RU2497236C2 - Способ осуществления гиперпроводимости и сверхтеплопроводности - Google Patents

Способ осуществления гиперпроводимости и сверхтеплопроводности Download PDF

Info

Publication number
RU2497236C2
RU2497236C2 RU2011129811/28A RU2011129811A RU2497236C2 RU 2497236 C2 RU2497236 C2 RU 2497236C2 RU 2011129811/28 A RU2011129811/28 A RU 2011129811/28A RU 2011129811 A RU2011129811 A RU 2011129811A RU 2497236 C2 RU2497236 C2 RU 2497236C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
electrodes
hyperconductivity
semiconductor
superconductivity
substrate
Prior art date
Application number
RU2011129811/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2011129811A (ru
Inventor
Вячеслав Андреевич Вдовенков
Original Assignee
"Текнопрайзер" Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by "Текнопрайзер" Лтд. filed Critical "Текнопрайзер" Лтд.
Publication of RU2011129811A publication Critical patent/RU2011129811A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2497236C2 publication Critical patent/RU2497236C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00—Superconducting devices
    • H10N60/99—Alleged superconductivity

Landscapes

  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

Изобретение относится к электричеству, к электрофизике и теплопроводности материалов, к явлению нулевого электрического сопротивления, т.е. к гиперпроводимости, и нулевого теплового сопротивления, т.е. к сверхтеплопроводности материалов при околокомнатных и более высоких температурах. Сущность изобретения: на поверхности или в объеме невырожденного или слабо вырожденного полупроводникового материала размещают электроды, образующие выпрямляющие контакты с материалом. При этом выбирают расстояние между электродами (D) значительно меньше глубины проникновения в материал электрического поля (L), (D<<L), вызванного контактной разностью потенциалов. Минимальное расстояние между электродами DMIN=20 нанометров, максимальное расстояние между электродами DMAX=30 микрометров. До, после или во время формирования электродов в материал вводят электронно-колебательные центры (ЭКЦ) в концентрации (N) от 2·1012 см-3 до 6·1017 см-3. Доводят температуру материала до температуры гиперпроводящего перехода (Th) или до более высокой температуры. Технический результат: возможность осуществления эффекта гиперпроводимости и сверхтеплопроводности при температурах вблизи и выше комнатной. 12 з.п. ф-лы, 26 ил.

Description

Текст описания приведен в факсимильном виде.
Figure 00000001
Figure 00000002
Figure 00000003
Figure 00000004
Figure 00000005
Figure 00000006
Figure 00000007
Figure 00000008
Figure 00000009
Figure 00000010
Figure 00000011
Figure 00000012
Figure 00000013
Figure 00000014
Figure 00000015
Figure 00000016
Figure 00000017
Figure 00000018
Figure 00000019
Figure 00000020
Figure 00000021
Figure 00000022
Figure 00000023
Figure 00000024
Figure 00000025
Figure 00000026
Figure 00000027
Figure 00000028
Figure 00000029
Figure 00000030
Figure 00000031
Figure 00000032
Figure 00000033
Figure 00000034
Figure 00000035
Figure 00000036
Figure 00000037
Figure 00000038
Figure 00000039
Figure 00000040
Figure 00000041
Figure 00000042
Figure 00000043
Figure 00000044
Figure 00000045
Figure 00000046
Figure 00000047
Figure 00000048
Figure 00000049
Figure 00000050
Figure 00000051
Figure 00000052
Figure 00000053
Figure 00000054
Figure 00000055
Figure 00000056
Figure 00000057
Figure 00000058
Figure 00000059
Figure 00000060
Figure 00000061
Figure 00000062
Figure 00000063
Figure 00000064
Figure 00000065
Figure 00000066
Figure 00000067
Figure 00000068
Figure 00000069
Figure 00000070
Figure 00000071
Figure 00000072
Figure 00000073
Figure 00000074
Figure 00000075
Figure 00000076
Figure 00000077
Figure 00000078
Figure 00000079
Figure 00000080
Figure 00000081
Figure 00000082
Figure 00000083
Figure 00000084
Figure 00000085
Figure 00000086
Figure 00000087
Figure 00000088
Figure 00000089
Figure 00000090

Claims (13)

1. Способ осуществления гиперпроводимости и сверхтеплопроводности в материале между электродами, содержащем конденсированный материал с определенным химическим составом и технологические обработки материала, а также электродов, образующих электрический контакт с материалом, отличающийся тем, что в качестве упомянутого материала используют любой невырожденный или слабо вырожденный полупроводник, на поверхности или в объеме указанного материала размещают электроды, образующие выпрямляющие контакты с материалом, например контакты металл-полупроводник, контакты Шоттки, расстояние между электродами (D) выбирают значительно меньше длины проникновения в упомянутый материал электрического поля, вызванного контактной разностью потенциалов (L) (D<<L) и не более удвоенной длины когерентности (2Λ) (D≤2Λ), при этом минимальное расстояние между электродами DMIN=10 нм, максимальное расстояние между электродами DMAX=30 мкм; до, после или во время формирования электродов в материал вводят электронно-колебательные центры (ЭКЦ) в концентрации (N) от Nmin=2·1012 см-3 до Nmax=6·1017 см-3, нагревают упомянутый материал до температуры, превышающей температуру гиперпроводящего перехода (Th).
2. Способ осуществления гиперпроводимости и сверхтеплопроводности в материале между электродами по п.1, отличающийся тем, что электронно-колебательные центры вводят только в обедненную область упомянутого материала между электродами или в части обедненной области, которые примыкают к электродам, а длина линии электрического тока между электродами в упомянутой обедненной области не превышает удвоенную длину когерентности (2Λ).
3. Способ осуществления гиперпроводимости и сверхтеплопроводности в материале между электродами по п.2, отличающийся тем, что наименьший размер материала полупроводника выбирают не менее удвоенной длины когерентности 2Λ, например, выбирают толщину пластины упомянутого материала не менее 2Λ или толщину слоя упомянутого материала не менее 2Λ на полупроводниковой, полуизолирующей или диэлектрической подложке.
4. Способ осуществления гиперпроводимости и сверхтеплопроводности в материале между электродами по п.3, отличающийся тем, что в объеме упомянутого материала или на поверхности упомянутого материала с размерами, значительно превышающими удвоенную длину когерентности (2Λ), располагают систему электродов, например имеющих форму шариков, полосок или спиралей.
5. Способ осуществления гиперпроводимости и сверхтеплопроводности в материале между электродами по п.4, отличающийся тем, что в объеме или на поверхности упомянутого материала располагают систему электродов, например, в виде вкраплений, а наибольший размер каждого электрода выбирают значительно меньше длины когерентности Λ.
6. Способ осуществления гиперпроводимости и сверхтеплопроводности в материале между электродами по п.5, отличающийся тем, что в упомянутом материале между электродами создают постоянное, переменное или импульсное магнитное поле, направленное вдоль, по нормали или под острым углом к определенному направлению, например к направлению тока между упомянутыми электродами, с индукцией не более B = S 4 m ω 2 e
Figure 00000091
 , где ω - циклическая частота упругого колебания, формирующего гиперпроводящее состояние, S - константа связи этого колебания с электронами, m - эффективная масса электрона (дырки) и е - заряд электрона.
7. Способ осуществления гиперпроводимости и сверхтеплопроводности в материале между электродами по пп.1-6, отличающийся тем, что упомянутый материал между упомянутыми электродами освещают в спектральной области собственного, основного, фундаментального поглощения упомянутого материала и(или) в спектральной области поглощения ЭКЦ с интенсивностью до I = N C ζ τ
Figure 00000092
 , где NC - эффективное число электронных состояний в разрешенной энергетической зоне, ζ - коэффициент оптического поглощения и τ - время жизни электронов (дырок).
8. Способ осуществления гиперпроводимости и сверхтеплопроводности в материале между электродами по п.6, отличающийся тем, что между упомянутыми электродами создают разность температур величиной не более ΔT=Sħω/k, где S - константа связи электронов с фононами, ħ - постоянная Планка, k - постоянная Больцмана, ω - циклическая частота фонона, определяющего упругую связь между ЭКЦ в упомянутом материале между упомянутыми электродами.
9. Способ осуществления гиперпроводимости и сверхтеплопроводности в материале между электродами по п.8, отличающийся тем, что используют дополнительный электрод, образующий выпрямляющий контакт или контакт металл-диэлектрик-полупроводник (МДИ) к упомянутому материалу между упомянутыми электродами, или используют несколько таких дополнительных электродов; к дополнительному электроду или электродам подводят постоянные, переменные или импульсные внешние напряжения прямой или обратной полярности относительно упомянутого материала.
10. Способ осуществления гиперпроводимости и сверхтеплопроводности в материале между электродами по п.9, отличающийся тем, что между упомянутыми электродами создают переменную или постоянную разность электрических потенциалов величиной до Sħω/e, где S - константа электрон-фононной связи, ħ - постоянная Планка, ω - циклическая частота упругих колебаний материала, например частота фонона или частота I - колебаний ядер в атомах материала, e - заряд электрона.
11. Способ осуществления гиперпроводимости и сверхтеплопроводности в материале между электродами по п.10, отличающийся тем, что в материал между электродами направляют поток звука, ультразвука или гиперзвука, имеющий частоту f и объемную плотность мощности до (2ħSħfN)/τ, где S - константа электрон-фононного взаимодействия, N - концентрация ЭКЦ, τ - время жизни электронов (дырок) в материале между упомянутыми электродами, ħ - постоянная Планка.
12. Способ осуществления гиперпроводимости и сверхтеплопроводности в материале между электродами по п.1, отличающийся тем, что толщину полупроводниковой пластины, или толщину полупроводникового слоя на подложке, или толщину подложки, или общую толщину полупроводникового слоя и подложки, или расстояние (расстояния) между взаимно параллельными границами полупроводника выбирают равным (равными) или кратным (кратными) W=υ/2 f, где υ - скорость звука (фонона) с частотой f, распространяющегося между упомянутыми взаимно параллельными границами упомянутого полупроводника, упомянутой подложки или упомянутого полупроводника и упомянутой подложки, f - частота фонона, определяющего упругую связь между ЭКЦ.
13. Способ осуществления гиперпроводимости и сверхтеплопроводности в материале между электродами по п.1, отличающийся тем, что толщину полупроводниковой пластины, или толщину полупроводникового слоя на подложке, или толщину подложки, или общую толщину полупроводникового слоя и подложки, или расстояние (расстояния) между взаимно параллельными границами упомянутого полупроводника выбирают равным (равными) или кратным (кратными) W= υ /2f, где υ - скорость звука, распространяющегося между упомянутыми взаимно параллельными границами упомянутого полупроводника, упомянутой подложки или упомянутого полупроводника и упомянутой подложки, f=1/P, где P - период переменного электрического или магнитного поля, создаваемого в упомянутом материале между упомянутыми электродами.
RU2011129811/28A 2009-05-26 2009-05-26 Способ осуществления гиперпроводимости и сверхтеплопроводности RU2497236C2 (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/IB2009/005723 WO2010136834A1 (en) 2009-05-26 2009-05-26 Method of realization of hyperconductivity and super thermal conductivity

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011129811A RU2011129811A (ru) 2013-07-10
RU2497236C2 true RU2497236C2 (ru) 2013-10-27

Family

ID=41647186

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011129811/28A RU2497236C2 (ru) 2009-05-26 2009-05-26 Способ осуществления гиперпроводимости и сверхтеплопроводности

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20110251071A1 (ru)
EP (1) EP2436048A1 (ru)
CN (1) CN102414853B (ru)
RU (1) RU2497236C2 (ru)
WO (1) WO2010136834A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2555512C2 (ru) * 2013-11-13 2015-07-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского" Самоохлаждаемый автономный наноприбор и способ его формирования
RU2626195C1 (ru) * 2016-04-26 2017-07-24 Вячеслав Андреевич Вдовенков Способ эффективного осуществления гиперпроводимости и сверхтеплопроводности

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3751621B1 (de) * 2015-01-12 2023-06-07 Weidlich, Helmut Vorrichtung zur führung von ladungsträgern und deren verwendung
CN111954936B (zh) * 2018-02-09 2024-06-21 科罗拉多州立大学董事会,公司实体 基于纳米声子超材料的热电设备
JP2020088028A (ja) * 2018-11-19 2020-06-04 トヨタ自動車株式会社 熱電変換素子、熱電変換システム、及びそれらを用いる発電方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0301985A2 (en) * 1987-07-28 1989-02-01 Syracuse University Room temperature superconductor
RU2000100009A (ru) * 2000-01-05 2001-10-27 Вячеслав Андреевич Вдовенков Способ осуществления сверхпроводимости
WO2002025795A2 (en) * 2000-07-07 2002-03-28 Ceramoptec Industries, Inc. High temperature superconductor
WO2004014794A2 (en) * 2002-08-07 2004-02-19 Guo-Meng Zhao High temperature superconducting carbon nanotubes and methods for making them
WO2009027827A2 (en) * 2007-07-19 2009-03-05 Pavol Banacky Heteronuclear superconductors with electronic structure instability driven by electron-phonon coupling into antiadiabatic state

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2233685B1 (ru) * 1973-06-12 1977-05-06 Josse Bernard
US4980972A (en) * 1987-06-29 1991-01-01 Westinghouse Electric Corp. Method of making a conductor for a high energy density hyperconducting inductor
US4912446A (en) * 1987-06-29 1990-03-27 Westinghouse Electric Corp. High energy density hyperconducting inductor
US4990491A (en) * 1988-06-29 1991-02-05 Westinghouse Electric Corp. Insulation for superconductors
US4927985A (en) * 1988-08-12 1990-05-22 Westinghouse Electric Corp. Cryogenic conductor
US5248661A (en) * 1991-12-02 1993-09-28 Westinghouse Electric Corp. Cryoconducting-superconducting composites

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0301985A2 (en) * 1987-07-28 1989-02-01 Syracuse University Room temperature superconductor
RU2000100009A (ru) * 2000-01-05 2001-10-27 Вячеслав Андреевич Вдовенков Способ осуществления сверхпроводимости
WO2002025795A2 (en) * 2000-07-07 2002-03-28 Ceramoptec Industries, Inc. High temperature superconductor
WO2004014794A2 (en) * 2002-08-07 2004-02-19 Guo-Meng Zhao High temperature superconducting carbon nanotubes and methods for making them
WO2009027827A2 (en) * 2007-07-19 2009-03-05 Pavol Banacky Heteronuclear superconductors with electronic structure instability driven by electron-phonon coupling into antiadiabatic state

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Вдовенков В.А. Исследования локальной термо-эдс и гиперпроводимости. - Наукоемкие технологии, No.4, 2002, т.3, с.55-60. *
Вдовенков В.А. Электронно-колебательные центры в полупроводниковых элементах микросистемной техники. - Микросистемная техника, No.12, 2002, с.17-22. *
Вдовенков В.А. Электронно-колебательные центры в полупроводниковых элементах микросистемной техники. - Микросистемная техника, №12, 2002, с.17-22. Вдовенков В.А. Исследования локальной термо-эдс и гиперпроводимости. - Наукоемкие технологии, №4, 2002, т.3, с.55-60. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2555512C2 (ru) * 2013-11-13 2015-07-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского" Самоохлаждаемый автономный наноприбор и способ его формирования
RU2626195C1 (ru) * 2016-04-26 2017-07-24 Вячеслав Андреевич Вдовенков Способ эффективного осуществления гиперпроводимости и сверхтеплопроводности

Also Published As

Publication number Publication date
CN102414853A (zh) 2012-04-11
EP2436048A1 (en) 2012-04-04
CN102414853B (zh) 2015-04-22
RU2011129811A (ru) 2013-07-10
US20110251071A1 (en) 2011-10-13
WO2010136834A1 (en) 2010-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2497236C2 (ru) Способ осуществления гиперпроводимости и сверхтеплопроводности
Hu et al. Temperature dependence of the piezotronic effect in ZnO nanowires
Lee et al. Flexible hybrid cell for simultaneously harvesting thermal and mechanical energies
US10103310B2 (en) Thermo-electric generator
Jiang et al. Investigation of self-heating effect on hot carrier degradation in multiple-fin SOI FinFETs
Bardeen Semiconductor research leading to the point contact transistor
Zhao et al. Ab initio nonadiabatic molecular dynamics investigation on the dynamics of photogenerated spin hole current in Cu-doped Mo S 2
Fernandez-Perez et al. Radiation hardness of a 180 nm SOI monolithic active pixel sensor
Anshul et al. Photoconductivity and photo-detection response of multiferroic bismuth iron oxide
Huo et al. Dual-active-layer InGaZnO high-voltage thin-film transistors
Shiozaki et al. Characteristic degradation of power MOSFETs by X-ray irradiation and their recovery
Raveendrababu et al. Effect of electrical properties of glass electrodes on the performance of RPC detectors for the INO-ICAL experiment
Li et al. The rule of field enhancement for buried dielectric layer of SOI high voltage devices
Shashank et al. DLTS and in situ C–V analysis of trap parameters in swift 50 MeV Li3+ ion-irradiated Ni/SiO2/Si MOS capacitors
RU2006138918A (ru) Способ осуществления увлечения электронов фононами
Kostylev et al. Thermoelectric transport in a correlated electron system on the surface of liquid helium
Mou et al. Gate-tunable quantum acoustoelectric transport in graphene
Hino et al. SiC-MOSFET structure enabling fast turn-on and-off switching
CA1218471A (en) Grooved gate field effect transistor
Xiong et al. Low-frequency noise and radiation response of buried oxides in SOI nMOS transistors
Kambour et al. Effect of radiation induced charging on gate-all-around NMOS devices
RU110505U1 (ru) Датчик излучения
WO2024038577A1 (ja) 整流器
Mo et al. Discharge Characteristics of Bubbles at Interface Between AlN Ceramic and FC-72 Liquid
Smolyakov et al. Effect of Magnetic and Electric Fields on the AC Resistance of a Silicon‐on‐Insulator‐Based Transistor‐Like Device

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20190527