RU2006128584A - Новый материал и способ его производства - Google Patents
Новый материал и способ его производства Download PDFInfo
- Publication number
- RU2006128584A RU2006128584A RU2006128584/15A RU2006128584A RU2006128584A RU 2006128584 A RU2006128584 A RU 2006128584A RU 2006128584/15 A RU2006128584/15 A RU 2006128584/15A RU 2006128584 A RU2006128584 A RU 2006128584A RU 2006128584 A RU2006128584 A RU 2006128584A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- phosphorus
- silicon
- composite material
- way
- sample
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 14
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 14
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract 13
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 12
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims 5
- 230000003439 radiotherapeutic effect Effects 0.000 claims 2
- 206010028980 Neoplasm Diseases 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 201000011510 cancer Diseases 0.000 claims 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims 1
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 claims 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 abstract 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61P—SPECIFIC THERAPEUTIC ACTIVITY OF CHEMICAL COMPOUNDS OR MEDICINAL PREPARATIONS
- A61P35/00—Antineoplastic agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B25/00—Phosphorus; Compounds thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
- C30B15/04—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt adding doping materials, e.g. for n-p-junction
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Veterinary Medicine (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Pharmacology & Pharmacy (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Animal Behavior & Ethology (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Medicines That Contain Protein Lipid Enzymes And Other Medicines (AREA)
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
- Radiation-Therapy Devices (AREA)
- Inorganic Fibers (AREA)
- Chemical Or Physical Treatment Of Fibers (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Claims (8)
1. Способ получения композиционного материала, включающего фосфор и кремний, причем способ включает стадии:
(a) взятие образца фосфора;
(b) в значительной степени окружение образца фосфора слоем кремния, при этом слой кремния включает множество частиц кремния;
(с) подведение тепла к кремнию таким способом, что устанавливается разница температур, по меньшей мере, между частью слоя кремния и образцом фосфора, и таким способом, что, по меньшей мере, часть фосфора испаряется; и
(d) позволение и/или принуждение, по меньшей мере, некоторого количества пара фосфора контактировать, по меньшей мере, с частью слоя кремния таким способом, что образуется расплавленный композиционный материал, включающий кремний и фосфор.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что стадии (a), (b) и (с) выполняют таким способом, что, по меньшей мере, часть слоя кремния нагревают до температуры реакции кремния между 900 и 1500°С.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что образец фосфора включает красный фосфор.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что способ включает дальнейшую стадию (е) распыления, по меньшей мере, части расплавленного композиционного материала, образованного на стадии (d).
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что способ включает дальнейшие стадии: (fi) охлаждения и затем (fii) порообразования, по меньшей мере, некоторого количества композиционного материала, образованного на стадии (е).
6. Способ по п.5, отличающийся тем, что способ включает дальнейшую стадию (g) облучения нейтронами, по меньшей мере, некоторого количества композиционного материала, полученного (fii), таким способом, что, по меньшей мере, некоторое количество фосфора превращается в 32Р.
7. Радиотерапевтический продукт, полученный способом по п.6.
8. Радиотерапевтический продукт по п.7 для использования в лечении рака.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB0400149A GB2409924A (en) | 2004-01-06 | 2004-01-06 | Method of making a silicon-phosphorus composite |
| GB0400149.1 | 2004-01-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2006128584A true RU2006128584A (ru) | 2008-02-20 |
| RU2423148C2 RU2423148C2 (ru) | 2011-07-10 |
Family
ID=31503457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2006128584/15A RU2423148C2 (ru) | 2004-01-06 | 2004-12-15 | Новый материал и способ его производства |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8293630B2 (ru) |
| EP (1) | EP1704118B1 (ru) |
| JP (1) | JP4896740B2 (ru) |
| KR (1) | KR101170890B1 (ru) |
| CN (1) | CN100537424C (ru) |
| AT (1) | ATE552213T1 (ru) |
| DK (1) | DK1704118T3 (ru) |
| GB (1) | GB2409924A (ru) |
| RU (1) | RU2423148C2 (ru) |
| WO (1) | WO2005066073A1 (ru) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1643568A1 (de) * | 2004-10-04 | 2006-04-05 | Novaled GmbH | Verfahren zum Herstellen einer Schicht aus einem dotierten Halbleitermaterial und Vorrichtung |
| US20090208556A1 (en) | 2004-10-29 | 2009-08-20 | Regents Of The University Of California, The | Porous photonic crystals for drug delivery to the eye |
| CA2905205A1 (en) | 2007-07-10 | 2009-01-15 | The Regents Of The University Of California | A drug delivery device comprising a porous sio2 film or a sio2/polymer film |
| JP5290931B2 (ja) * | 2009-10-26 | 2013-09-18 | 中美▲せき▼晶製品股▲ふん▼有限公司 | シリコン結晶体成形装置 |
| US10350431B2 (en) | 2011-04-28 | 2019-07-16 | Gt Medical Technologies, Inc. | Customizable radioactive carriers and loading system |
| JP5843588B2 (ja) * | 2011-12-01 | 2016-01-13 | 株式会社アルバック | 結晶太陽電池の製造方法 |
| US9492683B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-11-15 | Gammatile Llc | Dosimetrically customizable brachytherapy carriers and methods thereof in the treatment of tumors |
| US9821174B1 (en) | 2015-02-06 | 2017-11-21 | Gammatile Llc | Radioactive implant planning system and placement guide system |
| JP6894423B2 (ja) | 2015-07-09 | 2021-06-30 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニアＴｈｅ Ｒｅｇｅｎｔｓ Ｏｆ Ｔｈｅ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ Ｏｆ Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ | 融合性リポソーム被覆多孔質ケイ素ナノ粒子 |
| US10290752B1 (en) * | 2016-05-04 | 2019-05-14 | St3 Llc | Methods of doping semiconductor materials and metastable doped semiconductor materials produced thereby |
| CN105870434B (zh) * | 2016-06-06 | 2019-12-20 | 南昌大学 | 一种硅粉掺杂的方法 |
| US10888710B1 (en) | 2016-11-29 | 2021-01-12 | Gt Medical Technologies, Inc. | Transparent loading apparatus |
| US10981018B2 (en) | 2019-02-14 | 2021-04-20 | Gt Medical Technologies, Inc. | Radioactive seed loading apparatus |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4789501A (en) * | 1984-11-19 | 1988-12-06 | The Curators Of The University Of Missouri | Glass microspheres |
| US4789596A (en) | 1987-11-27 | 1988-12-06 | Ethyl Corporation | Dopant coated bead-like silicon particles |
| NO165288C (no) * | 1988-12-08 | 1991-01-23 | Elkem As | Silisiumpulver og fremgangsmaate for fremstilling av silisiumpulver. |
| JPH07211665A (ja) | 1994-01-20 | 1995-08-11 | Matsushita Electron Corp | シリコン結晶中へのリンの拡散方法および不純物源 |
| GB9611437D0 (en) | 1995-08-03 | 1996-08-07 | Secr Defence | Biomaterial |
| US5926727A (en) * | 1995-12-11 | 1999-07-20 | Stevens; Gary Don | Phosphorous doping a semiconductor particle |
| AU5707198A (en) * | 1996-12-18 | 1998-07-15 | Implant Sciences Corp. | Sputter cathode for application of radioactive material |
| US5894133A (en) * | 1996-12-18 | 1999-04-13 | Implant Science Corporation | Sputter cathode for application of radioactive material |
| FR2817546B1 (fr) | 2000-12-04 | 2003-01-03 | Invensil | Fabrication de silicium dope par ajout de phosphore et destine a la preparation des alkyl-ou aryl-halogenosilanes |
| GB0104383D0 (en) * | 2001-02-22 | 2001-04-11 | Psimedica Ltd | Cancer Treatment |
-
2004
- 2004-01-06 GB GB0400149A patent/GB2409924A/en not_active Withdrawn
- 2004-12-15 RU RU2006128584/15A patent/RU2423148C2/ru active
- 2004-12-15 CN CNB2004800399035A patent/CN100537424C/zh active Active
- 2004-12-15 KR KR1020067013501A patent/KR101170890B1/ko active IP Right Grant
- 2004-12-15 DK DK04806058.6T patent/DK1704118T3/da active
- 2004-12-15 US US10/585,324 patent/US8293630B2/en active Active
- 2004-12-15 EP EP04806058A patent/EP1704118B1/en active Active
- 2004-12-15 WO PCT/GB2004/005243 patent/WO2005066073A1/en active Application Filing
- 2004-12-15 AT AT04806058T patent/ATE552213T1/de active
- 2004-12-15 JP JP2006548369A patent/JP4896740B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1704118B1 (en) | 2012-04-04 |
| CN100537424C (zh) | 2009-09-09 |
| WO2005066073A1 (en) | 2005-07-21 |
| CN1902130A (zh) | 2007-01-24 |
| KR101170890B1 (ko) | 2012-08-06 |
| GB2409924A (en) | 2005-07-13 |
| US8293630B2 (en) | 2012-10-23 |
| US20070190761A1 (en) | 2007-08-16 |
| JP4896740B2 (ja) | 2012-03-14 |
| GB0400149D0 (en) | 2004-02-11 |
| RU2423148C2 (ru) | 2011-07-10 |
| ATE552213T1 (de) | 2012-04-15 |
| KR20070001091A (ko) | 2007-01-03 |
| EP1704118A1 (en) | 2006-09-27 |
| JP2007517758A (ja) | 2007-07-05 |
| DK1704118T3 (da) | 2012-07-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2006128584A (ru) | Новый материал и способ его производства | |
| CN103547549B (zh) | 用第二材料渗透多孔材料的方法及相关装置 | |
| ATE522927T1 (de) | Verfahren zur herstellung einer n-dotierten zone in einem halbleiterwafer und halbleiterbauelement | |
| DK233287D0 (da) | Fremgangsmaade til fremstilling af et keramisk produkt | |
| CN1185068C (zh) | 铁－石墨复合粉末以及采用此粉末生产的烧结制品 | |
| CN102660768A (zh) | 一种单晶硅炉用炭/炭复合材料坩埚的制备工艺 | |
| RU2011114627A (ru) | Способ изготовления изделия из композиционного материала с металлической матрицей | |
| JPWO2015046593A1 (ja) | 鋼部材の窒化処理方法 | |
| DE502004012364D1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von dreidimensionalen Objekten mittels Mikrowellenstrahlung sowie dadurch hergestellter Formkörper | |
| US3130225A (en) | Urea production | |
| CN102057067A (zh) | 贵金属合金物品的生产方法 | |
| US20140182516A1 (en) | Apparatus for fabricating ingot | |
| JP5205554B2 (ja) | 多孔質物品を高密度化する方法 | |
| CN106276859B (zh) | 一种包覆有碳膜的碳纳米管微球的制备方法 | |
| Kim et al. | Highly pure pentacene crystals grown by physical vapor transport: The critical role of the carrier gas | |
| CN100580103C (zh) | 箱型无氧化热处理炉 | |
| PL1611266T3 (pl) | Sposób wytwarzania obrabianych przedmiotów o modyfikowanej powierzchni | |
| CN104496548B (zh) | 一种金属陶瓷表面处理方法 | |
| CN106231797A (zh) | 线路板金属化台阶槽的制作方法 | |
| CN107557727A (zh) | 一种新型的高温渗碳设备 | |
| DE50207027D1 (de) | Verfahren zur thermischen behandlung eines mehrere schichten aufweisenden substrats | |
| US9523157B2 (en) | Method for growing an AIN monocrystal and device for implementing same | |
| KR101496643B1 (ko) | 접합강도가 우수한 Ｆｅ-Ａｌ 이종금속재의 제조방법 | |
| RU2710820C1 (ru) | Способ получения боридных покрытий увеличенной толщины | |
| CN106086770A (zh) | 一种铁基粉芯磁体及其制造方法 |