RU2010123407A - Способ выращивания профилированных кристаллов в виде полых тел вращения и устройство для его осуществления - Google Patents
Способ выращивания профилированных кристаллов в виде полых тел вращения и устройство для его осуществления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2010123407A RU2010123407A RU2010123407/05A RU2010123407A RU2010123407A RU 2010123407 A RU2010123407 A RU 2010123407A RU 2010123407/05 A RU2010123407/05 A RU 2010123407/05A RU 2010123407 A RU2010123407 A RU 2010123407A RU 2010123407 A RU2010123407 A RU 2010123407A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- former
- melt
- meniscus
- working surface
- product
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
1. Способ получения полых кристаллических изделий в виде тел вращения с заданной формой боковой поверхности из расплава, включающий затравливание с созданием мениска расплава на рабочей поверхности формообразователя и формирование боковой поверхности изделия путем его вертикального подъема, его одновременного вращения вокруг вертикальной оси и относительного горизонтального смещения оси вращения изделия и формообразователя, отличающийся тем, что, с целью получения крупногабаритных изделий и повышения их структурного совершенства, с увеличением площади поперечного сечения изделия производят увеличение поверхности соприкосновения мениска с рабочей поверхностью формообразователя, при этом на участках контура соприкосновения мениска расплава с поверхностью формообразователя, определяющих внутренний и наружный радиусы полого кристаллического изделия, выполняют условие зацепления мениска за кромки формообразователя, а на остальных участках контура соприкосновения мениска расплава с поверхностью формообразователя поддерживают условие смачивания. ! 2. Устройство для выращивания профилированных кристаллов из расплава в форме полых тел вращения, включающее тигель с расплавом, формообразователь, введенный в расплав тигля, затравкодержатель, установленный с возможностью вращения, вертикального и горизонтального перемещения, отличающееся тем, что, с целью получения крупногабаритных изделий и повышения их структурного совершенства, рабочая поверхность формообразователя выполнена в виде полосы с наклоном в сторону затравкодержателя. ! 3. Устройство по п.2, отличающееся тем, что кромки рабочей пов�
Claims (4)
1. Способ получения полых кристаллических изделий в виде тел вращения с заданной формой боковой поверхности из расплава, включающий затравливание с созданием мениска расплава на рабочей поверхности формообразователя и формирование боковой поверхности изделия путем его вертикального подъема, его одновременного вращения вокруг вертикальной оси и относительного горизонтального смещения оси вращения изделия и формообразователя, отличающийся тем, что, с целью получения крупногабаритных изделий и повышения их структурного совершенства, с увеличением площади поперечного сечения изделия производят увеличение поверхности соприкосновения мениска с рабочей поверхностью формообразователя, при этом на участках контура соприкосновения мениска расплава с поверхностью формообразователя, определяющих внутренний и наружный радиусы полого кристаллического изделия, выполняют условие зацепления мениска за кромки формообразователя, а на остальных участках контура соприкосновения мениска расплава с поверхностью формообразователя поддерживают условие смачивания.
2. Устройство для выращивания профилированных кристаллов из расплава в форме полых тел вращения, включающее тигель с расплавом, формообразователь, введенный в расплав тигля, затравкодержатель, установленный с возможностью вращения, вертикального и горизонтального перемещения, отличающееся тем, что, с целью получения крупногабаритных изделий и повышения их структурного совершенства, рабочая поверхность формообразователя выполнена в виде полосы с наклоном в сторону затравкодержателя.
3. Устройство по п.2, отличающееся тем, что кромки рабочей поверхности формообразователя могут быть выполнены криволинейными, например в виде дуги окружности, параболы, гиперболы, либо прямолинейными.
4. Устройство по п.2, отличающееся тем, что используют несколько отдельных формообразователей, формирующих несколько менисков расплава.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2010123407/05A RU2451117C2 (ru) | 2010-06-09 | 2010-06-09 | Устройство для выращивания профилированных кристаллов в виде полых тел вращения |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2010123407/05A RU2451117C2 (ru) | 2010-06-09 | 2010-06-09 | Устройство для выращивания профилированных кристаллов в виде полых тел вращения |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2010123407A true RU2010123407A (ru) | 2011-12-20 |
RU2451117C2 RU2451117C2 (ru) | 2012-05-20 |
Family
ID=45403760
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2010123407/05A RU2451117C2 (ru) | 2010-06-09 | 2010-06-09 | Устройство для выращивания профилированных кристаллов в виде полых тел вращения |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2451117C2 (ru) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104088010B (zh) * | 2014-07-31 | 2016-09-21 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种直接成型蓝宝石整流罩的方法 |
RU2751119C1 (ru) * | 2020-05-04 | 2021-07-08 | Закрытое акционерное общество "Ростокс-Н" | Способ получения трехмерных объектов послойной кристаллизацией |
RU2743354C1 (ru) * | 2020-08-31 | 2021-02-17 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) | Способ получения торцевых поверхностей с кривизной на монокристаллах сапфира |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU144153A1 (ru) * | 1961-04-27 | 1961-11-30 | Ф.К. Волынец | Способ получени монокристаллов в виде полых тел вращени |
BE791024A (fr) * | 1971-11-08 | 1973-05-07 | Tyco Laboratories Inc | Procede pour developper des cristaux a partir d'un bain d'une matiere |
RU2265088C1 (ru) * | 2004-05-18 | 2005-11-27 | Бородин Алексей Владимирович | Способ выращивания профилированных кристаллов из расплава |
-
2010
- 2010-06-09 RU RU2010123407/05A patent/RU2451117C2/ru active IP Right Revival
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2451117C2 (ru) | 2012-05-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2010123407A (ru) | Способ выращивания профилированных кристаллов в виде полых тел вращения и устройство для его осуществления | |
CN204180862U (zh) | 一种阿胶枣用去枣核机 | |
FR2974580B1 (fr) | Recipient pour la culture in vitro de materiel vegetal en conditions steriles, par immersion temporaire | |
JP2012513950A5 (ru) | ||
WO2012151155A3 (en) | Apparatus and method for producing a multicrystalline material having large grain sizes | |
CN202396262U (zh) | 一种实验用分根无土栽培定植箱 | |
CN102828232A (zh) | 三维蓝宝石晶体生长装置 | |
CN205794389U (zh) | 一种一体成型栽培泡沫板 | |
CN203159740U (zh) | 导模法生长多条晶体的生长装置 | |
CN101899705A (zh) | 用以生长特厚大单晶氧化铝片的导模结构 | |
CN102405824A (zh) | 一种蔬菜立体栽培装置 | |
CN204443491U (zh) | 一种植物交互式立体水培设备 | |
CN204224609U (zh) | 多晶冰糖自然结晶装置 | |
CN102405736A (zh) | 种子储藏架 | |
CN105961179A (zh) | 一体成型栽培泡沫板 | |
CN205171013U (zh) | 改进的大尺寸蓝宝石单晶炉支架结构 | |
CN202865394U (zh) | 三维蓝宝石晶体生长装置 | |
CN203653760U (zh) | 用于导模法生长大直径管状蓝宝石的模具 | |
CN204080173U (zh) | 新型声表面波用压电晶体的生长挡片、晶架 | |
CN201957499U (zh) | 移动苗床的轨道变向装置 | |
CN201678764U (zh) | 一种用以生长特厚大单晶氧化铝片的导模结构 | |
CN204982141U (zh) | 一种用于单晶制备过程中的pbn坩埚固定底座 | |
RU2010151283A (ru) | Способ производства компота из груш и айвы | |
KR200449801Y1 (ko) | 하프 컷 지그 | |
CN204454599U (zh) | 一种用于石墨烯生长的载具 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20150610 |
|
NF4A | Reinstatement of patent |
Effective date: 20161027 |
|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190610 |
|
NF4A | Reinstatement of patent |
Effective date: 20200817 |