JP2008277263A - プラズマ発生装置 - Google Patents

プラズマ発生装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2008277263A
JP2008277263A JP2008056483A JP2008056483A JP2008277263A JP 2008277263 A JP2008277263 A JP 2008277263A JP 2008056483 A JP2008056483 A JP 2008056483A JP 2008056483 A JP2008056483 A JP 2008056483A JP 2008277263 A JP2008277263 A JP 2008277263A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
antenna
electromagnetic wave
plasma
insulator
plasma generator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008056483A
Other languages
English (en)
Inventor
Jui-Yu Lin
林瑞育
▲しゃん▼崇善
Chwung-Shan Kou
Teng-Wei Wang
王騰緯
Yan-Ru Pan
潘彦儒
Tzu-Ching Chang
張子青
Chih-Chieh Yu
兪志杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taida Electronic Industry Co Ltd
Original Assignee
Taida Electronic Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taida Electronic Industry Co Ltd filed Critical Taida Electronic Industry Co Ltd
Publication of JP2008277263A publication Critical patent/JP2008277263A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192Microwave generated discharge
    • H01J37/32211Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/3222Antennas

Abstract

【課題】プラズマの強度を均一にするプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】アンテナ組は、第1電磁波を提供する一つの第1アンテナ11と、第2電磁波を提供する一つの第2アンテナ12とを含んでいる。第1アンテナ11と第2アンテナ12との重複区域13では、第1電磁波と第2電磁波が互いにカップリングして均一の強度を有するプラズマを発生させる。発生したプラズマから第1アンテナ11と第2アンテナ12を隔てるために、第1アンテナ11と第2アンテナ12は、絶縁体22によって形成された隔離空間26に設置される。
【選択図】図3

Description

本発明はプラズマ発生装置に関し、特に電磁波を用いたプラズマ発生装置に関する。
周知のプラズマ発生手段は一般に直流放電、低周波数と中周波数を含む電波放電、及びマイクロ波放電の技術を用いた。低周波数と中周波数を含む電波放電では用いられた周波数の範囲が数KHzから数MHzまでである。マイクロ波放電では用いられた周波数が2.45GHzである。マイクロ波放電でプラズマを発生させた系統は構成が比較的に簡単なので、当業者に採用されることがある。
マイクロ波放電でプラズマを発生させた系統では、マイクロ波の波長が比較的に短いので、基板を収容する共振室の寸法がマイクロ波の波長の数倍以上でなければならない。すると、マイクロ波は、共振室の挿入端から共振室の内部まで伝送されることができなくなって、初期に発生したプラズマのよって反射されて、後で発生するプラズマを影響してその強度を均一でないとする問題がある。
プラズマを発生させる少なくとも一つのアンテナ組を含むプラズマ発生装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明は、プラズマを発生させる少なくとも一つのアンテナ組を含むプラズマ発生装置を提供することで上記課題を快適に解決する。該アンテナ組は、第1電磁波を提供する少なくとも一つの第1アンテナと、第2電磁波を提供する少なくとも一つの第2アンテナと、を含んでいる。該第1アンテナと該第2アンテナとの重複区域では、該第1電磁波と該第2電磁波が互いにカップリングして該プラズマを発生させる、ことを特徴とする。
上記目的を達成するための本発明はさらに、プラズマを発生させる少なくとも一つのアンテナ組を含むプラズマ発生装置を提供することで上記課題を快適に解決する。該アンテナ組は、第1電磁波を提供する少なくとも一つの第1アンテナと、第2電磁波を提供する少なくとも一つの第2アンテナと、該第1アンテナと該第2アンテナを収容する隔離空間を形成する第1絶縁体とを含み、該第1アンテナと該第2アンテナとの重複区域では、該第1電磁波と該第2電磁波が互いにカップリングして、該第1絶縁体を通じて該プラズマを発生させる、ことを特徴とする。
上記目的を達成するための本発明はさらに、プラズマを発生させる少なくとも一つのアンテナ組を含むプラズマ発生装置を提供することで上記課題を快適に解決する。該アンテナ組は、第1電磁波を提供する少なくとも一つの第1アンテナと、第2電磁波を提供する少なくとも一つの第2アンテナと、該第1アンテナと該第2アンテナを収容する隔離空間を形成する絶縁体とを含み、該第1アンテナと該第2アンテナとの重複区域では、該第1電磁波と該第2電磁波が互いにカップリングして、該絶縁体を通じて該プラズマを発生させて膜を基板に形成する、ことを特徴とする。
本発明のプラズマ発生装置によっては、第1アンテナと第2アンテナとの重複区域を用いて均一の強度のプラズマを発生させることができる。従来の技術では、マイクロ波が、共振室の挿入端から共振室の内部まで伝送されることができなくなって、初期に発生したプラズマによって反射されて、後で発生するプラズマに影響を与えてその強度を均一でなくする問題を解決できる。
本願発明のその他の利点及び特徴については、以下に行う発明の実施の形態の説明から、より明らかとなるであろう。下記実施の形態は本発明の技術的手段をより具体的に詳述するためのもので、当然本発明はそれに限定されず、添付クレームの範囲を逸脱しない限り、当業者による単純な設計変更、付加、修飾、及び置換はいずれも本発明の技術的範囲に属する。
図1は本発明に係る、第1の実施の形態のプラズマ発生装置を示す図である。プラズマ発生装置10はプラズマを発生できる少なくとも一つのアンテナ組31を含んでいる。アンテナ組31は第1電磁波を提供する第1アンテナ11と、第2電磁波を提供する第2アンテナ12とを含んでいる。第1電磁波と第2電磁波はそれぞれに電磁波発生器16から発生して、電磁波カプラー17を通して第1アンテナ11と第2アンテナ12へガイドされる。その上、第1アンテナ11の長さは該第2アンテナ12の長さと同じである。第1アンテナ11は第2アンテナ12と互いに平行して距離を隔てている。第1アンテナ11と第2アンテナ12との重複区域13では、第1電磁波と第2電磁波が互いにカップリングことができ、重複区域13に対する均一の強度を有するプラズマを発生させる。
実際の応用に応じて、プラズマ発生装置10には第1アンテナ11と第2アンテナ12が多種の仕様に配置されることができる。例えば、図4に示したように、第1アンテナ11と第2アンテナ12との中の少なくとも一つは、電磁波遮蔽物14に設置される電気伝導棒状物30であってもよい。電磁波遮蔽物14が少なくとも一つの開口15を有している。開口15の数量は電気伝導棒状物30の挿入端から電気伝導棒状物30に沿って変化でき、電磁波遮蔽物14の単位長さ当たりの開口15の総面積が対応して変化するようにする。すると、電気伝導棒状物30に沿う電磁波の強度が調整されることによって均一の強度を有するプラズマを発生させることができる。本発明の別の特徴は、図6に示したように、電磁波遮蔽物14が開口15を遮蔽できる遮蔽板33を有して、遮蔽板33が電磁波遮蔽物14に応じて移動できて、開口15の遮蔽された面積を制御するようにする。すると、プラズマ発生装置10の発生させたプラズマの強度はそれに対応して変化できる。
図2は本発明に係る、第2の実施の形態のプラズマ発生装置を示す図である。プラズマ発生装置10はプラズマを発生できる少なくとも一つのアンテナ組31を含んで、基板18を処理するようにする。アンテナ組31は第1電磁波を提供する第1アンテナ11と、第2電磁波を提供する第2アンテナ12とを含んでいる。第1アンテナ11と第2アンテナ12との重複区域13では、第1電磁波と第2電磁波が互いにカップリングことができ、均一の強度を有するプラズマを発生させる。発生したプラズマから第1アンテナ11と第2アンテナ12を隔てるために、第1アンテナ11と第2アンテナ12は、絶縁体22によって形成された隔離空間26に設置されることが好ましい。隔離空間26には、隔離空間26内の温度を調整できる冷却流体があってもよい。
さらに、実際の応用に応じて、プラズマ発生装置10には第1アンテナ11と第2アンテナ12が多種の仕様に配置されることができる。例えば、図2に示したように、第1アンテナ11の指向が第2アンテナ12の指向に反対している。プラズマ発生装置10はさらに別の絶縁体を有して、その絶縁体は第1アンテナ11と第2アンテナ12の一つに隣接する少なくとも一つの第3アンテナを有して、互いに隣接しあうアンテナが反対した指向を有している。
図3は本発明に係る、第3の実施の形態のプラズマ発生装置を示す図である。プラズマ発生装置10は少なくとも一つのアンテナ組31を含んで、プラズマを発生させて膜19を基板18に形成するようにする。アンテナ組31は第1電磁波を提供する少なくとも一つの第1アンテナ11と、第2電磁波を提供する少なくとも一つの第2アンテナ12とを含んでいる。第1アンテナ11と第2アンテナ12との重複区域13では、第1電磁波と第2電磁波が互いにカップリングことができ、均一の強度を有するプラズマを発生させる。発生したプラズマから第1アンテナ11と第2アンテナ12を隔てるために、第1アンテナ11と第2アンテナ12は、絶縁体22によって形成された隔離空間26に設置されることが好ましい。絶縁体22によって形成された隔離空間26はプラズマ発生装置10の処理室21を通り過ぎている。隔離空間26は、両端が処理室21の壁に密接することによって、完全に密封されている。隔離空間26の断面の形状は円形もしくは多辺形であってもよい。
第1電磁波と第2電磁波はそれぞれに電磁波発生器16から発生して、電磁波カプラー17を通して第1アンテナ11と第2アンテナ12へガイドされる。それらの電磁波発生器16の周波数、工率、及びスイッチ状態は調整することによって、自由に第1電磁波と第2電磁波それぞれの強度を制御できる。そのうえ、本発明のプラズマ発生装置10はさらに、基板18に対する膜19の変化(均一度や厚さなど)に応じてそれらの電磁波発生器16を制御する光電検出装置23を含んでいる。
実際の応用に応じて、アンテナ組31には第1アンテナ11と第2アンテナ12が多種の仕様に配置されることができる。例えば、図5に示したように、第1アンテナ11と第2アンテナ12との中の少なくとも一つは、電磁波遮蔽物14に設置される電気伝導棒状物30であってもよい。膜19に隣接している電磁波遮蔽物14の一端が少なくとも一つの開口15を有している。開口15の直径は電気伝導棒状物30の挿入端から電気伝導棒状物30に沿って変化でき、電気伝導棒状物30に沿う電磁波の強度が調整されることができるようにする。すると、第1電磁波と第2電磁波を重複区域13に有効に互いにカップリングさせることができる。
上記実施の形態は本発明の技術的手段をより具体的に詳述するためのもので、当然本発明はそれに限定されず、添付クレームの範囲を逸脱しない限り、当業者による単純な設計変更、付加、修飾、及び置換はいずれも本発明の技術的範囲に属する。
本発明に係る、第1の実施の形態のプラズマ発生装置を示す図である。 本発明に係る、第2の実施の形態のプラズマ発生装置を示す図である。 本発明に係る、第3の実施の形態のプラズマ発生装置を示す図である。 本発明に係る、第1の実施の形態のアンテナの構成を示す図である。 本発明に係る、第2の実施の形態のアンテナの構成を示す図である。 本発明に係る、第3の実施の形態のアンテナの構成を示す図である。
符合の説明
10・・・プラズマ発生装置 11・・・第1アンテナ 12・・・第2アンテナ13・・・重複区域 14・・・電磁波遮蔽物 15・・・開口 16・・・電磁波発生器 17・・・電磁波カプラー 18・・・基板 19・・・膜 21・・・処理室 22・・・絶縁体 23・・・光電検出装置 26・・・隔離空間 30・・・電気伝導棒状物 31・・・アンテナ組 33・・・遮蔽板

Claims (10)

  1. プラズマを発生させる少なくとも一つのアンテナ組を含むプラズマ発生装置であって、
    該アンテナ組は、第1電磁波を提供する少なくとも一つの第1アンテナと、
    第2電磁波を提供する少なくとも一つの第2アンテナとを含み、
    該第1アンテナと該第2アンテナとの重複区域では、該第1電磁波と該第2電磁波が互いにカップリングして該プラズマを発生させる、ことを特徴とするプラズマ発生装置。
  2. 該第1アンテナの長さは該第2アンテナの長さと同じであり、
    該第1アンテナは該第2アンテナと互いに平行して距離を隔てており、
    該第1アンテナの受信端と該第2アンテナの受信端にはそれぞれ電磁波発生器が設置されていて、該電磁波発生器と該アンテナとの間に電磁波カプラーが設置される、ことを特徴とする請求項1記載のプラズマ発生装置。
  3. 電磁波を提供して均一強度のプラズマを発生させるアンテナを有するプラズマ発生装置であって、
    該アンテナは、少なくとも一つの開口を有する電磁波遮蔽物の内に設置される、ことを特徴とするプラズマ発生装置。
  4. 該アンテナは電気伝導棒状物であって、
    該開口は、該電気伝導棒状物に沿う該電磁波の強度を調整することができて、
    該電磁波遮蔽物は、該開口を遮蔽できる遮蔽板を有し、
    該遮蔽板は該電磁波遮蔽物に応じて移動できて、該開口の遮蔽された面積を制御するようにする、ことを特徴とする請求項3記載のプラズマ発生装置。
  5. プラズマを発生させる少なくとも一つのアンテナ組を含むプラズマ発生装置であって、
    該アンテナ組は、第1電磁波を提供する少なくとも一つの第1アンテナと、第2電磁波を提供する少なくとも一つの第2アンテナと、該第1アンテナと該第2アンテナを収容する隔離空間を形成する第1絶縁体とを含み、
    該第1アンテナと該第2アンテナとの重複区域では、該第1電磁波と該第2電磁波が互いにカップリングして、該第1絶縁体を通じて該プラズマを発生させる、ことを特徴とするプラズマ発生装置。
  6. 該第1アンテナの指向が該第2アンテナの指向に反対しており、
    該プラズマ発生装置はさらに第2絶縁体を有し、
    該第2絶縁体は該第1アンテナと該第2アンテナの一つに隣接する第3アンテナを有し、互いに隣接しあうアンテナが反対した指向を有する、ことを特徴とする請求項5記載のプラズマ発生装置。
  7. プラズマを発生させる少なくとも一つのアンテナ組を含むプラズマ発生装置であって、
    該アンテナ組は、第1電磁波を提供する少なくとも一つの第1アンテナと、第2電磁波を提供する少なくとも一つの第2アンテナと、該第1アンテナと該第2アンテナを収容する隔離空間を形成する絶縁体とを含み、
    該第1アンテナと該第2アンテナとの重複区域では、該第1電磁波と該第2電磁波が互いにカップリングして、該絶縁体を通じて該プラズマを発生させて膜を基板に形成する、ことを特徴とするプラズマ発生装置。
  8. 該絶縁体によって形成された該隔離空間は該プラズマ発生装置の処理室を通り過ぎて、
    該隔離空間は、両端が該処理室の壁に密接することによって、完全に密封されており、
    該隔離空間には、該隔離空間内の温度を調整できる冷却流体がある、ことを特徴とする請求項7記載のプラズマ発生装置。
  9. 該第1アンテナと該第2アンテナとの中の少なくとも一つは、電磁波遮蔽物に設置される電気伝導棒状物であって、該電磁波遮蔽物が少なくとも一つの開口を有し、該電磁波がマイクロ波バンド幅を有し、
    該第1アンテナの受信端と該第2アンテナの受信端にはそれぞれ電磁波発生器が設置されており、該電磁波発生器と該アンテナとの間に電磁波カプラーが設置される、ことを特徴とする請求項7記載のプラズマ発生装置。
  10. 該プラズマ発生装置はさらに、該膜の変化に応じてそれらの電磁波発生器を制御する光電検出装置を含んでいる、ことを特徴とする請求項9記載のプラズマ発生装置。
JP2008056483A 2007-05-01 2008-03-06 プラズマ発生装置 Pending JP2008277263A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW096115501A TW200845833A (en) 2007-05-01 2007-05-01 Plasma generating device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008277263A true JP2008277263A (ja) 2008-11-13

Family

ID=39939084

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008056483A Pending JP2008277263A (ja) 2007-05-01 2008-03-06 プラズマ発生装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20080272700A1 (ja)
JP (1) JP2008277263A (ja)
TW (1) TW200845833A (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011100057A1 (de) * 2011-04-29 2012-10-31 Centrotherm Thermal Solutions Gmbh & Co. Kg Vorrichtung und verfahren zum behandeln von substraten mit einem plasma
WO2013011968A1 (ja) * 2011-07-16 2013-01-24 イマジニアリング株式会社 プラズマ生成装置、及び内燃機関
DE102012200878B4 (de) 2012-01-23 2014-11-20 Forschungsverbund Berlin E.V. Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen von Plasmapulsen
JP2016530699A (ja) * 2013-05-31 2016-09-29 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated プラズマ処理システムのためのアンテナアレイ構成
JP6320824B2 (ja) * 2014-03-31 2018-05-09 株式会社東芝 ガス供給管、およびガス処理装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003086581A (ja) * 2001-09-14 2003-03-20 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 大面積プラズマ生成用アンテナ
JP2004055614A (ja) * 2002-07-16 2004-02-19 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2004349199A (ja) * 2003-05-26 2004-12-09 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd プラズマ発生用アンテナ装置及びプラズマ処理装置
JP2005149887A (ja) * 2003-11-14 2005-06-09 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd プラズマ発生装置用アンテナの整合方法及びプラズマ発生装置
JP2006202638A (ja) * 2005-01-21 2006-08-03 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd プラズマ生成装置及びプラズマ生成方法
JP2006274420A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd プラズマ成膜方法及びプラズマcvd装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5234529A (en) * 1991-10-10 1993-08-10 Johnson Wayne L Plasma generating apparatus employing capacitive shielding and process for using such apparatus
KR200253559Y1 (ko) * 2001-07-30 2001-11-22 주식회사 플라즈마트 회전방향으로 균일한 플라즈마 밀도를 발생시키는유도결합형 플라즈마 발생장치의 안테나구조
JP2004055600A (ja) * 2002-07-16 2004-02-19 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US20070095281A1 (en) * 2005-11-01 2007-05-03 Stowell Michael W System and method for power function ramping of microwave liner discharge sources
US20080023146A1 (en) * 2006-07-26 2008-01-31 Advanced Energy Industries, Inc. Inductively coupled plasma system with internal coil

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003086581A (ja) * 2001-09-14 2003-03-20 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 大面積プラズマ生成用アンテナ
JP2004055614A (ja) * 2002-07-16 2004-02-19 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2004349199A (ja) * 2003-05-26 2004-12-09 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd プラズマ発生用アンテナ装置及びプラズマ処理装置
JP2005149887A (ja) * 2003-11-14 2005-06-09 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd プラズマ発生装置用アンテナの整合方法及びプラズマ発生装置
JP2006202638A (ja) * 2005-01-21 2006-08-03 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd プラズマ生成装置及びプラズマ生成方法
JP2006274420A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd プラズマ成膜方法及びプラズマcvd装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20080272700A1 (en) 2008-11-06
TW200845833A (en) 2008-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2178350B1 (en) Controller of plasma formation region and plasma processor
EP1984975B1 (en) Method and apparatus for producing plasma
JP6272298B2 (ja) マイクロ波プラズマ生成装置およびこれを作動させる方法
KR101495378B1 (ko) 마이크로파 가열 장치
KR100871475B1 (ko) 균일한 계층화 마이크로파 플라즈마 발생을 제공하기 위한 마이크로파 플라즈마 노즐 어레이 장치, 노즐 어레이의 형상화방법 및 마이크로파 플라즈마 시스템
JP2006244891A5 (ja)
US8222579B2 (en) Microwave irradiation system
TW201230887A (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP2010525155A (ja) プラズマ発生装置
TW200913799A (en) Plasma processing system, power supply system, and use of plasma processing system
JP2022046598A (ja) 局所的なローレンツ力を用いるモジュール式マイクロ波源
KR20010076348A (ko) 플라즈마 생성장치 및 플라즈마 처리장치
JP2008277263A (ja) プラズマ発生装置
JPH0563413A (ja) 規則的なマイクロ波の場を発生させる装置
CN109195299B (zh) 一种圆柱表面波等离子体产生装置
JP2018006718A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JPH0319332A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JP2012190899A (ja) プラズマ処理装置
JP5572019B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Zhu et al. Characteristics of AC-biased plasma antenna and plasma antenna excited by surface wave
KR102489747B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
JP2020194676A (ja) プラズマ密度モニタ、プラズマ処理装置、およびプラズマ処理方法
JP5273759B1 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
CN109494145B (zh) 表面波等离子体加工设备
KR20200140711A (ko) 플라스마 전계 모니터, 플라스마 처리 장치, 및 플라스마 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100928

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110308