RU2011153187A - Датчик присутствия - Google Patents

Датчик присутствия Download PDF

Info

Publication number
RU2011153187A
RU2011153187A RU2011153187/07A RU2011153187A RU2011153187A RU 2011153187 A RU2011153187 A RU 2011153187A RU 2011153187/07 A RU2011153187/07 A RU 2011153187/07A RU 2011153187 A RU2011153187 A RU 2011153187A RU 2011153187 A RU2011153187 A RU 2011153187A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
functional layer
temperature sensor
processing step
sensor
section
Prior art date
Application number
RU2011153187/07A
Other languages
English (en)
Inventor
Виллем Ф. П. ПАСВИР
Яп Р. ХАРТСЕН
Рогир А. Х. НИССЕН
Original Assignee
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Publication of RU2011153187A publication Critical patent/RU2011153187A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B47/00—Circuit arrangements for operating light sources in general, i.e. where the type of light source is not relevant
    • H05B47/10—Controlling the light source
    • H05B47/105—Controlling the light source in response to determined parameters
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B47/00—Circuit arrangements for operating light sources in general, i.e. where the type of light source is not relevant
    • H05B47/10—Controlling the light source
    • H05B47/105—Controlling the light source in response to determined parameters
    • H05B47/115—Controlling the light source in response to determined parameters by determining the presence or movement of objects or living beings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
    • H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
    • Y02B20/40—Control techniques providing energy savings, e.g. smart controller or presence detection
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
  • Arrangements For Transmission Of Measured Signals (AREA)

Abstract

1. Способ изготовления устройства (100; 200; 300; 400) датчика, содержащего термодатчик (23), батарею (33), антенну (34), электронную схему (22) и солнечный элемент (43), вместе, как единое целое в одном полупроводниковом носителе (10), содержащий этапы, на которых:обеспечивают кремниевую пластину (10), имеющую тело (13) пластины с двумя противоположными, взаимно параллельными основными поверхностями (11, 12);изготавливают, на первом этапе обработки, первый функциональный слой (20) в или на одной из вышеупомянутых основных поверхностей, содержащий участок (21) термодатчика, по меньшей мере, с одним термодатчиком (23), и изготавливают функциональный слой (20), содержащий электронную схему (22), компонуемую в неперекрывающемся взаимном расположении с участком (21) термодатчика;изготавливают, на втором этапе обработки, следующем за первым этапом обработки, второй функциональный слой (30), имеющий участок (32) материала, содержащий батарею (33) и антенну (34), компонуемый в неперекрывающемся взаимном расположении с участком (21) термодатчика;изготавливают, на третьем этапе обработки, следующем за первым этапом обработки, третий функциональный слой (40), имеющий участок (42) материала, содержащий один или несколько солнечных элементов (43), компонуемый в неперекрывающемся взаимном расположении с участком (21) термодатчика;удаляют, на четвертом этапе обработки, следующем за третьим этапом обработки, участок тела (13) пластины под участком (21) термодатчика так, чтобы привести к углублению (14), имеющему глубину, достающую от стороны нижней поверхности (12) до участка (21) термодатчика первого функционального слоя (20).2. Способ по п.1, в котором электронную схему (22) и участок (2

Claims (15)

1. Способ изготовления устройства (100; 200; 300; 400) датчика, содержащего термодатчик (23), батарею (33), антенну (34), электронную схему (22) и солнечный элемент (43), вместе, как единое целое в одном полупроводниковом носителе (10), содержащий этапы, на которых:
обеспечивают кремниевую пластину (10), имеющую тело (13) пластины с двумя противоположными, взаимно параллельными основными поверхностями (11, 12);
изготавливают, на первом этапе обработки, первый функциональный слой (20) в или на одной из вышеупомянутых основных поверхностей, содержащий участок (21) термодатчика, по меньшей мере, с одним термодатчиком (23), и изготавливают функциональный слой (20), содержащий электронную схему (22), компонуемую в неперекрывающемся взаимном расположении с участком (21) термодатчика;
изготавливают, на втором этапе обработки, следующем за первым этапом обработки, второй функциональный слой (30), имеющий участок (32) материала, содержащий батарею (33) и антенну (34), компонуемый в неперекрывающемся взаимном расположении с участком (21) термодатчика;
изготавливают, на третьем этапе обработки, следующем за первым этапом обработки, третий функциональный слой (40), имеющий участок (42) материала, содержащий один или несколько солнечных элементов (43), компонуемый в неперекрывающемся взаимном расположении с участком (21) термодатчика;
удаляют, на четвертом этапе обработки, следующем за третьим этапом обработки, участок тела (13) пластины под участком (21) термодатчика так, чтобы привести к углублению (14), имеющему глубину, достающую от стороны нижней поверхности (12) до участка (21) термодатчика первого функционального слоя (20).
2. Способ по п.1, в котором электронную схему (22) и участок (21) термодатчика изготавливают в том же функциональном слое (20).
3. Способ по п.2, в котором электронную схему (22) и участок (21) термодатчика изготавливают с использованием тех же этапов обработки.
4. Способ по п.1, в котором второй функциональный слой (30) содержит пустое пространство (31), совпадающее с участком (21) термодатчика, и/или в котором третий функциональный слой (40) содержит пустое пространство (41), совпадающее с участком (21) термодатчика.
5. Способ по п.1, в котором процесс изготовления для изготовления второго функционального слоя (30) осуществляют при относительно низкой температуре, предпочтительно меньше 400°C так, чтобы компоненты в первом функциональном слое (20) не были подвержены воздействию этого процесса изготовления.
6. Способ по п.1, в котором третий этап обработки выполняют за вторым этапом обработки.
7. Способ по п.6, в котором процесс изготовления для изготовления третьего функционального слоя (40) осуществляют при температуре, которая ниже температуры процесса изготовления для изготовления второго функционального слоя (30), предпочтительно меньше 300°C, так, чтобы компоненты во втором функциональном слое (20) не были подвержены воздействию этого процесса изготовления.
8. Способ по п.1, в котором второй функциональный слой (30) с батареей и антенной изготавливают на первом функциональном слое (20), и в котором третий функциональный слой (40) с солнечным(ми) элементом(ами) изготавливают на втором функциональном слое (30).
9. Способ по п.1, в котором второй функциональный слой (30) с батареей и антенной изготавливают на первом функциональном слое (20), и в котором третий функциональный слой (40) с солнечным(ми) элементом(ами) изготавливают на второй (12) из вышеупомянутых основных поверхностей (12).
10. Способ по п.1, в котором второй функциональный слой (30) с батареей и антенной изготовляют на второй (12) из вышеупомянутых основных поверхностей, и в котором третий функциональный слой (40) с солнечным(ми) элементом(ами) изготавливают на первом функциональном слое (20).
11. Способ по п.1, в котором третий функциональный слой (40) с солнечным(ми) элементом(ами) изготавливают в качестве наружного слоя, и в котором крепежную пластину (50), которая изготавливается предпочтительно из стекла или полиимида, компонуют сверху третьего функционального слоя.
12. Устройство датчика, содержащее термодатчик (23), батарею (33), антенну (34), электронную схему (22) и солнечный элемент (43), изготавливают как единое целое в одном полупроводниковом теле (13) способом, соответствующим любому из пп.1-11.
13. Устройство датчика по п.12, в котором термодатчик (23) содержит тонкое центральное тело (610) и множество термопар (500), скомпонованных вдоль краев центрального тела (610);
в котором центральное тело (610) конструируют теплопоглощающим;
в котором все термопары электрическим образом соединяются последовательно наряду с параллельным термическим соединением;
и в котором центральное тело (610) и термопары (500) реализованы в качестве образцов в кремние.
14. Устройство датчика по п.12, в котором термодатчик (23) содержит четыре отдельных участка (700) датчика, причем каждый участок (700) датчика содержит тонкое продольное центральное тело (710) и множество термопар (500), скомпонованных вдоль противоположных продольных краев центрального тела (710).
15. Устройство датчика по п.12, в котором термодатчик (23) содержит тонкое центральное продольное тело (810) и множество термопар (500), скомпонованных вдоль противоположных продольных краев центрального тела (810), с контактами (801), находящимися в контакте с оконечными термопарами, а также с контактами (801), находящимися в контакте с промежуточными термопарами, чтобы сигналы датчика могли быть получены из различных участков датчика.
RU2011153187/07A 2009-05-27 2010-05-07 Датчик присутствия RU2011153187A (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP09161189 2009-05-27
EP09161189.7 2009-05-27
PCT/IB2010/052020 WO2010136919A1 (en) 2009-05-27 2010-05-07 Occupancy sensor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2011153187A true RU2011153187A (ru) 2013-07-10

Family

ID=42946153

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011153187/07A RU2011153187A (ru) 2009-05-27 2010-05-07 Датчик присутствия

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8357550B2 (ru)
EP (1) EP2436237B1 (ru)
JP (1) JP5398908B2 (ru)
KR (1) KR20120020186A (ru)
CN (1) CN102450106B (ru)
CA (1) CA2763240A1 (ru)
RU (1) RU2011153187A (ru)
WO (1) WO2010136919A1 (ru)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010062559A1 (de) 2010-12-07 2012-06-14 Robert Bosch Gmbh Mikroelektromechanisches Sensormodul sowie entsprechendes Herstellungsverfahren
US8569861B2 (en) 2010-12-22 2013-10-29 Analog Devices, Inc. Vertically integrated systems
US20140345669A1 (en) * 2011-12-21 2014-11-27 Dow Global Technologies Llc Method of producing two or more thin-film-based interconnected photovoltaic cells
US10557881B2 (en) 2015-03-27 2020-02-11 Analog Devices Global Electrical overstress reporting
US9871373B2 (en) 2015-03-27 2018-01-16 Analog Devices Global Electrical overstress recording and/or harvesting
KR20170089340A (ko) * 2016-01-26 2017-08-03 엘지전자 주식회사 플렉서블 센서 모듈 및 이의 제조 방법
US10338132B2 (en) 2016-04-19 2019-07-02 Analog Devices Global Wear-out monitor device
US10365322B2 (en) 2016-04-19 2019-07-30 Analog Devices Global Wear-out monitor device
US11024525B2 (en) 2017-06-12 2021-06-01 Analog Devices International Unlimited Company Diffusion temperature shock monitor
US10730743B2 (en) 2017-11-06 2020-08-04 Analog Devices Global Unlimited Company Gas sensor packages
US11587839B2 (en) 2019-06-27 2023-02-21 Analog Devices, Inc. Device with chemical reaction chamber
JP2021118551A (ja) * 2020-01-22 2021-08-10 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置、センサ装置及び電子機器

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10103A (en) * 1853-10-11 Detachable lining for the fire-boxes of steam-boilers
JPH08304174A (ja) * 1995-04-28 1996-11-22 Fujitsu Ltd サーモパイル赤外線センサおよびセンサアレイ
JPH10242443A (ja) * 1997-02-27 1998-09-11 Toshiba Corp 機能集積半導体装置
DE10222499A1 (de) * 2002-05-22 2003-12-11 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung eines Bauteils, insbesondere eines thermischen Sensors, sowie thermischer Sensor
JP2004093535A (ja) * 2002-09-04 2004-03-25 Mitsubishi Electric Corp 熱型赤外線固体撮像装置およびその製造方法
US7868358B2 (en) * 2003-06-06 2011-01-11 Northrop Grumman Systems Corporation Coiled circuit device with active circuitry and methods for making the same
JP2005106802A (ja) * 2003-07-10 2005-04-21 Canon Inc 環境センサー、環境測定装置及び環境測定システム
EP1523043B1 (en) * 2003-10-06 2011-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Optical sensor and method for manufacturing the same
GB0408073D0 (en) * 2004-04-08 2004-05-12 Council Cent Lab Res Councils Optical sensor
WO2006132155A1 (ja) 2005-06-06 2006-12-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 電子デバイス及びその製造方法
US8173519B2 (en) * 2006-03-03 2012-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2007280368A (ja) * 2006-03-15 2007-10-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び当該半導体装置を具備するｉｄラベル、ｉｄタグ、ｉｄカード
WO2007130471A2 (en) * 2006-05-01 2007-11-15 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Systems and methods for high density multi-component modules
CA2651000A1 (en) * 2006-05-04 2007-11-15 Cardiomems, Inc. Implantable wireless sensor for in vivo pressure measurement and continuous output determination
US8459445B2 (en) * 2006-07-21 2013-06-11 Menicon, Co., Ltd. Colored contact lens primary packaging
JP2008066402A (ja) * 2006-09-05 2008-03-21 Fujifilm Corp 撮像素子および撮像装置
US20080109309A1 (en) 2006-10-31 2008-05-08 Steven Landau Powered Print Advertisements, Product Packaging, and Trading Cards
WO2009150562A1 (en) 2008-06-11 2009-12-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wireless sensor device and illumination system comprising such a device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012528322A (ja) 2012-11-12
US8357550B2 (en) 2013-01-22
CN102450106B (zh) 2014-07-16
US20120077291A1 (en) 2012-03-29
CA2763240A1 (en) 2010-12-02
CN102450106A (zh) 2012-05-09
KR20120020186A (ko) 2012-03-07
WO2010136919A1 (en) 2010-12-02
EP2436237A1 (en) 2012-04-04
JP5398908B2 (ja) 2014-01-29
EP2436237B1 (en) 2012-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2011153187A (ru) Датчик присутствия
WO2012058053A3 (en) Monolithic module assembly using back contact solar cells and metal ribbon
WO2008091890A3 (en) Roll-to-roll integration of thin film solar modules
TW200644187A (en) Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
WO2013055307A3 (en) Backplane reinforcement and interconnects for solar cells
SG148104A1 (en) Probe card and method for fabricating the same
ATE510306T1 (de) Matrixanordnung sphärischer solarzellen und ihr herstellungsverfahren
TW200636937A (en) Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, stacked semiconductor device, circuit board and electronic instrument
MY181332A (en) Pane with electrical connection element and connection bridge
PH12014000026A1 (en) Semiconductor component and method of manufacture
TW200627562A (en) Chip electrical connection structure and fabrication method thereof
TW200746357A (en) Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device
WO2008149835A1 (ja) 集積型薄膜太陽電池とその製造方法
MY172480A (en) Solar cell, manufacturing method thereof, solar-cell module, and manufacturing method thereof
WO2009020349A3 (en) Method for manufacturing thin film type solar cell, and thin film type solar cell made by the method
WO2010013956A3 (en) Solar cell, method of manufacturing the same, and solar cell module
RU2012157991A (ru) Термоэлектрический элемент
WO2009043670A3 (de) Elektronische schaltung aus teilschaltungen und verfahren zu deren herstellung
RU2014110487A (ru) Устройство аккумулирования энергии, способ его изготовления и мобильное электронное устройство, содержащее его
BRPI0922748B8 (pt) módulo fotovoltaico e processo de fabricação de um módulo fotovoltaico
WO2012049087A3 (en) Semiconductor module and method of manufacturing a semiconductor module
JP2014122882A (ja) 予備空間変換器及びこれを用いて製造された空間変換器、並びに前記空間変換器を備える半導体素子検査装置
DK1671355T3 (da) Serieforbindelse af solceller med integrerede halv-lederelementer, fremgangsmåde til fremstilling og foto-voltaikmodul med serieforbindelse
ATE390623T1 (de) Integrierter drucksensor und herstellungsverfahren
MY173471A (en) Thin film solar module and method for production of the same

Legal Events

Date Code Title Description
FA94 Acknowledgement of application withdrawn (non-payment of fees)

Effective date: 20150225