JP2012524281A - 電子放射の強度を監視する方法および装置 - Google Patents
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Abstract
電子放射の強度を監視するために使用する方法および装置。電子放射の強度の変化を認識するために、電子放射によって直接または間接に放出される電磁放射線が検出されおよび評価される。特に、紫外線放射線及び/又は可視光の領域の放射線の評価が考慮される。
Description
2 放出窓
3 UVまたは光放射線のバルーン状の領域の境界
4 光量子またはUV量子
5 UVまたは光放射線のバルーン状の領域
6 フィルター
7 光学機器
8 光官能性の要素
Claims (22)
- 電子放射の強度を監視する方法において、電子放射の強度の変化の認識のために、電子放射により直接または間接に発生する電子放射線または電磁放射線が検出され、および評価されること特徴とする方法。
- 電磁紫外線または電磁光放射線が評価されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 電子放射線が評価されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 放射線が、大気中の空気または窒素またはアルゴン中で電子放射線が広がる間に評価されることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- 電子放射が、包装材料の表面の領域の菌減少のために使用されることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
- 容器の表面の領域の菌数量が減少されることを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 電子放射によって発生された放射線が、半導体センサーによって検出されることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
- 半導体センサーとして、放射線官能式または光官能式のダイオードが使用されることを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 半導体センサーとして、CCDチップまたはCMOSチップまたはフォトダイオードまたはフォトトランジスターまたはフォトレジスタが使用されることを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 電磁放射線が、半導体センサーに至る前に、スペクトルフィルターまたはカラーフィルターを通過することを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。
- 半導体センサーによって受信される放射線が、中空体の内部で発生することを特徴とする請求項1から10のいずれか一項に記載の方法。
- 電子放射の強度を監視する装置において、電子放射によって直接または間接に発生する電子放射線または電磁放射線を計測技術的に認識する検出器が形成されていること、および、この検出器が、電子放射によって発生する電子放射線または電磁放射線の強度の変化を認識するための評価装置と接続されていることを特徴とする装置。
- 検出器が、電磁紫外線または電磁光放射線を認識するよう形成されていることを特徴とする請求項12に記載の装置。
- 検出器が、電子放射線を認識するよう形成されていることを特徴とする請求項12に記載の装置。
- 検出器が、周囲空気中を通って延在する電子放射の拡散経路の領域に設けられることを特徴とする請求項12から14のいずれか一項に記載の装置。
- 検出器が、窒素またはアルゴンを通って延在する電子放射の拡散経路の領域に設けられていることを特徴とする請求項12から14のいずれか一項に記載の装置。
- 検出器が、包装材料の表面の領域の菌減少のための装置の部材として形成されていることを特徴とする請求項12から16のいずれか一項に記載の装置。
- 検出器が、容器の表面の領域の菌減少のための装置の部材として形成されていることを特徴とする請求項12から16のいずれか一項に記載の装置。
- 検出器が、半導体センサーとして形成されていることを特徴とする請求項12から18のいずれか一項に記載の装置。
- 半導体センサーが、放射線官能式のダイオードとして、または光官能式のダイオードとして形成されていることを特徴とする請求項19に記載の装置。
- 半導体センサーが、CCDチップとして、またはCMOSチップとしてまたはフォトダイオードとしてまたはフォトトランジスターとしてまたはフォトレジスタとして形成されていることを特徴とする請求項19に記載の装置。
- 半導体センサーが、包装材料体内部に発生する電磁放射線を受信可能であるように設けられていることを特徴とする請求項12から21のいずれか一項に記載の装置。
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