RU2011151923A

RU2011151923A - Способ изготовления диэлектрического слоя

Info

Publication number: RU2011151923A
Application number: RU2011151923/28A
Authority: RU
Inventors: Игорь Петрович Михайловский; Борис Иванович Фомин; Михаил Алексеевич Демьяненко; Виктор Николаевич Овсюк; Татьяна Александровна Гаврилова
Priority date: 2011-12-19
Filing date: 2011-12-19
Publication date: 2013-06-27
Also published as: RU2498445C2

Abstract

1. Способ изготовления диэлектрического слоя, заключающийся в том, что на подложку осаждают слой диэлектрика из газовой смеси, содержащей компоненты, необходимые для образования диэлектрика, в неизотермическом режиме, пропуская газовую смесь через нагреваемую спираль, отличающийся тем, что используют спираль из углеродного материала, характеризующуюся развитой поверхностью, пропускают газовую смесь, содержащую компоненты, необходимые для образования диэлектрика оксинитрида кремния при условиях, соответствующих формированию оксинитрида кремния требуемой толщины, с составом по кислороду и азоту, обеспечивающим требуемую компенсацию внутренних механических напряжений.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют спираль из углеродного материала, характеризующуюся развитой поверхностью, а именно, выполненную из отдельных углеродных нитей, свитых в спираль.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют подложку из кремния со сформированным на его поверхности слоем полиимида, выполняющего функцию жертвенного слоя.4. Способ по п.1, отличающийся тем, что пропускают газовую смесь, содержащую компоненты, необходимые для образования диэлектрика оксинитрида кремния, при условиях, соответствующих формированию оксинитрида кремния с составом по кислороду и азоту, обеспечивающим компенсацию внутренних механических напряжений, а именно смесь из 4,5% раствора моносилана SiHв аргоне и аммиака NHс содержанием воды от 0,5 до 1,0%, с соотношением SiH/NHпо объему от 0,3 до 0,01, газовую смесь пропускают через нагреваемую спираль из углеродного материала до температуры от 1900 до 2200°C.5. Способ по п.1, отличающийся тем, что неизотерм

Claims

1. Способ изготовления диэлектрического слоя, заключающийся в том, что на подложку осаждают слой диэлектрика из газовой смеси, содержащей компоненты, необходимые для образования диэлектрика, в неизотермическом режиме, пропуская газовую смесь через нагреваемую спираль, отличающийся тем, что используют спираль из углеродного материала, характеризующуюся развитой поверхностью, пропускают газовую смесь, содержащую компоненты, необходимые для образования диэлектрика оксинитрида кремния при условиях, соответствующих формированию оксинитрида кремния требуемой толщины, с составом по кислороду и азоту, обеспечивающим требуемую компенсацию внутренних механических напряжений.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют спираль из углеродного материала, характеризующуюся развитой поверхностью, а именно, выполненную из отдельных углеродных нитей, свитых в спираль.

3. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют подложку из кремния со сформированным на его поверхности слоем полиимида, выполняющего функцию жертвенного слоя.

4. Способ по п.1, отличающийся тем, что пропускают газовую смесь, содержащую компоненты, необходимые для образования диэлектрика оксинитрида кремния, при условиях, соответствующих формированию оксинитрида кремния с составом по кислороду и азоту, обеспечивающим компенсацию внутренних механических напряжений, а именно смесь из 4,5% раствора моносилана SiH₄ в аргоне и аммиака NH₃ с содержанием воды от 0,5 до 1,0%, с соотношением SiH₄/NH₃ по объему от 0,3 до 0,01, газовую смесь пропускают через нагреваемую спираль из углеродного материала до температуры от 1900 до 2200°C.

5. Способ по п.1, отличающийся тем, что неизотермический режим реализуют в неизотермическом реакторе из нержавеющей стали при давлении в реакторе от 10 до 30 Па, температуре в реакторе от 200 до 300°C.

6. Способ по п.1, отличающийся тем, что пропускают газовую смесь, содержащую компоненты, необходимые для образования диэлектрика оксинитрида кремния, при условиях, соответствующих формированию оксинитрида кремния требуемой толщины, а именно в течение времени от 1 до 1,5 мин, обеспечивающем толщину от 1280 до 1890 Å.