RU2002127281A - Биполярно-полевой транзистор с комбинированным затвором - Google Patents

Биполярно-полевой транзистор с комбинированным затвором

Info

Publication number
RU2002127281A
RU2002127281A RU2002127281/28A RU2002127281A RU2002127281A RU 2002127281 A RU2002127281 A RU 2002127281A RU 2002127281/28 A RU2002127281/28 A RU 2002127281/28A RU 2002127281 A RU2002127281 A RU 2002127281A RU 2002127281 A RU2002127281 A RU 2002127281A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
conductivity type
region
layer
bipolar
field transistor
Prior art date
Application number
RU2002127281/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2230394C1 (ru
Inventor
Татьяна Альбертовна Воробьева
Нектарий Тимофеевич Гурин
Александр Иванович Гордеев
Юрий Дмитриевич Обмайкин
Елена Евгеньевна Андреева
Original Assignee
ОАО "ОКБ "Искра"
Filing date
Publication date
Application filed by ОАО "ОКБ "Искра" filed Critical ОАО "ОКБ "Искра"
Priority to RU2002127281/28A priority Critical patent/RU2230394C1/ru
Priority claimed from RU2002127281/28A external-priority patent/RU2230394C1/ru
Publication of RU2002127281A publication Critical patent/RU2002127281A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2230394C1 publication Critical patent/RU2230394C1/ru

Links

Claims (1)

  1. Биполярно-полевой транзистор с комбинированным затвором, содержащий первый (коллекторный) слой первого типа проводимости, на котором расположены последовательно второй слой второго типа проводимости, третья область первого типа проводимости, четвертая (эмиттерная) область второго типа проводимости, изолированный от полупроводника слоем подзатворного диэлектрика проводящий затворный контакт, расположенный в канавке, к боковым стенкам которой непосредственно прилегает третья область, отличающийся тем, что транзистор имеет встроенный в объем полупроводника канал второго типа проводимости, образованный четвертой областью второго типа проводимости и вторым слоем, а третья область изолирована от эмиттерной металлизации слоем диэлектрика.
RU2002127281/28A 2002-10-11 2002-10-11 Биполярно-полевой транзистор с комбинированным затвором RU2230394C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2002127281/28A RU2230394C1 (ru) 2002-10-11 2002-10-11 Биполярно-полевой транзистор с комбинированным затвором

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2002127281/28A RU2230394C1 (ru) 2002-10-11 2002-10-11 Биполярно-полевой транзистор с комбинированным затвором

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2002127281A true RU2002127281A (ru) 2004-04-20
RU2230394C1 RU2230394C1 (ru) 2004-06-10

Family

ID=32846213

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2002127281/28A RU2230394C1 (ru) 2002-10-11 2002-10-11 Биполярно-полевой транзистор с комбинированным затвором

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2230394C1 (ru)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MX2014003783A (es) * 2011-09-28 2014-05-14 Toyota Motor Co Ltd Igbt y metodo para fabricar el mismo.
US9123802B2 (en) * 2013-10-03 2015-09-01 Texas Instruments Incorporated Vertical trench MOSFET device in integrated power technologies
US9224854B2 (en) * 2013-10-03 2015-12-29 Texas Instruments Incorporated Trench gate trench field plate vertical MOSFET
US9136368B2 (en) * 2013-10-03 2015-09-15 Texas Instruments Incorporated Trench gate trench field plate semi-vertical semi-lateral MOSFET
RU2585880C1 (ru) * 2015-05-14 2016-06-10 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" Интегральная схема силового биполярно-полевого транзистора
RU172820U1 (ru) * 2017-03-29 2017-07-25 Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" Биполярный транзистор

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5945708A (en) Field-effect-controllable, vertical semiconductor component and method for producing the same
KR100843062B1 (ko) 횡형 박막ＳＯＩ(Ｓｉｌｉｃｏｎ-Ｏｎ-Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ) 디바이스
KR950034767A (ko) Mis형 반도체장치
EP1256985A3 (en) Lateral power MISFET
KR970054363A (ko) 다이오드를 내장한 절연게이트 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조방법
KR920003549A (ko) Mis형 반도체장치
JP2003133557A5 (ru)
WO2003100865A3 (en) Microwave field effect transistor structure
JP2002134756A5 (ru)
KR970067716A (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법
KR920015577A (ko) 반도체장치
TW200505030A (en) MOS type semi conductor device
RU2002127281A (ru) Биполярно-полевой транзистор с комбинированным затвором
KR960032771A (ko) 접합 전계 효과 트랜지스터를 갖는 반도체 장치
JP4099029B2 (ja) トレンチゲート型半導体装置
KR930009112A (ko) 반도체장치
WO2002058161A3 (en) Mos device having a trench gate electrode
JPH01111378A (ja) 縦型ｍｏｓ　ｆｅｔ
KR900015316A (ko) 반도체장치
TW200501395A (en) Bipolar junction transistors and methods of manufacturing the same
JP3112376B2 (ja) 縦型半導体装置
RU97102282A (ru) Вертикальный мдп транзистор интегральной схемы
JPH0256438U (ru)
JP2003318296A5 (ru)
JP2005150190A5 (ru)