RU2007113446A - Система солнечных элементов, а также способ соединения цепочки солнечных элементов - Google Patents

Система солнечных элементов, а также способ соединения цепочки солнечных элементов Download PDF

Info

Publication number
RU2007113446A
RU2007113446A RU2007113446/28A RU2007113446A RU2007113446A RU 2007113446 A RU2007113446 A RU 2007113446A RU 2007113446/28 A RU2007113446/28 A RU 2007113446/28A RU 2007113446 A RU2007113446 A RU 2007113446A RU 2007113446 A RU2007113446 A RU 2007113446A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
solar cell
solar cells
protective
metal contact
protective diode
Prior art date
Application number
RU2007113446/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2360325C2 (ru
Inventor
Юст ХИЛГАРТ (DE)
Юст ХИЛГАРТ
Дитер ПЕК (DE)
Дитер ПЕК
Пауль ЮБЕЛЕ (DE)
Пауль ЮБЕЛЕ
Original Assignee
Азур Спейс Солар Пауэр Гмбх (De)
Азур Спейс Солар Пауэр Гмбх
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Азур Спейс Солар Пауэр Гмбх (De), Азур Спейс Солар Пауэр Гмбх filed Critical Азур Спейс Солар Пауэр Гмбх (De)
Publication of RU2007113446A publication Critical patent/RU2007113446A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2360325C2 publication Critical patent/RU2360325C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0508—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module the interconnection means having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/044—PV modules or arrays of single PV cells including bypass diodes
    • H01L31/0443—PV modules or arrays of single PV cells including bypass diodes comprising bypass diodes integrated or directly associated with the devices, e.g. bypass diodes integrated or formed in or on the same substrate as the photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0475—PV cell arrays made by cells in a planar, e.g. repetitive, configuration on a single semiconductor substrate; PV cell microarrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Hybrid Cells (AREA)

Claims (28)

1. Система солнечных элементов, содержащая, по меньшей мере, первый солнечный элемент (30а, 50а, 60, 70) с фотоактивным полупроводниковым слоем, проходящим между передним и задним контактом (34), а также, по меньшей мере, дискретный защитный диод (101, 20, 10а1, 10b2, 10b3), соединенный с солнечным элементом, с подложкой (11, 21), состоящей из полупроводникового материала первой проводимости в слое (12), сформированном на поверхностной зоне подложки, или слое (22), нанесенном на поверхностную зону, имеющую вторую проводимость, первого металлического контакта (13, 23) на слое второй проводимости и второго металлического контакта (14, 24), расположенного на подложке, причем из первого и второго металлического контакта выходят соединители (5a3, 4b7, 40a, 40b, 40c) для подключения защитного диода, отличающаяся тем, что второй контакт (14, 24) находится в контакте непосредственно с подложкой (11, 21) защитного диода (121, 10a1, 10b2, 10b3) и расположен около первого металлического контакта (13, 23), и на некотором расстоянии от него, и электрически соединен с первым металлическим контактом через p-n-переход.
2. Система солнечных элементов по п.1, отличающаяся тем, что на стороне подложки (11, 21), противоположной по отношению к первому и второму контактам (13, 23; 14, 24), располагается третий металлический контакт (15, 25).
3. Система солнечных элементов по п.2, отличающаяся тем, что третий металлический контакт (15, 25) соединен с первым солнечным элементом (30a, 50a, 60, 70) или вторым солнечным элементом (30b, 50b, 70b).
4. Система солнечных элементов по п.1, отличающаяся тем, что соединители, выходящие из первого и второго металлических контактов (13, 23, 24; 14, 24), соединяют первый солнечный элемент (30a, 50a, 60, 70) со вторым солнечным элементом (30b, 50b, 70b).
5. Система солнечных элементов по п.3 или 4, отличающаяся тем, что второй металлический контакт (14, 24) соединен с задней стороной второго солнечного элемента (30b, 50b, 70b), а третий металлический контакт (15, 25) соединен с передней стороной первого солнечного элемента (30a, 50a, 70) и наоборот.
6. Система солнечных элементов по п.4, отличающаяся тем, что защитный диод (101) через второй металлический контакт (14) подключен антипараллельно первому солнечному элементу (30а) через второй солнечный элемент (30b).
7. Система солнечных элементов по п.4, отличающаяся тем, что защитный диод (101) через первый металлический контакт (13) подключен антипараллельно первому солнечному элементу (30а) через второй солнечный элемент (30b).
8. Система солнечных элементов по п.2, отличающаяся тем, что первый и второй солнечные элементы (70, 70b) соединены через, по меньшей мере, два защитных диода (10а1, 10b2) и тем, что третий металлический контакт (711) первого защитного диода (10b2) соединен как с задним контактом второго солнечного элемента (70b), так и со вторым металлическим контактом второго защитного диода (10а1), третий металлический контакт которого соединен с передним контактом первого солнечного элемента (70) (Фиг.13, 14).
9. Система солнечных элементов по п.8, отличающаяся тем, что соединитель (200), выходящий из третьего металлического контакта первого защитного диода (10b2), и соединитель (202), выходящий из второго металлического контакта второго защитного диода (10а1) выступают над передней стороной первого и второго солнечных элементов (70, 70b) или покровным стеклом (75a, 75c) и соединены снаружи покровного стекла, предпочтительно посредством сварки или пайки (Фиг.14).
10. Система солнечных элементов по п.1 или 4, отличающаяся тем, что первый солнечный элемент (30a, 50a, 70) и/или второй солнечный элемент (30b, 50b, 70b) имеет в вертикальной проекции прямоугольную форму со скошенными углами и тем, что, по меньшей мере, один защитный диод (101, 20, 10a1, 10b2, 10b3) расположен в пределах одного из указанных скошенных углов.
11. Система солнечных элементов по п.10, отличающаяся тем, что некоторые из солнечных элементов, соединенных в цепочку, подключены через защитные диоды (101, 20, 10a1, 10b2, 10b3), расположенные в пределах скошенных углов.
12. Система солнечных элементов по п.10 или 11, отличающаяся тем, что защитный диод (101, 20, 10a1, 10b2, 10b3) имеет в вертикальной проекции форму треугольника.
13. Система солнечных элементов по п.10 или 11, отличающаяся тем, что защитный диод (101, 20, 10a1, 10b2, 10b3) имеет форму треугольной стойки.
14. Система солнечных элементов по п.1 или 12, отличающаяся тем, что защитный диод (101, 20, 10a1, 10b2, 10b3) имеет площадь основания F, составляющую предпочтительно примерно 0,7 см2<F<1 см2, более предпочтительно 0,8 см2<F<0,9 см2.
15. Система солнечных элементов по п.10, отличающаяся тем, что предпочтительно в каждом скошенном углу первого и/или второго солнечного элемента (30a, 50a, 70; 30b, 50b, 70b) расположен один защитный диод (101, 20, 10a1, 10b2, 10b3).
16. Система солнечных элементов по п.1, отличающаяся тем, что первая проводимость является проводимостью n-типа и вторая проводимость является проводимостью р-типа или наоборот.
17. Система солнечных элементов по п.1, отличающаяся тем, что
первый солнечный элемент (30a, 50a, 70) и/или второй солнечный элемент (30b, 50b, 70b) представляет собой тройной элемент с предпочтительно Ge-нижним элементом, предпочтительно GalnAs-средним элементом и предпочтительно GaInP-верхним элементом.
18. Система солнечных элементов по п.1 или 2, отличающаяся тем, что
два рядом расположенных солнечных элемента (70, 70b) соединены через два защитных диода (10a1, 10b2),
что солнечные элементы на передней стороне имеют проводимость n-типа,
что вторая проводимость в слое на передней стороне защитного диода (10b2) является проводимостью р-типа, и
что вторая проводимость в слое на задней стороне другого защитного диода (10a1) является проводимостью n-типа, причем там же расположен третий металлический контакт (Фиг.13).
19. Система солнечных элементов по п.8, отличающаяся тем, что контакт на задней стороне первого защитного диода (10b2) соединен как с задней стороной второго солнечного элемента (70b), так и со вторым металлическим контактом второго защитного диода (10a1), что третий металлический контакт второго защитного диода, проходящий в цепочке по передней стороне, соединен с передним контактом первого солнечного элемента (70), и что первый металлический контакт второго защитного диода, проходящий в цепочке с задней стороны, соединен с задним контактом первого солнечного элемента (Фиг.14).
20. Система солнечных элементов по п.8, отличающаяся тем, что у солнечных элементов с p-n-переходом первый защитный диод имеет n-p-переходы, а и второй защитный диод имеет p-n-переходы.
21. Способ подключения цепочки солнечных элементов с использованием защитных диодов, выполненной, по меньшей мере, по одному из предшествующих пунктов, отличающийся тем, что содержит этапы, на которых
располагают солнечные элементы с задней стороны на нижнем слое,
соединяют контакты солнечных элементов, находящиеся на передней стороне, с первым соединителем,
прикрепляют одно или несколько прозрачных покрытий на передней стороне солнечных элементов,
переворачивают солнечные элементы,
соединяют первый и второй солнечные элементы через первый соединитель в цепочку,
устанавливают защитные диоды на свободном пространстве, имеющемся между солнечными элементами,
соединяют защитные диоды с солнечными элементами, и
соединяют таким образом изготовленную цепочку с нижним слоем (Фиг.6).
22. Способ подключения цепочки солнечных элементов при использовании защитных диодов, выполненный, по меньшей мере, по одному из предшествующих пунктов, отличающийся этапами, на которых
располагают солнечные элементы с задней стороны на нижнем слое,
устанавливают защитные диоды на свободном пространстве, имеющемся между солнечными элементами,
соединяют контакты солнечных элементов, находящиеся на передней стороне, с третьими контактами (контакты, находящиеся на задней стороне) защитных диодов, проходящими в цепочке на передней стороне,
соединяют контакты солнечных элементов, находящиеся на передней стороне, с первым соединителем,
прикрепляют одно или несколько прозрачных покрытий на передней стороне солнечных элементов, а также защитных диодов,
соединяют первый и второй контакты (передние контакты) защитных диодов, проходящие в цепочке с задней стороны, с находящимися на задней стороне контактами соседних солнечных элементов,
переворачивают солнечные элементы, и
соединяют таким образом изготовленную цепочку с нижним слоем (Фиг.8).
23. Способ по п.19, отличающийся тем, что защитные диоды с их третьими контактами расположены в пределах передней стороны солнечных элементов и тем, что соседние солнечные элементы соединяют через, по меньшей мере, каждый защитный диод в последовательности при одновременном антипараллельном подключении защитного диода с одним из соседних солнечных элементов (Фиг.6).
24. Способ по п.21, отличающийся тем, что между двумя соседними солнечными элементами расположены два защитных диода, из которых один защитный диод - со своим третьим контактом, а другой защитный диод - со своим первым или вторым контактом расположены в пределах передней стороны солнечных элементов и тем, что соседние солнечные элементы соединены через два защитных диода в последовательности и тем, что защитные диоды соединены через контакты, проходящие в пределах задней стороны солнечных элементов (Фиг.13).
25. Способ по п.21, отличающийся тем, что из контактов защитных диодов (10a1, 10b2), проходящих в пределах задней стороны солнечных элементов (70, 70b), выходят два соединителя (200, 202), которые соединяются снаружи цепочки солнечных элементов и в пределах их передней стороны (Фиг.14).
26. Диод (101, 20, 10a1, 10b2, 10b3), предназначенный для использования в качестве защитного диода в системе солнечных элементов, с подложкой (11, 21), выполненной из полупроводникового материала с первой проводимостью, слоем со второй проводимостью (12, 22), образованным в поверхностной зоне подложки или нанесенным на поверхностную зону, первым металлическим контактом (13, 23) на слое со второй проводимостью, и соединенным через p-n-переход вторым металлическим контактом (14, 24), расположенным на некотором расстоянии от первого металлического контакта и электрически изолированным от него и находящимся в контакте непосредственно с подложкой защитного диода.
27. Диод по п.26, отличающийся тем, что на стороне подложки (11, 21), противоположной относительно первого и второго металлического контакта (13, 23; 14, 24), расположен третий металлический контакт (15, 25).
28. Диод по п.26, отличающийся тем, что p-n-переход в защитном диоде заменен контактом Шотки.
RU2007113446/28A 2004-09-11 2005-09-07 Система солнечных элементов, а также способ соединения цепочки солнечных элементов RU2360325C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102004044061.1 2004-09-11
DE102004044061A DE102004044061A1 (de) 2004-09-11 2004-09-11 Solarzellenanordung sowie Verfahren zum Verschalten eines Solarzellenstrings

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2007113446A true RU2007113446A (ru) 2008-10-20
RU2360325C2 RU2360325C2 (ru) 2009-06-27

Family

ID=35414713

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007113446/28A RU2360325C2 (ru) 2004-09-11 2005-09-07 Система солнечных элементов, а также способ соединения цепочки солнечных элементов

Country Status (10)

Country Link
US (1) US10074761B2 (ru)
EP (1) EP1790015B1 (ru)
JP (1) JP2008512860A (ru)
CN (1) CN100565936C (ru)
AT (1) ATE387724T1 (ru)
CA (1) CA2581617C (ru)
DE (2) DE102004044061A1 (ru)
RU (1) RU2360325C2 (ru)
TW (1) TWI324830B (ru)
WO (1) WO2006027225A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2574344C2 (ru) * 2009-06-22 2016-02-10 Басф Се Способ получения структурированного металлического покрытия

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8949769B2 (en) * 2007-02-23 2015-02-03 Microsoft Corporation Spatial layout of hierarchical shared resources
US7825328B2 (en) * 2007-04-09 2010-11-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Nitride-based multi-junction solar cell modules and methods for making the same
JP2009043842A (ja) * 2007-08-07 2009-02-26 Sharp Corp 太陽電池モジュール
WO2009116394A1 (ja) * 2008-03-17 2009-09-24 シャープ株式会社 太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法
DE102009013276A1 (de) * 2009-05-12 2010-11-25 Eulektra Gmbh Restlichtaktivierungsverfahren für Vollausnutzung von Flachdächern für Aufstellung von Photovoltaik Generator Modulen
JP2011071214A (ja) * 2009-09-24 2011-04-07 Kaneka Corp 太陽電池モジュール
EP2372784B1 (en) * 2010-03-29 2015-10-07 Airbus DS GmbH Solar cell, especially a multi-junction solar cell, for space applications
US8878048B2 (en) * 2010-05-17 2014-11-04 The Boeing Company Solar cell structure including a silicon carrier containing a by-pass diode
WO2012030758A1 (en) * 2010-08-30 2012-03-08 First Solar, Inc. Photovoltaic module cover
KR101334618B1 (ko) * 2010-12-02 2013-11-29 주식회사 엘지화학 전극조립체의 폴딩 장치
US8134217B2 (en) 2010-12-14 2012-03-13 Sunpower Corporation Bypass diode for a solar cell
US9083121B2 (en) 2010-12-17 2015-07-14 Sunpower Corporation Diode-included connector, photovoltaic laminate and photovoltaic assembly using same
DE202011001341U1 (de) * 2011-01-11 2012-04-12 Conergy Ag Photovoltaikmoudul mit einlaminierter Bypassdiode
DE102011000418A1 (de) 2011-01-31 2012-08-02 Azur Space Solar Power Gmbh Photovoltaik-Baugruppe
EP2492966B1 (en) 2011-02-24 2014-09-03 Soitec Solar GmbH Solar cell arrays for concentrator photovoltaic modules
TW201244125A (en) * 2011-04-27 2012-11-01 Motech Ind Inc Solar module containing grating and its manufacturing method
US9331214B2 (en) 2011-10-11 2016-05-03 Joe Lin Diode cell modules
US9102422B2 (en) 2012-06-28 2015-08-11 Solaero Technologies Corp. Solar cell assembly, solar cell panel, and method for manufacturing the same
AU2013331304C1 (en) 2012-10-16 2015-11-26 Solexel, Inc. Systems and methods for monolithically integrated bypass switches in photovoltaic solar cells and modules
CN104995743B (zh) * 2013-02-15 2019-10-08 瑞吉恩资源有限公司 电池模块
US20150171788A1 (en) * 2013-12-16 2015-06-18 Gabriela Elena Bunea Solar module junction box bypass diode
NL2012556B1 (en) 2014-04-02 2016-02-15 Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland Photovoltaic module with bypass diodes.
US20180062011A1 (en) * 2015-01-22 2018-03-01 Solaero Technologies Corp. Space solar cell panel with blocking diodes
DE102015006379B4 (de) 2015-05-18 2022-03-17 Azur Space Solar Power Gmbh Skalierbare Spannungsquelle
US20170040479A1 (en) * 2015-08-07 2017-02-09 Solaero Technologies Corp. Reliable interconnection of solar cells
JP6352894B2 (ja) 2015-12-24 2018-07-04 トヨタ自動車株式会社 太陽電池モジュール
US10763383B2 (en) * 2016-09-14 2020-09-01 The Boeing Company Nano-metal connections for a solar cell array
RU2720479C1 (ru) * 2019-03-04 2020-04-30 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Квант" Базовый модуль солнечной батареи
RU2710390C1 (ru) * 2019-05-31 2019-12-26 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по космической деятельности "РОСКОСМОС" Фотопреобразователь с увеличенной фотоактивной площадью
US11495701B2 (en) * 2020-05-26 2022-11-08 The Boeing Company Conductive interconnect for connecting adjacent solar cells in a solar cell assembly
CN114122173B (zh) * 2020-08-27 2022-11-11 中国科学院半导体研究所 石墨烯旁路二极管与晶硅太阳电池的集成结构及制备方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1382072A (en) * 1972-02-03 1975-01-29 Ferranti Ltd Solar cells
US4481378A (en) 1982-07-30 1984-11-06 Motorola, Inc. Protected photovoltaic module
US4481347A (en) * 1983-10-24 1984-11-06 The Dow Chemical Company Epoxy resins containing phosphorus
JPH0813931B2 (ja) 1987-07-21 1996-02-14 三井東圧化学株式会社 水溶性アントラキノン染料並びに該化合物を含有するインク組成物およびコーティング材料
JPS6424864U (ru) * 1987-08-05 1989-02-10
JPS6476059A (en) 1987-09-18 1989-03-22 Canon Kk Electrophotographic sensitive body
JPH0176059U (ru) * 1987-11-10 1989-05-23
RU2008749C1 (ru) * 1991-06-28 1994-02-28 Государственное научно-производственное предприятие "Квант" Фотоэлектрический модуль
JPH0548134A (ja) * 1991-08-07 1993-02-26 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池とその製造方法
US5616185A (en) * 1995-10-10 1997-04-01 Hughes Aircraft Company Solar cell with integrated bypass diode and method
US6147296A (en) * 1995-12-06 2000-11-14 University Of Houston Multi-quantum well tandem solar cell
DE19626082C2 (de) 1996-06-28 2000-10-26 Siemens Ag Bauelementgehäuse für eine Oberflächenmontage eines Halbleiter-Bauelementes
US6278054B1 (en) 1998-05-28 2001-08-21 Tecstar Power Systems, Inc. Solar cell having an integral monolithically grown bypass diode
GB2341721B (en) * 1998-09-04 2003-08-27 Eev Ltd Manufacturing method for solar cell arrangements
GB2341273A (en) * 1998-09-04 2000-03-08 Eev Ltd Solar cell arrangements
JP2000243995A (ja) * 1998-12-25 2000-09-08 Canon Inc 太陽電池モジュールの検査方法及び製造方法
US6034322A (en) 1999-07-01 2000-03-07 Space Systems/Loral, Inc. Solar cell assembly
EP1359625B1 (en) 2000-12-28 2010-10-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Solar battery
AU2002329656A1 (en) * 2001-07-27 2003-02-17 Chu Chaw-Long Solar cell having a bypass diode for reverse bias protection and method of fabrication
US7335835B2 (en) * 2002-11-08 2008-02-26 The Boeing Company Solar cell structure with by-pass diode and wrapped front-side diode interconnection
RU2230396C1 (ru) * 2002-11-10 2004-06-10 Федеральное государственное унитарное предприятие Научно-производственное предприятие "Квант" Солнечная батарея
JP2005183660A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Canon Inc 太陽電池モジュール
US7074271B2 (en) 2004-02-23 2006-07-11 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation Method of identifying defect distribution in silicon single crystal ingot
JP4590294B2 (ja) 2005-04-13 2010-12-01 株式会社リコー 三次元成形回路部品の製造方法
US8767983B2 (en) 2007-06-01 2014-07-01 Infineon Technologies Ag Module including a micro-electro-mechanical microphone
SG149709A1 (en) 2007-07-12 2009-02-27 Micron Technology Inc Microelectronic imagers and methods of manufacturing such microelectronic imagers
JP5742323B2 (ja) 2011-03-14 2015-07-01 オムロン株式会社 センサパッケージ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2574344C2 (ru) * 2009-06-22 2016-02-10 Басф Се Способ получения структурированного металлического покрытия

Also Published As

Publication number Publication date
CA2581617C (en) 2014-07-29
US20080000523A1 (en) 2008-01-03
EP1790015A1 (de) 2007-05-30
CN101057342A (zh) 2007-10-17
RU2360325C2 (ru) 2009-06-27
EP1790015B1 (de) 2008-02-27
WO2006027225A1 (de) 2006-03-16
CN100565936C (zh) 2009-12-02
DE102004044061A1 (de) 2006-04-20
TWI324830B (en) 2010-05-11
DE502005003025D1 (de) 2008-04-10
TW200623437A (en) 2006-07-01
CA2581617A1 (en) 2006-03-16
ATE387724T1 (de) 2008-03-15
JP2008512860A (ja) 2008-04-24
US10074761B2 (en) 2018-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2007113446A (ru) Система солнечных элементов, а также способ соединения цепочки солнечных элементов
CN101595570B (zh) 用于半导体发光装置的电接触件
US8704085B2 (en) Solar module serially connected in the front
US20240088317A1 (en) One-dimensional metallization for solar cells
US20040089339A1 (en) Solar cell structure with by-pass diode and wrapped front-side diode interconnection
US20070079863A1 (en) Reliable interconnection of solar cells including integral bypass diode
CN101473452B (zh) 面板形半导体模块
CN102292824B (zh) 太阳能电池
US20180069143A1 (en) Parallel interconnection of neighboring solar cells via a common back plane
WO2004053941A3 (en) Optoelectronic devices employing fibers for light collection and emission
KR101678244B1 (ko) 광전 소자
KR20110053465A (ko) 편 방향 접속부를 구비한 태양 전지 및 태양 전지 모듈
US20210343888A1 (en) System and method for shingling wafer strips connected in parallel
US10978602B2 (en) Solar cell module interconnection of solar cells on conductive layers of a polymide support
KR102113070B1 (ko) 집광형 태양광발전 모듈들을 위한 태양 전지 어레이들
CN101479857B (zh) 面板形半导体模块
US8153886B1 (en) Method of improving the efficiency of loosely packed solar cells in dense array applications
KR20090077100A (ko) 엘이디 조명 모듈
US10193492B2 (en) Solar Cell Module
US20140166072A1 (en) Photovoltaic assembly
JP5639657B2 (ja) 太陽電池セル
ES2312872T3 (es) Celula solar que tiene un diodo de derivacion crecido monoliticamente integrado.
JPH02298080A (ja) 太陽電池セル
KR20150084517A (ko) 태양 전지
CN104183580A (zh) 外延结构与封装基板为一体的整合式led元件及制作方法