RU2002107048A - Способ формирования слоев поликристаллического кремния - Google Patents
Способ формирования слоев поликристаллического кремния Download PDFInfo
- Publication number
- RU2002107048A RU2002107048A RU2002107048/02A RU2002107048A RU2002107048A RU 2002107048 A RU2002107048 A RU 2002107048A RU 2002107048/02 A RU2002107048/02 A RU 2002107048/02A RU 2002107048 A RU2002107048 A RU 2002107048A RU 2002107048 A RU2002107048 A RU 2002107048A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- polycrystalline silicon
- reactor
- silicon layers
- temperature
- inert gas
- Prior art date
Links
Claims (1)
- Способ формирования слоев поликристаллического кремния, включающий загрузку полупроводниковых пластин в реактор с горячими стенками перпендикулярно газовому потоку, откачку реактора до предельного вакуума, напуск моносилана для осаждения слоев поликристаллического кремния, прекращение подачи моносилана, откачку реактора до предельного вакуума, напуск в реактор инертного газа до атмосферного давления, выгрузку полупроводниковых пластин из реактора, отличающийся тем, что после напуска в реактор инертного газа проводят дополнительный термоотжиг слоев поликристаллического кремния при температуре, не меньшей 1323К, затем выдерживают пластины при этой температуре в течение 40-60 мин. в потоке инертного газа и снижают температуру до температуры роста слоев поликристаллического кремния.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2002107048/02A RU2261937C2 (ru) | 2002-03-21 | 2002-03-21 | Способ формирования слоев поликристаллического кремния |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2002107048/02A RU2261937C2 (ru) | 2002-03-21 | 2002-03-21 | Способ формирования слоев поликристаллического кремния |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2002107048A true RU2002107048A (ru) | 2004-12-27 |
| RU2261937C2 RU2261937C2 (ru) | 2005-10-10 |
Family
ID=35635463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2002107048/02A RU2261937C2 (ru) | 2002-03-21 | 2002-03-21 | Способ формирования слоев поликристаллического кремния |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2261937C2 (ru) |
-
2002
- 2002-03-21 RU RU2002107048/02A patent/RU2261937C2/ru not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2261937C2 (ru) | 2005-10-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7022298B2 (en) | Exhaust apparatus for process apparatus and method of removing impurity gas | |
| JP4305427B2 (ja) | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 | |
| US7884034B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus | |
| JPH11195648A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2009239289A (ja) | 基板支持体、基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP5546654B2 (ja) | 基板処理装置、半導体製造方法、基板処理方法、及び異物除去方法 | |
| US20190338443A1 (en) | Method of producing epitaxial silicon wafer | |
| JP2006302946A (ja) | 基板処理システム | |
| RU2002107048A (ru) | Способ формирования слоев поликристаллического кремния | |
| TWI578384B (zh) | A semiconductor device manufacturing method, a substrate processing method, and a substrate processing apparatus | |
| US20030175426A1 (en) | Heat treatment apparatus and method for processing substrates | |
| JP2009272367A (ja) | 基板処理装置 | |
| TW432488B (en) | Reaction facility for forming film and method of air intake | |
| TW201015738A (en) | Atomic layer deposition apparatus | |
| US20220372618A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor device, and film-forming device | |
| JP2686447B2 (ja) | 反応装置 | |
| JP5848788B2 (ja) | 基板処理装置、半導体製造方法、基板処理方法 | |
| JP2007027425A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3729578B2 (ja) | 半導体製造方法 | |
| JP2005039153A (ja) | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 | |
| JPH0586476A (ja) | 化学気相成長装置 | |
| JPH11260734A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003183837A (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
| RU2000106315A (ru) | Способ формирования слоя поликристаллического кремния | |
| JP2012134332A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA94 | Acknowledgement of application withdrawn (non-payment of fees) |
Effective date: 20050317 |
|
| FZ9A | Application not withdrawn (correction of the notice of withdrawal) |
Effective date: 20050317 |
|
| PD4A | Correction of name of patent owner | ||
| QB4A | Licence on use of patent |
Free format text: LICENCE Effective date: 20130801 |