RU2010109251A - Светоизлучающее устройство с гетерофазными границами - Google Patents
Светоизлучающее устройство с гетерофазными границами Download PDFInfo
- Publication number
- RU2010109251A RU2010109251A RU2010109251/28A RU2010109251A RU2010109251A RU 2010109251 A RU2010109251 A RU 2010109251A RU 2010109251/28 A RU2010109251/28 A RU 2010109251/28A RU 2010109251 A RU2010109251 A RU 2010109251A RU 2010109251 A RU2010109251 A RU 2010109251A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- emitting device
- light emitting
- layer
- layers
- substrate
- Prior art date
Links
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 10
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims abstract 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 9
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims abstract 8
- WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenezinc Chemical compound [Zn]=S WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims abstract 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims abstract 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims 1
- FGUJWQZQKHUJMW-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[B] Chemical compound [AlH3].[B] FGUJWQZQKHUJMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/16—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
1. Светоизлучающее устройство, содержащее: ! - подложку; ! - буферный слой, сформированный на подложке; ! - первый слой из полупроводника с проводимостью n-типа, сформированный на буферном слое; ! - второй слой из полупроводника с проводимостью p-типа; ! - активный слой, расположенный между первым и вторым слоями, ! отличающееся тем, что первый, второй и активный слои образуют чередование слоев со структурой фазы цинковой обманки и слоев со структурой фазы вюрцита с образованием гетерофазных границ между ними. ! 2. Светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что активный слой выполнен из полупроводника со структурой фазы цинковой обманки, первый и второй слои выполнены из полупроводника со структурой фазы вюрцита. ! 3. Светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что подложка выполнена из оксида алюминия. ! 4. Светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что подложка выполнена из карбида кремния. ! 5. Светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что подложка выполнена из нитрида галлия. ! 6. Светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что буферный слой выполнен из нитрида галлия. ! 7. Светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что буферный слой выполнен из нитрида алюминия. !8. Светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что первый контактный слой выполнен из легированного кремнием нитрида галлия. ! 9. Светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что второй контактный слой выполнен из легированного магнием нитрида галлия. ! 10. Светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что активный слой выполнен из нитрида галлия (GaN) или твердого раствора нитрида бор-алюм
Claims (11)
1. Светоизлучающее устройство, содержащее:
- подложку;
- буферный слой, сформированный на подложке;
- первый слой из полупроводника с проводимостью n-типа, сформированный на буферном слое;
- второй слой из полупроводника с проводимостью p-типа;
- активный слой, расположенный между первым и вторым слоями,
отличающееся тем, что первый, второй и активный слои образуют чередование слоев со структурой фазы цинковой обманки и слоев со структурой фазы вюрцита с образованием гетерофазных границ между ними.
2. Светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что активный слой выполнен из полупроводника со структурой фазы цинковой обманки, первый и второй слои выполнены из полупроводника со структурой фазы вюрцита.
3. Светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что подложка выполнена из оксида алюминия.
4. Светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что подложка выполнена из карбида кремния.
5. Светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что подложка выполнена из нитрида галлия.
6. Светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что буферный слой выполнен из нитрида галлия.
7. Светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что буферный слой выполнен из нитрида алюминия.
8. Светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что первый контактный слой выполнен из легированного кремнием нитрида галлия.
9. Светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что второй контактный слой выполнен из легированного магнием нитрида галлия.
10. Светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что активный слой выполнен из нитрида галлия (GaN) или твердого раствора нитрида бор-алюминий-галлий-индия (BxAlyGazIn1-zN).
11. Светоизлучающее устройство по п.2, отличающееся тем, что активный слой выполнен составным, состоящим из слоев из полупроводника со структурой фазы цинковой обманки и барьеров между ними со структурой фазы вюрцита с образованием гетерофазных границ.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2010109251/28A RU2434315C1 (ru) | 2010-03-15 | 2010-03-15 | Светоизлучающее устройство с гетерофазными границами |
| EP11723758.6A EP2548233B1 (en) | 2010-03-15 | 2011-03-15 | Light-emitting device with heterophase boundaries |
| PCT/RU2011/000159 WO2011115529A1 (en) | 2010-03-15 | 2011-03-15 | Light-emitting device with heterophase boundaries |
| JP2013500021A JP5909481B2 (ja) | 2010-03-15 | 2011-03-15 | 異相界面を備えた発光素子 |
| US13/635,136 US8901600B2 (en) | 2010-03-15 | 2011-03-15 | Light-emitting device with heterophase boundaries |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2010109251/28A RU2434315C1 (ru) | 2010-03-15 | 2010-03-15 | Светоизлучающее устройство с гетерофазными границами |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2010109251A true RU2010109251A (ru) | 2011-09-20 |
| RU2434315C1 RU2434315C1 (ru) | 2011-11-20 |
Family
ID=44318093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2010109251/28A RU2434315C1 (ru) | 2010-03-15 | 2010-03-15 | Светоизлучающее устройство с гетерофазными границами |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8901600B2 (ru) |
| EP (1) | EP2548233B1 (ru) |
| JP (1) | JP5909481B2 (ru) |
| RU (1) | RU2434315C1 (ru) |
| WO (1) | WO2011115529A1 (ru) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102012217681A1 (de) * | 2012-09-27 | 2014-03-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Bauteils |
| US11870005B2 (en) * | 2019-07-01 | 2024-01-09 | The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | QW-QWD LED with suppressed auger recombination |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05243613A (ja) | 1992-03-02 | 1993-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子およびその製造方法 |
| JP3445653B2 (ja) * | 1994-03-23 | 2003-09-08 | 士郎 酒井 | 発光素子 |
| US5689123A (en) * | 1994-04-07 | 1997-11-18 | Sdl, Inc. | III-V aresenide-nitride semiconductor materials and devices |
| CA2298491C (en) | 1997-07-25 | 2009-10-06 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor device |
| JPH11261105A (ja) | 1998-03-11 | 1999-09-24 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| JP3413811B2 (ja) * | 1998-04-14 | 2003-06-09 | 日本電信電話株式会社 | 半導体素子およびｉｉｉ族窒化物超格子構造の作製方法 |
| GB2343294A (en) | 1998-10-31 | 2000-05-03 | Sharp Kk | Lattice-matched semiconductor devices |
| GB9912583D0 (en) | 1999-05-28 | 1999-07-28 | Arima Optoelectronics Corp | A light emitting diode having a two well system with asymmetric tunneling |
| DE19955747A1 (de) * | 1999-11-19 | 2001-05-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optische Halbleitervorrichtung mit Mehrfach-Quantentopf-Struktur |
| US6441393B2 (en) * | 1999-11-17 | 2002-08-27 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Semiconductor devices with selectively doped III-V nitride layers |
| US6803596B2 (en) * | 1999-12-27 | 2004-10-12 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Light emitting device |
| US6787814B2 (en) * | 2000-06-22 | 2004-09-07 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Group-III nitride semiconductor light-emitting device and production method thereof |
| US7279718B2 (en) | 2002-01-28 | 2007-10-09 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | LED including photonic crystal structure |
| JP3933592B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 三洋電機株式会社 | 窒化物系半導体素子 |
| US6791120B2 (en) * | 2002-03-26 | 2004-09-14 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Nitride-based semiconductor device and method of fabricating the same |
| US7335920B2 (en) | 2005-01-24 | 2008-02-26 | Cree, Inc. | LED with current confinement structure and surface roughening |
| KR100833309B1 (ko) | 2006-04-04 | 2008-05-28 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자 |
| JP5167974B2 (ja) * | 2008-06-16 | 2013-03-21 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2011029381A (ja) * | 2009-07-24 | 2011-02-10 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子 |
-
2010
- 2010-03-15 RU RU2010109251/28A patent/RU2434315C1/ru active
-
2011
- 2011-03-15 WO PCT/RU2011/000159 patent/WO2011115529A1/en active Application Filing
- 2011-03-15 EP EP11723758.6A patent/EP2548233B1/en active Active
- 2011-03-15 JP JP2013500021A patent/JP5909481B2/ja active Active
- 2011-03-15 US US13/635,136 patent/US8901600B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2013522903A (ja) | 2013-06-13 |
| EP2548233A1 (en) | 2013-01-23 |
| WO2011115529A1 (en) | 2011-09-22 |
| US20130009152A1 (en) | 2013-01-10 |
| JP5909481B2 (ja) | 2016-04-26 |
| US8901600B2 (en) | 2014-12-02 |
| RU2434315C1 (ru) | 2011-11-20 |
| EP2548233B1 (en) | 2017-05-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101081135B1 (ko) | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 | |
| JP2012256918A5 (ja) | 窒化物系半導体発光素子 | |
| US9263643B2 (en) | Light-emitting device | |
| RU2014138822A (ru) | Интеграция светодиодов на нитриде галлия с приборами на нитриде алюминия-галлия/нитриде галлия на кремниевых подложках для светодиодов переменного тока | |
| TW200635084A (en) | Light emitting device | |
| RU2011140129A (ru) | Iii-нитридный светоизлучающий прибор, включающий бор | |
| ATE421176T1 (de) | Lichtemittierende iii-nitrid-vorrichtung mit polarisationsumkehr | |
| JP2013524547A5 (ru) | ||
| CN102214753A (zh) | 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构led | |
| JP2015511407A5 (ru) | ||
| MY183934A (en) | Light emitting diode and fabrication method thereof | |
| US20160351750A1 (en) | Fabrication Method of Nitride Light Emitting Diodes | |
| RU2014142050A (ru) | Светоизлучающее устройство, выращенное на кремниевой подложке | |
| CN102437263A (zh) | 发光二极管及其制造方法 | |
| KR20160043868A (ko) | 수직형 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 | |
| WO2017054612A1 (zh) | 倒装发光二极管结构及其制作方法 | |
| RU2010109251A (ru) | Светоизлучающее устройство с гетерофазными границами | |
| RU2011106966A (ru) | Светоизлучающее полупроводниковое устройство | |
| CN108133985A (zh) | 一种氮化物发光二极管 | |
| CN103208571A (zh) | 一种氮化镓基led外延片及其生产方法 | |
| KR101747732B1 (ko) | 발광소자 | |
| JP2013140983A5 (ru) | ||
| KR101357254B1 (ko) | 반도체 발광소자 | |
| KR101392218B1 (ko) | 반도체 발광소자 | |
| CN111987196A (zh) | 半导体元件 |