RU2005125464A - Свч плазменный реактор - Google Patents

Свч плазменный реактор Download PDF

Info

Publication number
RU2005125464A
RU2005125464A RU2005125464/02A RU2005125464A RU2005125464A RU 2005125464 A RU2005125464 A RU 2005125464A RU 2005125464/02 A RU2005125464/02 A RU 2005125464/02A RU 2005125464 A RU2005125464 A RU 2005125464A RU 2005125464 A RU2005125464 A RU 2005125464A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
waveguide
plasma reactor
microwave plasma
working chamber
coaxial
Prior art date
Application number
RU2005125464/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2299929C2 (ru
Inventor
Виталий Иванович Конов (RU)
Виталий Иванович Конов
Виктор Григорьевич Ральченко (RU)
Виктор Григорьевич Ральченко
Константин Федорович Сергейчев (RU)
Константин Федорович Сергейчев
Валерий Борисович Хаваев (RU)
Валерий Борисович Хаваев
Сергей Каренович Вартапетов (RU)
Сергей Каренович Вартапетов
Владимир Васильевич Атежев (RU)
Владимир Васильевич Атежев
Original Assignee
ООО "Оптосистемы" (RU)
ООО "Оптосистемы"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ООО "Оптосистемы" (RU), ООО "Оптосистемы" filed Critical ООО "Оптосистемы" (RU)
Priority to RU2005125464/02A priority Critical patent/RU2299929C2/ru
Publication of RU2005125464A publication Critical patent/RU2005125464A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2299929C2 publication Critical patent/RU2299929C2/ru

Links

Landscapes

  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Claims (6)

1. СВЧ плазменный реактор, содержащий осесимметричную герметичную рабочую камеру в виде короткого цилиндра, в центральной части которой соосно расположена платформа, образующая с внутренней торцевой стороной рабочей камеры радиальный волновод, центральная часть которого является резонатором, источник СВЧ энергии, соединенный с рабочей камерой линией, содержащей прямоугольный волновод и цилиндрический коаксиальный волновод, диэлектрическое окно в виде отрезка цилиндрической трубы, герметично отделяющее рабочую камеру, отличающийся тем, что цилиндрический коаксиальный волновод соединен с рабочей камерой конусообразным коаксиальным волноводом, основание внутреннего конуса волновода сопряжено с платформой, а основание внешнего конуса в общей плоскости с основанием внутреннего конуса сопряжено с цилиндрической стенкой камеры, причем геометрические пропорции конусообразного волновода выбраны из соотношения ln a/b=ln (tgα/tgβ)=ln A/B=H/B, где α и β - углы внешнего и внутреннего конусов конусообразного волновода, имеющие общую вершину, а и b - внешний и внутренний радиусы коаксиального волновода, А - внутренний радиус цилиндрической части реактора В - радиус платформы, Н - расстояние от платформы на ее краю до внутренней поверхности рабочей камеры, диэлектрическое окно установлено в коаксиальном конусообразном волноводе соосно с ним, причем средний угол падения СВЧ волны на окно не более чем на 20° отличается от угла Брюстера для материала диэлектрического окна в полосе возбуждаемых колебаний.
2. СВЧ плазменный реактор по п.1, отличающийся тем, что платформа содержит вставной цилиндрический элемент, высотой в четвертую часть длины волны возбуждаемых колебаний, установленный с зазором по периметру, причем зазор является частью СВЧ дроссельного соединения, вставной цилиндрический элемент является подложкодержателем.
3. СВЧ плазменный реактор по п.2, отличающийся тем, что внутри подложкодержателя выполнено углубление, над которым сформирована тонкая перегородка, под перегородкой расположено средство регулирования температуры поверхности подложкодержателя.
4. СВЧ плазменный реактор по п.3, отличающийся тем, что в верхней части камеры реактора соосно с ним выполнен отрезок запредельного волновода с оптическим окном в его торце.
5. СВЧ плазменный реактор по п.4, отличающийся тем, что в оптическом окне запредельного волновода установлено устройство контроля температуры в зоне резонатора, устройство контроля температуры через блок управления связано со средством регулирования температуры подложкодержателя.
6. СВЧ плазменный реактор по п.5, отличающийся тем, что средство регулирования температуры подложкодержателя выполнено в виде электрического нагревателя.
RU2005125464/02A 2005-08-11 2005-08-11 Свч плазменный реактор RU2299929C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2005125464/02A RU2299929C2 (ru) 2005-08-11 2005-08-11 Свч плазменный реактор

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2005125464/02A RU2299929C2 (ru) 2005-08-11 2005-08-11 Свч плазменный реактор

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2005125464A true RU2005125464A (ru) 2007-02-27
RU2299929C2 RU2299929C2 (ru) 2007-05-27

Family

ID=37990195

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2005125464/02A RU2299929C2 (ru) 2005-08-11 2005-08-11 Свч плазменный реактор

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2299929C2 (ru)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2539872C1 (ru) * 2013-07-05 2015-01-27 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) Устройство свч плазменной обработки
RU2595156C2 (ru) * 2014-12-15 2016-08-20 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН) Плазменный свч реактор для газофазного осаждения алмазных пленок в потоке газа (варианты)
RU2694432C1 (ru) * 2018-01-18 2019-07-15 Общество С Ограниченной Ответственностью "Твинн" СВЧ плазменный реактор

Also Published As

Publication number Publication date
RU2299929C2 (ru) 2007-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2017148208A1 (zh) 表面波等离子体设备
US20090045167A1 (en) Plasma etching method and apparatus therefor
CN108624870A (zh) 一种可调谐圆抛腔式高功率微波等离子体化学气相沉积装置
JPH09503611A (ja) マイクロ波プラズマ反応器
WO1999066769A1 (fr) Processeur plasmique
JPH1064696A (ja) プラズマ処理装置
WO2006009213A1 (ja) プラズマ処理装置
JP2007149878A (ja) マイクロ波導入装置及びプラズマ処理装置
RU2005125464A (ru) Свч плазменный реактор
CN109195299B (zh) 一种圆柱表面波等离子体产生装置
JP2018507508A (ja) スロット付き螺旋状導波管を有する回転式マイクロプラズマアンテナを有するワークピース処理チャンバ
CN208501097U (zh) 一种可调谐圆抛腔式高功率微波等离子体化学气相沉积装置
JP2014160557A (ja) プラズマ処理装置
JPH1167492A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US4740763A (en) Microwave calorimeter
JP2008277263A (ja) プラズマ発生装置
JP2020194676A (ja) プラズマ密度モニタ、プラズマ処理装置、およびプラズマ処理方法
CN110913556A (zh) 一种微波等离子反应装置
RU2552848C2 (ru) Плазменный источник света
US5961776A (en) Surface processing apparatus
JP4558975B2 (ja) プラズマ処理装置
RU2595156C2 (ru) Плазменный свч реактор для газофазного осаждения алмазных пленок в потоке газа (варианты)
JP2014175168A (ja) プラズマ処理装置
KR100494999B1 (ko) 무전극 방전램프용 원편파 초고주파 발생장치
WO2011122422A1 (ja) プラズマ処理装置、および誘電体窓

Legal Events

Date Code Title Description
PD4A Correction of name of patent owner