RU2002100671A - Способ рафинирования галлия
- Google Patents
Способ рафинирования галлия
Info
Publication number
RU2002100671A
RU2002100671ARU2002100671/02ARU2002100671ARU2002100671ARU 2002100671 ARU2002100671 ARU 2002100671ARU 2002100671/02 ARU2002100671/02 ARU 2002100671/02ARU 2002100671 ARU2002100671 ARU 2002100671ARU 2002100671 ARU2002100671 ARU 2002100671A
ОАО Научно-исследовательский институт материалов электронной техники
Filing date
Publication date
Application filed by ОАО Научно-исследовательский институт материалов электронной техникиfiledCriticalОАО Научно-исследовательский институт материалов электронной техники
Priority to RU2002100671/02ApriorityCriticalpatent/RU2221066C2/ru
Priority claimed from RU2002100671/02Aexternal-prioritypatent/RU2221066C2/ru
Publication of RU2002100671ApublicationCriticalpatent/RU2002100671A/ru
Application grantedgrantedCritical
Publication of RU2221066C2publicationCriticalpatent/RU2221066C2/ru
Способ очистки галлия методом направленной кристаллизации, включающий получение расплава, местное охлаждение расплава для образования затравки и рост кристалла, отличающийся тем, что рост кристалла осуществляют при его перемещении вверх по окружности с линейной скоростью 5-30 мм/ч, и перемешиванием расплава с линейной скоростью 5-30 мм/ч, степенью очистки 99,99991-99,99997 мас.% и степенью отверждения 70-95%.