RU2012112805A - Способ и система энергоснабжения и охлаждения полупроводниковых лазеров - Google Patents
Способ и система энергоснабжения и охлаждения полупроводниковых лазеров Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012112805A RU2012112805A RU2012112805/28A RU2012112805A RU2012112805A RU 2012112805 A RU2012112805 A RU 2012112805A RU 2012112805/28 A RU2012112805/28 A RU 2012112805/28A RU 2012112805 A RU2012112805 A RU 2012112805A RU 2012112805 A RU2012112805 A RU 2012112805A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor lasers
- semiconductor laser
- semiconductor
- current
- matrix
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0428—Electrical excitation ; Circuits therefor for applying pulses to the laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02438—Characterized by cooling of elements other than the laser chip, e.g. an optical element being part of an external cavity or a collimating lens
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06209—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
- H01S5/06216—Pulse modulation or generation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06808—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the electrical laser parameters, e.g. voltage or current
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4018—Lasers electrically in series
Abstract
1. Полупроводниковая лазерная система, содержащая:сегмент диодного лазера, содержащий:крепежное приспособление, имеющее первую сторону и вторую сторону напротив первой стороны; иматрицу генераторов накачек полупроводниковых лазеров, соединенную с первой стороной крепежного приспособления;генератор электрических импульсов, тепловым образом соединенный с сегментом диодного лазера; иохлаждающую структуру, тепловым образом соединенную с сегментом диодного лазера и генератором электрических импульсов.2. Полупроводниковая лазерная система по п.1, в которой крепежное приспособление содержит третью сторону, расположенную между первой стороной и второй стороной.3. Полупроводниковая лазерная система по п.1, в которой один или несколько компонентов генератора электрических импульсов устанавливаются на третьей стороне.4. Полупроводниковая лазерная система по п.1, в которой каждый генератор накачки полупроводниковых лазеров из матрицы генераторов накачек полупроводниковых лазеров содержит матрицу полупроводниковых лазеров.5. Полупроводниковая лазерная система по п.1, дополнительно содержащая множество матриц элементарных линз, объединенных с матрицей генераторов накачек полупроводниковых лазеров.6. Полупроводниковая лазерная система по п.1, в которой один или несколько компонентов генератора электрических импульсов устанавливаются на вторую сторону крепежного приспособления.7. Полупроводниковая лазерная система по п.6, в которой один или несколько компонентов содержат полевой транзистор (FET) в бескорпусной форме и сенсорный резистор.8. Блок накачки полупроводниковых лазеров, содержащий:полупроводниковы
Claims (20)
1. Полупроводниковая лазерная система, содержащая:
сегмент диодного лазера, содержащий:
крепежное приспособление, имеющее первую сторону и вторую сторону напротив первой стороны; и
матрицу генераторов накачек полупроводниковых лазеров, соединенную с первой стороной крепежного приспособления;
генератор электрических импульсов, тепловым образом соединенный с сегментом диодного лазера; и
охлаждающую структуру, тепловым образом соединенную с сегментом диодного лазера и генератором электрических импульсов.
2. Полупроводниковая лазерная система по п.1, в которой крепежное приспособление содержит третью сторону, расположенную между первой стороной и второй стороной.
3. Полупроводниковая лазерная система по п.1, в которой один или несколько компонентов генератора электрических импульсов устанавливаются на третьей стороне.
4. Полупроводниковая лазерная система по п.1, в которой каждый генератор накачки полупроводниковых лазеров из матрицы генераторов накачек полупроводниковых лазеров содержит матрицу полупроводниковых лазеров.
5. Полупроводниковая лазерная система по п.1, дополнительно содержащая множество матриц элементарных линз, объединенных с матрицей генераторов накачек полупроводниковых лазеров.
6. Полупроводниковая лазерная система по п.1, в которой один или несколько компонентов генератора электрических импульсов устанавливаются на вторую сторону крепежного приспособления.
7. Полупроводниковая лазерная система по п.6, в которой один или несколько компонентов содержат полевой транзистор (FET) в бескорпусной форме и сенсорный резистор.
8. Блок накачки полупроводниковых лазеров, содержащий:
полупроводниковый лазерный источник;
теплоотвод, тепловым образом соединенный с полупроводниковым лазерным источником; и
генератор импульсов, тепловым образом соединенный с теплоотводом, причем генератор импульсов содержит:
сенсорный резистор, соединенный с источником питания; и
полевой транзистор, соединенный с заземлением.
9. Блок накачки полупроводниковых лазеров по п.8, в котором полупроводниковый лазерный источник содержит матрицу полупроводниковых лазерных стержней.
10. Блок накачки полупроводниковых лазеров по п.9, в котором полупроводниковые лазерные стержни содержат матрицу полупроводниковых лазеров.
11. Блок накачки полупроводниковых лазеров по п.8, в котором теплоотвод находится в тепловой связи с охлаждающим флюидом.
12. Блок накачки полупроводниковых лазеров по п.8, в котором первый конец сенсорного резистора соединяется с первым выводом усилителя считывания тока.
13. Блок накачки полупроводниковых лазеров по п.12, в котором второй конец сенсорного резистора соединяется с вторым выводом усилителя считывания тока.
14. Блок накачки полупроводниковых лазеров по п.8, в котором полевой транзистор устанавливается в бескорпусной форме.
15. Блок накачки полупроводниковых лазеров по п.8, в котором источник питания содержит источник питания постоянного тока.
16. Блок накачки полупроводниковых лазеров по п.15, дополнительно содержащий конденсатор, соединенный с источником питания постоянного тока.
17. Способ управления блоком накачки полупроводниковых лазеров, причем способ содержит этапы, на которых:
прикладывают питание постоянного тока к накопительному конденсатору и шине питания;
прикладывают импульс тока к задающему усилителю, соединенному с токоуправляющим FET;
пропускают ток через токоуправляющий FET в ответ на приложение импульса тока к задающему усилителю;
пропускают ток через сенсорный резистор, соединенный с шиной питания;
обнаруживают ток с использованием усилителя считывания, соединенного с первым выводом сенсорного резистора и вторым выводом сенсорного резистора; и
пропускают ток через матрицу полупроводниковых лазеров для формирования светового излучения накачки.
18. Способ по п.17, в котором токоуправляющий FET и сенсорный резистор тепловым образом соединяются с теплоотводом.
19. Способ по п.18, в котором матрица полупроводниковых лазеров тепловым образом соединяется с теплоотводом.
20. Способ по п.17, в котором вывод токоуправляющего FET заземляется.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US23956909P | 2009-09-03 | 2009-09-03 | |
| US61/239,569 | 2009-09-03 | ||
| US12/813,662 US8660156B2 (en) | 2009-09-03 | 2010-06-11 | Method and system for powering and cooling semiconductor lasers |
| US12/813,662 | 2010-06-11 | ||
| PCT/US2010/047719 WO2011028932A1 (en) | 2009-09-03 | 2010-09-02 | Method and system for powering and cooling semiconductor lasers |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012112805A true RU2012112805A (ru) | 2013-10-10 |
Family
ID=43624838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012112805/28A RU2012112805A (ru) | 2009-09-03 | 2010-09-02 | Способ и система энергоснабжения и охлаждения полупроводниковых лазеров |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8660156B2 (ru) |
| EP (1) | EP2462665B1 (ru) |
| JP (1) | JP5740685B2 (ru) |
| KR (1) | KR101721282B1 (ru) |
| CN (1) | CN102640368A (ru) |
| CA (1) | CA2772710C (ru) |
| IN (1) | IN2012DN02236A (ru) |
| RU (1) | RU2012112805A (ru) |
| WO (1) | WO2011028932A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10454244B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-10-22 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Driver circuitry and systems for high current laser diode arrays |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104428879B (zh) * | 2012-05-30 | 2018-01-30 | 应用材料公司 | 用于快速热处理的设备及方法 |
| JP6494532B2 (ja) * | 2013-02-28 | 2019-04-03 | ローレンス リバモア ナショナル セキュリティー， エルエルシー | コンパクトな高電流高効率レーザダイオードドライバ |
| CA2964209C (en) * | 2015-01-29 | 2020-03-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Light-source device |
| DE102015203269A1 (de) * | 2015-02-24 | 2016-08-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Speichersystem zum Speichern elektrischer Energie |
| US11025031B2 (en) | 2016-11-29 | 2021-06-01 | Leonardo Electronics Us Inc. | Dual junction fiber-coupled laser diode and related methods |
| US10511142B2 (en) * | 2017-05-03 | 2019-12-17 | Analog Modules, Inc. | Pulsed laser diode drivers and methods |
| FR3068463B1 (fr) | 2017-06-30 | 2019-07-26 | Continental Automotive France | Capteur en courant |
| WO2020036998A1 (en) | 2018-08-13 | 2020-02-20 | Lasertel, Inc. | Use of metal-core printed circuit board (pcb) for generation of ultra-narrow, high-current pulse driver |
| DE102019121924A1 (de) * | 2018-08-14 | 2020-02-20 | Lasertel, Inc. | Laserbaugruppe und zugehörige verfahren |
| US11296481B2 (en) | 2019-01-09 | 2022-04-05 | Leonardo Electronics Us Inc. | Divergence reshaping array |
| US11752571B1 (en) | 2019-06-07 | 2023-09-12 | Leonardo Electronics Us Inc. | Coherent beam coupler |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3982201A (en) | 1975-01-24 | 1976-09-21 | The Perkin-Elmer Corporation | CW solid state laser |
| US4739462A (en) | 1984-12-26 | 1988-04-19 | Hughes Aircraft Company | Power supply with noise immune current sensing |
| US4797896A (en) | 1987-05-06 | 1989-01-10 | Light Wave Electronics Co. | Solid state optical ring resonator and laser using same |
| US5040187A (en) * | 1990-01-03 | 1991-08-13 | Karpinski Arthur A | Monolithic laser diode array |
| US5444728A (en) | 1993-12-23 | 1995-08-22 | Polaroid Corporation | Laser driver circuit |
| US5463648A (en) | 1994-08-01 | 1995-10-31 | Litton Systems, Inc. | Pulse forming network for diode laser |
| US5734672A (en) * | 1996-08-06 | 1998-03-31 | Cutting Edge Optronics, Inc. | Smart laser diode array assembly and operating method using same |
| US5715270A (en) * | 1996-09-27 | 1998-02-03 | Mcdonnell Douglas Corporation | High efficiency, high power direct diode laser systems and methods therefor |
| JP3456121B2 (ja) * | 1997-09-09 | 2003-10-14 | 三菱電機株式会社 | レーザダイオード用電源制御装置 |
| US6744800B1 (en) * | 1998-12-30 | 2004-06-01 | Xerox Corporation | Method and structure for nitride based laser diode arrays on an insulating substrate |
| US6999491B2 (en) | 1999-10-15 | 2006-02-14 | Jmar Research, Inc. | High intensity and high power solid state laser amplifying system and method |
| US7042631B2 (en) | 2001-01-04 | 2006-05-09 | Coherent Technologies, Inc. | Power scalable optical systems for generating, transporting, and delivering high power, high quality, laser beams |
| US6647039B2 (en) * | 2002-02-27 | 2003-11-11 | Jds Uniphase Corporation | Reconfigurable laser header |
| EP2604215B1 (en) | 2003-02-25 | 2017-10-11 | Tria Beauty, Inc. | Eye-safe dermatologic treatment apparatus and method |
| JP4138604B2 (ja) * | 2003-07-25 | 2008-08-27 | 日本電信電話株式会社 | 光モジュールおよびそれを用いた光通信用送受信回路 |
| US6954706B2 (en) | 2003-08-20 | 2005-10-11 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method for measuring integrated circuit processor power demand and associated system |
| JP4285338B2 (ja) * | 2004-06-14 | 2009-06-24 | トヨタ自動車株式会社 | スターリングエンジン |
| US7642762B2 (en) * | 2007-01-29 | 2010-01-05 | Linear Technology Corporation | Current source with indirect load current signal extraction |
| JP2009064932A (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-26 | Sony Corp | レーザアレイ用冷却装置、レーザモジュール及びレーザ光源装置 |
| CN101614761B (zh) | 2008-06-25 | 2012-03-14 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 电流侦测电路 |
-
2010
- 2010-06-11 US US12/813,662 patent/US8660156B2/en active Active
- 2010-09-02 EP EP10814512.9A patent/EP2462665B1/en active Active
- 2010-09-02 RU RU2012112805/28A patent/RU2012112805A/ru not_active Application Discontinuation
- 2010-09-02 IN IN2236DEN2012 patent/IN2012DN02236A/en unknown
- 2010-09-02 CA CA2772710A patent/CA2772710C/en active Active
- 2010-09-02 JP JP2012528057A patent/JP5740685B2/ja active Active
- 2010-09-02 WO PCT/US2010/047719 patent/WO2011028932A1/en active Application Filing
- 2010-09-02 KR KR1020127008584A patent/KR101721282B1/ko active IP Right Grant
- 2010-09-02 CN CN2010800393161A patent/CN102640368A/zh active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10454244B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-10-22 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Driver circuitry and systems for high current laser diode arrays |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IN2012DN02236A (ru) | 2015-08-21 |
| CN102640368A (zh) | 2012-08-15 |
| US8660156B2 (en) | 2014-02-25 |
| JP2013504214A (ja) | 2013-02-04 |
| WO2011028932A1 (en) | 2011-03-10 |
| KR20120099004A (ko) | 2012-09-06 |
| KR101721282B1 (ko) | 2017-03-29 |
| EP2462665A4 (en) | 2017-08-09 |
| CA2772710C (en) | 2018-08-07 |
| EP2462665B1 (en) | 2021-11-03 |
| EP2462665A1 (en) | 2012-06-13 |
| CA2772710A1 (en) | 2011-03-10 |
| JP5740685B2 (ja) | 2015-06-24 |
| US20110051759A1 (en) | 2011-03-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2012112805A (ru) | Способ и система энергоснабжения и охлаждения полупроводниковых лазеров | |
| JP6494532B2 (ja) | コンパクトな高電流高効率レーザダイオードドライバ | |
| NO20073301L (no) | Varming og kjoling av elektriske komponenter i en borehullsoperasjon | |
| US20120096871A1 (en) | Dynamic switching thermoelectric thermal management systems and methods | |
| CY1111664T1 (el) | Συστηματα και μεθοδοι μετατροπης φωτεινης ενεργειας | |
| RU118398U1 (ru) | Светодиодный светильник | |
| RU2498467C2 (ru) | Оптическая усилительная головка с диодной накачкой | |
| KR20120109417A (ko) | 펠티어 소자를 이용한 가스용기의 냉각, 가열 컨트롤 장치 | |
| EP2341282A1 (en) | Illumination Apparatus | |
| KR101624733B1 (ko) | 방열기능이 개선된 모터구동 제어기 | |
| TW201010104A (en) | A solar energy recycling device and method | |
| CN106532418B (zh) | 太阳能电池板驱动的低阈值Nd：YAG激光器 | |
| Zhou et al. | Optimized LED-based optical wireless power transmission system configuration for compact IoT | |
| KR20130088344A (ko) | 태양광 모듈 냉각 시스템 | |
| US20100294465A1 (en) | Energy transducing apparatus and energy transducing equipment | |
| KR20090078927A (ko) | 온도제어 콘트롤러 내장 파워발광다이오드 모듈 | |
| KR20100138674A (ko) | 열전 냉각 모듈이 장착된 조명기 | |
| RU180913U1 (ru) | Модуль лазера с боковой диодной накачкой | |
| KR100712960B1 (ko) | 발전기능을 가진 히터 | |
| CN114175287A (zh) | 热电发电系统 | |
| CN103353786B (zh) | 具有自动温控系统的可拆卸线板结构的电晕风散热器 | |
| US11867385B2 (en) | COB LED lighting lamp cooled by a liquid agent, in particular water | |
| RU2623709C1 (ru) | Малогабаритный квантрон с жидкостным охлаждением | |
| RU2575673C1 (ru) | Оптическая усилительная головка с контротражателем диодной накачки | |
| Niculina et al. | Fan vs. Passive heat sinks for cooling high power COB-type LEDs |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA92 | Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted) |
Effective date: 20150601 |