RU2011125548A - Способ изготовления органических электронных устройств - Google Patents
Способ изготовления органических электронных устройств Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011125548A RU2011125548A RU2011125548/02A RU2011125548A RU2011125548A RU 2011125548 A RU2011125548 A RU 2011125548A RU 2011125548/02 A RU2011125548/02 A RU 2011125548/02A RU 2011125548 A RU2011125548 A RU 2011125548A RU 2011125548 A RU2011125548 A RU 2011125548A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- poly
- organic
- accordance
- layer
- substrate
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 14
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract 7
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 17
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 7
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims 6
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims 5
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229920003050 poly-cycloolefin Polymers 0.000 claims 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims 3
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 claims 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 2
- LDLDYFCCDKENPD-UHFFFAOYSA-N ethenylcyclohexane Chemical compound C=CC1CCCCC1 LDLDYFCCDKENPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims 2
- NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N isobutane Chemical compound CC(C)C NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims 2
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 claims 2
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 claims 2
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 claims 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 2
- OEVVKKAVYQFQNV-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2,4-dimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=C(C=C)C(C)=C1 OEVVKKAVYQFQNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- IGGDKDTUCAWDAN-UHFFFAOYSA-N 1-vinylnaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(C=C)=CC=CC2=C1 IGGDKDTUCAWDAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GVLZQVREHWQBJN-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethyl-7-oxabicyclo[2.2.1]hepta-1,3,5-triene Chemical compound CC1=C(O2)C(C)=CC2=C1 GVLZQVREHWQBJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BXVVMSMTWXVEOH-UHFFFAOYSA-N 3,6-bis(difluoromethylidene)cyclohexa-1,4-diene Chemical group FC(F)=C1C=CC(=C(F)F)C=C1 BXVVMSMTWXVEOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 229910005265 GaInZnO Inorganic materials 0.000 claims 1
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 claims 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 claims 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoroethylene Chemical group FC(F)=C(F)Cl UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims 1
- WGXGKXTZIQFQFO-CMDGGOBGSA-N ethenyl (e)-3-phenylprop-2-enoate Chemical compound C=COC(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WGXGKXTZIQFQFO-CMDGGOBGSA-N 0.000 claims 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 1
- 235000013847 iso-butane Nutrition 0.000 claims 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 1
- 238000013086 organic photovoltaic Methods 0.000 claims 1
- HDBWAWNLGGMZRQ-UHFFFAOYSA-N p-Vinylbiphenyl Chemical group C1=CC(C=C)=CC=C1C1=CC=CC=C1 HDBWAWNLGGMZRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229920001596 poly (chlorostyrenes) Polymers 0.000 claims 1
- 229920000314 poly p-methyl styrene Polymers 0.000 claims 1
- 229920002587 poly(1,3-butadiene) polymer Polymers 0.000 claims 1
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 claims 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 claims 1
- 229920003251 poly(α-methylstyrene) Polymers 0.000 claims 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 claims 1
- 229920002776 polycyclohexyl methacrylate Polymers 0.000 claims 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims 1
- HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N prop-2-enylbenzene Chemical compound C=CCC1=CC=CC=C1 HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims 1
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 claims 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 235000014692 zinc oxide Nutrition 0.000 claims 1
- RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N zinc;oxygen(2-) Chemical class [O-2].[Zn+2] RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3435—Applying energy to the substrate during sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/20—Metallic material, boron or silicon on organic substrates
- C23C14/205—Metallic material, boron or silicon on organic substrates by cathodic sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/20—Metallic material, boron or silicon on organic substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3435—Applying energy to the substrate during sputtering
- C23C14/345—Applying energy to the substrate during sputtering using substrate bias
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/82—Electrodes
- H10K10/84—Ohmic electrodes, e.g. source or drain electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
1. Способ нанесения проводящего материала на органический материал посредством ионного нанесения покрытий несбалансированным магнетронным распылением с замкнутой областью.2. Способ изготовления оптического, электрооптического или органического электронного устройства или его компонента, включающий стадию нанесения слоя проводящего материала на слой органического материала посредством ионного нанесения покрытий несбалансированным магнетронным распылением с замкнутой областью.3. Способ в соответствии с п.1 или 2, отличающийся тем, что в нем применяют систему ионного нанесения покрытий магнетронным распылением, содержащую- механизм крепления для поддержания подложки, на которую наносят покрытие,- средства для создания электрического поля, создающие электрическое поле, направленное к указанной подложке, на которую наносят покрытие,- средства для создания магнитного поля, содержащие, по крайней мере, два магнетрона, каждый имеющий внутренний магнитный полюс и внешний магнитный полюс, при этом указанный внешний магнитный полюс имеет полярность, противоположную полярности указанного внутреннего магнитного полюса,где применяемая подложка, на которую наносят покрытие, располагается на указанном механизме крепления и является электрически смещенной посредством указанного электрического поля, являясь катодом, таким образом, притягивая ионы к подложке,и где, по крайней мере, один из указанных магнетронов представляет собой несбалансированный магнетрон, и указанный внешний магнитный полюс одного указанного магнетрона и указанный внешний кольцевой магнитный полюс другого соседнего магнетрона имеют пр
Claims (20)
1. Способ нанесения проводящего материала на органический материал посредством ионного нанесения покрытий несбалансированным магнетронным распылением с замкнутой областью.
2. Способ изготовления оптического, электрооптического или органического электронного устройства или его компонента, включающий стадию нанесения слоя проводящего материала на слой органического материала посредством ионного нанесения покрытий несбалансированным магнетронным распылением с замкнутой областью.
3. Способ в соответствии с п.1 или 2, отличающийся тем, что в нем применяют систему ионного нанесения покрытий магнетронным распылением, содержащую
- механизм крепления для поддержания подложки, на которую наносят покрытие,
- средства для создания электрического поля, создающие электрическое поле, направленное к указанной подложке, на которую наносят покрытие,
- средства для создания магнитного поля, содержащие, по крайней мере, два магнетрона, каждый имеющий внутренний магнитный полюс и внешний магнитный полюс, при этом указанный внешний магнитный полюс имеет полярность, противоположную полярности указанного внутреннего магнитного полюса,
где применяемая подложка, на которую наносят покрытие, располагается на указанном механизме крепления и является электрически смещенной посредством указанного электрического поля, являясь катодом, таким образом, притягивая ионы к подложке,
и где, по крайней мере, один из указанных магнетронов представляет собой несбалансированный магнетрон, и указанный внешний магнитный полюс одного указанного магнетрона и указанный внешний кольцевой магнитный полюс другого соседнего магнетрона имеют противоположную полярность и расположены достаточно близко друг к другу, таким образом, что между указанными внешними магнитными полюсами распространяется значительное магнитное поле, что предотвращает значительный уход ионизирующих электронов между соседними магнетронами так, что эти указанные электроны не теряются и способствуют повышению ионизации возле указанной электрически смещенной подложки,
и где указанные средства для создания магнитного поля создают удерживающее плазму магнитное поле, при этом указанное удерживающее плазму магнитное поле создается посредством непосредственного соединения магнитного потока между указанными внешними магнитными полюсами указанных соседних магнетронов, и где указанная подложка находится внутри указанного удерживающего плазму магнитного поля.
4. Способ в соответствии с п.1 или 2, отличающийся тем, что органический материал является диэлектрическим материалом.
5. Способ в соответствии с п.4, отличающийся тем, что слой органического материала является изолирующим слоем затвора.
6. Способ в соответствии с п.1 или 2, отличающийся тем, что органический материал является органическим полимером или сшитым органическим полимером.
7. Способ в соответствии с п.6, отличающийся тем, что органический материал выбирают из группы, состоящей из фторированных или перфторированных углеводородных полимеров, БЦБ (бензоциклобутена) или полимеров БЦБ, полиакрилатов, полициклоолефинов, фторированного параксилола, фторполиарилэфира, фторированного полиимида, полистирола, поли(α-метилстирола), поли(α-винилнафталина), поли(винилтолуола), полиэтилена, цис-полибутадиена, полипропилена, полиизопрена, поли(4-метил-1-пентена), поли(4-метилстирола), поли(хлортрифторэтилена), поли(2-метил-1,3-бутадиена), поли(п-ксилилена), поли(α-α-α'-α'тетрафтор-п-ксилилена), поли[1,1-(2-метилпропан)бис(4-фенил)карбоната], поли(циклогексилметакрилата), поли(хлорстирола), поли(2,6-диметил-1,4-фениленового эфира), полиизобутилена, поли(винилциклогексана), поли(винилциннамата), поли(4-винилбифенила), поли(1,3-бутадиена), полифенилена, полициклоолефинов, сополимеров регулярной структуры, статистических сополимеров или блоксополимеров поли(этилена/тетрафторэтилена), поли(этилена/хлортрифтор-этилена), фторированного сополимера этилена/пропилена, полистирол-со-α-метилстирола, сополимера этилена/этила и акрилата, поли(стирол/10% бутадиена), поли(стирол/15% бутадиена), поли(стирол/2,4 диметилстирола), и сополимеров, содержащих одну или более мономерных единиц вышеупомянутых полимеров.
8. Способ в соответствии с п.6, отличающийся тем, что органический материал выбирают из группы, состоящей из полипропилена, полиизобутилена, поли(4-метил-1-пентена), полиизопрена, поли(винилциклогексана), полимеров БЦБ, полиакрилатов, полициклоолефинов, фторированных углеводородных сополимеров, перфорированных углеводородных полимеров и сополимеров, содержащих одну или более мономерных единиц вышеупомянутых полимеров.
9. Способ в соответствии с п.8, отличающийся тем, что органический материал выбирают из полимеров БЦБ, полициклоолефинов и полиакрилатов.
10. Способ в соответствии с п.1 или 2, отличающийся тем, что органический материал имеет диэлектрическую проницаемость от 1.0 до 5.0.
11. Способ в соответствии с п.10, отличающийся тем, что органический материал имеет диэлектрическую проницаемость от 1.8 до 4.0.
12. Способ в соответствии с п.2, отличающийся тем, что слой проводящего материала является электродом.
13. Способ в соответствии с п.1 или 2, отличающийся тем, что проводящий материал выбирают из группы, состоящей из металлов, оксидов металлов, сульфидов металлов, нитридов металлов, углерода, оксида кремния, нитрида кремния, или смесей или комбинаций одного или более вышеупомянутых материалов.
14. Способ в соответствии с п.13, отличающийся тем, что проводящий материал выбирают из группы, состоящей из Аu, Аg, Сu, Al, Ni, Со, Сu, Cr, Pt, Pd, Ca, W, In, Pb, ОИО (оксид индия и олова), ОАЦ (оксиды алюминия и цинка) и GaInZnO.
15. Способ в соответствии с п.1 или 2, отличающийся тем, что слой распыленного проводящего материала имеет толщину от 5 нм до 1 мкм.
16. Способ в соответствии с п.1 или 2, отличающийся тем, что он содержит этапы нанесения электрода затвора (2) на подложку (1), нанесения диэлектрического слоя (3) на верх электрода затвора (2) и подложку (1), нанесения слоя проводящего материала на верх диэлектрического слоя (3) посредством способа ионного нанесения покрытий несбалансированным магнетронным распылением с замкнутой областью, и необязательно структурирование слоя проводящего материала для того, чтобы сформировать электроды (4) истока и стока, и нанесение полупроводникового слоя (5) на верх или между электродами (4) истока и стока.
17. Оптическое, электрооптическое или органическое электронное устройство, или его компонент, которые получают или получены способом в соответствии с одним или более пп.1-16.
18. Устройство или компонент в соответствии с п.17, отличающийся тем, что его выбирают из группы, состоящей из электрооптических дисплеев, жидкокристаллических дисплеев (ЖКД), устройств оптических накопителей информации, электронных устройств, органических полупроводников, органических полевых транзисторов (ОПТ), интегральных схем (ИС), органических тонкопленочных транзисторов (ОТПТ), этикеток радиочастотной идентификация (РЧИД), органических светодиодов (ОСД), органических светотранзисторов (ОСТ), электролюминесцентных дисплеев, органических фотогальванических (ОФГ) устройств, органических фотоэлементов (О-ФЭ), органических лазерных диодов (О-лазер), органических интегральных схем (О-ИС), осветительных устройств, дисплеев с плоским экраном (ДПЭ), сенсорных устройств, электродных материалов, фотопроводников, фотодетекторов, электрофотографических регистрирующих устройств, конденсаторов, инжекционных слоев, диодов Шоттки, планаризующих слоев, антистатических пленок, проводящих подложек, проводящих структур.
19. Устройство или компонент в соответствии с п.18, отличающийся тем, что он представляет собой органический тонкопленочный нижний затвор или органический полевой транзистор.
20. Устройство в соответствии с п.19, отличающееся тем, что оно содержит следующие компоненты, в последовательности, описанной ниже:
- необязательно подложку (1),
- электрод затвора (2),
- органический диэлектрический слой в качестве изолирующего слоя затвора (3),
- электроды истока и стока (4),
- органический полупроводниковый слой (5),
- необязательно защитный слой поверх полупроводникового слоя (5) и электродов истока и стока (4).
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB0821393A GB2465597A (en) | 2008-11-24 | 2008-11-24 | Magnetron sputter ion plating |
| GB0821393.6 | 2008-11-24 | ||
| PCT/EP2009/007985 WO2010057585A1 (en) | 2008-11-24 | 2009-11-09 | Process for the preparation of organic electronic devices |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011125548A true RU2011125548A (ru) | 2012-12-27 |
Family
ID=40230700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011125548/02A RU2011125548A (ru) | 2008-11-24 | 2009-11-09 | Способ изготовления органических электронных устройств |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20110227055A1 (ru) |
| JP (1) | JP2012509986A (ru) |
| KR (1) | KR20110098757A (ru) |
| CN (1) | CN102224274A (ru) |
| GB (2) | GB2465597A (ru) |
| RU (1) | RU2011125548A (ru) |
| TW (1) | TW201028488A (ru) |
| WO (1) | WO2010057585A1 (ru) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013120581A1 (en) * | 2012-02-15 | 2013-08-22 | Merck Patent Gmbh | Planarization layer for organic electronic devices |
| GB201209428D0 (en) * | 2012-05-28 | 2012-07-11 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic light-emitting device |
| CN102719799A (zh) * | 2012-06-08 | 2012-10-10 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 旋转磁控溅射靶及相应的磁控溅射装置 |
| WO2015076334A1 (ja) | 2013-11-21 | 2015-05-28 | 株式会社ニコン | トランジスタの製造方法およびトランジスタ |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9006073D0 (en) * | 1990-03-17 | 1990-05-16 | D G Teer Coating Services Limi | Magnetron sputter ion plating |
| US6423419B1 (en) * | 1995-07-19 | 2002-07-23 | Teer Coatings Limited | Molybdenum-sulphur coatings |
| US6726993B2 (en) * | 1997-12-02 | 2004-04-27 | Teer Coatings Limited | Carbon coatings, method and apparatus for applying them, and articles bearing such coatings |
| KR101064773B1 (ko) * | 2004-12-09 | 2011-09-14 | 삼성전자주식회사 | 유기박막 트랜지스터의 제조방법 |
| GB0503401D0 (en) * | 2005-02-18 | 2005-03-30 | Applied Multilayers Ltd | Apparatus and method for the application of material layer to display devices |
| KR101163791B1 (ko) * | 2006-05-16 | 2012-07-10 | 삼성전자주식회사 | 유기 전자소자의 전극형성 방법, 이에 의해 형성된 전극을포함하는 유기박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시소자 |
| CN101669225B (zh) * | 2007-04-25 | 2013-03-13 | 默克专利股份有限公司 | 电子器件的制备方法 |
-
2008
- 2008-11-24 GB GB0821393A patent/GB2465597A/en not_active Withdrawn
-
2009
- 2009-11-09 RU RU2011125548/02A patent/RU2011125548A/ru not_active Application Discontinuation
- 2009-11-09 CN CN2009801464231A patent/CN102224274A/zh active Pending
- 2009-11-09 KR KR1020117014716A patent/KR20110098757A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-11-09 JP JP2011536760A patent/JP2012509986A/ja active Pending
- 2009-11-09 WO PCT/EP2009/007985 patent/WO2010057585A1/en active Application Filing
- 2009-11-09 US US13/130,800 patent/US20110227055A1/en not_active Abandoned
- 2009-11-19 GB GB0920269A patent/GB2465483B/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-11-23 TW TW098139765A patent/TW201028488A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20110098757A (ko) | 2011-09-01 |
| TW201028488A (en) | 2010-08-01 |
| US20110227055A1 (en) | 2011-09-22 |
| CN102224274A (zh) | 2011-10-19 |
| GB0821393D0 (en) | 2008-12-31 |
| WO2010057585A1 (en) | 2010-05-27 |
| GB2465483A (en) | 2010-05-26 |
| GB0920269D0 (en) | 2010-01-06 |
| GB2465483B (en) | 2011-02-23 |
| GB2465597A (en) | 2010-05-26 |
| JP2012509986A (ja) | 2012-04-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8373198B2 (en) | Substrate including thin film transistor, method of manufacturing the substrate, and organic light emitting display apparatus including the substrate | |
| US8518285B2 (en) | Substrate section for flexible display device, method of manufacturing the substrate section, and method of manufacturing organic light emitting display device including the substrate | |
| US10665721B1 (en) | Manufacturing method of flexible TFT backplane and flexible TFT backplane | |
| US20110175073A1 (en) | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same | |
| US8999749B2 (en) | Method for manufacturing organic semiconductor element, and organic semiconductor element | |
| CA2419704A1 (en) | Method of manufacturing a pixel with organic light-emitting diode | |
| WO2018040608A1 (zh) | 氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置 | |
| US20110121301A1 (en) | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same | |
| Yoo et al. | Top‐Split‐Gate Ambipolar Organic Thin‐Film Transistors | |
| Höppner et al. | Precise patterning of organic semiconductors by reactive ion etching | |
| US9508806B2 (en) | Electronic device, image display device and sensor, and method for manufacturing electronic device | |
| RU2011125548A (ru) | Способ изготовления органических электронных устройств | |
| US8766262B2 (en) | Organic light-emitting display device preventing edge defects between pixel define layer and pixel electrode, and method of manufacturing the same | |
| US9548465B2 (en) | Electronic device, image display apparatus, and substrate for configuring image display apparatus | |
| WO2015137022A1 (ja) | 電子デバイス及びその製造方法 | |
| WO2012141225A1 (ja) | 有機半導体素子の製造方法 | |
| KR101495348B1 (ko) | 투명 박막트랜지스터의 제조방법 | |
| KR20050031858A (ko) | 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법 | |
| Smith | Integration of pentacene-based thin film transistors via photolithography for low and high voltage applications | |
| KR101766007B1 (ko) | 양성자빔을 이용한 유기 반도체 소자 제조방법 | |
| Song et al. | Flexible Displays | |
| JP2015019000A (ja) | 電子デバイス及びその製造方法、並びに、画像表示装置及び画像表示装置を構成する基板 | |
| Zhang et al. | Dependence of the carrier transport characteristics on the buried layer thickness in ambipolar double-layer organic field-effect transistors investigated by electrical and optical measurements | |
| JP2018060858A (ja) | 半導体素子および半導体素子の製造方法 | |
| JP2005286025A (ja) | 有機半導体素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA92 | Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted) |
Effective date: 20141017 |