RU2010154507A - Многоспектральный датчик - Google Patents
Многоспектральный датчик Download PDFInfo
- Publication number
- RU2010154507A RU2010154507A RU2010154507/28A RU2010154507A RU2010154507A RU 2010154507 A RU2010154507 A RU 2010154507A RU 2010154507/28 A RU2010154507/28 A RU 2010154507/28A RU 2010154507 A RU2010154507 A RU 2010154507A RU 2010154507 A RU2010154507 A RU 2010154507A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- radiation
- sensor
- antenna
- spectrum
- combined
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract 32
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims abstract 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 241001465754 Metazoa Species 0.000 claims 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000000701 chemical imaging Methods 0.000 claims 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/30—Measuring the intensity of spectral lines directly on the spectrum itself
- G01J3/36—Investigating two or more bands of a spectrum by separate detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/42—Absorption spectrometry; Double beam spectrometry; Flicker spectrometry; Reflection spectrometry
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14649—Infrared imagers
- H01L27/14652—Multispectral infrared imagers, having a stacked pixel-element structure, e.g. npn, npnpn or MQW structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
- H01L27/14669—Infrared imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
1. Многоспектральный датчик (1), имеющий подложку (2) с комплементарной структурой металл-оксид-полупроводник и с микросхемой, по меньшей мере одно состоящее из антенны (3) и приемника (4) комбинированное устройство для детектирования излучения терагерцового диапазона, по меньшей мере одно устройство (5) для детектирования излучения средней инфракрасной области спектра и по меньшей мере один диод (6) для детектирования излучения в диапазоне от видимой до ближней инфракрасной областей спектра. ! 2. Датчик (1) по п.1, отличающийся тем, что состоящее из антенны (3) и приемника (4) комбинированное устройство представляет собой состоящее из антенны и болометра комбинированное устройство или состоящее из антенны и диода комбинированное устройство, прежде всего состоящее из антенны и болометра, из антенны и диода Шотки или из антенны и диода со структурой металл-диэлектрик-металл комбинированное устройство, и/или устройство (5) для детектирования излучения средней инфракрасной области спектра представляет собой болометр или диод со структурой металл-диэлектрик-металл. ! 3. Датчик (1) по п.1, отличающийся тем, что он имеет по меньшей мере два разных состоящих из антенн (3) и приемников (4) комбинированных устройства, рассчитанных на детектирование излучения в разных разнесенных друг от друга или граничащих друг с другом либо перекрывающихся между собой частотных диапазонах, и/или по меньшей мере два разных устройства (5) для детектирования излучения средней инфракрасной области спектра, рассчитанных на детектирование излучения в разных разнесенных друг от друга или граничащих друг с другом либо перекрывающихся между собой част�
Claims (15)
1. Многоспектральный датчик (1), имеющий подложку (2) с комплементарной структурой металл-оксид-полупроводник и с микросхемой, по меньшей мере одно состоящее из антенны (3) и приемника (4) комбинированное устройство для детектирования излучения терагерцового диапазона, по меньшей мере одно устройство (5) для детектирования излучения средней инфракрасной области спектра и по меньшей мере один диод (6) для детектирования излучения в диапазоне от видимой до ближней инфракрасной областей спектра.
2. Датчик (1) по п.1, отличающийся тем, что состоящее из антенны (3) и приемника (4) комбинированное устройство представляет собой состоящее из антенны и болометра комбинированное устройство или состоящее из антенны и диода комбинированное устройство, прежде всего состоящее из антенны и болометра, из антенны и диода Шотки или из антенны и диода со структурой металл-диэлектрик-металл комбинированное устройство, и/или устройство (5) для детектирования излучения средней инфракрасной области спектра представляет собой болометр или диод со структурой металл-диэлектрик-металл.
3. Датчик (1) по п.1, отличающийся тем, что он имеет по меньшей мере два разных состоящих из антенн (3) и приемников (4) комбинированных устройства, рассчитанных на детектирование излучения в разных разнесенных друг от друга или граничащих друг с другом либо перекрывающихся между собой частотных диапазонах, и/или по меньшей мере два разных устройства (5) для детектирования излучения средней инфракрасной области спектра, рассчитанных на детектирование излучения в разных разнесенных друг от друга или граничащих друг с другом либо перекрывающихся между собой частотных диапазонах, и/или по меньшей мере два разных диода (6) для детектирования излучения в диапазоне от видимой до ближней инфракрасной областей спектра, рассчитанных на детектирование излучения в разных разнесенных друг от друга или граничащих друг с другом либо перекрывающихся между собой частотных диапазонах.
4. Датчик (1) по п.1, отличающийся тем, что он имеет по меньшей мере два разных состоящих из антенн (3) и приемников (4) комбинированных устройства, выполненных таким образом, что терагерцовый диапазон подразделяется на по меньшей мере два поддиапазона, каждый из которых соотнесен соответственно с одним из состоящих из антенн (3) и приемников (4) комбинированных устройств.
5. Датчик (1) по п.1, отличающийся тем, что он имеет по меньшей мере два состоящих из антенн (3) и приемников (4) комбинированных устройства с антеннами разного конструктивного исполнения.
6. Датчик (1) по п.1, отличающийся тем, что он имеет по меньшей мере два разных состоящих из антенн (3) и приемников (4) комбинированных устройства, рассчитанных на детектирование излучения в предпочтительно детектируемых полосах частот терагерцового диапазона.
7. Датчик (1) по п.1, отличающийся тем, что он имеет множество состоящих из антенн (3) и приемников (4) комбинированных устройств, устройств (5) для детектирования излучения средней инфракрасной области спектра и диодов (6) для детектирования излучения в диапазоне от видимой до ближней инфракрасной областей спектра, при этом состоящие из антенн (3) и приемников (4) комбинированные устройства, устройства (5) для детектирования излучения средней инфракрасной области спектра и диоды (6) для детектирования излучения в диапазоне от видимой до ближней инфракрасной областей спектра расположены в виде растра.
8. Датчик (1) по одному из пп.1-7, отличающийся тем, что состоящие из антенн (3) и приемников (4) комбинированные устройства, устройства (5) для детектирования излучения средней инфракрасной области спектра и диоды (6) для детектирования излучения в диапазоне от видимой до ближней инфракрасной областей спектра расположены на нем в виде пикселей растра размером по меньшей мере 20×20 пикселей, например по меньшей мере 50×50 пикселей, прежде всего по меньшей мере 100×100 пикселей.
9. Датчик (1) по пп.1-7, отличающийся тем, что состоящие из антенн (3) и приемников (4) комбинированные устройства, устройства (5) для детектирования излучения средней инфракрасной области спектра и диоды (6) для детектирования излучения в диапазоне от видимой до ближней инфракрасной областей спектра расположены на нем по симметричной схеме.
10. Датчик (1) по пп.1-7, отличающийся тем, что антенна(-ы) (3) имеет(-ют) металлический слой, и/или полупроводниковый слой, и/или слой из одного или нескольких электропроводных полимеров и/или слой на основе углеродных нанотрубок, проницаемые/проницаемый для излучения в диапазоне от видимой до ближней инфракрасной областей спектра и/или излучения средней инфракрасной области спектра.
11. Датчик (1) по пп.1-7, отличающийся тем, что под антенной(-ами) (3) состоящего(-их) из антенны(антенн) (3) и приемника(-ов) (4) комбинированного(-ых) устройства(устройств) расположено одно или несколько устройств (5) для детектирования излучения средней инфракрасной области спектра и/или расположен один или несколько диодов (6) для детектирования излучения в диапазоне от видимой до ближней инфракрасной областей спектра.
12. Датчик (1) по пп.1-7, отличающийся тем, что антенна(-ы) (3) расположена(-ы) на одной или нескольких подложках из не обладающего гальванической проводимостью материала.
13. Датчик (1) по пп.1-7, отличающийся тем, что он имеет многоспектральную оптику, преимущественно отражательную оптику, и/или электронные схемы обработки.
14. Многоспектральная система формирования изображений и/или спектроскопическая система с датчиком по одному из предыдущих пунктов и источником излучения терагерцового диапазона.
15. Способ обнаружения и/или исследования живых организмов, прежде всего людей и животных, предметов и материалов с применением системы по п.14, в которой источник излучения терагерцового диапазона излучает в узкой полосе частот терагерцового диапазона, положение которой изменяют в пределах широкого частотного диапазона, при этом датчиком (1) по одному из пп.1-13 детектируют прошедшее, отраженное и/или рассеянное излучение.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008002270A DE102008002270A1 (de) | 2008-06-06 | 2008-06-06 | Multispektraler Sensor |
DE102008002270.5 | 2008-06-06 | ||
PCT/EP2009/056603 WO2009147085A1 (de) | 2008-06-06 | 2009-05-29 | Multispektraler sensor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2010154507A true RU2010154507A (ru) | 2012-07-20 |
RU2532650C2 RU2532650C2 (ru) | 2014-11-10 |
Family
ID=41066480
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2010154507/28A RU2532650C2 (ru) | 2008-06-06 | 2009-05-29 | Многоспектральный датчик |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8816282B2 (ru) |
EP (1) | EP2300791A1 (ru) |
DE (1) | DE102008002270A1 (ru) |
RU (1) | RU2532650C2 (ru) |
WO (1) | WO2009147085A1 (ru) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7057256B2 (en) | 2001-05-25 | 2006-06-06 | President & Fellows Of Harvard College | Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices |
US7442629B2 (en) | 2004-09-24 | 2008-10-28 | President & Fellows Of Harvard College | Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate |
US9472699B2 (en) | 2007-11-13 | 2016-10-18 | Battelle Energy Alliance, Llc | Energy harvesting devices, systems, and related methods |
US8149170B2 (en) * | 2007-12-17 | 2012-04-03 | The Regents Of The University Of California | Carbon nanotube based variable frequency patch-antenna |
US9911781B2 (en) | 2009-09-17 | 2018-03-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
US9673243B2 (en) | 2009-09-17 | 2017-06-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
CN102128841B (zh) * | 2010-01-13 | 2015-04-08 | 东南大学 | 一种太赫兹成像系统的探测装置 |
US8692198B2 (en) | 2010-04-21 | 2014-04-08 | Sionyx, Inc. | Photosensitive imaging devices and associated methods |
WO2011160130A2 (en) | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Sionyx, Inc | High speed photosensitive devices and associated methods |
US9496308B2 (en) | 2011-06-09 | 2016-11-15 | Sionyx, Llc | Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods |
EP2732402A2 (en) | 2011-07-13 | 2014-05-21 | Sionyx, Inc. | Biometric imaging devices and associated methods |
US8389939B1 (en) * | 2011-09-26 | 2013-03-05 | Rockwell Collins, Inc. | System and method of dual energy radiation detection |
EP2618128A1 (en) * | 2012-01-19 | 2013-07-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Detecting device, detector, and imaging apparatus using the same |
US8847824B2 (en) | 2012-03-21 | 2014-09-30 | Battelle Energy Alliance, Llc | Apparatuses and method for converting electromagnetic radiation to direct current |
US9064764B2 (en) | 2012-03-22 | 2015-06-23 | Sionyx, Inc. | Pixel isolation elements, devices, and associated methods |
RU2507542C2 (ru) * | 2012-08-27 | 2014-02-20 | Асхат Хайдарович Кутлубаев | Способ визуализации электромагнитных излучений и устройство для его реализации |
US8975594B2 (en) | 2012-11-09 | 2015-03-10 | Ge Aviation Systems Llc | Mixed-material multispectral staring array sensor |
KR20150130303A (ko) | 2013-02-15 | 2015-11-23 | 사이오닉스, 아이엔씨. | 안티 블루밍 특성 및 관련 방법을 가지는 높은 동적 범위의 cmos 이미지 센서 |
US9939251B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-04-10 | Sionyx, Llc | Three dimensional imaging utilizing stacked imager devices and associated methods |
JP2014235146A (ja) * | 2013-06-05 | 2014-12-15 | セイコーエプソン株式会社 | テラヘルツ波検出装置、カメラ、イメージング装置および計測装置 |
US9209345B2 (en) | 2013-06-29 | 2015-12-08 | Sionyx, Inc. | Shallow trench textured regions and associated methods |
CN103398776A (zh) * | 2013-08-20 | 2013-11-20 | 西北核技术研究所 | 一种过模大功率脉冲太赫兹功率探测器 |
DE102015204137A1 (de) * | 2015-03-09 | 2016-09-15 | Robert Bosch Gmbh | Halbleitervorrichtung mit einer Trench-Schottky-Barrier-Schottky-Diode |
US10340459B2 (en) * | 2016-03-22 | 2019-07-02 | International Business Machines Corporation | Terahertz detection and spectroscopy with films of homogeneous carbon nanotubes |
US11237103B2 (en) * | 2018-05-31 | 2022-02-01 | Socovar Sec | Electronic device testing system, electronic device production system including same and method of testing an electronic device |
CN112802827B (zh) * | 2019-11-14 | 2024-03-01 | 华为技术有限公司 | 像素结构和图像传感器 |
US11888233B2 (en) * | 2020-04-07 | 2024-01-30 | Ramot At Tel-Aviv University Ltd | Tailored terahertz radiation |
CN113418891A (zh) * | 2021-07-14 | 2021-09-21 | 青岛大学 | 一种检测车辆底部安全的太赫兹地面检测系统及其检测方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DD281104A7 (de) | 1987-12-16 | 1990-08-01 | Univ Dresden Tech | Multispektraler sensor |
US5446284A (en) * | 1994-01-25 | 1995-08-29 | Loral Infrared & Imaging Systems, Inc. | Monolithic detector array apparatus |
US6310346B1 (en) * | 1997-05-30 | 2001-10-30 | University Of Central Florida | Wavelength-tunable coupled antenna uncooled infrared (IR) sensor |
US6465786B1 (en) * | 1999-09-01 | 2002-10-15 | Micron Technology, Inc. | Deep infrared photodiode for a CMOS imager |
US20020160711A1 (en) | 2001-04-30 | 2002-10-31 | Carlson Bradley S. | Imager integrated CMOS circuit chip and associated optical code reading systems |
US20040256561A1 (en) * | 2003-06-17 | 2004-12-23 | Allyson Beuhler | Wide band light sensing pixel array |
US7064328B2 (en) * | 2003-10-22 | 2006-06-20 | Northrop Grumman Corporation | Ultra sensitive silicon sensor millimeter wave passive imager |
US6987484B2 (en) * | 2003-11-07 | 2006-01-17 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Forderung Der Wissenschaften E.V. | Detector for electromagnetic radiation and a method of detecting electromagnetic radiation |
US7038623B2 (en) * | 2003-12-04 | 2006-05-02 | Raytheon Company | Method and apparatus for detecting radiation at one wavelength using a detector for a different wavelength |
US7095027B1 (en) * | 2004-02-25 | 2006-08-22 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Multispectral multipolarization antenna-coupled infrared focal plane array |
EP1969391B1 (en) * | 2005-12-12 | 2014-07-16 | Irina Puscasu | Thin film emitter-absorber apparatus and methods |
US7459686B2 (en) * | 2006-01-26 | 2008-12-02 | L-3 Communications Corporation | Systems and methods for integrating focal plane arrays |
JP4221424B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2009-02-12 | 株式会社東芝 | 固体撮像素子及びその製造方法並びに撮像装置 |
WO2008028512A1 (de) * | 2006-09-08 | 2008-03-13 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Bolometer und verfahren zum herstellen eines bolometers |
RU2325729C1 (ru) * | 2006-10-17 | 2008-05-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский университет дружбы народов" (РУДН) | Неохлаждаемый металлический болометр |
JP4398972B2 (ja) * | 2006-12-11 | 2010-01-13 | 株式会社東芝 | 電磁波センサ、撮像素子及び撮像装置 |
US7705309B1 (en) * | 2007-02-27 | 2010-04-27 | Agiltron Corporation | Radiation detector with extended dynamic range |
JP2008241465A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Toshiba Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
US7501636B1 (en) * | 2007-09-20 | 2009-03-10 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Nanotunneling junction-based hyperspectal polarimetric photodetector and detection method |
US7847254B2 (en) * | 2007-12-20 | 2010-12-07 | Ncr Corporation | Photoconductive device |
-
2008
- 2008-06-06 DE DE102008002270A patent/DE102008002270A1/de not_active Withdrawn
-
2009
- 2009-05-29 US US12/989,436 patent/US8816282B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-05-29 RU RU2010154507/28A patent/RU2532650C2/ru active
- 2009-05-29 WO PCT/EP2009/056603 patent/WO2009147085A1/de active Application Filing
- 2009-05-29 EP EP09757467A patent/EP2300791A1/de not_active Ceased
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102008002270A1 (de) | 2009-12-17 |
RU2532650C2 (ru) | 2014-11-10 |
US8816282B2 (en) | 2014-08-26 |
US20110194100A1 (en) | 2011-08-11 |
EP2300791A1 (de) | 2011-03-30 |
WO2009147085A1 (de) | 2009-12-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2010154507A (ru) | Многоспектральный датчик | |
US8791851B2 (en) | Hybrid millimeter wave imaging system | |
US20120133775A1 (en) | System and method for detecting explosive agents using swir, mwir, and lwir hyperspectral imaging | |
US9103714B2 (en) | System and methods for explosives detection using SWIR | |
CN107076665B (zh) | 包括光栅结构的光传感器模块和光谱仪 | |
Wang et al. | A liquid crystal tunable filter based shortwave infrared spectral imaging system: Design and integration | |
WO2010093806A3 (en) | High-resolution optical code imaging using a color imager | |
WO2006013379A3 (en) | Scanning portal imager | |
US20110242533A1 (en) | System and Method for Detecting Hazardous Agents Including Explosives | |
US20120154792A1 (en) | Portable system for detecting hazardous agents using SWIR and method for use thereof | |
US20130161514A1 (en) | High-speed giga-terahertz imaging device and method | |
JP2019192903A5 (ru) | ||
Becker et al. | From visual spectrum to millimeter wave: A broad spectrum of solutions for food inspection | |
US20230106357A1 (en) | Optical sensor device | |
Gabrieli et al. | Standoff Mid‐Infrared Emissive Imaging Spectroscopy for Identification and Mapping of Materials in Polychrome Objects | |
US20120145906A1 (en) | Portable system for detecting explosives and a method of use thereof | |
WO2021009280A1 (en) | Spectrometer device | |
CN111141702A (zh) | 基于探测梳原理的高频率分辨率阵列化太赫兹成像系统 | |
Lohumi et al. | LCTF-based multispectral fluorescence imaging: System development and potential for real-time foreign object detection in fresh-cut vegetable processing | |
KR102240757B1 (ko) | Lctf-기반 다분광 영상 기술을 이용한 가공 채소류 내 포함된 이물질 실시간 검출 시스템 | |
US20160143565A1 (en) | Optical unit and optical analysis device | |
Crocombe | The future of portable spectroscopy | |
Crocombe | Portable spectroscopy in 2019: smaller, cheaper and in consumer products? | |
Agapiou et al. | Discriminant analysis of olive oil mill wastes using spectroradiometers in the visible and near infrared part of the spectrum | |
RU2014112148A (ru) | Способ агрохимического обследования почв |