RU2012128C1 - Эмиттерный повторитель - Google Patents

Эмиттерный повторитель Download PDF

Info

Publication number
RU2012128C1
RU2012128C1 SU5038134A RU2012128C1 RU 2012128 C1 RU2012128 C1 RU 2012128C1 SU 5038134 A SU5038134 A SU 5038134A RU 2012128 C1 RU2012128 C1 RU 2012128C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
emitter
current
bipolar transistor
current source
base
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
Н.Н. Прокопенко
Н.В. Ковбасюк
А.Э. Попов
Ю.М. Соколов
Original Assignee
Шахтинский Технологический Институт Бытового Обслуживания
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Шахтинский Технологический Институт Бытового Обслуживания filed Critical Шахтинский Технологический Институт Бытового Обслуживания
Priority to SU5038134 priority Critical patent/RU2012128C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2012128C1 publication Critical patent/RU2012128C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Использование: в электротехнике, в электронных схемах различного назначения. Сущность изобретения: расширение диапазона тока в нагрузке достигается введением в эмиттерный повторитель, содержащий два биполярных транзистора 1 и 2, источник 5 тока и отражатель 7 тока, дополнительных биполярных транзисторов 3,4, дополнительного источника 6 тока и диода 8. 1 ил.

Description

Изобретение относится к электротехнике и может использоваться в электронных схемах различного назначения.
Целью изобретения является расширение диапазона тока в нагрузке.
На чертеже представлена принципиальная электрическая схема эмиттерного повторителя.
Эмиттерный повторитель содержит биполярные транзисторы 1-4, источник 5 тока, дополнительный источник 6 тока, отражатель 7 тока и диод 8.
Эмиттерный повторитель работает следующим образом.
При появлении на входе схемы, например, положительной полуволны транзистор 1 закрывается, ток источника 3 тока поступает в базу транзистора 2, который открывает его, при этом транзистор 3 закрыт, транзистор 4 открыт. Это приводит к увеличению тока нагрузки.
Максимальный ток нагрузки при положительной полуволне определяется выражением
I (+) н.m ax= I5β2 где I5 - ток источника 5 тока;
β2 - коэффициент передачи тока транзистора 2.
При отрицательной полуволне на входе эмиттерного повторителя транзистор 1 открыт, что приводит к закрыванию транзисторов 2 и 4 и открыванию транзистора 3, при этом максимальный ток нагрузки определяется выражением
Ι (-) н.m ax= (I6·β5+I5)·α1·Kотр. где I6 - ток источника 6 тока;
I5 - ток источника 5 тока;
α1 - коэффициент передачи тока в схеме с ОБ.
У прототипа максимальный отрицательный ток нагрузки ограничен значением
I (-) н.m ax= I5·Kотр где Iн.мах - максимальный отрицательный ток нагрузки;
I5 - ток источника 5 тока;
Котр. - коэффициент передачи тока отражателя 7 тока.
Предлагаемая схема обеспечивает значительно больший ток нагрузки, ток потребления предлагаемой схемы может быть меньшим, чем у прототипа.

Claims (1)

  1. ЭМИТТЕРНЫЙ ПОВТОРИТЕЛЬ, содержащий первый и второй биполярные транзисторы, имеющие разную структуру, причем база первого и эмиттер второго биполярных транзисторов являются соответственно входом и выходом эмиттерного повторителя, а также источник тока и отражатель тока, вывод питания которого соединен с первой шиной питания, а вход и выход соединены соответственно с коллектором первого и эмиттером второго биполярных транзисторов, при этом эмиттер первого биполярного транзистора соединен с базой второго биполярного транзистора и через источник тока - с второй шиной питания, к которой подключен коллектор второго биполярного транзистора, отличающийся тем, что введены третий и четвертый биполярные транзисторы, имеющие структуры соответственно второго и первого биполярных транзисторов, диод и дополнительный источник тока, при этом эмиттер и коллектор третьего биполярного транзистора соединены соответственно с базой второго биполярного транзистора и второй шиной питания, база через дополнительный источник тока соединена с второй шиной питания, а через диод - с эмиттером четвертого биполярного транзистора, коллектор которого подключен к первой шине питания, а база - к эмиттеру второго биполярного транзистора.
SU5038134 1992-04-20 1992-04-20 Эмиттерный повторитель RU2012128C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU5038134 RU2012128C1 (ru) 1992-04-20 1992-04-20 Эмиттерный повторитель

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU5038134 RU2012128C1 (ru) 1992-04-20 1992-04-20 Эмиттерный повторитель

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2012128C1 true RU2012128C1 (ru) 1994-04-30

Family

ID=21602258

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU5038134 RU2012128C1 (ru) 1992-04-20 1992-04-20 Эмиттерный повторитель

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2012128C1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920000072A (ko) 반도체 집적회로
TW374928B (en) Semiconductor integrated circuit device
KR920001850A (ko) 스캔패스기능이 부가된 플립플롭
JPS6471219A (en) Buffer circuit and integrated circuit structure
EP0749206A3 (en) Latching circuit capable of rapid operation with low electric power
DE69010533D1 (de) Ausgangsschaltung mit Ladung/Spannungswandler grosser Verstärkung.
JPS6471216A (en) Buffer circuit
RU2012128C1 (ru) Эмиттерный повторитель
ATE58267T1 (de) Schaltungsanordnung zur strombegrenzung.
JPS56121374A (en) Inverter device
RU2012126C1 (ru) Эмиттерный повторитель
RU2119241C1 (ru) Повторитель напряжения
JPS54114056A (en) Ternary logic circuit
RU2012127C1 (ru) Эмиттерный повторитель
JPS5525149A (en) Electric power circuit
JPS5689130A (en) Electronic circuit
SU1058055A1 (ru) Полупроводниковый ключ
MX167546B (es) Circuito traductor de semiconductor complementario de oxido de metal, de corriente debil
SU1631686A1 (ru) Преобразователь посто нного напр жени в однопол рное импульсное напр жение
JPS53120288A (en) Constant voltage semiconductor device
JPS533767A (en) Input-output-insulation circuit using photocoupler
JPS5720027A (en) Logical gate circuit
SU1406734A1 (ru) Е-триггер
SU632044A1 (ru) Двухтактный транзисторный инвертор
RU2007020C1 (ru) Эмиттерный повторитель