RU2010152872A - Способ изготовления полупроводниковой структуры - Google Patents
Способ изготовления полупроводниковой структуры Download PDFInfo
- Publication number
- RU2010152872A RU2010152872A RU2010152872/28A RU2010152872A RU2010152872A RU 2010152872 A RU2010152872 A RU 2010152872A RU 2010152872/28 A RU2010152872/28 A RU 2010152872/28A RU 2010152872 A RU2010152872 A RU 2010152872A RU 2010152872 A RU2010152872 A RU 2010152872A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor structure
- temperature
- producing semiconductor
- ammonia
- silicon wafer
- Prior art date
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
Способ изготовления полупроводниковой структуры, включающий кремниевую пластину, отличающийся тем, что после формирования пористого слоя кремния на кремниевой пластине проводят азотирование слоя пористого кремния в среде аммиака при температуре 1000°С в течение 1-2 ч с последующим отжигом при температуре 1200°С в атмосфере аммиака при давлении (9-10)·106 Па.
Claims (1)
- Способ изготовления полупроводниковой структуры, включающий кремниевую пластину, отличающийся тем, что после формирования пористого слоя кремния на кремниевой пластине проводят азотирование слоя пористого кремния в среде аммиака при температуре 1000°С в течение 1-2 ч с последующим отжигом при температуре 1200°С в атмосфере аммиака при давлении (9-10)·106 Па.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2010152872/28A RU2461090C1 (ru) | 2010-12-23 | 2010-12-23 | Способ изготовления полупроводниковой структуры |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2010152872/28A RU2461090C1 (ru) | 2010-12-23 | 2010-12-23 | Способ изготовления полупроводниковой структуры |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2010152872A true RU2010152872A (ru) | 2012-06-27 |
| RU2461090C1 RU2461090C1 (ru) | 2012-09-10 |
Family
ID=46681654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2010152872/28A RU2461090C1 (ru) | 2010-12-23 | 2010-12-23 | Способ изготовления полупроводниковой структуры |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2461090C1 (ru) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1696385A1 (ru) * | 1988-05-24 | 1991-12-07 | Институт структурной макрокинетики АН СССР | Способ получени нитрида кремни |
| US5013681A (en) * | 1989-09-29 | 1991-05-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of producing a thin silicon-on-insulator layer |
| RU2070350C1 (ru) * | 1992-10-26 | 1996-12-10 | Владимир Анатольевич Хаустов | Способ изготовления кремния на изоляторе структур |
| US6103598A (en) * | 1995-07-13 | 2000-08-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing semiconductor substrate |
| RU2123218C1 (ru) * | 1997-03-04 | 1998-12-10 | Институт физики полупроводников СО РАН | Способ получения структуры "полупроводник на пористом кремнии" |
| RU2378740C1 (ru) * | 2008-06-09 | 2010-01-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова | Способ изготовления полупроводниковой структуры |
-
2010
- 2010-12-23 RU RU2010152872/28A patent/RU2461090C1/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2461090C1 (ru) | 2012-09-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2012084860A5 (ru) | ||
| TWD189313S (zh) | 用於半導體製造設備的承載器 | |
| TWD153878S (zh) | 基板運送用固持構件 | |
| JP2014007381A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| EP4102586A3 (en) | Optoelectronic device | |
| EP2770545A3 (en) | Growth substrate, nitride semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| TW201614738A (en) | Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device | |
| SG165262A1 (en) | Substrate etching method and system | |
| EP3007209A4 (en) | Method for manufacturing sic single-crystal substrate for epitaxial sic wafer, and sic single-crystal substrate for epitaxial sic wafer | |
| JP2015079945A5 (ru) | ||
| EP3032574A4 (en) | Silicon carbide semiconductor substrate, method for producing same, and method for producing silicon carbide semiconductor device | |
| JP2015079946A5 (ru) | ||
| JP2017117941A5 (ru) | ||
| EP2660366A4 (en) | SILICON CARBIDE SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, PROCESS FOR PRODUCING THE SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND METHOD FOR PRODUCING THE SEMICONDUCTOR DEVICE | |
| EP3035371A4 (en) | Silicon carbide semiconductor substrate, method for producing same, and method for producing silicon carbide semiconductor device | |
| WO2017052308A3 (ko) | 유기소자에 사용되는 유기화합물 및 이를 이용한 유기소자의 제조방법 | |
| GB2514711A (en) | Power semiconductor device and method for manufacturing thereof | |
| ATE535937T1 (de) | Herstellungsverfahren für ein hybrid- halbleitersubstrat | |
| JP2012023350A5 (ru) | ||
| JP2014007398A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| MY161427A (en) | Method for producing silicon layers | |
| EP2982783A4 (en) | Compound semiconductor wafer, photoelectric conversion element, and method for producing group iii-v compound semiconductor single crystals | |
| RU2010152872A (ru) | Способ изготовления полупроводниковой структуры | |
| RU2013130125A (ru) | Способ изготовления тонкого слоя диоксида кремния | |
| FI20115255A0 (fi) | Yhdistelmäpuolijohdesubstraatti, puolijohdelaite, ja valmistusmenetelmä |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20131224 |