RU2002100671A - Способ рафинирования галлия - Google Patents

Способ рафинирования галлия

Info

Publication number
RU2002100671A
RU2002100671A RU2002100671/02A RU2002100671A RU2002100671A RU 2002100671 A RU2002100671 A RU 2002100671A RU 2002100671/02 A RU2002100671/02 A RU 2002100671/02A RU 2002100671 A RU2002100671 A RU 2002100671A RU 2002100671 A RU2002100671 A RU 2002100671A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
melt
gallium
refining gallium
linear speed
refining
Prior art date
Application number
RU2002100671/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2221066C2 (ru
Inventor
Сергей Алексеевич Козлов
Олег Львович Сидоров
Михаил Валентинович Сажин
Игорь Олегович Петрухин
Николай Алексеевич Потолоков
Original Assignee
ОАО Научно-исследовательский институт материалов электронной техники
Filing date
Publication date
Application filed by ОАО Научно-исследовательский институт материалов электронной техники filed Critical ОАО Научно-исследовательский институт материалов электронной техники
Priority to RU2002100671/02A priority Critical patent/RU2221066C2/ru
Priority claimed from RU2002100671/02A external-priority patent/RU2221066C2/ru
Publication of RU2002100671A publication Critical patent/RU2002100671A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2221066C2 publication Critical patent/RU2221066C2/ru

Links

Claims (1)

  1. Способ очистки галлия методом направленной кристаллизации, включающий получение расплава, местное охлаждение расплава для образования затравки и рост кристалла, отличающийся тем, что рост кристалла осуществляют при его перемещении вверх по окружности с линейной скоростью 5-30 мм/ч, и перемешиванием расплава с линейной скоростью 5-30 мм/ч, степенью очистки 99,99991-99,99997 мас.% и степенью отверждения 70-95%.
RU2002100671/02A 2002-01-17 2002-01-17 Способ рафинирования галлия RU2221066C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2002100671/02A RU2221066C2 (ru) 2002-01-17 2002-01-17 Способ рафинирования галлия

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2002100671/02A RU2221066C2 (ru) 2002-01-17 2002-01-17 Способ рафинирования галлия

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2002100671A true RU2002100671A (ru) 2003-08-10
RU2221066C2 RU2221066C2 (ru) 2004-01-10

Family

ID=32090610

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2002100671/02A RU2221066C2 (ru) 2002-01-17 2002-01-17 Способ рафинирования галлия

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2221066C2 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1354987A4 (en) MONOCRYSTAL OF SILICON CARBIDE AND METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING SAME
PT1197137E (pt) Metodo de crescimento de duas ou mais plantas para o desenvolvimento de uma estrutura de plantas composta ou combinada e uma estrutura de plantas
EA200800009A1 (ru) Способ и устройство для очистки расплавленного материала
CY1112464T1 (el) Κρυσταλλικη μορφη ενωσης κινολινης και μεθοδος για την παρασκευη αυτης
KR880002847A (ko) 형태학적으로 균일한 형태를 갖는 티아졸 유도체의 제조방법
EP0864669A3 (en) Single crystal growth method
WO1999050205A3 (en) Asymmetric grignard synthesis with cyclic 1,2 aminoalcohols
DE502006007373D1 (de) Verfahren zur herstellung einer einkristallinen si-scheibe mit annähernd polygonalem querschnitt
EP2336400A3 (en) CdTe single crystal and CdTe polycrystal, and method for producing the same
PT1548159E (pt) Processo para produzir um po monocristalino cu (ln, ga) se2 e membranas monoparticulas utilizadas em celulas solares contendo este po
RU2001117332A (ru) Способ получения L-метионина, штамм бактерии Escherichia coli ВКПМ В-8125 - продуцент L-метионина
WO2004035877A3 (en) Method and apparatus for crystal growth
EP1714544B8 (en) Method of producing young moss seedlings, method of producing moss mat.
DE60010496D1 (de) Czochralskiverfahren zur herstellung silizium-einkristalle durch steuerung der abkühlgeschwindigkeit
RU2002100671A (ru) Способ рафинирования галлия
RU2005112799A (ru) Способ выращивания монокристаллов германия
EP1256367A3 (en) Multi-stage counter-current crystallization apparatus
ATE405696T1 (de) Verfahren zur herstellung eines einkristalles aus cdte oder cdznte
DE60027877D1 (de) Verfahren zur schnellen herstellung von crystallen mit wünschenswerter morphologie
EA200501527A1 (ru) Способ получения полиморфа малеата розиглитазона
WO2004016091A3 (en) A method of forming a non-fractionated, room-temperature pourable butter
Petit et al. Resolution of Pasteur salts by auto-seeded preferential crystallization
TW200517531A (en) Compound semiconductor single crystal and production process thereof
RU2005136894A (ru) Способ выращивания монокристаллов алмаза
CN205196395U (zh) 一种便捷蘑菇生产结构