RU2001106945A - Пространственный модулятор света с оптической адресацией - Google Patents
Пространственный модулятор света с оптической адресациейInfo
- Publication number
- RU2001106945A RU2001106945A RU2001106945/28A RU2001106945A RU2001106945A RU 2001106945 A RU2001106945 A RU 2001106945A RU 2001106945/28 A RU2001106945/28 A RU 2001106945/28A RU 2001106945 A RU2001106945 A RU 2001106945A RU 2001106945 A RU2001106945 A RU 2001106945A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layers
- light
- layer
- dielectric mirror
- refractive index
- Prior art date
Links
- 230000000051 modifying Effects 0.000 title claims 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 10
- 230000003287 optical Effects 0.000 claims 6
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N Silicon carbide Chemical class [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 claims 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims 4
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims 3
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 claims 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 2
- 238000004435 EPR spectroscopy Methods 0.000 claims 1
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims 1
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 1
Claims (22)
1. Пространственный модулятор света с оптической адресацией (ПМСОА), содержащий первую прозрачную подложку; первый прозрачный электрод, созданный на указанной первой прозрачной подложке; фотопроводящий слой, сформированный на первом прозрачном электроде и состоящий из аморфного гидрогенизированного карбида кремния; светопоглощающий слой, сформированный на указанном фотопроводящем слое и состоящий из аморфного гидрогенизированного углерода; слой, представляющий собой диэлектрическое зеркало, выполненный в виде многослойной структуры, сформированной на указанном светопоглощающем слое; вторую прозрачную подложку, на которой создан второй прозрачный электрод, а между указанным вторым электродом и диэлектрическим зеркалом находятся слой жидкого кристалла и средство, осуществляющее его ориентацию.
2. Модулятор, отличающийся тем, что указанный слой, представляющий собой многослойное диэлектрическое зеркало, содержит чередующиеся слои из аморфного гидрогенизированного карбида кремния (a-Si:C:H), имеющие более высокий показатель преломления, и слои из аморфного гидрогенизированного углерода (а-С:Н), имеющие более низкий показатель преломления.
3. Модулятор по п.2, отличающийся, тем что слои диэлектрического многослойного зеркала, выполненные из а-Si:C:H, имеют более высокий показатель преломления в диапазоне от 3,7 до 3,3.
4. Модулятор по п.2, отличающийся тем, что слои диэлектрического многослойного зеркала, выполненные из а-С:Н, имеют более низкий показатель преломления в диапазоне от 1,5 до 1,8.
5. Модулятор по п.2, отличающийся тем, что слои диэлектрического многослойного зеркала, выполненные из а-С:Н, имеют более низкий показатель преломления в диапазоне от 1,6 до 1,7.
6. Модулятор по одному из пп.2 - 5, отличающийся тем, что слои, представляющие собой диэлектрическое зеркало, имеют проводимость в диапазоне от 10-9 до 10-12 Ом-1см-1.
7. Модулятор по одному из пп.1 - 6, отличающийся тем, что диэлектрическое зеркало имеет семь слоев.
8. Модулятор по любому из пп.1 - 7, отличающийся тем, что светопоглощающий слой имеет толщину в пределах от 0,4 до 0,6 мкм.
9. Модулятор по одному из пп.2 - 7, отличающийся тем, что по меньшей мере один из слоев диэлектрического зеркала, имеющих более низкий показатель преломления, выполнен таким образом, что осуществляет частичное поглощение света.
10. Модулятор по одному из пп.1 - 9, отличающийся тем, что показатель преломления слоев диэлектрического зеркала, выполненных из a-Si:C:H, равен 3,5, а показатель преломления слоев диэлектрического зеркала, выполненных из а-С:Н, равен 1,6.
11. Способ изготовления пространственного модулятора света, с оптической адресацией (ПМСОА) содержащий следующие операции: на первой прозрачной подложке создают первый прозрачный электрод; на первом прозрачном электроде формируют фотопроводящий слой из аморфного гидрогенизированного карбида кремния (a-Si-C:H); на указанном фотопроводящем слое формируют светопоглощающий слой из аморфного гидрогенизированного углерода (а-С:Н); формируют многослойное диэлектрическое зеркало, выполненное посредством слоев из a-Si:C:H, имеющих более высокий показатель преломления, которые чередуются со слоями из а-С:Н, имеющими более низкий показатель преломления, причем указанное зеркало формируют на указанном светопоглощающем слое.
12. Способ по п.11, отличающийся тем, что указанный фотоприводящий слой формируют из газообразного вещества, содержащего силан (SiH4), водород (Н2) и один или более газов: метан (СН4) и ацетилен (C2H2).
13. Способ по одному из пп.11 или 12, отличающийся тем, что указанные слои диэлектрического зеркала, имеющие более высокий показатель преломления, формируют из сигнала (SiH4), водорода (H2) и по меньшей мере одного из газов: метана (СН4) или ацетилена (C2H2).
14. Способ по одному из пп.11 - 13, отличающийся тем, что указанные слои диэлектрического зеркала, имеющие более низкий показатель преломления, формируют из по меньшей мере одного из газов: метана (СН4) или ацетилена (C2H2) и любого газообразного или жидкого вещества, представляющего собой углеводород.
15. Способ по одному из пп.11 - 14, отличающийся тем, что указанный светопоглощающий слой формируют из ацетилена (C2H2) и любого газообразного или жидкого вещества, представляющего собой углеводород.
16. Способ по одному из пп.11 - 15, отличающийся тем, что слои формируют с использованием способа химического осаждения из газовой фазы.
17. Способ по п.16, отличающийся тем, что слои формируют с использованием способа химического осаждения из газовой фазы с плазменным возбуждением.
18. Способ по п.16, отличающийся тем, что слои формируют посредством способа химического осаждения из газовой фазы с использованием электронного парамагнитного резонанса.
19. Способ по п.11, отличающийся тем, что фотопроводящий слой, светопоглощающий слой и диэлектрическое зеркало изготавливают в рамках единого технологического процесса.
20. Система оптического отображения информации, содержащая пространственный модулятор света с оптической адресацией (ПМСОА) содержащая первую прозрачную подложку; первый прозрачный электрод, созданный на указанной прозрачной подложке; фотопроводящий слой, сформированный на первом прозрачном электроде и состоящий из аморфного гидрогенизированного карбида кремния; светопоглощающий слой, сформированный на указанном фотопроводящем слое и состоящий из аморфного гидрогенизированного углерода; слой, представляющий собой диэлектрическое зеркало, выполненный в виде многослойной структуры, сформированной на указанном светопоглощающем слое; вторую прозрачную подложку, на которой сформирован второй прозрачный электрод, а между указанным вторым электродом и диэлектрическим зеркалом находятся слой жидкого кристалла и средство осуществляющее его ориентацию.
21. Система по п.20, отличающаяся тем, что система отображения информации может осуществлять отображение голографической дифракционной решетки.
22. Система оптической обработки сигналов, содержащая пространственный модулятор света с оптической адресацией (ПМСОА) содержащая первую прозрачную подложку; первый прозрачный электрод, созданный на указанной прозрачной подложке; фотопроводящий слой, сформированный на первом прозрачном электроде и состоящий из аморфного гидрогенизированного карбида кремния; светопоглощающий слой, сформированный на указанном фотопроводящем слое и состоящий из аморфного гидрогенизированного углерода; слой, представляющий собой диэлектрическое зеркало, выполненный в виде многослойной структуры, сформированной на указанном светопоглощающем слое; вторую прозрачную подложку, на которой сформирован второй прозрачный электрод, а между указанным вторым электродом и диэлектрическим зеркалом находятся слой жидкого кристалла и средство осуществляющее его ориентацию.
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB0114972A GB2373340A (en) | 2001-03-13 | 2001-06-20 | Optically addressed spatial light modulator |
| EP02702535A EP1379913B1 (en) | 2001-03-13 | 2002-03-11 | Optically addressed spatial light modulator (oaslm) with dielectric mirror comprising layers of amorphous hydrogenated carbon |
| DE60205022T DE60205022T2 (de) | 2001-03-13 | 2002-03-11 | Optisch adressierbarer, ortsauflösender lichtmodulator (oaslm) mit dielektrischem spiegel, der schichten aus amorphem, hydriertem kohlenstoff enthält |
| US10/471,472 US7092046B2 (en) | 2001-03-13 | 2002-03-11 | Optically addressed spatial light modulator (OASLM) with dielectric mirror comprising layers of amorphous hydrogenated carbon |
| AT02702535T ATE299601T1 (de) | 2001-03-13 | 2002-03-11 | Optisch adressierbarer, ortsauflösender lichtmodulator (oaslm) mit dielektrischem spiegel,der schichten aus amorphem, hydriertem kohlenstoff enthält |
| PCT/GB2002/000958 WO2002073303A1 (en) | 2001-03-13 | 2002-03-11 | Optically addressed spatial light modulator (oaslm) with dielectric mirror comprising layers of amorphous hydrogenated carbon |
| US12/192,274 USRE43642E1 (en) | 2001-03-13 | 2008-08-15 | Optically addressed spatial light modulator (OASLM) with dielectric mirror comprising layers of amorphous hydrogenated carbon |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2001106945A true RU2001106945A (ru) | 2003-05-20 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8871302B2 (en) | Chemical vapor deposition of graphene on dielectrics | |
| US20150270406A1 (en) | Method for preparing graphene, thin-film transistor, array substrate, and display panel | |
| Osgood et al. | Optically induced microstructures in laser-photodeposited metal films | |
| EP2725587A1 (en) | Method for forming conductive film, conductive film, insulation method, and insulation film | |
| KR910007084A (ko) | 알킬 알루미늄 하이드라이드를 사용한 선택 퇴적을 이용한 퇴적막 형성 방법 | |
| US20150125972A1 (en) | Method of manufacturing flexible display device | |
| CN102959436A (zh) | 波长板的制造方法 | |
| JPH084071B2 (ja) | 堆積膜形成法 | |
| US20120132516A1 (en) | Synthesis of Graphene Films Cycloalkanes | |
| CN102629035A (zh) | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 | |
| KR970059848A (ko) | 특정 최외곽면이 있는 표면 보호층을 갖는 수광 부재 및 이의 제조 방법 | |
| EP2396451A1 (en) | Two layer barrier on polymeric substrate | |
| Ahmed et al. | The influence of fluorine doping on the optical properties of diamond-like carbon thin films | |
| RU2001106945A (ru) | Пространственный модулятор света с оптической адресацией | |
| KR950032732A (ko) | 다이아몬드 결정 및 그 제조방법 | |
| KR20070064765A (ko) | 금속 배선, 이의 제조 방법, 이를 구비한 표시 기판 및표시 기판의 제조 방법 | |
| Chowdhury et al. | Modulation of trion and exciton formation in monolayer WS2 by dielectric and substrate engineering | |
| US4853309A (en) | Photoreceptor for electrophotography with a-Si layers having a gradient concentration of doped atoms and sandwiching the photoconductive layer therebetween | |
| JPS62132721A (ja) | 高次シラン生成方法 | |
| Suzuki et al. | The chemisorption of coronene on Si (001)-2× 1 | |
| JP2007140470A (ja) | 垂直配向膜の製造方法および液晶表示装置 | |
| US5656363A (en) | Layer construction with an organic layer and a transparent cover layer which is harder than the organic layer and process for its production | |
| US4873165A (en) | Electrophotographic photoreceptor having overlayer comprising carbon | |
| US4923773A (en) | Multilayered electrophotographic photoreceptor of amorphous silicon having a surface layer of nitrogenated amorphous silicon | |
| WO2003098672A1 (en) | Deposition method of insulating layers having low dielectric constant of semiconductor device |