RU180913U1 - Модуль лазера с боковой диодной накачкой - Google Patents

Модуль лазера с боковой диодной накачкой Download PDF

Info

Publication number
RU180913U1
RU180913U1 RU2017140122U RU2017140122U RU180913U1 RU 180913 U1 RU180913 U1 RU 180913U1 RU 2017140122 U RU2017140122 U RU 2017140122U RU 2017140122 U RU2017140122 U RU 2017140122U RU 180913 U1 RU180913 U1 RU 180913U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
channels
active element
housing
clamps
laser
Prior art date
Application number
RU2017140122U
Other languages
English (en)
Inventor
Наталья Борисовна Ярулина
Юрий Дмитриевич Арапов
Иван Вячеславович Касьянов
Анатолий Александрович Абышев
Original Assignee
Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом")
Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики имени академика Е.И. Забабахина"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"), Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики имени академика Е.И. Забабахина" filed Critical Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом")
Priority to RU2017140122U priority Critical patent/RU180913U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU180913U1 publication Critical patent/RU180913U1/ru

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/0915Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by incoherent light
    • H01S3/0933Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by incoherent light of a semiconductor, e.g. light emitting diode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/04Arrangements for thermal management
    • H01S3/042Arrangements for thermal management for solid state lasers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

Полезная модель относится к лазерной технике. Модуль лазера с боковой диодной накачкой содержит установленные в корпусе активный элемент, сборки линеек лазерных диодов, размещенные вдоль активного элемента равномерно и обращенные к нему излучающей частью, отражающую поверхность, расположенную вдоль активного элемента, и систему охлаждения, которая содержит каналы и трубку, охватывающую активный элемент с образованием кольцевого канала, сборки линеек лазерных диодов и отражающая поверхность установлены напротив друг друга. Каждая сборка линеек лазерных диодов снабжена цилиндрической линзой, система охлаждения выполнена в виде единого контура и снабжена входным, выходным коллекторами, каналами, выполненными в корпусе, прижимах и сборках линеек лазерных диодов, и входным, выходным дополнительными коллекторами, образованными прижимами и трубкой, а каналы прижимов образуют дросселирующую диафрагму. Технический результат заключается в снижении массогабаритных характеристик. 3 ил.

Description

Полезная модель относится к твердотельным лазерам с диодной накачкой, в частности к элементам накачки и системам их охлаждения, и может быть использована при изготовлении лазерной техники.
Известно устройство полупроводникового модуля с боковой накачкой, которое содержит установленные в корпусе активный элемент (АЭ) в виде стержня, охватывающую его кварцевую трубку, и систему охлаждения (СО) с входным, выходным коллекторами.
СО содержит также патрубки, а коллекторы образованы корпусом и наружным фланцем, соединенным с ним по резьбе. Устройство снабжено гидроразъемом, крышкой и крепежными винтами блока полупроводниковых лазеров (полупроводниковые лазеры (излучатели), установленные на держателе), установленных в горизонтальной плоскости. Гидроразъем установлен по резьбе в корпус, который представляет собой полый цилиндр, в котором установлены при помощи винтов блоки полупроводниковых лазеров. АЭ в виде стержня YAG:Nd является источником 1064 нм лазерного излучения, установленным внутри кварцевой трубки. Оба конца лазерного стержня (АЭ) закреплены при помощи крышки, установленной по резьбе в наружный фланец. Трубка установлена в корпус при помощи фланца по резьбе. Для герметизации используются прокладки из резины (патент Китай №101593927, H01S 3/02, 3/042, 3/06, 3/0941 2009 г.).
На наружной поверхности кварцевой трубки нанесено просветляющее покрытие на длину волны 808 нм, чередующееся с сегментами высокоотражающего. Светоизлучающие части полупроводниковых лазерных линеек расположены напротив: сегментов с просветляющим покрытием и высокоотражающего покрытия. Входные патрубки соединены с внутренними каналами корпуса через резиновую прокладку. Блоки полупроводниковых лазеров равномерно распределяются вокруг центральной кварцевой трубки, лазерного кристалла таким образом, чтобы обеспечить равномерное заполнение кристалла излучением накачки.
Нанесение покрытия с высоким коэффициентом отражения обеспечивает повышение эффективности поглощения кристаллом излучения накачки и, по мнению авторов, снижает эффект тепловой линзы лазерного кристалла, тем самым улучшая эффективность преобразования и качество луча лазера.
Однако несогласованность потоков охлаждения активного кристалла и полупроводниковых лазеров приводит к повышенному гидравлическому сопротивлению в кольцевом зазоре охлаждения вокруг кристалла, что может привести к увеличению термомеханических напряжений внутри активного элемента. Система крепления активного элемента при установке в корпус отнимает значительную длину кристалла с двух сторон, что делает эту часть бесполезной для накачки.
Известна также оптическая усилительная головка (ОУГ) с диодной накачкой, которая содержит установленные в корпусе активный элемент в виде стержня, сборки линеек лазерных диодов (ЛЛД), размещенные вдоль активного элемента равномерно и обращенные к нему излучающей частью, отражающую поверхность, расположенную вдоль активного элемента, и систему охлаждения, которая содержит каналы и трубку, охватывающую активный элемент с образованием кольцевого канала, сборки ЛЛД и отражающая поверхность установлены напротив друг друга.
Отражающая поверхность выполнена в виде покрытия (либо золото, либо серебро, либо диэлектрическое), которое нанесено на трубку (патент США №7082149, H01S 3/091, 3/094 2006 г.).
В этом устройстве охлаждение АЭ и ЛЛД отдельное и происходит за счет потока охлаждающей жидкости. Поддержание постоянной температуры теплоносителя позволяет обеспечить работоспособность и высокую эффективность оптической усилительной головки.
Однако ОУГ с двумя контурами охлаждения содержит большое число деталей, что существенно сказывается на массогабаритных характеристиках.
Наиболее близким аналогом заявляемой полезной модели, выбранным в качестве прототипа, является ОУГ с контротражателем диодной накачки, которая содержит: содержит установленные в корпусе активный элемент в виде стержня, сборки линеек лазерных диодов, размещенные вдоль активного элемента равномерно и обращенные к нему излучающей частью, отражающую поверхность, расположенную вдоль активного элемента, и систему охлаждения. Сборки линеек лазерных диодов и отражающая поверхность установлены напротив друг друга, каждая сборка линеек лазерных диодов снабжена цилиндрической линзой, расположенной на излучающей части. Активный элемент закреплен в прижимах корпуса. Система охлаждения содержит каналы и трубку, охватывающую активный элемент с образованием кольцевого канала, выполнена в виде единого контура и снабжена входным, выходным коллекторами, каналами, выполненными в корпусе, прижимах и сборках линеек лазерных диодов, и входным, выходным дополнительными коллекторами, соединяющимися с кольцевым каналом и каналами прижимов, образующих дросселирующую диафрагму, которые соединены с входным, выходным коллекторами, соединенными с каналами корпуса, соединяющимися с каналами в сборках линеек лазерных диодов (п. РФ №2575673, H01S 3/0933, 3/042, опубл. 2016 г.).
В прототипе используются оптические элементы, а именно цилиндрические линзы и контротражатели, позволяющие сформировать пространственный профиль излучения накачки и вернуть часть излучения, и тем самым повысить эффективность и равномерность накачки активного элемента. В контуре охлаждения активного элемента предусмотрены дросселирующие диафрагмы, позволяющие согласовать гидравлическое сопротивление контуров охлаждения лазерных диодных линеек и контура охлаждения активного элемента. Диафрагмы выполнены в конструкции прижимов, что позволяет уменьшить габариты узла и соответственно массу и габариты ОУГ. В канале охлаждения активного элемента на входе и выходе в кольцевой канал предусмотрены дополнительные коллекторы, позволяющие обеспечить равномерный по окружности поток теплоносителя.
Однако входные и выходные коллекторы выполнены отдельно в корпусе ОУГ, и для подачи теплоносителя в контур охлаждения активного элемента потребовалось вводить дополнительные каналы b, которые увеличивают габарит ОУГ. Для эффективной работы дросселирующих диафрагм и обеспечения равномерного по окружности активного элемента потока теплоносителя вокруг диафрагм потребовалось ввести отдельные от основного кольцевые коллекторы 13, что также усложняет конструкцию и увеличивает габариты.
Технический результат, получаемый при использовании предлагаемого технического решения - снижение массогабаритных характеристик и гидравлического сопротивления системы охлаждения, увеличение кпд и мощности излучения.
Указанный технический результат достигается тем, что в модуле лазера с боковой диодной накачкой, который содержит установленные в корпусе активный элемент в виде стержня, сборки линеек лазерных диодов, размещенные вдоль активного элемента равномерно и обращенные к нему излучающей частью, отражающую поверхность, расположенную вдоль активного элемента, и систему охлаждения, которая содержит каналы и трубку, охватывающую активный элемент с образованием кольцевого канала, сборки линеек лазерных диодов и отражающая поверхность установлены напротив друг друга, каждая сборка линеек лазерных диодов снабжена цилиндрической линзой, расположенной на излучающей части, активный элемент закреплен в прижимах корпуса, система охлаждения выполнена в виде единого контура и снабжена входным, выходным коллекторами, каналами, выполненными в корпусе, прижимах и сборках линеек лазерных диодов, и входным, выходным дополнительными коллекторами, образованными прижимами и трубкой и соединяющимися с кольцевым каналом и каналами прижимов, образующими дросселирующую диафрагму, которые соединены с входным, выходным коллекторами, соединенными с каналами корпуса, соединяющимися с каналами в сборках линеек лазерных диодов, особенность заключается в том, что входной, выходной коллекторы образованы прижимами в корпусе, а дополнительные входной, выходной коллекторы образованы прижимами и трубкой.
Всей совокупностью существенных признаков обеспечивается эффективный режим работы модуля лазера с боковой диодной накачкой. Этого добились следующим образом: установка напротив излучающей части элемента накачки цилиндрической линзы с целью формирования заданного угла расходимости излучения накачки, а также размещение в конструкции модуля контротражателя лазерного излучения позволяет повысить эффективность осветителя; установка активного элемента в прижимах, каналы которых образуют дросселирующую диафрагму, позволяет согласовать гидравлическое сопротивление каналов охлаждения активного элемента с гидравлическим сопротивлением контуров охлаждения элементов накачки, такое совмещение функций позволяет исключить из конструкции отдельные диафрагмы и их прижимы и уменьшить массу и габариты; входной и выходной коллекторы образованы корпусом и прижимами, а дополнительные входной и выходной коллекторы, обеспечивающие подачу теплоносителя в канал охлаждения активного элемента, образованы прижимами и трубкой, это позволяет уменьшить массу и габариты за счет того, что функцию стенок коллекторов выполняют корпус и прижимы, крепящие оптические элементы в корпусе, и исключает из конструкции отдельные коллекторы, а также элементы их уплотнения. Таким образом, снижается гидравлическое сопротивление системы охлаждения и массогабаритные характеристики, увеличивается кпд и мощность излучения.
При анализе уровня техники не обнаружено аналогов, характеризующихся признаками, тождественными всем существенным признакам данной полезной модели. А также не выявлено факта известности влияния признаков, включенных в формулу, на технический результат заявляемого технического решения. Следовательно, заявленная полезная модель соответствует условиям «новизна».
На фиг. 1 представлен общий вид модуля.
На фиг. 2 - разрез А-А.
На фиг. 3 - разрез Б-Б.
Модуль лазера (МЛ) с боковой диодной накачкой (фиг. 1-3) содержит выполненный в виде полого параллелепипеда корпус 1, в котором установлен активный элемент (АЭ) 2 в виде стержня, торцы которого закреплены в прижимах 3, 4, установленных в корпусе. На внутренней поверхности основания корпуса 1 размещены элементы диодной накачки, в качестве которых используются линейки лазерных диодов (ЛЛД) 5, монтаж которых выполнен на охлаждающей поверхности основания сборки ЛЛД - излучателя 6. С противоположной стороны излучателей 6 на внутренней поверхности корпуса 1 установлен контротражатель 7, выполненный в виде сегмента цилиндрической отражающей поверхности 8, обращенной к активному элементу 2. Излучатели 6 с ЛЛД размещены вдоль АЭ равномерно и обращены к АЭ излучающей частью.
Система охлаждения МЛ выполнена в виде единого контура для охлаждения АЭ 2 и излучателей 6 и содержит трубку 9, охватывающую АЭ 2 с образованием кольцевого канала шириной δ, каналы а, b, с, d, е, расположенные в корпусе 1, прижимах 4 и излучателях 6, входной и выходной коллекторы ƒ и дополнительные входной, выходной коллекторы g (фиг. 1). Трубка 9 выполнена из материала, оптически прозрачного для излучения накачки (например, стекло, плавленый кварц, лейкосапфир и т.д.). Кольцевой канал δ формирует слой охлаждающей жидкости (ОЖ) для охлаждения АЭ и образован стенкой трубки 9 и АЭ 2. Каналы b, выполненные в прижимах 4 образуют дросселирующую диафрагму, предусмотренную на входе и выходе канала охлаждения АЭ 2.
Входной и выходной коллекторы ƒ образованы прижимами 4 в корпусе 1, а дополнительные коллекторы g образованы прижимами 4 и трубкой 9. Каналы b прижимов 4 соединяют входной и выходной коллекторы ƒ с дополнительными коллекторами g, которые соединяются с кольцевым каналом шириной δ. Каналы а корпуса соединены с входным, выходным коллекторами ƒ и каналами с, d корпуса, которые соединяются с каналами е сборок ЛЛД.
Прижимы 4 применены для центрирования АЭ в корпусе ММЛ относительно трубки 9 и герметизации МЛ, а прижимы 3 - для герметизации АЭ. Отражающая поверхность 8 контротражателя 7 расположена вдоль поверхности АЭ. Каждая сборка излучателей 6 снабжена цилиндрической линзой исходящего излучения 10 (фиг. 2), выполненная из оптоволокна, диаметр которого рассчитывается, исходя из требуемой фокусировки излучения накачки.
Устройство работает следующим образом. На излучатели 6 подается напряжение питания, линейки лазерных диодов 5 начинают генерировать излучение накачки, которое проходит через цилиндрическую линзу 10, формируясь в световой поток углом α, сквозь трубку 9 и ОЖ кольцевого канала δ, при этом часть излучения поглощается АЭ 2, часть поглощенной энергии накачки идет на тепловые потери (фиг. 2). Оставшаяся доля излучения, не поглотившаяся и не пошедшая на тепловые потери, отражается от контротражателя 7 и вновь направляется в АЭ 2.
В непрерывном режиме работы мощность тепловыделения АЭ 2 достаточно высока, а часть электрической энергии, подаваемой на излучатели 6, тратится на тепловые потери, поэтому требуется эффективное охлаждение не, только АЭ 2, но и сборок ЛЛД 5, которое происходит следующим образом.
ОЖ подается в систему охлаждения и поступает во входной коллектор ƒ по каналу а (фиг. 1). Затем разделяется на два потока - по каналу а к сборкам ЛЛД 5 и по каналам b к АЭ 2. Из канала а корпуса 1 ОЖ перемещается в каналы с и d, проходит по каналам е излучателей 6, затем в обратном порядке собирается в каналы d и c, перемещается по каналам а (фиг. 3) корпуса 1 и попадает в выходной коллектор ƒ, откуда выводится из МЛ через канал а (фиг. 1).
Второй поток ОЖ проходит по каналам b прижима 4, образующим дросселирующую диафрагму, предусмотренную на входе и выходе канала охлаждения АЭ 2 и позволяющую согласовать гидравлическое сопротивление каналов охлаждения АЭ 2 и излучателей 6, попадает в дополнительный входной коллектор g, откуда - в кольцевой канал шириной δ охлаждения АЭ 2. Поток ОЖ протекает вдоль всей поверхности АЭ и контактирует с ней. Таким образом, происходит охлаждение кристалла. На выходе из кольцевого канала δ противоположного конца АЭ ОЖ в обратном порядке через дополнительный выходной коллектор g, каналы b прижима 4, собирается в выходной коллектор ƒ и затем выводится из МЛ через канал а.
Таким образом, происходит охлаждение сборок ЛЛД и АЭ. При этом в конструкции МЛ для двух контуров охлаждения ЛЛД и АЭ предусмотрен общий вход и выход.
Таким образом, представленные данные свидетельствуют о выполнении при использовании заявляемой полезной модели следующей совокупности условий:
- средство, воплощающее заявленное устройство при его осуществлении, предназначено для использования в оптико-механической промышленности при изготовлении лазерных устройств с постоянной диодной накачкой;
- для заявляемого устройства в том виде, в котором оно охарактеризовано в формуле изобретения, подтверждена возможность его осуществления.
Следовательно, заявляемая полезная модель соответствует условию «промышленная применимость».

Claims (1)

  1. Модуль лазера с боковой диодной накачкой содержит установленные в корпусе активный элемент в виде стержня, сборки линеек лазерных диодов, разметенные вдоль активного элемента равномерно и обращенные к нему излучающей частью, отражающую поверхность, расположенную вдоль активного элемента, и систему охлаждения, которая содержит каналы и трубку, охватывающую активный элемент с образованием кольцевого канала, сборки линеек лазерных диодов и отражающая поверхность установлены напротив друг друга, каждая сборка линеек лазерных диодов снабжена цилиндрической линзой, расположенной на излучающей части, активный элемент закреплен в прижимах корпуса, система охлаждения выполнена в виде единого контура и снабжена входным, выходным коллекторами, каналами, выполненными в корпусе, прижимах и сборках линеек лазерных диодов, и входным, выходным дополнительными коллекторами, соединяющимися с кольцевым каналом и каналами прижимов, образующих дросселирующую диафрагму, которые соединены с входным, выходным коллекторами, соединенными с каналами корпуса, соединяющимися с каналами в сборках линеек лазерных диодов, отличающийся тем, что входной, выходной коллекторы образованы прижимами в корпусе, а дополнительные входной, выходной коллекторы образованы прижимами и трубкой.
RU2017140122U 2016-09-28 2016-09-28 Модуль лазера с боковой диодной накачкой RU180913U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017140122U RU180913U1 (ru) 2016-09-28 2016-09-28 Модуль лазера с боковой диодной накачкой

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017140122U RU180913U1 (ru) 2016-09-28 2016-09-28 Модуль лазера с боковой диодной накачкой

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU180913U1 true RU180913U1 (ru) 2018-06-29

Family

ID=62813715

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017140122U RU180913U1 (ru) 2016-09-28 2016-09-28 Модуль лазера с боковой диодной накачкой

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU180913U1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2694120C1 (ru) * 2018-10-11 2019-07-09 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") Корпус лазера
RU216498U1 (ru) * 2022-09-19 2023-02-09 Общество С Ограниченной Ответственностью "Научно-Производственное Предприятие "Инжект" Диодная накачка

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997047060A1 (en) * 1996-06-04 1997-12-11 Diode Pumped Laser Technologies, Inc. Nd:YAG LASER PUMP HEAD
US8804782B2 (en) * 2012-10-29 2014-08-12 Coherent, Inc. Macro-channel water-cooled heat-sink for diode-laser bars
RU2575673C1 (ru) * 2014-09-15 2016-02-20 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") Оптическая усилительная головка с контротражателем диодной накачки
RU2014135348A (ru) * 2014-08-29 2016-03-20 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") Оптическая усилительная головка с диодной накачкой (варианты)

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997047060A1 (en) * 1996-06-04 1997-12-11 Diode Pumped Laser Technologies, Inc. Nd:YAG LASER PUMP HEAD
US8804782B2 (en) * 2012-10-29 2014-08-12 Coherent, Inc. Macro-channel water-cooled heat-sink for diode-laser bars
RU2014135348A (ru) * 2014-08-29 2016-03-20 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") Оптическая усилительная головка с диодной накачкой (варианты)
RU2575673C1 (ru) * 2014-09-15 2016-02-20 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") Оптическая усилительная головка с контротражателем диодной накачки

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2694120C1 (ru) * 2018-10-11 2019-07-09 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") Корпус лазера
RU216498U1 (ru) * 2022-09-19 2023-02-09 Общество С Ограниченной Ответственностью "Научно-Производственное Предприятие "Инжект" Диодная накачка

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3059952B2 (ja) ダイオードレーザでポンピングされる固体レーザ利得モジュール
CN103779782B (zh) 一种高平均功率二极管泵浦激光模块及其制备方法
US20210254799A1 (en) Illumination system with high intensity output mechanism and method of operation thereof
CN201270374Y (zh) 一种半导体光纤耦合泵浦的红外固体激光器
RU2498467C2 (ru) Оптическая усилительная головка с диодной накачкой
US9640935B2 (en) Radially polarized thin disk laser
RU180913U1 (ru) Модуль лазера с боковой диодной накачкой
CN104078824A (zh) 一种全腔水冷固体激光器
CN104283108A (zh) 一种大功率激光模组及其封装方法
CN1972038A (zh) 固体薄片激光器的冷却结构
CN203415814U (zh) 一种大功率激光模组
RU2575673C1 (ru) Оптическая усилительная головка с контротражателем диодной накачки
CN115021070A (zh) 侧泵模块及半导体激光器
RU2597941C2 (ru) Оптическая усилительная головка с диодной накачкой (варианты)
RU2579188C1 (ru) Квантрон твердотельного лазера с термостабилизацией диодной накачки
US6661827B2 (en) Pumping source
CN115425501A (zh) 一种拆装式微通道半导体巴条光纤激光器模块及其封装方法
CN105204167A (zh) 一种外壳绝缘的边发射激光照明模组
RU2614079C2 (ru) Квантрон с диодной накачкой
RU2599600C1 (ru) Мощная оптическая усилительная головка с торцевой диодной накачкой активного элемента в виде пластины
CN114361934A (zh) 一种新型大功率半导体激光器件
CN208197825U (zh) Uv-led固化光源系统
RU2614081C1 (ru) Квантрон твердотельного лазера с диодной накачкой
RU2624403C1 (ru) Модуль слэб-лазера с диодной накачкой и зигзагообразным ходом лучей (варианты)
CN102368106A (zh) 一种多颗半导体激光光纤耦合装置