * | 1996-07-15 | 2002-12-16 | 日本電気株式会社 | 横型ｍｏｓトランジスタの製造方法 |
| KR100232206B1 (ko) * | 1996-12-26 | 1999-12-01 | 김영환 | 반도체 소자의 제조방법 |
| RU2320049C2 (ru) * | 2003-06-20 | 2008-03-20 | ГНЦ РФ Государственное учреждение научно-производственный комплекс "Технологический центр" при Московском государственном институте электронной техники /технический университет/ | Способ увеличения радиационной стойкости элементов кмоп-схем на кни подложке |
-
2015
- 2015-04-23 RU RU2015115265A patent/RU2606246C2/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2606246C2 (ru) | 2017-01-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2011199273A5 (ru) | ||
| JP2011222988A5 (ru) | ||
| MY190939A (en) | Solar cells with tunnel dielectrics | |
| JP2012160715A5 (ru) | ||
| PH12016501052A1 (en) | Solar cell emitter region fabrication using ion implantation | |
| JP2016181696A5 (ru) | ||
| JP2015053478A5 (ru) | ||
| JP2016197741A5 (ru) | ||
| JP2013149968A5 (ru) | ||
| JP2011199272A5 (ru) | ||
| JP2016001736A5 (ru) | ||
| JP2014519723A5 (ru) | ||
| JP2014132646A5 (ja) | 半導体装置及びその作製方法 | |
| JP2011192958A5 (ru) | ||
| JP2011029627A5 (ru) | ||
| JP2012146946A5 (ru) | ||
| JP2013016785A5 (ru) | ||
| JP2013016862A5 (ru) | ||
| JP2016532284A5 (ru) | ||
| JP2013038396A5 (ru) | ||
| GB2529955A (en) | CMOS-compatible polycide fuse structure and method of fabricating same | |
| TW201612982A (en) | Transverse double-diffusion metal oxide semiconductor transistor and manufacturing method thereof | |
| PH12016501055A1 (en) | Solar cell emitter region fabrication using self-aligned implant and cap | |
| RU2015115265A (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| TW201613071A (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20180424 |