RU2012136701A

RU2012136701A - Полевой транзистор с ячейкой памяти

Info

Publication number: RU2012136701A
Application number: RU2012136701/28A
Authority: RU
Inventors: Леонид Владимирович Луцев; Юрий Георгиевич Кусраев
Priority date: 2012-08-27
Filing date: 2012-08-27
Publication date: 2014-03-10
Also published as: RU2543668C2

Abstract

1. Полевой транзистор с ячейкой памяти, выполненный на основе гетероструктуры и содержащий сформированные на подложке исток, сток, контакты, нанесенные на исток и сток, канал, затвор с ячейкой памяти, при этом ячейка памяти включает примыкающий к затвору первый диэлектрический слой, примыкающий к каналу второй диэлектрический слой и слой немагнитного диэлектрика с распределенными в ней наночастицами магнитного 3d-металла размером 2-5 нм в количестве 20-60 ат.%, расположенный между первым и вторым диэлектрическими слоями.2. Полевой транзистор по п.1, отличающийся тем, что он выполнен на основе НЕМТ гетероструктуры.3. Полевой транзистор по п.1, отличающийся тем, что в качестве магнитного 3d-металла использован Со или Ni, или Fe, или их сплав.4. Полевой транзистор по п.1, отличающийся тем, что толщина первого диэлектрического слоя составляет 30-60 нм.5. Полевой транзистор по п.1, отличающийся тем, что толщина второго диэлектрического слоя составляет 2-5 нм.6. Полевой транзистор по п.1, отличающийся тем, что первый и второй диэлектрические слои выполнены из SiOили TiO, или MgO, или AlO, или CaF.

Claims

1. Полевой транзистор с ячейкой памяти, выполненный на основе гетероструктуры и содержащий сформированные на подложке исток, сток, контакты, нанесенные на исток и сток, канал, затвор с ячейкой памяти, при этом ячейка памяти включает примыкающий к затвору первый диэлектрический слой, примыкающий к каналу второй диэлектрический слой и слой немагнитного диэлектрика с распределенными в ней наночастицами магнитного 3d-металла размером 2-5 нм в количестве 20-60 ат.%, расположенный между первым и вторым диэлектрическими слоями.

2. Полевой транзистор по п.1, отличающийся тем, что он выполнен на основе НЕМТ гетероструктуры.

3. Полевой транзистор по п.1, отличающийся тем, что в качестве магнитного 3d-металла использован Со или Ni, или Fe, или их сплав.

4. Полевой транзистор по п.1, отличающийся тем, что толщина первого диэлектрического слоя составляет 30-60 нм.

5. Полевой транзистор по п.1, отличающийся тем, что толщина второго диэлектрического слоя составляет 2-5 нм.

6. Полевой транзистор по п.1, отличающийся тем, что первый и второй диэлектрические слои выполнены из SiO₂ или TiO₂, или MgO, или Al₂O₃, или CaF₂.