RU2009108243A - Устройство и способ равномерного электропитания кремниевого стержня - Google Patents

Устройство и способ равномерного электропитания кремниевого стержня Download PDF

Info

Publication number
RU2009108243A
RU2009108243A RU2009108243/05A RU2009108243A RU2009108243A RU 2009108243 A RU2009108243 A RU 2009108243A RU 2009108243/05 A RU2009108243/05 A RU 2009108243/05A RU 2009108243 A RU2009108243 A RU 2009108243A RU 2009108243 A RU2009108243 A RU 2009108243A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
converter
output
frequency
regulator
frequency converter
Prior art date
Application number
RU2009108243/05A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2499768C2 (ru
Inventor
Петер ВАЛЬМАЙЕР (DE)
Петер ВАЛЬМАЙЕР
Original Assignee
Аег Пауэр Солюшнс Б.В. (Nl)
Аег Пауэр Солюшнс Б.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Аег Пауэр Солюшнс Б.В. (Nl), Аег Пауэр Солюшнс Б.В. filed Critical Аег Пауэр Солюшнс Б.В. (Nl)
Publication of RU2009108243A publication Critical patent/RU2009108243A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2499768C2 publication Critical patent/RU2499768C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation
    • C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/24—Deposition of silicon only
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00—Control of temperature
    • G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
    • G05D23/1917—Control of temperature characterised by the use of electric means using digital means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD

Abstract

1. Устройство электропитания, по меньшей мере, одного кремниевого стержня (3) во время осаждения кремния по Сименс-процессу, имеющее, по меньшей мере, один вход (Е) для подключения устройства к электрической сети (N) энергоснабжения для питания электрической энергией, по меньшей мере, один выход (А), к которому может быть подключен, по меньшей мере, один кремниевый стержень (3), и, по меньшей мере, один преобразователь-регулятор (1) переменного тока для питания, по меньшей мере, одного, подключенного, по меньшей мере, к одному выходу (А) кремниевого стержня (3) электрическим током из сети (N) энергоснабжения, отличающееся тем, что устройство содержит также, по меньшей мере, один частотный преобразователь (2) для питания, по меньшей мере, одного, подключенного, по меньшей мере, к одному выходу (А) кремниевого стержня (3) электрическим током из сети (N) энергоснабжения, который имеет более высокую частоту, чем ток, выработанный преобразователем-регулятором (1) переменного тока. ! 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что оно выполнено с возможностью вырабатывания электрического напряжения, смешанного из долей напряжений разной частоты, по меньшей мере, на одном выходе (А). ! 3. Устройство по п.3, отличающееся тем, что оно содержит узлы, в которых выработанные преобразователем-регулятором (1) переменного тока и частотным преобразователем (2) напряжения могут быть сопряжены для смешивания вырабатываемого на выходе напряжения. ! 4. Устройство по одному из пп.1-3, отличающееся тем, что один выход, по меньшей мере, одного преобразователя-регулятора (1) переменного тока, один выход, по меньшей мере, одного частотного преобразователя (2) и выход устро

Claims (21)

1. Устройство электропитания, по меньшей мере, одного кремниевого стержня (3) во время осаждения кремния по Сименс-процессу, имеющее, по меньшей мере, один вход (Е) для подключения устройства к электрической сети (N) энергоснабжения для питания электрической энергией, по меньшей мере, один выход (А), к которому может быть подключен, по меньшей мере, один кремниевый стержень (3), и, по меньшей мере, один преобразователь-регулятор (1) переменного тока для питания, по меньшей мере, одного, подключенного, по меньшей мере, к одному выходу (А) кремниевого стержня (3) электрическим током из сети (N) энергоснабжения, отличающееся тем, что устройство содержит также, по меньшей мере, один частотный преобразователь (2) для питания, по меньшей мере, одного, подключенного, по меньшей мере, к одному выходу (А) кремниевого стержня (3) электрическим током из сети (N) энергоснабжения, который имеет более высокую частоту, чем ток, выработанный преобразователем-регулятором (1) переменного тока.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что оно выполнено с возможностью вырабатывания электрического напряжения, смешанного из долей напряжений разной частоты, по меньшей мере, на одном выходе (А).
3. Устройство по п.3, отличающееся тем, что оно содержит узлы, в которых выработанные преобразователем-регулятором (1) переменного тока и частотным преобразователем (2) напряжения могут быть сопряжены для смешивания вырабатываемого на выходе напряжения.
4. Устройство по одному из пп.1-3, отличающееся тем, что один выход, по меньшей мере, одного преобразователя-регулятора (1) переменного тока, один выход, по меньшей мере, одного частотного преобразователя (2) и выход устройства, к которому может быть подключен кремниевый стержень, включены электрически последовательно.
5. Устройство по одному из пп.1-3, отличающееся тем, что электрически между, по меньшей мере, одним преобразователем-регулятором (1) переменного тока и выходом (А) включено первое развязывающее средство (4), по меньшей мере, одного преобразователя-регулятора (1) переменного тока от, по меньшей мере, одного частотного преобразователя (2), а между, по меньшей мере, одним частотным преобразователем (2) и выходом (А) включено второе развязывающее средство (5) для развязывания, по меньшей мере, одного частотного преобразователя (2) от, по меньшей мере, одного преобразователя-регулятора (1) переменного тока.
6. Устройство по п.5, отличающееся тем, что схемы, по меньшей мере, из одного преобразователя-регулятора (1) переменного тока и первого развязывающего средства (4), с одной стороны, и, по меньшей мере, из одного частотного преобразователя (2) и второго развязывающего средства (5), с другой стороны, включены электрически параллельно.
7. Устройство по одному из пп.1-3, отличающееся тем, что оно содержит, по меньшей мере, одну пару выходов для одного кремниевого стержня каждый и, по меньшей мере, одну пару частотных преобразователей (2а, 2b), относящуюся к паре выходов.
8. Устройство по п.7, отличающееся тем, что каждый из обоих выходов пары выходов соединен с одним выходом одного частотного преобразователя (2а, 2b) пары частотных преобразователей (2а, 2b).
9. Устройство по п.8, отличающееся тем, что оба частотных преобразователя (2а, 2b) пары частотных преобразователей (2а, 2b) выполнены одинаковыми, по меньшей мере, по отношению к своим электрическим выходным величинам.
10. Устройство по п.8 или 9, отличающееся тем, что каждый частотный преобразователь (2а, 2b) одной пары имеет один выход, при этом выходы одной пары частотных преобразователей (2а, 2b) образуют цепь, в которой выходы частотных преобразователей (2а, 2b) сопряжены противофазно.
11. Устройство по п.10, отличающееся тем, что цепь имеет первый внешний вывод (К1), средний вывод (К2) и второй внешний вывод (К3), причем выход первого частотного преобразователя (2а) пары частотных преобразователей (2а, 2b) соединен с первым внешним выводом (К1) и средним выводом (К2), а выход второго частотного преобразователя (2b) пары частотных преобразователей (2а, 2b) соединен со средним выводом (К2) и вторым внешним выводом (К3).
12. Устройство по п.11, отличающееся тем, что один выход преобразователя-регулятора (1) переменного тока соединен с первым внешним выводом (К1) и вторым внешним выводом (К2).
13. Устройство по п.1, отличающееся тем, что, по меньшей мере, один частотный преобразователь (2) представляет собой среднечастотный преобразователь.
14. Устройство по п.1, отличающееся тем, что, по меньшей мере, один частотный преобразователь (2) выполнен с возможностью вырабатывания на выходе (А) устройства смеси из наложенных токов разных средних частот.
15. Устройство по п.1, отличающееся тем, что, по меньшей мере, один частотный преобразователь (2) выполнен с возможностью установления частоты/частот выработанного/выработанных на выходе (А) устройства тока/токов.
16. Устройство по п.1, отличающееся тем, что оно содержит регулирующее средство для установления отношения мощности, созданной, по меньшей мере, одним преобразователем-регулятором (1) переменного тока, к мощности, созданной, по меньшей мере, одним частотным преобразователем (2).
17. Устройство по п.1, отличающееся тем, что оно содержит регулирующее средство для установления частоты/частот в зависимости от диаметра и/или площади сечения, по меньшей мере, одного кремниевого стержня (3).
18. Устройство по п.1, отличающееся тем, что, по меньшей мере, один преобразователь-регулятор (1) переменного тока представляет собой ведомый сетью преобразователь-регулятор переменного тока.
19. Способ электропитания, по меньшей мере, одного кремниевого стержня (3) во время осаждения кремния по Сименс-процессу с помощью устройства по одному из пп.1-18.
20. Способ по п.19, отличающийся тем, что отношение мощности, созданной, по меньшей мере, одним преобразователем-регулятором (1) переменного тока, к мощности, созданной, по меньшей мере, одним частотным преобразователем (2), изменяют в процессе осаждения для равномерного распределения температуры, по меньшей мере, в одном подключенном кремниевом стержне (3).
21. Способ по п.20, отличающийся тем, что подаваемую, по меньшей мере, к одному кремниевому стержню (3) через, по меньшей мере, один частотный преобразователь (2) мощность увеличивают по отношению к мощности в процессе осаждения, подаваемой через, по меньшей мере, один преобразователь-регулятор (1) переменного тока.
RU2009108243/07A 2008-03-10 2009-03-06 Устройство и способ равномерного электропитания кремниевого стержня RU2499768C2 (ru)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE202008003991.6 2008-03-10
DE202008003991 2008-03-10
DE2020080033991.6 2008-03-10
DE102008039958 2008-08-27
DE102008039958.2 2008-08-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2009108243A true RU2009108243A (ru) 2010-09-20
RU2499768C2 RU2499768C2 (ru) 2013-11-27

Family

ID=41061826

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009108243/07A RU2499768C2 (ru) 2008-03-10 2009-03-06 Устройство и способ равномерного электропитания кремниевого стержня

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8330300B2 (ru)
EP (1) EP2100851B1 (ru)
JP (1) JP5588618B2 (ru)
KR (1) KR101505204B1 (ru)
RU (1) RU2499768C2 (ru)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8507051B2 (en) * 2009-07-15 2013-08-13 Mitsubishi Materials Corporation Polycrystalline silicon producing method
JP5655429B2 (ja) * 2009-08-28 2015-01-21 三菱マテリアル株式会社 多結晶シリコンの製造方法、製造装置及び多結晶シリコン
EP2346150A1 (de) 2010-01-14 2011-07-20 AEG Power Solutions B.V. Modulare Spannungsversorgungsanordnung, insbesondere für Reaktoren zur Herstellung von Polysilicium
EP2530820A1 (de) 2011-06-01 2012-12-05 AEG Power Solutions B.V. Anordnung zum Umrichten von Strom umfassend einen Wechselrichter
EP2549638A1 (de) 2011-07-19 2013-01-23 AEG Power Solutions B.V. Stromversorgungsanordnung für einen Reaktor zur Polysiliciumherstellung mit einem Frequenzumrichter
JP5792658B2 (ja) * 2012-02-23 2015-10-14 信越化学工業株式会社 多結晶シリコン棒の製造方法
EP2704524A1 (de) 2012-08-28 2014-03-05 AEG Power Solutions GmbH Vorrichtung zum Erwärmen mittels elektromagnetischer Induktion, insbesondere Induktionsheizung oder Induktionsofen

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL218408A (ru) * 1954-05-18 1900-01-01
JPS6374909A (ja) * 1986-09-19 1988-04-05 Shin Etsu Handotai Co Ltd 大直径多結晶シリコン棒の製造方法
IL117770A0 (en) 1996-04-02 1996-08-04 Levtec Ltd Method and apparatus for growing of extended crystals
US6544333B2 (en) * 1997-12-15 2003-04-08 Advanced Silicon Materials Llc Chemical vapor deposition system for polycrystalline silicon rod production
DE19882883B4 (de) 1997-12-15 2009-02-26 Advanced Silicon Materials LLC, (n.d.Ges.d.Staates Delaware), Moses Lake System für die chemische Abscheidung aus der Gasphase zum Herstellen polykristalliner Siliziumstangen
RU2205905C1 (ru) * 2002-04-09 2003-06-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Красноярский машиностроительный завод" Установка для получения стержней поликристаллического кремния

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090097129A (ko) 2009-09-15
US20090229991A1 (en) 2009-09-17
JP2009215160A (ja) 2009-09-24
EP2100851B1 (de) 2013-08-14
JP5588618B2 (ja) 2014-09-10
EP2100851A3 (de) 2011-02-09
US8330300B2 (en) 2012-12-11
KR101505204B1 (ko) 2015-03-23
RU2499768C2 (ru) 2013-11-27
EP2100851A2 (de) 2009-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2009108243A (ru) Устройство и способ равномерного электропитания кремниевого стержня
ATE526715T1 (de) Wechselrichter zur einspeisung elektrischer energie in ein energieversorgungsnetz
CN102484427A (zh) 电能转换电路器件
AU2012311429B2 (en) Current signal generator and method of implementing such a generator
Liang et al. Hybrid control of multiple inverters in an island-mode distribution system
RU2011101368A (ru) Модульная система электроснабжения, в частности реакторов для получения поликристаллического кремния
RU2007114964A (ru) Устройство питания дуговой печи
JP2009215160A5 (ru)
Gupta et al. Carrier based PWM for even power distribution in cascaded H-bridge multilevel inverters within single power cycle
Raman et al. A seven level switched capacitor multilevel inverter with asymmetric input sources for microgrids
Hamidi et al. An asymmetrical multilevel inverter with optimum number of components based on new basic structure for photovoltaic renewable energy system
JP2004350354A (ja) インバータ電源装置
CN112865585B (zh) 一种单逆变器固定脉冲频率输出双频正弦波的方法
CN103299529A (zh) 具有多相矩阵变换器的能源供应系统和运行该系统的方法
CN105388339A (zh) 一种正弦波信号发生电路
CN109617423B (zh) 大功率极低频电源及其次谐波抑制装置
RU2015114329A (ru) Устройство для генерирования переменного электромагнитного поля радиочастот, способ управления и установка с использованием такого устройства
KR20230168180A (ko) 다상 플라즈마 발생장치용 집적형 변압기 전원 시스템
CN101559948B (zh) 在沉积工艺期间在硅棒中产生均匀温度分布的装置和方法
US1363707A (en) System for supplying electric power for lighting purposes from lowfrequency power-circuits
WO2017211195A1 (zh) 一种可重组的单相数码变频发电机
Ranjana et al. A novel single phase advanced multilevel inverter with adjustable amplitude of voltage levels
CN201528323U (zh) 一种基于扩频转换技术的emi改善电路
Biswas et al. Harmonic reduction in single phase AC-AC converter
Aravindan et al. Neutral point clamped quasi Z source inverter for photovoltaic systems

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20160307