RU2013120782A - СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ YBa2Cu3O7-x ПЛЕНОК С ВЫСОКОЙ ТОКОНЕСУЩЕЙ СПОСОБНОСТЬЮ НА ЗОЛОТОМ БУФЕРНОМ ПОДСЛОЕ - Google Patents
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ YBa2Cu3O7-x ПЛЕНОК С ВЫСОКОЙ ТОКОНЕСУЩЕЙ СПОСОБНОСТЬЮ НА ЗОЛОТОМ БУФЕРНОМ ПОДСЛОЕ Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013120782A RU2013120782A RU2013120782/28A RU2013120782A RU2013120782A RU 2013120782 A RU2013120782 A RU 2013120782A RU 2013120782/28 A RU2013120782/28 A RU 2013120782/28A RU 2013120782 A RU2013120782 A RU 2013120782A RU 2013120782 A RU2013120782 A RU 2013120782A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- gold
- target
- films
- distance
- Prior art date
Links
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
Способ формирования YBaCuOпленок с высокой токонесущей способностью на золотом буферном подслое, в котором контактные площадки формируют перед нанесением пленок YBaCuOна диэлектрической подложке, отличающийся тем, что для распылении мишеней из золота и керамики YBaCuOиспользуется лазер с длиной волны излучения λ=1,06 мкм, длительностью импульса τ=10÷20 нс и частотой повторения импульсов ν=10 Гц, плотностью мощности лазерного излучения P=(5÷7)·10Вт/см, при этом предварительно нагревается мишень из золота и подложка до температуры T=450÷500°C, устанавливается давление p=0,1÷0,5 Па, после этого распыляется мишень из золота, расположенная на расстоянии 4÷6 мм до подложки на подложку через маску, расположенную на расстоянии 0,3÷0,5 мм от подложки и формирующую пленку переменной толщины 0÷500 нм, затем нагревается мишень YBaCuOдо T=600÷700°C расположенная на расстоянии 25÷30 мм от подложки, нагревается подложка до температуры T=800÷840°C, устанавливается давление p=50÷100 Па, после чего распыляется мишень YBaCuO, на сформированные контактные площадки до толщины L=50÷200 нм с образованием пленок с критической температурой сверхпроводящего перехода T≈88÷89 °K, шириной сверхпроводящего перехода ΔTc 2±3 °K, плотностью критического тока J>10А/см.
Claims (1)
- Способ формирования YBa2Cu3O7-x пленок с высокой токонесущей способностью на золотом буферном подслое, в котором контактные площадки формируют перед нанесением пленок YBa2Cu3O7-x на диэлектрической подложке, отличающийся тем, что для распылении мишеней из золота и керамики YBa2Cu3O7 используется лазер с длиной волны излучения λ=1,06 мкм, длительностью импульса τ=10÷20 нс и частотой повторения импульсов ν=10 Гц, плотностью мощности лазерного излучения P=(5÷7)·108 Вт/см2, при этом предварительно нагревается мишень из золота и подложка до температуры T=450÷500°C, устанавливается давление p=0,1÷0,5 Па, после этого распыляется мишень из золота, расположенная на расстоянии 4÷6 мм до подложки на подложку через маску, расположенную на расстоянии 0,3÷0,5 мм от подложки и формирующую пленку переменной толщины 0÷500 нм, затем нагревается мишень YBa2Cu3O7 до T=600÷700°C расположенная на расстоянии 25÷30 мм от подложки, нагревается подложка до температуры T=800÷840°C, устанавливается давление p=50÷100 Па, после чего распыляется мишень YBa2Cu3O7, на сформированные контактные площадки до толщины L=50÷200 нм с образованием пленок с критической температурой сверхпроводящего перехода Tc≈88÷89 °K, шириной сверхпроводящего перехода ΔTc 2±3 °K, плотностью критического тока Jc>105 А/см2.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013120782/28A RU2538931C2 (ru) | 2013-05-06 | 2013-05-06 | СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ YBa2Cu3O7-x-Х ПЛЕНОК С ВЫСОКОЙ ТОКОНЕСУЩЕЙ СПОСОБНОСТЬЮ НА ЗОЛОТОМ БУФЕРНОМ ПОДСЛОЕ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013120782/28A RU2538931C2 (ru) | 2013-05-06 | 2013-05-06 | СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ YBa2Cu3O7-x-Х ПЛЕНОК С ВЫСОКОЙ ТОКОНЕСУЩЕЙ СПОСОБНОСТЬЮ НА ЗОЛОТОМ БУФЕРНОМ ПОДСЛОЕ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013120782A true RU2013120782A (ru) | 2014-11-20 |
| RU2538931C2 RU2538931C2 (ru) | 2015-01-10 |
Family
ID=53288432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013120782/28A RU2538931C2 (ru) | 2013-05-06 | 2013-05-06 | СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ YBa2Cu3O7-x-Х ПЛЕНОК С ВЫСОКОЙ ТОКОНЕСУЩЕЙ СПОСОБНОСТЬЮ НА ЗОЛОТОМ БУФЕРНОМ ПОДСЛОЕ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2538931C2 (ru) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU651597B2 (en) * | 1990-06-21 | 1994-07-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Process and apparatus for preparing superconducting thin films |
| EP0490784A3 (en) * | 1990-12-07 | 1992-11-19 | Eastman Kodak Company | A process of forming a high temperature superconductor on a metal substrate surface |
| JPH04234180A (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導量子干渉素子 |
| US5134117A (en) * | 1991-01-22 | 1992-07-28 | Biomagnetic Technologies, Inc. | High tc microbridge superconductor device utilizing stepped edge-to-edge sns junction |
| RU2133525C1 (ru) * | 1997-10-21 | 1999-07-20 | Омский государственный университет | Сверхпроводящий квантовый интерференционный датчик и способ его изготовления |
| US6830776B1 (en) * | 2002-02-08 | 2004-12-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Method of manufacturing a high temperature superconductor |
-
2013
- 2013-05-06 RU RU2013120782/28A patent/RU2538931C2/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2538931C2 (ru) | 2015-01-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Lucera et al. | Highly efficient, large area, roll coated flexible and rigid OPV modules with geometric fill factors up to 98.5% processed with commercially available materials | |
| ES2570133T3 (es) | Pastas en forma de película espesa que contienen óxidos de plomo y teluro y su uso en la fabricación de dispositivos semiconductores | |
| PE20100406A1 (es) | Electrodo con revestimiento multiple y metodo de elaboracion | |
| RU2382440C1 (ru) | СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ НА ПОДЛОЖКЕ МНОГОСЛОЙНЫХ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ НАНОПЛЕНОК yBaCuO | |
| CL2018001093A1 (es) | Método para la deposición de capas funcionales adecuadas para tubos receptores de calor | |
| EA201690298A1 (ru) | Система слоев прозрачной подложки, а также способ изготовления системы слоев | |
| TW201145565A (en) | Method of maskless manufacturing of OLED devices | |
| RU2013120782A (ru) | СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ YBa2Cu3O7-x ПЛЕНОК С ВЫСОКОЙ ТОКОНЕСУЩЕЙ СПОСОБНОСТЬЮ НА ЗОЛОТОМ БУФЕРНОМ ПОДСЛОЕ | |
| RU2013120785A (ru) | СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК К YBa2Cu3O7-x ПЛЕНКАМ | |
| WO2016182928A3 (en) | Photovoltaic devices with fine-line metallization and methods for manufacture | |
| Prevenslik | Heat transfer in nanoelectronics by quantum mechanics | |
| RU2013120786A (ru) | СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩЕЙ УЛЬТРАТОНКОЙ ПЛЕНКИ YBa2Cu3O7-x НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖКАХ | |
| Akbari et al. | 21pCN-1 The Origin of Opposite Voltage Induced by Obliquely Incident p-Polarized Light in Nanoporous Gold | |
| KR102145636B1 (ko) | 유기발광소자의 제조방법 및 이를 이용한 유기발광소자 | |
| RU2013120788A (ru) | СПОСОБ ОДНОВРЕМЕННОГО ФОРМИРОВАНИЯ НА ДВУХСТОРОННИХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖКАХ ТОНКИХ ПЛЕНОК YBa2Cu3O7-x | |
| RU2555512C2 (ru) | Самоохлаждаемый автономный наноприбор и способ его формирования | |
| RU96105517A (ru) | Способ формирования многослойных структур с разными электрофизическими свойствами | |
| JPS5629383A (en) | Manufacture of tunnel-junction type josephson element | |
| CN105576115A (zh) | 一种双面结高温超导bscco太赫兹源的制备方法 | |
| Rodofili et al. | Laser-transferred Niv-seed for the metallization of silicon heterojunction solar cells by Cu-plating | |
| RU2468463C1 (ru) | Способ изготовления пироэлектрической мишени | |
| Yang et al. | Long plasma channels and high-voltage discharges induced by strong picosecond laser pulses | |
| UA103551U (en) | A method of manufacturing barrier contacts to semiconductor compounds a3b5 type | |
| KR20230161269A (ko) | 유기소자의 전극 증착 방법 및 유기소자 | |
| Vorobets et al. | Laser synthes and optimization of parameters of thin films and epitaxial layers of In4Se3, In4Te3 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20150507 |