RU2555512C2 - Самоохлаждаемый автономный наноприбор и способ его формирования - Google Patents
Самоохлаждаемый автономный наноприбор и способ его формирования Download PDFInfo
- Publication number
- RU2555512C2 RU2555512C2 RU2013150655/28A RU2013150655A RU2555512C2 RU 2555512 C2 RU2555512 C2 RU 2555512C2 RU 2013150655/28 A RU2013150655/28 A RU 2013150655/28A RU 2013150655 A RU2013150655 A RU 2013150655A RU 2555512 C2 RU2555512 C2 RU 2555512C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- glass
- target
- cover
- squid
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 241000238366 Cephalopoda Species 0.000 claims abstract description 7
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 22
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 11
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 6
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 229910004247 CaCu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
Изобретение относиться к способам формирования самоохлаждаемых автономных приборов и элементов электроники, которые могут эффективно работать без использования технологии жидкого азота, и другой криогенной техники. Способ формирования самоохлаждаемого автономного наноприбора заключается в том, что на подложке из монокристаллического материала с сформированным с одной стороны СКВИД-приемником на обратной стороне размещают устройство для поглощения тепла, которое содержит катод и анод, имеющие различную энергию Ферми электронов. Затем подложку через отверстие для монтажа заключают в вакуумную оболочку из ситалла, содержащую контактные электроды для двух сторон подложки. После этого отверстие для монтажа подложки закрывают крышкой из ситалла. Размещают данное устройство в вакуумной камере, в которой располагают также мишень из ситалла. Откачивают до давления 10-1 Па, нагревают мишень и крышку из ситалла до температуры 450÷500°С. Затем лазером с длиной волны излучения 1,06 мкм, длительностью импульса 10-20 нс и частотой повторения импульсов 10 Гц, плотностью мощности 5·108÷8·108 Вт/см2 распыляют мишень из ситалла, находящуюся на расстоянии 8÷10 мм от крышки из ситалла в течение 10 минут. Изобретение обеспечивает создание такой конструкции СКВИДа (сверхпроводящего квантового интерференционного датчика), в которой исключены: деградация сверхпроводящих свойств в воздушной среде, зависимость достижения рабочей температуры от использования жидкого азота или других внешних криогенных установок с большими габаритами. 1 ил.
Description
Изобретение относится к способам формирования сверхпроводящих элементов электроники и может быть использовано для формирования самоохлаждаемых автономных приборов и элементов электроники, которые могут эффективно работать без использования технологии жидкого азота, и другой криогенной техники, имеющей большие габариты. При использовании автономных приборов отпадает необходимость технологического достижения «комнатной» сверхпроводимости.
Известен СКВИД (патент РФ №2289870 от 22.06.2005 г.), содержащий диэлектрическую подложку из оксида магния, магниточувствительный элемент из пленки высокотемпературного сверхпроводящего материала, в котором магниточувствительный элемент выполнен в виде полоски, помещенной между двумя трансформаторами магнитного потока, выполненными из того же пленочного высокотемпературного сверхпроводящего материала. Недостатками данного прибора являются: деградация сверхпроводящих свойств ВТСП в воздушной среде, зависимость прибора от внешних воздействий, поскольку для достижения рабочего интервала температур сверхпроводимости 92 K постоянно требуется жидкий азот.
Известен элемент СКВИД-магнитометра (патент РФ №2457502 от 28.04.2011 г.), содержащий немагнитный вакуумный криостат с плоской донной частью и фланцем на горловине, скрепленным с подвеской, размещенную в донной части криостата и установленную на подвеске совокупность градиентометров, подключенных к сверхпроводниковым квантовым интерференционным датчикам (СКВИД) постоянного тока, связанным с системой регистрации. Недостатками данного прибора являются: большие габариты, а также зависимость прибора от внешних воздействий, поскольку для достижения рабочего интервала температур сверхпроводимости постоянно требуется жидкий азот.
Известен СКВИД (патент РФ №2184407 от 02.11.2000 г.), содержащий приемный контур, контур связи для введения магнитного потока в измерительный контур, включающий ПТ-СКВИД с элементами Джозефсона, при этом магнитометр изготовлен на одном слое ВТСП пленки толщиной 10-100 нм, сформированной на изолирующей подложке, в центре которой размещен измерительный контур, часть которого, не содержащая джозефсоновских элементов, непосредственно контактирует с контуром связи, состоящим из двух витков, включенных навстречу друг другу, приемный контур окружает часть контура связи, расположенную вокруг измерительного контура, а на остальной части подложки размещен контур модуляции и обратной связи, окружающий приемный контур и часть контура связи, удаленную от измерительного контура. Недостатками данного прибора являются: деградация сверхпроводящих свойств ВТСП в воздушной среде, зависимость прибора от внешних воздействий, поскольку для достижения рабочего интервала температур сверхпроводимости 92 K постоянно требуется жидкий азот.
Известно также устройство для выделения и поглощения тепла (патент РФ №2394306 от 28.08.2008 г.), содержащее катод и анод, имеющие различную энергию Ферми электронов и подключенные к источнику электрического напряжения, катод и анод расположены с зазором между собой 10-100 мкм, при этом катод включает в себя игольчатые электроды, а в качестве материалов катода и анода выбраны такие материалы, для которых выполняется условие
q/Q=1+(Фк-Фа)/eU,
где q - дополнительное тепловыделение или теплопоглощение;
Q=IU, I - ток в цепи, U - приложенное напряжение;
Фк, Фа - энергии Ферми катода и анода соответственно,
при q>0 - анод нагревается, при q<0 - анод охлаждается.
Особенностью данного устройства при его работе в режиме теплопоглощения является выделение тепла в основном только в цепи питания, выходящей за пределы охлаждаемой области, коэффициент производства «холода» у предложенного устройства оценочно составляет до 60% от затрачиваемой электрической энергии.
Известно, что сверхпроводящие структуры электронных приборов, выполненные из различных керамик с различными критическими температурами сверхпроводимости Тс: YBa2Cu3O7 (92 K), Tl2Ca2Ba (127 K), Bi2Sr2CaCu2O8 (85 K), имеют следующие недостатки:
1. Теряют свои сверхпроводящие свойства в воздушной среде.
2. Для достижения рабочего интервала температур сверхпроводимости (85÷127 K) постоянно требуется жидкий азот, что повышает зависимость прибора от внешних воздействий.
Задачей заявляемого изобретения является создание такой конструкции СКВИДа (сверхпроводящего квантового интерференционного датчика), в которой исключены: деградация сверхпроводящих свойства в воздушной среде, зависимость достижения рабочей температуры от использования жидкого азота или других внешних криогенных установок с большими габаритами.
Указанный технический результат достигается тем, что на подложке, где сформирован СКВИД, с обратной стороны выполнено устройство для выделения и поглощения тепла, содержащее катод и анод, имеющие различную энергию Ферми электронов с возможностью подключения к источнику электрического напряжения, при этом вся подложка с сформированными на ней элементами с двух сторон заключена в вакуумную оболочку из немагнитного материала, содержащую контактные электроды.
Возможность достижения и поддержания низких температур обуславливается тем, что при к.п.д. до 60% от потребляемой электроэнергии устройство выделяет тепло за пределами вакуумной оболочки. В процессе работы СКВИДа при низких температурах Тс примерно от 77 до 92 K Тс выделяется минимальное количество тепла значительно меньшее, чем мощность холодильного устройства. При этом устройство выделяет тепло, в том числе и собственное, за пределами вакуумной оболочки.
Известен (патент РФ №2298260 от 09.11.2005 г.) способ изготовления сверхпроводникового прибора, включающий формирование джозефсоновского перехода в высокотемпературной пленке на монокристаллической подложке MgO при помощи атомно-силового микроскопа, при этом материалом текстурированной высокотемпературной сверхпроводниковой пленки является (Bi,Pb)2Sr2Ca2Cu3O10, на которой методом фотолитографии изготавливается дорожка, поперек которой протаскивают зонд атомно-силового микроскопа, формируя область переменной толщины для создания джозефсоновского перехода. Недостатком данного способа являются низкие функциональные возможности изготовленного сверхпроводящего прибора - зависимость от внешних воздействий, поскольку для достижения рабочего интервала температур сверхпроводимости 85 K постоянно требуется жидкий азот.
Известен (патент РФ N2325005 от 29.09.2006 г.) способ изготовления СКВИДов с субмикронными джозефсоновскими переходами в пленке высокотемпературного сверхпроводника, включающий нанесение пленки высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3O7-x на бикристаллическую подложку методом лазерной абляции, образование методами фотолитографии токоподводов, промежуточной топологии СКВИД, и реперных шкал, размещаемых параллельно бикристаллической границе, последовательное нанесение слоев углерода, германия, позитивного электронного резиста и формирование электронной литографией основной топологии СКВИДов путем перемещения поля электронной экспозиции относительно реперных шкал, плазмохимическое травление в ВЧ-разряде с последовательным вскрытием окон в слоях германия и углерода и травление открытых участков пленки YBa2Cu3O7-х в пучке положительно заряженных ионов аргона с получением СКВИДов, при этом образуют по меньшей мере две промежуточные топологии СКВИД с различающимися внешними размерами контуров, реперные шкалы выполняют гребенчатыми, штыри которых гальванически связаны через перемычку с одним из токоподводов и основной массой, при этом одну из реперных шкал размещают между промежуточными топологиями, а остальные - снаружи их, формирование основной топологии начинают с промежуточной топологии СКВИД, имеющей большую площадь. Недостатком данного способа также являются низкие функциональные возможности изготовленного сверхпроводящего прибора - зависимость от внешних воздействий, поскольку для достижения рабочего интервала температур сверхпроводимости 92 K постоянно требуется жидкий азот.
Задачей заявляемого изобретения является создание такого способа формирования СКВИДа, полученная конструкция которого исключает: деградацию сверхпроводящих свойств в воздушной среде, зависимость достижения рабочей температуры от использования технологии жидкого азота или других внешних криогенных установок с большими габаритами.
Указанный технический результат достигается тем, что на подложке из монокристаллического материала типа SrTiO3, LaAlO3, MgO с сформированным с одной стороны СКВИДом на обратной стороне подложки размещают устройство для поглощения тепла, которое содержит катод и анод, имеющие различную энергию Ферми электронов, затем подложку через отверстие для монтажа заключают в вакуумную оболочку из ситалла, содержащую контактные электроды для двух сторон подложки, после этого отверстие для монтажа подложки закрывают крышкой из ситалла, размещают данное устройство в вакуумной камере, в которой располагают также мишень из ситалла, откачивают до давления 10-1 Па, нагревают мишень и крышку из ситалла до температуры 450÷500°C, затем лазером длиной волны 1,06 мкм, длительностью импульса 10-20 нс и частотой повторения импульсов 10 Гц, плотностью мощности 5·108÷8·108 Вт/см2 распыляют мишень из ситалла, находящуюся на расстоянии 8÷10 мм от крышки из ситалла в течение 10 минут. При этом формируется пленка из ситалла толщиной примерно 1 мкм, покрывающая крышку и выемку между отверстием для монтажа подложки в вакуумной оболочки и крышкой. Для удобства закрывания и более надежного вакуумирования отверстие для монтажа подложки в вакуумной оболочке и крышка выполнены в форме усеченного конуса, при этом толщина отверстия для монтажа подложки больше толщины крышки на 1÷2 мм, что обеспечивает использование сил адгезии не только на отрыв, но и на сдвиг.
Для осуществления способа использовалась экспериментальная установка для напыления пленок представленная на фиг.1. Установка содержит напылительную вакуумную камеру 1 с помещенной внутри нее цилиндрической кварцевой печью 2, в которой устанавливается: распыляемая лазером 3 мишень 4, размещенные через отверстие для монтажа подложки 5 в вакуумной оболочке 6 - подложка 7, СКВИД 8, устройство для поглощения тепла 9, закрытые крышкой 10. При давлении воздуха в камере 1÷2 10-1 Па температура крышки 10 и температура мишени 4 составляет 450÷500°С. В установке используется твердотельный импульсный лазер Nd:YAG с длиной волны излучения 1,06 мкм, длительностью импульса 16 нс и частотой повторения импульсов 10 Гц. Плотность мощности лазерного излучения на поверхности мишени составляет 5·108÷8·108 Вт/см2. Лазерный луч падает на мишень 4, пройдя через оптическую систему 11 и кварцевое окно 12 вакуумной камеры 1. Распыляемый материал мишени 4 осаждается на крышку 10, вакуумную оболочку 6, отверстие для монтажа подложки 5 и выемку между отверстием для монтажа подложки в вакуумной оболочки и крышкой 13, в результате чего на крышке 10, отверстии для монтажа подложки 5 и выемке 13 при указанных выше технологических параметрах напыления вырастает пленка 14 ситалла СТ-50-1 примерно 1 мкм за 10 минут. В качестве мишени 4 используют ситалл СТ-50-1. В качестве материала крышки 10 и вакуумной оболочки 6 также используются ситалл СТ-50-1. Расстояние мишень-крышка составляет 8÷10 мм. Температура печи 2 и мишени 5 контролируется термопарой 15.
Измеренная методом отрыва адгезия пленки из ситалла к крышке и вакуумной оболочке из ситалла превышает 25 МПа. Кроме того, используемое расстояние мишень-подложка обеспечивает однородное напыление площадки диаметром не менее 10 мм, что достаточно для однородного покрытия щели между отверстием для монтажа подложки в вакуумной оболочке и крышкой, размер которого не превышает размер подложки для СКВИДа 10×10 мм. Достичь высокой степени адгезии пленки из ситалла с крышкой и вакуумной оболочкой из ситалла удается за счет использования технологии лазерного напыления, при котором разогретая до температур порядка 104 K плазма лазерного факела активно взаимодействует с поверхностью вакуумной оболочки и крышкой. На используемом расстоянии 8÷10 мм от мишени при давлении 10-1 Па температура плазмы составляет примерно 104 K, что приводит к реакции плазмы с поверхностью крышки и вакуумной оболочки и глубокому внедрению частиц ситалла в крышку и оболочку из ситалла на глубину до нескольких десятков микрометров, обеспечивая: эксплуатационную и механическую прочность, надежное вакуумирование, исключение деградации сверхпроводящих свойств автономного наноприбора.
Claims (1)
- Способ формирования самоохлаждаемого автономного наноприбора, заключающийся в том, что на подложке из монокристаллического материала с сформированным с одной стороны СКВИД-приемником на обратной стороне размещают устройство для поглощения тепла, которое содержит катод и анод, имеющие различную энергию Ферми электронов, затем подложку через отверстие для монтажа заключают в вакуумную оболочку из ситалла, содержащую контактные электроды для двух сторон подложки, после этого отверстие для монтажа подложки закрывают крышкой из ситалла, размещают данное устройство в вакуумной камере, в которой располагают также мишень из ситалла, откачивают до давления 10-1 Па, нагревают мишень и крышку из ситалла до температуры 450÷500°C, затем лазером длиной волны 1,06 мкм, длительностью импульса 10-20 нс и частотой повторения импульсов 10 Гц, плотностью мощности 5·108÷8·108 Вт/см2 распыляют мишень из ситалла, находящуюся на расстоянии 8÷10 мм от крышки из ситалла в течение 10 минут.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013150655/28A RU2555512C2 (ru) | 2013-11-13 | 2013-11-13 | Самоохлаждаемый автономный наноприбор и способ его формирования |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013150655/28A RU2555512C2 (ru) | 2013-11-13 | 2013-11-13 | Самоохлаждаемый автономный наноприбор и способ его формирования |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013150655A RU2013150655A (ru) | 2015-05-20 |
| RU2555512C2 true RU2555512C2 (ru) | 2015-07-10 |
Family
ID=53283855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013150655/28A RU2555512C2 (ru) | 2013-11-13 | 2013-11-13 | Самоохлаждаемый автономный наноприбор и способ его формирования |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2555512C2 (ru) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3032610B2 (ja) * | 1991-07-08 | 2000-04-17 | 富士電機株式会社 | 超電導装置の電流リード |
| RU2325005C1 (ru) * | 2006-09-29 | 2008-05-20 | Государственное учреждение Научно-исследовательский институт ядерной физики Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СКВИДов С СУБМИКРОННЫМИ ДЖОЗЕФСОНОВСКИМИ ПЕРЕХОДАМИ В ПЛЕНКЕ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДНИКА |
| RU2394306C2 (ru) * | 2008-08-28 | 2010-07-10 | Владимир Кириллович Неволин | Устройство для выделения или поглощения тепла |
| CN202015089U (zh) * | 2011-01-14 | 2011-10-26 | 九阳股份有限公司 | 热饮快速冷却装置 |
| RU2497236C2 (ru) * | 2009-05-26 | 2013-10-27 | "Текнопрайзер" Лтд. | Способ осуществления гиперпроводимости и сверхтеплопроводности |
-
2013
- 2013-11-13 RU RU2013150655/28A patent/RU2555512C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3032610B2 (ja) * | 1991-07-08 | 2000-04-17 | 富士電機株式会社 | 超電導装置の電流リード |
| RU2325005C1 (ru) * | 2006-09-29 | 2008-05-20 | Государственное учреждение Научно-исследовательский институт ядерной физики Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СКВИДов С СУБМИКРОННЫМИ ДЖОЗЕФСОНОВСКИМИ ПЕРЕХОДАМИ В ПЛЕНКЕ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДНИКА |
| RU2394306C2 (ru) * | 2008-08-28 | 2010-07-10 | Владимир Кириллович Неволин | Устройство для выделения или поглощения тепла |
| RU2497236C2 (ru) * | 2009-05-26 | 2013-10-27 | "Текнопрайзер" Лтд. | Способ осуществления гиперпроводимости и сверхтеплопроводности |
| CN202015089U (zh) * | 2011-01-14 | 2011-10-26 | 九阳股份有限公司 | 热饮快速冷却装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2013150655A (ru) | 2015-05-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2382440C1 (ru) | СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ НА ПОДЛОЖКЕ МНОГОСЛОЙНЫХ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ НАНОПЛЕНОК yBaCuO | |
| Carapella et al. | Josephson effect in Nb/Al 2 O 3/Al/MgB 2 large-area thin-film heterostructures | |
| JP2013128984A (ja) | 超伝導材料の接合方法 | |
| JPH05206530A (ja) | 高温超電導体ジョセフソン接合およびその製造方法 | |
| RU2555512C2 (ru) | Самоохлаждаемый автономный наноприбор и способ его формирования | |
| KR20140049296A (ko) | 하이브리드 증착법을 이용한 eddc 자속고정점 형성 장치 | |
| Horwitz et al. | Pulsed laser deposition of electronic ceramics | |
| Faisal | High Tc superconducting fabrication of loop antenna | |
| CN103500793A (zh) | 一种退火制备二硼化镁超导薄膜微结构的方法 | |
| Fyk et al. | Analysis of the technology to manufacture a high-temperature microstrip superconductive device for theelectromagnetic protection of receivers | |
| RU2539771C1 (ru) | Способ изготовления сверхпроводникового детектора | |
| Melbourne | Magnesium Diboride Devices and Applications | |
| Porokhov et al. | The physical basis of the fabrication of the third generation of high-temperature superconducting wires on quartz substrates | |
| JP2017039621A (ja) | 超伝導酸化物薄膜およびその製造方法 | |
| JP2529347B2 (ja) | 超電導薄膜の作製方法 | |
| Grigorashvili et al. | Fabrication of nanosized superconductor structures with a critical temperature exceeding 100 K | |
| JP2502344B2 (ja) | 複合酸化物超電導体薄膜の作製方法 | |
| JP2849721B2 (ja) | 超伝導スイッチ素子 | |
| RU2189090C2 (ru) | СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУР ИЗ МАТЕРИАЛА YВaСuО С ДВУХ СТОРОН ПОДЛОЖКИ | |
| Subramanyam et al. | Processing, electrical and microwave properties of sputtered Tl-Ca-Ba-Cu-O superconducting thin films | |
| JPH0338075A (ja) | 多層電子的薄膜素子を製造する方法 | |
| Brongersma et al. | Multiple maxima in the field dependent magnetisation of superconducting Nb/Cu multilayers | |
| Brown | Yttria stabilized zirconia buffered silicon: Substrates for YBCO microwave applications | |
| Maher et al. | Commercial Exploration of High‐Temperature Superconductivity: Excimer Lasers Enable Novel Coated Superconductor Cylinders | |
| Li | Investigation on fabrication processes and characteristics of BiSrCaCuO films |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20161114 |