RU2011141435A - Силовой полупроводниковый модуль с боковыми стенками слоистой конструкции - Google Patents

Силовой полупроводниковый модуль с боковыми стенками слоистой конструкции Download PDF

Info

Publication number
RU2011141435A
RU2011141435A RU2011141435/07A RU2011141435A RU2011141435A RU 2011141435 A RU2011141435 A RU 2011141435A RU 2011141435/07 A RU2011141435/07 A RU 2011141435/07A RU 2011141435 A RU2011141435 A RU 2011141435A RU 2011141435 A RU2011141435 A RU 2011141435A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
power semiconductor
semiconductor module
partial elements
side walls
module
Prior art date
Application number
RU2011141435/07A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2492548C2 (ru
Inventor
Маркус БИЛЬМАНН
Кристоф БЛЕШ
Дирк МАЛИПААРД
Андреас ЦЕНКЕР
Original Assignee
Сименс Акциенгезелльшафт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сименс Акциенгезелльшафт filed Critical Сименс Акциенгезелльшафт
Publication of RU2011141435A publication Critical patent/RU2011141435A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2492548C2 publication Critical patent/RU2492548C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/14—Mounting supporting structure in casing or on frame or rack
    • H05K7/1422—Printed circuit boards receptacles, e.g. stacked structures, electronic circuit modules or box like frames
    • H05K7/1427—Housings
    • H05K7/1432—Housings specially adapted for power drive units or power converters
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/14—Mounting supporting structure in casing or on frame or rack
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/14—Mounting supporting structure in casing or on frame or rack
    • H05K7/1422—Printed circuit boards receptacles, e.g. stacked structures, electronic circuit modules or box like frames
    • H05K7/1427—Housings
    • H05K7/1432—Housings specially adapted for power drive units or power converters
    • H05K7/14339—Housings specially adapted for power drive units or power converters specially adapted for high voltage operation
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49838—Geometry or layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

1. Силовой полупроводниковый модуль (1), включающий в себя по меньшей мере два электрически соединенных друг с другом силовых полупроводниковых блока (19, 20), содержащих управляемые силовые полупроводники, корпус (2, 3, 13) модуля, в котором расположены силовые полупроводниковые блоки (19, 20), и электрически изолирующие боковые стенки (13), и по меньшей мере одну присоединительную шину (9, 10, 11, 12, 21), которая распространяется сквозь боковые стенки (13) и соединена по меньшей мере с одним из силовых полупроводниковых блоков (19, 20), отличающийся тем, что изолирующие боковые стенки (13) выполнены в виде штабеля изолирующих и цельно выполненных частичных элементов (14, 15, 16), при этом частичные элементы (14) прилегают друг к другу контактными областями.2. Силовой полупроводниковый модуль (1) по п.1, отличающийся тем, что частичные элементы (14, 15, 16) выполнены замкнутыми в окружном направлении.3. Силовой полупроводниковый модуль (1) по п.2, отличающийся тем, что частичные элементы (14, 15, 16) снабжены по меньшей мере одним усилительным ребром (22).4. Силовой полупроводниковый модуль (1) по п.2, отличающийся тем, что по меньшей мере одна из присоединительных шин (9, 10, 11, 12, 21) пронизывает боковые стенки (13) между двумя частичными элементами (14, 15, 16).5. Силовой полупроводниковый модуль (1) по п.2, отличающийся тем, что по меньшей мере один из частичных элементов (14, 15, 16) в своей контактной области снабжен выемкой (23, 24, 25), сквозь которую распространяется одна из присоединительных шин (9, 10, 11, 12, 21).6. Силовой полупроводниковый модуль (1) по п.5, отличающийся тем, что выемка (23, 24, 25) и распространяющаяся сквозь нее присоединительная шина (9, 10, 11, 12, 21) выполнены дополняющими друг

Claims (10)

1. Силовой полупроводниковый модуль (1), включающий в себя по меньшей мере два электрически соединенных друг с другом силовых полупроводниковых блока (19, 20), содержащих управляемые силовые полупроводники, корпус (2, 3, 13) модуля, в котором расположены силовые полупроводниковые блоки (19, 20), и электрически изолирующие боковые стенки (13), и по меньшей мере одну присоединительную шину (9, 10, 11, 12, 21), которая распространяется сквозь боковые стенки (13) и соединена по меньшей мере с одним из силовых полупроводниковых блоков (19, 20), отличающийся тем, что изолирующие боковые стенки (13) выполнены в виде штабеля изолирующих и цельно выполненных частичных элементов (14, 15, 16), при этом частичные элементы (14) прилегают друг к другу контактными областями.
2. Силовой полупроводниковый модуль (1) по п.1, отличающийся тем, что частичные элементы (14, 15, 16) выполнены замкнутыми в окружном направлении.
3. Силовой полупроводниковый модуль (1) по п.2, отличающийся тем, что частичные элементы (14, 15, 16) снабжены по меньшей мере одним усилительным ребром (22).
4. Силовой полупроводниковый модуль (1) по п.2, отличающийся тем, что по меньшей мере одна из присоединительных шин (9, 10, 11, 12, 21) пронизывает боковые стенки (13) между двумя частичными элементами (14, 15, 16).
5. Силовой полупроводниковый модуль (1) по п.2, отличающийся тем, что по меньшей мере один из частичных элементов (14, 15, 16) в своей контактной области снабжен выемкой (23, 24, 25), сквозь которую распространяется одна из присоединительных шин (9, 10, 11, 12, 21).
6. Силовой полупроводниковый модуль (1) по п.5, отличающийся тем, что выемка (23, 24, 25) и распространяющаяся сквозь нее присоединительная шина (9, 10, 11, 12, 21) выполнены дополняющими друг друга по форме.
7. Силовой полупроводниковый модуль (1) по п.2, отличающийся тем, что частичные элементы (14, 15, 16) состоят из полимерного материала, усиленного волокном.
8. Силовой полупроводниковый модуль (1) по п.2, отличающийся тем, что каждый силовой полупроводниковый блок (19, 20) включает в себя силовые полупроводниковые микросхемы и корпус блока, в котором расположены эти силовые полупроводниковые микросхемы.
9. Силовой полупроводниковый модуль (1) по п.8, отличающийся тем, что силовые полупроводниковые микросхемы соединены друг с другом проволочными соединениями.
10. Силовой полупроводниковый модуль (1) по п.2, отличающийся тем, что изолирующие боковые стенки (13) распространяются между панелью (2) дна и панелью (3) крышки, при этом панель (2) дна и/или панель (3) крышки выполнены в виде охлаждающих панелей.
RU2011141435/07A 2009-03-13 2009-03-13 Силовой полупроводниковый модуль с боковыми стенками слоистой конструкции RU2492548C2 (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2009/002056 WO2010102654A1 (de) 2009-03-13 2009-03-13 Leistungshalbleitermodul mit schichtweise aufgebauten isolierenden seitenwänden

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011141435A true RU2011141435A (ru) 2013-04-20
RU2492548C2 RU2492548C2 (ru) 2013-09-10

Family

ID=41256009

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011141435/07A RU2492548C2 (ru) 2009-03-13 2009-03-13 Силовой полупроводниковый модуль с боковыми стенками слоистой конструкции

Country Status (9)

Country Link
US (1) US9210826B2 (ru)
EP (1) EP2407015B8 (ru)
KR (1) KR101502655B1 (ru)
CN (1) CN102349363B (ru)
BR (1) BRPI0924756B1 (ru)
DK (1) DK2407015T3 (ru)
ES (1) ES2398698T3 (ru)
RU (1) RU2492548C2 (ru)
WO (1) WO2010102654A1 (ru)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101855723B (zh) * 2007-11-13 2012-04-25 西门子公司 功率半导体模块
WO2013044966A1 (de) * 2011-09-29 2013-04-04 Siemens Aktiengesellschaft Stapelfähiger leistungshalbleiterschalter mit löt-bondtechnik
RU2546963C1 (ru) * 2013-10-21 2015-04-10 Юрий Иванович Сакуненко Устройство для отвода тепла от тепловыделяющих компонентов
US20160227660A1 (en) * 2015-02-03 2016-08-04 Alstom Technology Ltd Assembly of modules, module support and module
WO2017108104A1 (de) * 2015-12-22 2017-06-29 Siemens Aktiengesellschaft Elektrisches modul mit elektrischer komponente
KR101926716B1 (ko) * 2017-04-27 2018-12-07 엘에스산전 주식회사 파워반도체모듈
US11452227B2 (en) * 2017-06-02 2022-09-20 Bombardier Transportation Gmbh Power phase module of a converter, converter, and vehicle
KR102030712B1 (ko) 2018-02-23 2019-10-10 엘에스산전 주식회사 파워반도체모듈
US10985537B2 (en) * 2018-09-14 2021-04-20 Ge Aviation Systems Llc Power overlay architecture
RU2699759C1 (ru) * 2018-10-10 2019-09-10 Владимир Анатольевич Петров Блок электрической аппаратуры

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1202088A1 (ru) 1984-04-03 1985-12-30 Nagorny Mikhail A Взрывонепроницаема оболочка (ее варианты)
DE19726534A1 (de) 1997-06-23 1998-12-24 Asea Brown Boveri Leistungshalbleitermodul mit geschlossenen Submodulen
DE19839422A1 (de) 1998-08-29 2000-03-02 Asea Brown Boveri Explosionsschutz für Halbleitermodule
EP1263045A1 (en) 2001-06-01 2002-12-04 ABB Schweiz AG High power semiconductor module
DE60129146T2 (de) * 2001-12-24 2007-12-13 Abb Research Ltd. Modulgehäuse und Leistungshalbleitermodul
JP3830919B2 (ja) * 2003-06-12 2006-10-11 株式会社東芝 大型半導体モジュール
JP5192811B2 (ja) * 2004-09-10 2013-05-08 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 多重モールド樹脂を有する発光ダイオードパッケージ
US7327024B2 (en) 2004-11-24 2008-02-05 General Electric Company Power module, and phase leg assembly
JP4519637B2 (ja) * 2004-12-28 2010-08-04 株式会社東芝 半導体装置
DE112006004128A5 (de) 2006-09-14 2009-09-10 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Leistungshalbleitermodul mit Explosionsschutz
CN101855723B (zh) * 2007-11-13 2012-04-25 西门子公司 功率半导体模块

Also Published As

Publication number Publication date
WO2010102654A1 (de) 2010-09-16
KR20110129890A (ko) 2011-12-02
KR101502655B1 (ko) 2015-03-13
CN102349363B (zh) 2014-10-22
ES2398698T3 (es) 2013-03-21
US9210826B2 (en) 2015-12-08
EP2407015B8 (de) 2013-02-13
US20120001317A1 (en) 2012-01-05
DK2407015T3 (da) 2013-02-11
CN102349363A (zh) 2012-02-08
BRPI0924756B1 (pt) 2018-10-23
RU2492548C2 (ru) 2013-09-10
EP2407015B1 (de) 2012-12-26
BRPI0924756A2 (pt) 2016-01-26
EP2407015A1 (de) 2012-01-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2011141435A (ru) Силовой полупроводниковый модуль с боковыми стенками слоистой конструкции
JP6859304B2 (ja) メインバッテリ用バッテリモジュール
US9769962B2 (en) Motor controller
CN105580263B (zh) 电力转换装置
RU2015104002A (ru) Устройство защиты от утечки тока при затоплении
CN106716815B (zh) 电力变换装置
JP5727578B2 (ja) Ｄｃリンクコンデンサアセンブリ
WO2010124861A3 (de) Elektrisch antreibbares kraftfahrzeug
US20150245535A1 (en) Power Conversion Device
JP2011217550A5 (ru)
US20130271917A1 (en) Liquid-cooled arrangement having modular power semiconductor modules and at least one capacitor device, and power semiconductor module therefor
RU2011128443A (ru) Энергетический преобразовательный модуль с охлаждаемой ошиновкой
ATE400899T1 (de) Photovoltaisches modul
TW200642103A (en) Solar battery module
JP6330110B2 (ja) フィルムキャパシタ
RU2016103730A (ru) Многоуровневый преобразователь
TW200721335A (en) Semiconductor device
WO2006101258A3 (en) Power module
US20120064740A1 (en) Electric junction box
WO2012008745A3 (ko) 신규한 구조의 팩 케이스
SG169925A1 (en) Junction box
KR101838672B1 (ko) 전지모듈 및 전지셀
RU2011130865A (ru) Электрический блок с отдельными управляющими силовыми модулями
JP6401281B2 (ja) 電池モジュール及び電池セル
JP5655321B2 (ja) 電力変換装置