RU2468463C1 - Способ изготовления пироэлектрической мишени - Google Patents
Способ изготовления пироэлектрической мишени Download PDFInfo
- Publication number
- RU2468463C1 RU2468463C1 RU2011117949/07A RU2011117949A RU2468463C1 RU 2468463 C1 RU2468463 C1 RU 2468463C1 RU 2011117949/07 A RU2011117949/07 A RU 2011117949/07A RU 2011117949 A RU2011117949 A RU 2011117949A RU 2468463 C1 RU2468463 C1 RU 2468463C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- target
- temperature
- pyroelectric
- titanium dioxide
- film
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии изготовления электронно-оптических преобразователей инфракрасного излучения с высокой чувствительностью. Технический результат - повышение чувствительности, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов. Пироэлектрическая мишень выполняется путем последовательного формирования на слое титана диоксида титана, пленки из составной мишени (Pb+Ti) с последующим стабилизирующим термическим отжигом при температуре 250-300°С и формирования дискретных элементов с необходимыми геометрическими размерами, выполненных непрерывными со сквозными щелевыми отверстиями. 1 табл.
Description
Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии изготовления электронно-оптических преобразователей инфракрасного излучения с высокой чувствительностью.
Известен способ изготовления мишени [Пат. № 5306904, США, МКИ H01j 39/08] формированием штабелированного набора тонкопленочных динодов, расположенных попеременно с тонкопленочными изолирующими слоями, с последующим нанесением тонкопленочного анода из электропроводящего материала. Штабелированные диноды расположены в виде двух параллельных столбиков, на торцы которых нанесен прозрачный слой. В таких приборах из-за рассогласования кристаллических решеток материалов слоев повышается дефектность и ухудшаются параметры.
Известен способ изготовления пироэлектрической мишени [Пат. № 2160479, Россия, МКИ H01j 31/52] в виде пленки толщиной 0,5-3,0 мкм из пироэлектрического материала, напыляемого в вакууме, например органического пироэлектрика, который имеет сквозные щелевые отверстия для прохождения электронного потока, причем в пироэлектрической мишени пироэлектрический слой состоит из отдельных дискретных элементов.
Недостатками этого способа являются:
- низкая чувствительность;
- высокая плотность дефектов;
- низкая технологичность.
Задача, решаемая изобретением:
- повышение чувствительности, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов.
Задача решается тем, что пироэлектрическая мишень выполняется путем последовательного формирования на слое титана диоксида титана, пленки из составной мишени (Pb+Ti) с последующим стабилизирующим термическим отжигом при температуре 250-300°С и формирования дискретных элементов с необходимыми геометрическими размерами, выполненных непрерывными со сквозными щелевыми отверстиями.
Технология способа состоит в следующем: на слое титана, который является подложкой, формируют диоксид титана электролитическим анодированием в 0,5% водном растворе лимонной кислоты с последующей термообработкой при температуре 550-650°C в течение 15 минут. Затем магнетронным распылением из составной мишени (Ti+Pb) наносят пленку толщиной 250-300 нм, при давлении 30 Па, температуре 150-200°C, с последующим проведением стабилизирующего отжига при температуре 250-300°C в течение 50-60 минут. На сформированную пленку напыляют слой нихрома толщиной 0,10 мкм для создания поглощающего слоя.
Далее формируют дискретные элементы с необходимыми геометрическими размерами со сквозными щелевыми отверстиями по стандартной технологии с применением метода реактивного ионного травления.
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы электронно-оптические преобразователи. Результаты обработки представлены в таблице 1.
Таблица 1. | ||||
Параметры приборов, изготовленных по стандартной технологии | Параметры приборов, изготовленных по предлагаемому способу | |||
чувствительность, мК | коэффициент преобразования, отн. ед. | чувствительность, мК | коэффициент преобразования, отн. ед. | |
39 | 24200 | 3,4 | 38600 | |
33 | 24500 | 2,5 | 40500 | |
30 | 25000 | 2,2 | 50100 | |
37 | 24150 | 3,1 | 39300 | |
32 | 24860 | 2,4 | 40800 | |
40 | 24100 | 3,6 | 38200 | |
35 | 24700 | 2,8 | 40100 | |
31 | 24900 | 2,3 | 40900 | |
34 | 24800 | 2,6 | 40300 | |
36 | 24400 | 2,9 | 39700 | |
38 | 24200 | 3,3 | 39100 |
Экспериментальные исследования показали, что выход годных приборов увеличивается на 14%.
Технический результат: повышение чувствительности, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов.
Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.
Предлагаемый способ изготовления пироэлектрической мишени электронно-оптического преобразователя путем последовательного формирования на слое титана диоксида титана электролитическим анодированием в 0,5% водном растворе лимонной кислоты с последующей термообработкой при температуре 550-650°C в течение 15 минут и нанесения из составной мишени (Ti+Pb) пленки толщиной 250-300 нм при температуре подложки 150-200°C, проведения стабилизирующего отжига при температуре 250-300°C в течение 50-60 минут позволяет повысить процент выхода годных приборов, улучшить их надежность.
Claims (1)
- Способ изготовления пироэлектрической мишени, включающий процессы травления, отжига и формирование дискретных элементов со сквозными щелевидными отверстиями, отличающийся тем, что пироэлектрическая мишень выполнена путем последовательного формирования на слое титана диоксида титана электролитическим анодированием в 0,5%-ном водном растворе лимонной кислоты с последующей термообработкой при температуре 550-650°С в течение 15 мин и нанесения на диоксид титана из составной мишени (Ti+Pb) пленки толщиной 250-300 нм при температуре подложки 150-200°С, проведения стабилизирующего отжига при температуре 250-300°С в течение 50-60 мин.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011117949/07A RU2468463C1 (ru) | 2011-05-04 | 2011-05-04 | Способ изготовления пироэлектрической мишени |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011117949/07A RU2468463C1 (ru) | 2011-05-04 | 2011-05-04 | Способ изготовления пироэлектрической мишени |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2468463C1 true RU2468463C1 (ru) | 2012-11-27 |
Family
ID=49255009
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2011117949/07A RU2468463C1 (ru) | 2011-05-04 | 2011-05-04 | Способ изготовления пироэлектрической мишени |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2468463C1 (ru) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4032783A (en) * | 1975-06-09 | 1977-06-28 | Hughes Aircraft Company | Pyroelectric radiation sensor and imaging device utilizing same |
JPS646306A (en) * | 1987-02-27 | 1989-01-10 | Fuji Electric Co Ltd | Manufacture of composite oxide membrane |
RU2154874C2 (ru) * | 1998-06-23 | 2000-08-20 | Гончаренко Борис Гаврилович | Пироэлектрический видикон |
RU2160479C2 (ru) * | 1998-06-23 | 2000-12-10 | Гончаренко Борис Гаврилович | Пироэлектрический электронно-оптический преобразователь (варианты) |
EP1569284A1 (en) * | 2002-12-05 | 2005-08-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pyroelectric device, method for manufacturing same and infrared sensor |
US20080024563A1 (en) * | 2006-07-25 | 2008-01-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Piezoelectric thin film element, ink jet head, and ink jet type recording apparatus |
RU2345439C2 (ru) * | 2005-03-17 | 2009-01-27 | Ооо "Инфраоптик" | Способ изготовления пироэлектрического электронно-оптического преобразователя изображения и высоковакуумная установка, реализующая этот способ |
-
2011
- 2011-05-04 RU RU2011117949/07A patent/RU2468463C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4032783A (en) * | 1975-06-09 | 1977-06-28 | Hughes Aircraft Company | Pyroelectric radiation sensor and imaging device utilizing same |
JPS646306A (en) * | 1987-02-27 | 1989-01-10 | Fuji Electric Co Ltd | Manufacture of composite oxide membrane |
RU2154874C2 (ru) * | 1998-06-23 | 2000-08-20 | Гончаренко Борис Гаврилович | Пироэлектрический видикон |
RU2160479C2 (ru) * | 1998-06-23 | 2000-12-10 | Гончаренко Борис Гаврилович | Пироэлектрический электронно-оптический преобразователь (варианты) |
EP1569284A1 (en) * | 2002-12-05 | 2005-08-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pyroelectric device, method for manufacturing same and infrared sensor |
RU2345439C2 (ru) * | 2005-03-17 | 2009-01-27 | Ооо "Инфраоптик" | Способ изготовления пироэлектрического электронно-оптического преобразователя изображения и высоковакуумная установка, реализующая этот способ |
US20080024563A1 (en) * | 2006-07-25 | 2008-01-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Piezoelectric thin film element, ink jet head, and ink jet type recording apparatus |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5520084B2 (ja) | 電界効果型トランジスタの製造方法 | |
KR101077046B1 (ko) | 신규한 금속 스트립 제품 | |
US20170316953A1 (en) | Method for fabricating metallic oxide thin film transistor | |
JP2010135771A5 (ru) | ||
KR20140074742A (ko) | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 | |
JP2010056542A5 (ru) | ||
TWI600612B (zh) | Graphene films, electronic devices, and electronic device manufacturing methods | |
US10777581B2 (en) | Method for manufacturing IGZO thin-film transistor | |
JP6637681B2 (ja) | 基板 | |
RU2468463C1 (ru) | Способ изготовления пироэлектрической мишени | |
TWI587555B (zh) | Component manufacturing method and component manufacturing apparatus | |
US10151024B2 (en) | Method for producing transparent conductive film | |
CN110600350A (zh) | 一种双环栅结构的纳米冷阴极电子源及其制作方法 | |
CN111081505B (zh) | 一种共面双栅聚焦结构的纳米冷阴极电子源及其制作方法 | |
JP5560064B2 (ja) | Igzo系アモルファス酸化物薄膜の製造方法及びそれを用いた電界効果型トランジスタの製造方法 | |
CN106252278A (zh) | 金属氧化物薄膜晶体管阵列的制备方法 | |
CN107527998B (zh) | 一种柔性衬底、柔性oled器件及其制备方法 | |
CN110854007A (zh) | 一种基于x射线微像素单元的平板x射线源及其制备方法 | |
JP5483704B2 (ja) | Igzo系アモルファス酸化物半導体膜の製造方法及びそれを用いた電界効果型トランジスタの製造方法 | |
CN108281344A (zh) | 一种高探测效率、低噪声微通道板及其制备方法 | |
JP5357808B2 (ja) | Igzo系アモルファス酸化物絶縁膜の製造方法及びそれを用いた電界効果型トランジスタの製造方法 | |
RU2751983C1 (ru) | Способ изготовления силицида титана | |
KR102642554B1 (ko) | 금속 적층체 및 그 제조방법 | |
US12058919B2 (en) | Display apparatus manufacturing method and display apparatus manufacturing system | |
WO2017136925A8 (en) | Amorphous lead oxide based energy detection devices and methods of manufacture thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
QB4A | Licence on use of patent |
Free format text: LICENCE Effective date: 20131125 |
|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20140505 |