RU2468463C1 - Способ изготовления пироэлектрической мишени - Google Patents

Способ изготовления пироэлектрической мишени Download PDF

Info

Publication number
RU2468463C1
RU2468463C1 RU2011117949/07A RU2011117949A RU2468463C1 RU 2468463 C1 RU2468463 C1 RU 2468463C1 RU 2011117949/07 A RU2011117949/07 A RU 2011117949/07A RU 2011117949 A RU2011117949 A RU 2011117949A RU 2468463 C1 RU2468463 C1 RU 2468463C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
target
temperature
pyroelectric
titanium dioxide
film
Prior art date
Application number
RU2011117949/07A
Other languages
English (en)
Inventor
Гасан Абакарович Мустафаев
Барасби Сулейманович Карамурзов
Ахмед Мацевич Кармоков
Валерий Александрович Панченко
Original Assignee
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова filed Critical Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова
Priority to RU2011117949/07A priority Critical patent/RU2468463C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2468463C1 publication Critical patent/RU2468463C1/ru

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии изготовления электронно-оптических преобразователей инфракрасного излучения с высокой чувствительностью. Технический результат - повышение чувствительности, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов. Пироэлектрическая мишень выполняется путем последовательного формирования на слое титана диоксида титана, пленки из составной мишени (Pb+Ti) с последующим стабилизирующим термическим отжигом при температуре 250-300°С и формирования дискретных элементов с необходимыми геометрическими размерами, выполненных непрерывными со сквозными щелевыми отверстиями. 1 табл.

Description

Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии изготовления электронно-оптических преобразователей инфракрасного излучения с высокой чувствительностью.
Известен способ изготовления мишени [Пат. № 5306904, США, МКИ H01j 39/08] формированием штабелированного набора тонкопленочных динодов, расположенных попеременно с тонкопленочными изолирующими слоями, с последующим нанесением тонкопленочного анода из электропроводящего материала. Штабелированные диноды расположены в виде двух параллельных столбиков, на торцы которых нанесен прозрачный слой. В таких приборах из-за рассогласования кристаллических решеток материалов слоев повышается дефектность и ухудшаются параметры.
Известен способ изготовления пироэлектрической мишени [Пат. № 2160479, Россия, МКИ H01j 31/52] в виде пленки толщиной 0,5-3,0 мкм из пироэлектрического материала, напыляемого в вакууме, например органического пироэлектрика, который имеет сквозные щелевые отверстия для прохождения электронного потока, причем в пироэлектрической мишени пироэлектрический слой состоит из отдельных дискретных элементов.
Недостатками этого способа являются:
- низкая чувствительность;
- высокая плотность дефектов;
- низкая технологичность.
Задача, решаемая изобретением:
- повышение чувствительности, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов.
Задача решается тем, что пироэлектрическая мишень выполняется путем последовательного формирования на слое титана диоксида титана, пленки из составной мишени (Pb+Ti) с последующим стабилизирующим термическим отжигом при температуре 250-300°С и формирования дискретных элементов с необходимыми геометрическими размерами, выполненных непрерывными со сквозными щелевыми отверстиями.
Технология способа состоит в следующем: на слое титана, который является подложкой, формируют диоксид титана электролитическим анодированием в 0,5% водном растворе лимонной кислоты с последующей термообработкой при температуре 550-650°C в течение 15 минут. Затем магнетронным распылением из составной мишени (Ti+Pb) наносят пленку толщиной 250-300 нм, при давлении 30 Па, температуре 150-200°C, с последующим проведением стабилизирующего отжига при температуре 250-300°C в течение 50-60 минут. На сформированную пленку напыляют слой нихрома толщиной 0,10 мкм для создания поглощающего слоя.
Далее формируют дискретные элементы с необходимыми геометрическими размерами со сквозными щелевыми отверстиями по стандартной технологии с применением метода реактивного ионного травления.
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы электронно-оптические преобразователи. Результаты обработки представлены в таблице 1.
Таблица 1.
Параметры приборов, изготовленных по стандартной технологии Параметры приборов, изготовленных по предлагаемому способу
чувствительность, мК коэффициент преобразования, отн. ед. чувствительность, мК коэффициент преобразования, отн. ед.
39 24200 3,4 38600
33 24500 2,5 40500
30 25000 2,2 50100
37 24150 3,1 39300
32 24860 2,4 40800
40 24100 3,6 38200
35 24700 2,8 40100
31 24900 2,3 40900
34 24800 2,6 40300
36 24400 2,9 39700
38 24200 3,3 39100
Экспериментальные исследования показали, что выход годных приборов увеличивается на 14%.
Технический результат: повышение чувствительности, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов.
Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.
Предлагаемый способ изготовления пироэлектрической мишени электронно-оптического преобразователя путем последовательного формирования на слое титана диоксида титана электролитическим анодированием в 0,5% водном растворе лимонной кислоты с последующей термообработкой при температуре 550-650°C в течение 15 минут и нанесения из составной мишени (Ti+Pb) пленки толщиной 250-300 нм при температуре подложки 150-200°C, проведения стабилизирующего отжига при температуре 250-300°C в течение 50-60 минут позволяет повысить процент выхода годных приборов, улучшить их надежность.

Claims (1)

  1. Способ изготовления пироэлектрической мишени, включающий процессы травления, отжига и формирование дискретных элементов со сквозными щелевидными отверстиями, отличающийся тем, что пироэлектрическая мишень выполнена путем последовательного формирования на слое титана диоксида титана электролитическим анодированием в 0,5%-ном водном растворе лимонной кислоты с последующей термообработкой при температуре 550-650°С в течение 15 мин и нанесения на диоксид титана из составной мишени (Ti+Pb) пленки толщиной 250-300 нм при температуре подложки 150-200°С, проведения стабилизирующего отжига при температуре 250-300°С в течение 50-60 мин.
RU2011117949/07A 2011-05-04 2011-05-04 Способ изготовления пироэлектрической мишени RU2468463C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011117949/07A RU2468463C1 (ru) 2011-05-04 2011-05-04 Способ изготовления пироэлектрической мишени

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011117949/07A RU2468463C1 (ru) 2011-05-04 2011-05-04 Способ изготовления пироэлектрической мишени

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2468463C1 true RU2468463C1 (ru) 2012-11-27

Family

ID=49255009

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011117949/07A RU2468463C1 (ru) 2011-05-04 2011-05-04 Способ изготовления пироэлектрической мишени

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2468463C1 (ru)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4032783A (en) * 1975-06-09 1977-06-28 Hughes Aircraft Company Pyroelectric radiation sensor and imaging device utilizing same
JPS646306A (en) * 1987-02-27 1989-01-10 Fuji Electric Co Ltd Manufacture of composite oxide membrane
RU2154874C2 (ru) * 1998-06-23 2000-08-20 Гончаренко Борис Гаврилович Пироэлектрический видикон
RU2160479C2 (ru) * 1998-06-23 2000-12-10 Гончаренко Борис Гаврилович Пироэлектрический электронно-оптический преобразователь (варианты)
EP1569284A1 (en) * 2002-12-05 2005-08-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Pyroelectric device, method for manufacturing same and infrared sensor
US20080024563A1 (en) * 2006-07-25 2008-01-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Piezoelectric thin film element, ink jet head, and ink jet type recording apparatus
RU2345439C2 (ru) * 2005-03-17 2009-01-27 Ооо "Инфраоптик" Способ изготовления пироэлектрического электронно-оптического преобразователя изображения и высоковакуумная установка, реализующая этот способ

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4032783A (en) * 1975-06-09 1977-06-28 Hughes Aircraft Company Pyroelectric radiation sensor and imaging device utilizing same
JPS646306A (en) * 1987-02-27 1989-01-10 Fuji Electric Co Ltd Manufacture of composite oxide membrane
RU2154874C2 (ru) * 1998-06-23 2000-08-20 Гончаренко Борис Гаврилович Пироэлектрический видикон
RU2160479C2 (ru) * 1998-06-23 2000-12-10 Гончаренко Борис Гаврилович Пироэлектрический электронно-оптический преобразователь (варианты)
EP1569284A1 (en) * 2002-12-05 2005-08-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Pyroelectric device, method for manufacturing same and infrared sensor
RU2345439C2 (ru) * 2005-03-17 2009-01-27 Ооо "Инфраоптик" Способ изготовления пироэлектрического электронно-оптического преобразователя изображения и высоковакуумная установка, реализующая этот способ
US20080024563A1 (en) * 2006-07-25 2008-01-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Piezoelectric thin film element, ink jet head, and ink jet type recording apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101077046B1 (ko) 신규한 금속 스트립 제품
CN108231924A (zh) 生长在r面蓝宝石衬底上的非极性AlGaN基MSM型紫外探测器及其制备方法
US20180355466A1 (en) Fine metal mask and manufacture method thereof
KR101980196B1 (ko) 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자
JP2011181801A (ja) 電界効果型トランジスタの製造方法
US20170316953A1 (en) Method for fabricating metallic oxide thin film transistor
JP2010056542A5 (ru)
US9502571B2 (en) Thin film layer and manufacturing method thereof, substrate for display and liquid crystal display
TWI600612B (zh) Graphene films, electronic devices, and electronic device manufacturing methods
CN103568614A (zh) 激光转印方法和该方法使用的激光转印装置
JP6637681B2 (ja) 基板
CN110600350B (zh) 一种双环栅结构的纳米冷阴极电子源及其制作方法
RU2468463C1 (ru) Способ изготовления пироэлектрической мишени
TWI587555B (zh) Component manufacturing method and component manufacturing apparatus
US10151024B2 (en) Method for producing transparent conductive film
US10777581B2 (en) Method for manufacturing IGZO thin-film transistor
CN111081505B (zh) 一种共面双栅聚焦结构的纳米冷阴极电子源及其制作方法
JP5560064B2 (ja) Igzo系アモルファス酸化物薄膜の製造方法及びそれを用いた電界効果型トランジスタの製造方法
CN106252278A (zh) 金属氧化物薄膜晶体管阵列的制备方法
CN107768520B (zh) 倍频器及其制备方法
CN107527998B (zh) 一种柔性衬底、柔性oled器件及其制备方法
JPH0711424A (ja) 有機焦電・圧電体の製造方法およびその製造装置
KR101924272B1 (ko) 금속 산화물막의 제조 방법, 금속 산화물막, 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터의 제조 방법, 및 전자 디바이스
JP5357808B2 (ja) Igzo系アモルファス酸化物絶縁膜の製造方法及びそれを用いた電界効果型トランジスタの製造方法
RU2786689C1 (ru) Способ формирования силицида

Legal Events

Date Code Title Description
QB4A Licence on use of patent

Free format text: LICENCE

Effective date: 20131125

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20140505