RU2008117412A - Lus-полупроводник и прикладная схема - Google Patents
Lus-полупроводник и прикладная схема Download PDFInfo
- Publication number
- RU2008117412A RU2008117412A RU2008117412/09A RU2008117412A RU2008117412A RU 2008117412 A RU2008117412 A RU 2008117412A RU 2008117412/09 A RU2008117412/09 A RU 2008117412/09A RU 2008117412 A RU2008117412 A RU 2008117412A RU 2008117412 A RU2008117412 A RU 2008117412A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor device
- circuit
- voltage
- node
- diode
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/567—Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K23/00—Pulse counters comprising counting chains; Frequency dividers comprising counting chains
- H03K23/40—Gating or clocking signals applied to all stages, i.e. synchronous counters
- H03K23/42—Out-of-phase gating or clocking signals applied to counter stages
- H03K23/44—Out-of-phase gating or clocking signals applied to counter stages using field-effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/22—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac
- H02M3/24—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/28—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac
- H02M3/325—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M3/335—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
- H02M3/33569—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only having several active switching elements
- H02M3/33576—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only having several active switching elements having at least one active switching element at the secondary side of an isolation transformer
- H02M3/33592—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only having several active switching elements having at least one active switching element at the secondary side of an isolation transformer having a synchronous rectifier circuit or a synchronous freewheeling circuit at the secondary side of an isolation transformer
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
- Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Rectifiers (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
1. Мощное полупроводниковое устройство, в котором характеристическая схема, устанавливаемая между узлом стока и узлом истока полевого транзистора со структурой металл-оксид-полупроводник (ПТ с МОП-структурой) в процессе изготовления, такова, что упомянутое мощное полупроводниковое устройство обладает функциями силового выпрямления и регулирования напряжения. ! 2. Мощное полупроводниковое устройство по п. 1, в котором упомянутая характеристическая схема выбрана из группы, состоящей из пары включенных задними или передними сторонами друг к другу диодов Шоттки, пары включенных задними или передними сторонами друг другу статически экранирующих диодов (СЭД), пары включенных задними или передними сторонами друг к другу полупроводниковых стабилитронов, пары включенных задними или передними сторонами друг к другу диода Шоттки и полупроводникового стабилитрона, пары включенных задними или передними сторонами друг к другу диода Шоттки и СЭД и пары включенных задними или передними сторонами друг к другу полупроводникового стабилитрона и СЭД, при этом упомянутое включение задними сторонами друг к другу означает взаимное соединение узлов p-типа, а упомянутое включение передними сторонами друг к другу означает взаимное соединение узлов n-типа. ! 3. Мощное полупроводниковое устройство по п. 1, в котором упомянутая характеристическая схема является частью четырехслойного полупроводникового устройства. ! 4. Мощное полупроводниковое устройство по п. 3, в котором упомянутое четырехслойное полупроводниковое устройство является частью симметричного диодного тиристора или симметричного триодного тиристора. ! 5. Мощное по
Claims (20)
1. Мощное полупроводниковое устройство, в котором характеристическая схема, устанавливаемая между узлом стока и узлом истока полевого транзистора со структурой металл-оксид-полупроводник (ПТ с МОП-структурой) в процессе изготовления, такова, что упомянутое мощное полупроводниковое устройство обладает функциями силового выпрямления и регулирования напряжения.
2. Мощное полупроводниковое устройство по п. 1, в котором упомянутая характеристическая схема выбрана из группы, состоящей из пары включенных задними или передними сторонами друг к другу диодов Шоттки, пары включенных задними или передними сторонами друг другу статически экранирующих диодов (СЭД), пары включенных задними или передними сторонами друг к другу полупроводниковых стабилитронов, пары включенных задними или передними сторонами друг к другу диода Шоттки и полупроводникового стабилитрона, пары включенных задними или передними сторонами друг к другу диода Шоттки и СЭД и пары включенных задними или передними сторонами друг к другу полупроводникового стабилитрона и СЭД, при этом упомянутое включение задними сторонами друг к другу означает взаимное соединение узлов p-типа, а упомянутое включение передними сторонами друг к другу означает взаимное соединение узлов n-типа.
3. Мощное полупроводниковое устройство по п. 1, в котором упомянутая характеристическая схема является частью четырехслойного полупроводникового устройства.
4. Мощное полупроводниковое устройство по п. 3, в котором упомянутое четырехслойное полупроводниковое устройство является частью симметричного диодного тиристора или симметричного триодного тиристора.
5. Мощное полупроводниковое устройство по п. 1, в котором упомянутая характеристическая схема содержит узел p-типа и узел n-типа, которые подключены соответственно к упомянутому узлу стока и упомянутому узлу истока упомянутого ПТ с МОП-структурой.
6. Мощное полупроводниковое устройство по п. 5, в котором упомянутая характеристическая схема представляет собой один импульсный диод, один диод Шоттки или один полупроводниковый стабилитрон.
7. Мощное полупроводниковое устройство, в котором характеристическая схема подключена снаружи между узлом стока и узлом истока полевого транзистора со структурой металл-оксид-полупроводник (ПТ с МОП-структурой) таким образом, что упомянутое устройство обладает функциями силового выпрямления и регулирования напряжения.
8. Мощное полупроводниковое устройство по п. 7, в котором упомянутая характеристическая схема выбрана из группы, состоящей из пары включенных задними или передними сторонами друг к другу диодов Шоттки, пары включенных задними или передними сторонами друг к другу статически экранирующих (СЭД), пары включенных задними или передними сторонами друг к другу полупроводниковых стабилитронов, пары включенных задними или передними сторонами друг к другу диода Шоттки и полупроводникового стабилитрона, пары включенных задними или передними сторонами друг к другу диода Шоттки и СЭД и пары включенных задними или передними сторонами друг к другу полупроводникового стабилитрона и СЭД, при этом упомянутое включение задними сторонами друг к другу означает взаимное соединение узлов p-типа, а упомянутое включение передними сторонами друг к другу означает взаимное соединение узлов n-типа.
9. Мощное полупроводниковое устройство по п. 7, в котором упомянутая характеристическая схема является частью четырехслойного полупроводникового устройства.
10. Мощное полупроводниковое устройство по п. 9, в котором упомянутое четырехслойное полупроводниковое устройство является частью симметричного диодного тиристора или симметричного триодного тиристора.
11. Мощное полупроводниковое устройство по п. 7, в котором упомянутая характеристическая схема содержит узел p-типа и узел n-типа, которые подключены соответственно к упомянутому узлу стока и упомянутому узлу истока упомянутого ПТ с МОП-структурой.
12. Мощное полупроводниковое устройство по п. 11, в котором упомянутая характеристическая схема представляет собой один импульсный диод, один диод Шоттки или один полупроводниковый стабилитрон.
13. Выпрямительная схема, содержащая,
по меньшей мере, одно мощное полупроводниковое устройство по любому из предыдущих пунктов и
вспомогательную схему, подключаемую к упомянутому мощному полупроводниковому устройству таким образом, что источником напряжения является полуволна или полная волна, выпрямленная и отрегулированная упомянутой выпрямительной схемой, выдающей выходное напряжение постоянного тока.
14. Выпрямительная схема по п. 13, в которой упомянутая вспомогательная схема выдает вспомогательное напряжение в упомянутое мощное полупроводниковое устройство таким образом, что упомянутое мощное полупроводниковое устройство испытывает смещение в рабочей области.
15. Выпрямительная схема по п. 14, дополнительно содержащая
высокочастотный трансформатор, содержащий первую вторичную обмотку и вторую вторичную обмотку, при этом
в положительном полупериоде напряжения переменного тока, подаваемого в первый узел первой вторичной обмотки, напряжение переменного тока в упомянутом положительном полупериоде проходит через упомянутую вспомогательную схему, достигает второго узла упомянутой первой вторичной обмотки и прикладывается к упомянутому мощному полупроводниковому устройству, а напряжение на упомянутой второй вторичной обмотке обеспечивает выдачу упомянутого вспомогательного напряжения посредством упомянутой вспомогательной схемы и перевод узла стока и узла истока упомянутого мощного полупроводникового устройства в проводящее или изолированное состояние.
16. Выпрямительная схема по п. 13, в которой упомянутая вспомогательная схема содержит схему фильтра, подключенную к выходному узлу упомянутого мощного полупроводникового устройства таким образом, что упомянутая выпрямительная схема подает упомянутое выходное напряжение постоянного тока.
17. Выпрямительная схема по п. 16, в которой упомянутая схема фильтра представляет собой фильтр π-типа.
18. Выпрямительная схема по п. 13, содержащая
первое и второе мощные полупроводниковые устройства и
высокочастотный трансформатор, содержащий первую вторичную обмотку и вторую вторичную обмотку, при этом
упомянутая вспомогательная схема содержит первый токоограничивающий резистор, второй токоограничивающий резистор, первый диод, второй диод, первый оптрон, второй оптрон, высокочастотный диод, конденсатор фильтра, первую делящую напряжение схему, вторую делящую напряжение схему и схему фильтра, при этом,
когда находящееся в положительном полупериоде напряжение переменного тока подается в первый узел упомянутой первой вторичной обмотки, проходит через упомянутый первый токоограничивающий резистор, упомянутый первый диод и упомянутый первый оптрон и достигает среднего узла упомянутой первой вторичной обмотки, напряжение, приложенное к двум узлам упомянутой второй вторичной обмотки, выпрямляется упомянутым высокочастотным диодом и подается в качестве положительного выходного напряжения постоянного тока через упомянутый конденсатор фильтра, а упомянутое положительное выходное напряжение постоянного тока достигает упомянутой первой делящей напряжение схемы через сторону выхода упомянутого первого оптрона, что обуславливает перевод узла стока и узла истока упомянутого первого мощного полупроводникового устройства в проводящее состояние, вследствие чего упомянутое находящееся в положительном полупериоде напряжение на упомянутом первом узле упомянутой первой вторичной обмотки проходит через упомянутый узел стока и упомянутый узел истока упомянутого первого мощного полупроводникового устройства, после чего упомянутое выходное напряжение постоянного тока подается через упомянутую схему фильтра, а
когда находящееся в положительном полупериоде напряжение переменного тока подается во второй узел упомянутой первой вторичной обмотки, проходит через упомянутый второй токоограничивающий резистор, упомянутый второй диод и упомянутый второй оптрон и достигает среднего узла упомянутой первой вторичной обмотки, напряжение, приложенное к двум узлам упомянутой второй вторичной обмотки, выпрямляется упомянутым высокочастотным диодом и подается в качестве положительного выходного напряжения постоянного тока через упомянутый конденсатор фильтра, а упомянутое положительное выходное напряжение постоянного тока достигает упомянутой второй делящей напряжение схемы через сторону выхода второго оптрона, что обуславливает перевод узла стока и узла истока упомянутого второго мощного полупроводникового устройства в проводящее состояние, вследствие чего упомянутое находящееся в положительном полупериоде напряжение переменного тока на упомянутом втором узле упомянутой первой вторичной обмотки проходит через упомянутый узел стока и упомянутый узел истока упомянутого второго мощного полупроводникового устройства, после чего упомянутое выходное напряжение постоянного тока подается через упомянутую схему фильтра.
19. Выпрямительная схема по п. 13, в которой упомянутая вспомогательная схема содержит цепочку обратной связи, подключаемую к упомянутому мощному полупроводниковому устройству и отключающую функцию выпрямления упомянутого мощного полупроводникового устройства, когда упомянутое выходное напряжение постоянного тока превышает предварительно определенное значение до тех пор, пока упомянутое выходное напряжение постоянного тока не станет меньше упомянутого предварительно определенного значения.
20. Выпрямительная схема по п. 19, в которой упомянутая цепочка обратной связи содержит корректируемую интегральную схему шунтирующего регулятора точности и оптрон, при этом,
когда упомянутое выходное напряжение постоянного тока превышает упомянутое предварительно определенное значение, упомянутая корректируемая интегральная схема шунтирующего регулятора точности активируется, а узел коллектора и узел эмиттера упомянутого оптрона оказываются в проводящем состоянии, после чего узел затвора и узел истока упомянутого мощного полупроводникового устройства оказываются в проводящем состоянии, а упомянутое мощное полупроводниковое устройство прекращает выпрямление, из-за чего упомянутое выходное напряжение постоянного тока падает, а
когда упомянутое выходное напряжение постоянного тока падает настолько низко, что упомянутая корректируемая интегральная схема шунтирующего регулятора точности больше не находится в проводящем состоянии, упомянутое мощное полупроводниковое устройство начинает выпрямление, вследствие чего упомянутое выходное напряжение постоянного тока растет.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/246,839 US20070076514A1 (en) | 2005-10-03 | 2005-10-03 | Lus semiconductor and application circuit |
| US11/246,839 | 2005-10-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2008117412A true RU2008117412A (ru) | 2009-11-10 |
Family
ID=37901752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008117412/09A RU2008117412A (ru) | 2005-10-03 | 2006-09-29 | Lus-полупроводник и прикладная схема |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20070076514A1 (ru) |
| EP (1) | EP2005435A4 (ru) |
| KR (1) | KR20080048081A (ru) |
| CN (1) | CN101390280B (ru) |
| RU (1) | RU2008117412A (ru) |
| WO (1) | WO2007041249A2 (ru) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102377327B (zh) * | 2010-08-11 | 2015-11-25 | 快捷半导体公司 | 高压启动电路 |
| DE102015214165A1 (de) * | 2015-07-27 | 2017-02-02 | Continental Automotive Gmbh | Schaltregler zum Erzeugen einer Mehrzahl von Gleichspannungen |
| US10043124B2 (en) * | 2016-12-15 | 2018-08-07 | Em Microelectronic-Marin Sa | Voltage regulation circuit for an RFID circuit |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4857822A (en) * | 1987-09-23 | 1989-08-15 | Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. | Zero-voltage-switched multi-resonant converters including the buck and forward type |
| US5038266A (en) * | 1990-01-02 | 1991-08-06 | General Electric Company | High efficiency, regulated DC supply |
| US5555285A (en) * | 1995-03-30 | 1996-09-10 | Westell Incorporated | Multi-variate system having an intelligent telecommunications interface with automatic adaptive delay distortion equalization (and related method) |
| DE19817790A1 (de) * | 1998-04-21 | 1999-12-09 | Siemens Ag | Verpolschutzschaltung |
| KR100275758B1 (ko) * | 1998-12-17 | 2001-02-01 | 김덕중 | 제너 다이오드를 내장한 수평형 모스 게이트형 반도체 소자 및그 제조 방법 |
| US6628532B1 (en) * | 2000-08-08 | 2003-09-30 | Artesyn Technologies, Inc | Drive circuit for a voltage-controlled switch |
| US7009855B2 (en) * | 2001-10-26 | 2006-03-07 | Minebea Co., Ltd | Synchronous rectifier circuit |
| DE10317380A1 (de) * | 2003-04-15 | 2004-11-18 | Infineon Technologies Ag | Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler |
| US7139157B2 (en) * | 2004-07-30 | 2006-11-21 | Kyocera Wireless Corp. | System and method for protecting a load from a voltage source |
-
2005
- 2005-10-03 US US11/246,839 patent/US20070076514A1/en not_active Abandoned
-
2006
- 2006-09-29 KR KR1020087009294A patent/KR20080048081A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-09-29 CN CN2006800398915A patent/CN101390280B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-09-29 EP EP06825223A patent/EP2005435A4/en not_active Withdrawn
- 2006-09-29 WO PCT/US2006/037931 patent/WO2007041249A2/en active Application Filing
- 2006-09-29 RU RU2008117412/09A patent/RU2008117412A/ru not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2005435A4 (en) | 2010-01-13 |
| WO2007041249A2 (en) | 2007-04-12 |
| CN101390280B (zh) | 2011-11-16 |
| WO2007041249A3 (en) | 2008-11-06 |
| EP2005435A2 (en) | 2008-12-24 |
| CN101390280A (zh) | 2009-03-18 |
| KR20080048081A (ko) | 2008-05-30 |
| US20070076514A1 (en) | 2007-04-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9293999B1 (en) | Automatic enhanced self-driven synchronous rectification for power converters | |
| US6256214B1 (en) | General self-driven synchronous rectification scheme for synchronous rectifiers having a floating gate | |
| JP4347423B2 (ja) | 同期整流を用いる電源 | |
| US20190074774A1 (en) | Apparatus and Efficiency Point Tracking Method for High Efficiency Resonant Converters | |
| US6038148A (en) | Self-driven synchronous rectification scheme | |
| US9054592B2 (en) | Synchronous rectifying control method and circuit for isolated switching power supply | |
| US5734563A (en) | Synchronous rectification type converter | |
| EP0618666B1 (en) | DC/DC conversion circuit | |
| JPH0744836B2 (ja) | 改善された整流回路 | |
| CN108448902B (zh) | 一种同步整流反激式直流-直流电源转换装置及控制方法 | |
| WO2019019928A1 (zh) | 一种三电平 Boost 电路 | |
| CN113872428B (zh) | 一种氮化镓晶体管的驱动控制电路、方法、设备、介质 | |
| CN108667304B (zh) | 同步整流反激式直流-直流电源转换装置及控制方法 | |
| RU2008117412A (ru) | Lus-полупроводник и прикладная схема | |
| JPH06311738A (ja) | 昇圧チョッパ型スイッチング電源 | |
| JP4154658B2 (ja) | 同期整流用ｍｏｓｆｅｔの制御回路 | |
| US11764689B2 (en) | Flyback power-converting device with zero-voltage switching and method for flyback converting power with zero-voltage switching | |
| US20070097720A1 (en) | Lus semiconductor and synchronous rectifier circuits | |
| Yu et al. | Synchronous rectifier design considerations for solid-state transformer light-load stability | |
| JP3166149B2 (ja) | 直流コンバータ装置 | |
| US20070109826A1 (en) | Lus semiconductor and synchronous rectifier circuits | |
| JP2882472B2 (ja) | パワー絶縁ゲート形ｆｅｔを用いた電源回路 | |
| CN214900822U (zh) | 用于脉冲发生装置的脉冲驱动电路 | |
| KR20200097722A (ko) | 절연형 스위칭 전원 공급 장치 | |
| CN111799998B (zh) | 一种适用于高压电子设备的变换器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA93 | Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination) |
Effective date: 20090930 |