RU2011147134A

RU2011147134A - Способ и устройство для контроля интенсивности электронного луча

Info

Publication number: RU2011147134A
Application number: RU2011147134/07A
Authority: RU
Inventors: Гернот КАЙЛ; Алоис МОНЦЕЛЬ
Original assignee: Кхс Гмбх
Priority date: 2009-04-21
Filing date: 2010-04-20
Publication date: 2013-11-20
Also published as: DE102009018210C5; DE102009018210B4; CN102282642A; EP2422351B1; RU2498442C2; CN102282642B; EP2422351A1; WO2010121775A1; JP2012524281A; DE102009018210A1; US20110233414A1; EP2422351B2; US8415633B2

Abstract

1. Способ контроля интенсивности электронного луча, образующего плазму при своем распространении, причем для распознавания изменений интенсивности электронного луча обнаруживают и анализируют электронное излучение или электромагнитное излучение, создаваемое непосредственно или косвенно электронным лучом, при этом для измерительной регистрации электронного или электромагнитного излучения, создаваемого непосредственно или косвенно электронным лучом, предусмотрен детектор, отличающийся тем, что детектор направляют через стенку прозрачного или просвечивающего упаковочного материала на плазму.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что анализируют электромагнитное УФ-излучение или электромагнитное световое излучение.3. Способ по п.2, отличающийся тем, что излучение анализируют во время распространения электронного луча в атмосферном воздухе или азоте или аргоне.4. Способ по п.3, отличающийся тем, что для сокращения числа микроорганизмов на участке поверхности упаковочного материала применяют электронный луч.5. Способ по п.4, отличающийся тем, что на участке поверхности емкости сокращают количество микроорганизмов.6. Способ по любому из пп.1-5, отличающийся тем, что излучение, образуемое электронным лучом, обнаруживают с помощью полупроводникового датчика.7. Способ по п.6, отличающийся тем, что в качестве полупроводникового датчика применяют чувствительный к излучению или свету диод.8. Способ по п.6, отличающийся тем, что в качестве полупроводникового датчика применяют ПЗС-кристалл или КМОП-кристалл или фотодиод или фототранзистор или фоторезистор.9. Способ по п.7 или 8, отличающийся тем, что электромагнитное излуч

Claims

1. Способ контроля интенсивности электронного луча, образующего плазму при своем распространении, причем для распознавания изменений интенсивности электронного луча обнаруживают и анализируют электронное излучение или электромагнитное излучение, создаваемое непосредственно или косвенно электронным лучом, при этом для измерительной регистрации электронного или электромагнитного излучения, создаваемого непосредственно или косвенно электронным лучом, предусмотрен детектор, отличающийся тем, что детектор направляют через стенку прозрачного или просвечивающего упаковочного материала на плазму.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что анализируют электромагнитное УФ-излучение или электромагнитное световое излучение.

3. Способ по п.2, отличающийся тем, что излучение анализируют во время распространения электронного луча в атмосферном воздухе или азоте или аргоне.

4. Способ по п.3, отличающийся тем, что для сокращения числа микроорганизмов на участке поверхности упаковочного материала применяют электронный луч.

5. Способ по п.4, отличающийся тем, что на участке поверхности емкости сокращают количество микроорганизмов.

6. Способ по любому из пп.1-5, отличающийся тем, что излучение, образуемое электронным лучом, обнаруживают с помощью полупроводникового датчика.

7. Способ по п.6, отличающийся тем, что в качестве полупроводникового датчика применяют чувствительный к излучению или свету диод.

8. Способ по п.6, отличающийся тем, что в качестве полупроводникового датчика применяют ПЗС-кристалл или КМОП-кристалл или фотодиод или фототранзистор или фоторезистор.

9. Способ по п.7 или 8, отличающийся тем, что электромагнитное излучение пропускают через спектральный фильтр или цветной фильтр перед попаданием в полупроводниковый датчик.

10. Способ по п.9, отличающийся тем, что принимаемое полупроводниковым датчиком излучение образуется внутри полого изделия.

11. Устройство для контроля интенсивности электронного луча, образующего плазму при своем распространении, причем предусмотрен детектор для измерительной регистрации электронного или электромагнитного излучения, создаваемого непосредственно или косвенно электронным лучом, при этом детектор связан с аналитическим устройством для распознавания изменений интенсивности электронного или электромагнитного излучения, создаваемого электронным лучом, отличающееся тем, что детектор расположен таким образом, чтобы быть направленным через стенку прозрачной или просвечивающей тары на плазму.

12. Устройство по п.11, отличающееся тем, что детектор предназначен для регистрации электромагнитного УФ-излучения или электромагнитного светового излучения.

13. Устройство по п.11 или 12, отличающееся тем, что детектор расположен на участке пути прохождения электронного луча через воздух окружающей среды.

14. Устройство по любому из пунктов 11 или 12, отличающееся тем, что детектор расположен на участке пути прохождения электронного луча через азот или аргон.

15. Устройство по п.13, отличающееся тем, что детектор выполнен в виде части устройства для сокращения числа микроорганизмов на участке поверхности упаковочного материала.

16. Устройство по п.14, отличающееся тем, что детектор выполнен в виде части устройства для сокращения числа микроорганизмов на участке поверхности упаковочного материала.

17. Устройство по п.13, отличающееся тем, что детектор выполнен в виде части устройства для сокращения числа микроорганизмов на участке поверхности емкости.

18. Устройство по п.14, отличающееся тем, что детектор выполнен в виде части устройства для сокращения числа микроорганизмов на участке поверхности емкости.

19. Устройство по п.13, отличающееся тем, что детектор выполнен в виде полупроводникового датчика.

20. Устройство по п.14, отличающееся тем, что детектор выполнен в виде полупроводникового датчика.

21. Устройство по п.19 или 20, отличающееся тем, что полупроводниковый датчик выполнен в виде чувствительного к излучению диода или светочувствительного диода.

22. Устройство по п.19 или 20, отличающееся тем, что полупроводниковый датчик выполнен в виде ПЗС-кристалла или КМОП-кристалла или фотодиода или фототранзистора или фоторезистора.

23. Устройство по п.19 или 20, отличающееся тем, что полупроводниковый датчик расположен с возможностью приема электромагнитного излучения, создаваемого внутри тары.

24. Устройство по п.21, отличающееся тем, что полупроводниковый датчик расположен с возможностью приема электромагнитного излучения, создаваемого внутри тары.

25. Устройство по п.22, отличающееся тем, что полупроводниковый датчик расположен с возможностью приема электромагнитного излучения, создаваемого внутри тары.