RU2012154791A

RU2012154791A - Антенная система (варианты)

Info

Publication number: RU2012154791A
Application number: RU2012154791/08A
Authority: RU
Inventors: Дмитрий Витальевич Татарников; Андрей Витальевич Астахов
Original assignee: Дмитрий Витальевич Татарников
Priority date: 2012-08-09
Filing date: 2012-08-09
Publication date: 2014-10-27
Also published as: US20130342409A1; US20160043479A1; US9350080B2; WO2014025277A1; US9184503B2

Abstract

1. Антенная система, содержащая: микрополосковый излучатель круговой поляризации, состоящий из излучающей пластины, расположенной над экранирующей пластиной, и петлевого излучателя, расположенного вокруг микрополоскового излучателя круговой поляризации соосно с ним.2. Антенная система по п.1, также включающая линию передачи, подключенную к петлевому излучателю, а также схему питания, подключенную к линии передачи для обеспечения возбуждения петлевым излучателем поля круговой поляризации.3. Антенная система по п.2, в которой схемы питания обеспечивают возбуждение волн правой круговой поляризации в направлении максимума диаграммы направленности.4. Антенная система по любому из пп.1-3, в которой микрополосковый излучатель круговой поляризации возбуждается с использованием системы штырей или щелей.5. Антенная система по п.4, отличающаяся тем, что дополнительно содержит схему деления к выходам которой подключены упомянутые схемы питания петлевого излучателя и микрополоскового излучателя круговой поляризации, которая обеспечивает противофазное возбуждение волн левой круговой поляризации упомянутых микрополоскового и петлевого излучателей в области задней полусферы.6. Антенная система по п.1, в которой петлевой излучатель выполнен в виде проводящего кольца.7. Антенная система по п.1, отличающаяся тем, что в петлевой излучатель последовательно включены элементы с индуктивным импедансом.8. Антенная система по п.1, в которой вертикальная ось симметрии петлевого излучателя совпадает с вертикальной осью симметрии МП излучателя.9. Антенная система по п.1, в которой петлевой излучатель располагается на равном рассто

Claims

1. Антенная система, содержащая: микрополосковый излучатель круговой поляризации, состоящий из излучающей пластины, расположенной над экранирующей пластиной, и петлевого излучателя, расположенного вокруг микрополоскового излучателя круговой поляризации соосно с ним.

2. Антенная система по п.1, также включающая линию передачи, подключенную к петлевому излучателю, а также схему питания, подключенную к линии передачи для обеспечения возбуждения петлевым излучателем поля круговой поляризации.

3. Антенная система по п.2, в которой схемы питания обеспечивают возбуждение волн правой круговой поляризации в направлении максимума диаграммы направленности.

4. Антенная система по любому из пп.1-3, в которой микрополосковый излучатель круговой поляризации возбуждается с использованием системы штырей или щелей.

5. Антенная система по п.4, отличающаяся тем, что дополнительно содержит схему деления к выходам которой подключены упомянутые схемы питания петлевого излучателя и микрополоскового излучателя круговой поляризации, которая обеспечивает противофазное возбуждение волн левой круговой поляризации упомянутых микрополоскового и петлевого излучателей в области задней полусферы.

6. Антенная система по п.1, в которой петлевой излучатель выполнен в виде проводящего кольца.

7. Антенная система по п.1, отличающаяся тем, что в петлевой излучатель последовательно включены элементы с индуктивным импедансом.

8. Антенная система по п.1, в которой вертикальная ось симметрии петлевого излучателя совпадает с вертикальной осью симметрии МП излучателя.

9. Антенная система по п.1, в которой петлевой излучатель располагается на равном расстоянии как от поверхности излучающей, так и от поверхности экранирующей пластины МП излучателя.

10. Антенная система по п.1, в которой петлевой излучатель смещен вдоль вертикальной оси к поверхности экранирующей пластины.

11. Антенная система по п.1, в которой излучающая и экранирующая пластины имеют равные размеры, или излучающая пластина больше экранирующей пластины.

12. Антенная система по п.1, в которой излучающая пластина меньше экранирующей пластины.

13. Антенная система по п.1, в которой пространство между излучающей и экранирующей пластинами МП излучателя содержит или (а) диэлектрический заполнитель, или (б) замедляющую структуру, или (в) емкостные элементы, расположенные вдоль периметра излучающей пластины и/или экранирующей пластины.

14. Антенная система по п.13, в которой замедляющая структура и емкостные элементы выполнены в виде набора раздельных ребер или гребенок, или зубцов, или штырей.

15. Антенная система по п.13, отличающаяся тем, что в упомянутом пространстве между излучающей и экранирующей пластинами содержатся линии передачи, обеспечивающие возбуждение волн круговой поляризации от схемы питания петлевого излучателя.

16. Двухдиапазонная антенная система для приема радиосигналов, включающая: активный МП излучатель круговой поляризации высокочастотного диапазона, расположенный непосредственно на излучающей пластине активного МП излучателя низкочастотного диапазона, которая служит проводящим экраном для МП излучателя ВЧ диапазона, а петлевой ВЧ излучатель расположен вокруг активного МП ВЧ излучателя соосно с ним.

17. Антенная система по п.16, дополнительно содержащая пассивный МП излучатель низкочастотного диапазона, расположенный под экранирующей пластиной активного НЧ излучателя.

18. Антенная система по п.16, в которой петлевой НЧ излучатель расположен вокруг экранирующей пластины активного НЧ излучателя соосно с ней.

19. Антенная система по п.18, отличающаяся тем, что каждый из упомянутых петлевых излучателей возбуждается посредством подключенной к ним линии передачи и схемы питания петлевого излучателя, обеспечивающей возбуждение волн круговой поляризации.

20. Антенная система по п.19, в которой схемы питания обеспечивают возбуждение волны правой круговой поляризации в направлении максимума ДН антенны.

21. Антенная система по п.19, в которой: выходы схем питания МП и петлевого излучателей ВЧ и/или НЧ диапазонов подключены к схемам деления ВЧ и/или НЧ диапазонов для обеспечения противофазного возбуждения волн левой круговой поляризации, соответственно, МП и петлевого излучателя в задней полусфере в ВЧ и/или НЧ диапазоне.

22. Антенная система по п.17, в которой петлевой ВЧ и/или НЧ излучатель выполнен в виде проводящего кольца.

23. Антенная система по п.17, в которой в петлевой излучатель ВЧ и/или НЧ диапазона последовательно включены элементы и индуктивным импедансом.

24. Антенная система по п.16, в которой активный петлевой ВЧ излучатель расположен на соосно и равноудаленно от поверхностей излучающих пластин ВЧ и НЧ активных МП излучателей.

25. Антенная система по п.16, в которой пассивный петлевой ВЧ излучатель смещен к поверхности излучающей пластины НЧ МП излучателя.

26. Антенная система по п.16, в которой пространство между излучающей и экранирующей пластинами соответствующего МП излучателя ВЧ и/или НЧ диапазонов содержит или (а) диэлектрический заполнитель, или (б) замедляющую структуру, или (в) емкостные элементы, расположенные вдоль периметра излучающей и/или экранирующей пластины.

27. Антенная система по п.18, в которой пассивный МП НЧ излучатель выполнен в виде экранирующей пластины и расположенной под ней излучающей пластины, при этом в пространстве, образованном ими, установлена замедляющая структура в виде диэлектрического заполнения или расположены емкостные элементы, выполненные в виде набора раздельных ребер или гребенок или зубцов или штырей.

28. Антенная система по п.26, в которой замедляющая структура и емкостные элементы выполнены в виде раздельных ребер или гребенок, или зубцов, или штырей.

29. Антенная система по п.28, отличающаяся тем, что в упомянутом пространстве между излучающей и экранирующей пластинами установлены линии передачи, обеспечивающие возбуждение волн круговой поляризации петлевых ВЧ и/или НЧ излучателей от схем питания петлевых ВЧ и/или НЧ излучателей соответственно.