Claims (37)
1. Способ формирования комбинации электропроводящих и полупроводниковых трехмерных структур в составной матрице, содержащей один или более материалов, обеспеченных в пространственно отдельных и однородных структурах материалов, причем материалы в ответ на подачу энергии могут подвергаться определенным физическим и/или химическим изменениям состояния, которые вызывают переход из электрически непроводящего состояния в электрически проводящее и/или полупроводниковое состояние или наоборот, или изменение в режиме электрической проводимости материала, причем структуры материала формируют в форме тонких слоев путем объединения двух или более слоев в слоистую многослойную структуру, которая образует составную матрицу с комбинацией электропроводящих и/или полупроводниковых трехмерных структур, при этом многослойную структуру формируют путем последовательного осаждения двух или более слоев с образованием конфигурации стопки на несущей подложке, отличающийся тем, что формируют комбинацию двумерных электропроводящих и полупроводниковых структур в слое непосредственно после осаждения слоя на подложке или на соседнем слое и до осаждения следующего слоя на первый упомянутый слой, путем облучения каждого слоя излучением с заданной интенсивностью или частотной характеристикой, соответствующим определенной реакции материала на энергию, обеспечиваемую излучением, осуществляют пространственную модуляцию в каждом случае согласно определенному протоколу, который представляет заранее определенную конфигурацию электропроводящих и полупроводниковых структур в рассматриваемом слое, посредством чего в ответ на энергию, поданную излучением, формируют комбинацию двумерных проводящих и полупроводниковых структур в слое с конфигурацией, заранее определенной протоколом, для получения составной матрицы, сформированной отдельными соседними слоями с комбинацией двумерных электропроводящих и полупроводниковых структур с комбинацией электропроводящих и полупроводниковых трехмерных структур.1. A method of forming a combination of electrically conductive and semiconductor three-dimensional structures in a composite matrix containing one or more materials provided in spatially separate and homogeneous structures of materials, and materials in response to energy supply can undergo certain physical and / or chemical state changes that cause a transition from an electrically non-conductive state to an electrically conductive and / or semiconductor state, or vice versa, or a change in the mode of electrical wire property of the material, and the structure of the material is formed in the form of thin layers by combining two or more layers in a layered multilayer structure, which forms a composite matrix with a combination of electrically conductive and / or semiconductor three-dimensional structures, while the multilayer structure is formed by sequential deposition of two or more layers with the formation stack configurations on a carrier substrate, characterized in that they form a combination of two-dimensional conductive and semiconductor structures in the immediate layer clearly after the deposition of a layer on a substrate or on an adjacent layer and before the next layer is deposited on the first mentioned layer, by irradiating each layer with radiation with a given intensity or frequency response corresponding to a specific reaction of the material to the energy provided by the radiation, spatial modulation is carried out in each case according to a certain a protocol that represents a predetermined configuration of the conductive and semiconductor structures in the layer in question, whereby The response to the energy supplied by radiation is formed by a combination of two-dimensional conductive and semiconductor structures in a layer with a configuration predetermined by the protocol to obtain a composite matrix formed by separate adjacent layers with a combination of two-dimensional conductive and semiconductor structures with a combination of conductive and semiconductor three-dimensional structures.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что электромагнитное излучение, используемое для облучения, выбирают из одного или более спектральных диапазонов гамма-излучения, рентгеновского излучения, ультрафиолетового излучения видимого света, инфракрасного или микроволнового излучения. 2. The method according to p. 1, characterized in that the electromagnetic radiation used for irradiation is selected from one or more spectral ranges of gamma radiation, x-ray radiation, ultraviolet radiation of visible light, infrared or microwave radiation.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что излучение частиц, используемых для облучения, выбирают из одного или более следующих типов частиц: элементарные частицы, включая протоны, нейтроны и электроны; ионы, молекулы и агрегатные частицы материала. 3. The method according to p. 1, characterized in that the radiation of the particles used for irradiation is selected from one or more of the following types of particles: elementary particles, including protons, neutrons and electrons; ions, molecules and aggregate particles of the material.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что пространственную модуляцию излучения осуществляют в плоскости, по существу параллельной слою, посредством маски, шаблон которой выполняют согласно определенному протоколу, причем маска модулирует интенсивность и/или фазу падающего на нее излучения, для создания комбинации двумерных электропроводящих и полупроводниковых структур в слое. 4. The method according to p. 1, characterized in that the spatial modulation of the radiation is carried out in a plane essentially parallel to the layer, by means of a mask, the template of which is performed according to a certain protocol, and the mask modulates the intensity and / or phase of the radiation incident on it, to create a combination two-dimensional conductive and semiconductor structures in the layer.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что пространственную модуляцию излучения осуществляют в плоскости, по существу параллельной слою, путем концентрации излучения в луч с размерами, совместимыми с размерами электропроводящих и полупроводниковых структур, и обеспечивают сканирование слоя этим лучом, который модулируют по интенсивности согласно определенному протоколу для создания комбинации двумерных электропроводящих и полупроводниковых структур в слое. 5. The method according to p. 1, characterized in that the spatial modulation of the radiation is carried out in a plane essentially parallel to the layer, by concentrating the radiation into a beam with dimensions compatible with the dimensions of the conductive and semiconductor structures, and provide scanning of the layer with this beam, which is modulated by intensity according to a specific protocol to create a combination of two-dimensional conductive and semiconductor structures in the layer.
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что одну или более двумерных электропроводящих и полупроводниковых структур формируют в слое, так, чтобы упомянутая структура или структуры согласно протоколу совпадали с одной или более двумерными электропроводящими и полупроводниковыми структурами в соседнем, уже осажденном слое, посредством чего формируют один или более вертикальных электропроводящих и полупроводниковых каналов в поперечном направлении через слои. 6. The method according to p. 1, characterized in that one or more two-dimensional conductive and semiconductor structures are formed in the layer, so that the said structure or structures according to the protocol coincided with one or more two-dimensional conductive and semiconductor structures in an adjacent, already deposited layer, whereby one or more vertical electrically conductive and semiconductor channels are formed in the transverse direction through the layers.
7. Способ формирования комбинации электропроводящих и/или полупроводниковых трехмерных структур в составной матрице, содержащей два или более материалов, обеспеченных в пространственно отдельных и однородных структурах материалов, причем материалы в ответ на подачу энергии могут подвергаться определенным физическим и/или химическим изменениям состояния, которые вызывают переход из электрически непроводящего состояния в электрически проводящее и/или полупроводниковое состояние или наоборот, или изменение в режиме электрической проводимости материала, при этом структуры материала формируют в форме тонких слоев путем объединения двух или более слоев в слоистую многослойную структуру, которая образует составную матрицу с комбинацией электропроводящих и/или полупроводниковых трехмерных структур, причем многослойную структуру формируют путем наложения двух или более самоподдерживающихся слоев в конфигурацию стопки, отличающийся тем, что формируют комбинацию двумерных электропроводящих и/или полупроводниковых структур в слое перед тем, как слой наложен на соседний слой, облучают каждый слой излучением с заданной интенсивностью или частотной характеристикой, соответствующим определенной реакции материала на энергию, обеспечиваемую излучением, осуществляют пространственную модуляцию излучения в каждом случае согласно определенному протоколу, который представляет заранее определенную конфигурацию электропроводящих и/или полупроводниковых структур в слое, посредством чего в ответ на энергию, поданную излучением, формируют комбинацию двумерных проводящих и/или полупроводниковых структур в слое с конфигурацией, заранее определенной протоколом, посредством чего формируют составную матрицу, образованную отдельными слоями с двумерными электропроводящими и/или полупроводниковыми структурами, для получения комбинации электропроводящих и/или полупроводниковых трехмерных структур. 7. A method of forming a combination of electrically conductive and / or semiconductor three-dimensional structures in a composite matrix containing two or more materials provided in spatially separate and homogeneous structures of materials, and materials in response to energy supply can undergo certain physical and / or chemical state changes that cause a transition from an electrically non-conductive state to an electrically conductive and / or semiconductor state or vice versa, or a change in the mode of electrical the material’s conductivity, while the material’s structures are formed in the form of thin layers by combining two or more layers into a layered multilayer structure, which forms a composite matrix with a combination of electrically conductive and / or semiconductor three-dimensional structures, the multilayer structure being formed by superimposing two or more self-supporting layers in the configuration stacks, characterized in that they form a combination of two-dimensional conductive and / or semiconductor structures in the layer before the layer is superimposed on the adjacent the third layer, each layer is irradiated with radiation with a given intensity or frequency response corresponding to a particular reaction of the material to the energy provided by the radiation, the radiation is spatially modulated in each case according to a specific protocol that represents a predetermined configuration of the electrically conductive and / or semiconductor structures in the layer, which, in response to the energy supplied by radiation, form a combination of two-dimensional conductive and / or semiconductor structures in Loe configuration, a predetermined protocol, thereby forming a composite matrix formed by separate layers with two-dimensional electrical conducting and / or semiconducting structures, to obtain a combination of electrical conducting and / or semiconducting structures in three dimensions.
8. Способ по п. 7, отличающийся тем, что электромагнитное излучение, используемое для облучения, выбирают из одного или более спектральных диапазонов гамма-излучения, рентгеновского излучения, ультрафиолетового излучения, видимого света, инфракрасного или микроволнового излучения. 8. The method according to p. 7, characterized in that the electromagnetic radiation used for irradiation is selected from one or more spectral ranges of gamma radiation, x-ray radiation, ultraviolet radiation, visible light, infrared or microwave radiation.
9. Способ по п. 7, отличающийся тем, что излучение частиц, используемых для облучения, выбирают из одного или более следующих типов частиц: элементарные частицы, включая протоны, нейтроны и электроны; ионы, молекулы и агрегатные частицы материала. 9. The method according to p. 7, characterized in that the radiation of the particles used for irradiation is selected from one or more of the following types of particles: elementary particles, including protons, neutrons and electrons; ions, molecules and aggregate particles of the material.
10. Способ по п. 7, отличающийся тем, что пространственную модуляцию излучения осуществляют в плоскости, по существу параллельной слою, посредством маски, шаблон которой выполняют согласно определенному протоколу, причем маска модулирует интенсивность и/или фазу падающего на нее излучения для создания комбинации двумерных электропроводящих и/или полупроводниковых структур в слое. 10. The method according to p. 7, characterized in that the spatial modulation of the radiation is carried out in a plane essentially parallel to the layer, by means of a mask, the template of which is performed according to a certain protocol, and the mask modulates the intensity and / or phase of the radiation incident on it to create a combination of two-dimensional conductive and / or semiconductor structures in the layer.
11. Способ по п. 7, отличающийся тем, что пространственную модуляцию излучения осуществляют в плоскости, по существу параллельной слою, путем концентрации излучения в луч с размерами, совместимыми с размерами электропроводящих и/или полупроводниковых структур, и обеспечивают сканирование слоя этим лучом, который модулируют по интенсивности согласно определенному протоколу для создания комбинации двумерных электропроводящих и/или полупроводниковых структур в слое. 11. The method according to p. 7, characterized in that the spatial modulation of the radiation is carried out in a plane essentially parallel to the layer, by concentrating the radiation in a beam with dimensions compatible with the dimensions of the conductive and / or semiconductor structures, and provide scanning of the layer with this beam, which intensity modulated according to a specific protocol to create a combination of two-dimensional conductive and / or semiconductor structures in the layer.
12. Способ по п. 7, отличающийся тем, что обеспечивают позиционирование слоя при наложении на соседний слой так, чтобы одна или более двумерных электропроводящих и/или полупроводниковых структур в первом упомянутом слое согласно протоколу были совмещены с одной или более двумерными электропроводящими и/или полупроводниковыми структурами в соседних слоях, посредством чего формируют один или более вертикальных электропроводящих и полупроводниковых каналов в поперечном направлении через слои. 12. The method according to p. 7, characterized in that the positioning of the layer when applied to the adjacent layer so that one or more two-dimensional conductive and / or semiconductor structures in the first mentioned layer according to the Protocol were combined with one or more two-dimensional conductive and / or semiconductor structures in adjacent layers, whereby one or more vertical electrically conductive and semiconductor channels are formed in the transverse direction through the layers.
13. Способ формирования комбинации электропроводящих и/или полупроводниковых трехмерных структур в составной матрице, содержащей два или более материалов, обеспеченных в пространственно отдельных и однородных структурах материалов, причем материалы в ответ на подачу энергии могут подвергаться определенным физическим и/или химическим изменениям состояния, которые вызывают переход из электрически непроводящего состояния в электрически проводящее и/или полупроводниковое состояние или наоборот, или изменение в режиме электрической проводимости материала, при этом структуры материала формируют в форме тонких слоев путем объединения двух или более слоев в слоистую многослойную структуру, которая образует составную матрицу с комбинацией электропроводящих и/или полупроводниковых трехмерных структур, причем многослойную структуру формируют последовательным осаждением двух или более слоев в конфигурацию стопки на несущей подложке или путем наложения двух или более самоподдерживающихся слоев в конфигурацию стопки, отличающийся тем, что формируют комбинацию двумерных электропроводящих и/или полупроводниковых структур в слое после осаждения всех слоев в конфигурацию стопки на подложке или после сложения всех слоев в конфигурацию стопки путем облучения одного или более, но не всех слоев в конфигурации стопки избирательно для формирования электропроводящих и/или полупроводниковых структур в конкретном выбранном слое или слоях без создания реакции в остальных слоях, причем каждый слой облучают излучением с заданной интенсивностью или частотной характеристикой, адаптированным к определенной реакции материала на энергию, обеспечиваемую излучением, и осуществляют пространственную модуляцию в каждом случае согласно определенному протоколу, который представляет заранее определенную конфигурацию электропроводящих и/или полупроводниковых структур в рассматриваемом слое, посредством чего в ответ на энергию, поданную излучением, формируются двумерные электропроводящие и/или полупроводниковые структуры в слое с конфигурацией, заранее определенной протоколом, посредством чего формируют составную матрицу, образованную набором отдельных соседних слоев с двумерными электропроводящими и/или полупроводниковыми структурами для получения комбинации электропроводящих и/или полупроводниковых трехмерных структур. 13. A method of forming a combination of electrically conductive and / or semiconductor three-dimensional structures in a composite matrix containing two or more materials provided in spatially separate and homogeneous structures of materials, and materials in response to energy supply can undergo certain physical and / or chemical state changes that cause a transition from an electrically non-conductive state to an electrically conductive and / or semiconductor state, or vice versa, or a change in electrical the material’s conductivity, the material’s structures being formed in the form of thin layers by combining two or more layers into a layered multilayer structure that forms a composite matrix with a combination of electrically conductive and / or semiconductor three-dimensional structures, the multilayer structure being formed by sequential deposition of two or more layers in a stack configuration on a carrier substrate or by applying two or more self-supporting layers in a stack configuration, characterized in that they form a combination of two-dimensional electrically conductive and / or semiconductor structures in the layer after deposition of all layers in a stack configuration on a substrate or after addition of all layers in a stack configuration by irradiating one or more but not all layers in a stack configuration selectively to form electrically conductive and / or semiconductor structures in a particular selected layer or layers without creating a reaction in the remaining layers, each layer being irradiated with radiation with a given intensity or frequency response, adapted to a specific reaction material to the energy provided by the radiation, and spatial modulation is carried out in each case according to a specific protocol, which represents a predetermined configuration of the electrically conductive and / or semiconductor structures in the layer under consideration, whereby in response to the energy supplied by the radiation, two-dimensional electrically conductive and / or semiconductor structures in a layer with a configuration predetermined by the protocol, whereby form a composite matrix formed by a set of department adjacent layers with two-dimensional conductive and / or semiconductor structures to obtain a combination of conductive and / or semiconductor three-dimensional structures.
14. Способ по п. 13, отличающийся тем, что электромагнитное излучение, используемое для облучения, выбирают из одного или более из спектральных диапазонов гамма-излучения, рентгеновского излучения, ультрафиолетового излучения видимого света, инфракрасного или микроволнового излучения. 14. The method according to p. 13, characterized in that the electromagnetic radiation used for irradiation is selected from one or more of the spectral ranges of gamma radiation, x-ray radiation, ultraviolet radiation of visible light, infrared or microwave radiation.
15. Способ по п. 13, отличающийся тем, что излучение частиц, используемых для облучения, выбирают из одного или более следующих типов частиц: элементарные частицы, включая протоны, нейтроны и электроны; ионы, молекулы и агрегатные частицы материала. 15. The method according to p. 13, characterized in that the radiation of particles used for irradiation is selected from one or more of the following types of particles: elementary particles, including protons, neutrons and electrons; ions, molecules and aggregate particles of the material.
16. Способ по п. 13, отличающийся тем, что пространственную модуляцию излучения осуществляют в плоскости, по существу параллельной слою, посредством маски, шаблон которой выполняют согласно определенному протоколу, причем маска модулирует интенсивность и/или фазу падающего на нее излучения для создания комбинации двумерных электропроводящих, и/или полупроводниковых структур в слое. 16. The method according to p. 13, characterized in that the spatial modulation of the radiation is carried out in a plane essentially parallel to the layer, by means of a mask, the template of which is performed according to a certain protocol, the mask modulating the intensity and / or phase of the radiation incident on it to create a combination of two-dimensional conductive and / or semiconductor structures in the layer.
17. Способ по п. 13, отличающийся тем, что пространственную модуляцию излучения осуществляют в плоскости, по существу параллельной слою, путем концентрации излучения в луч с размерами, совместимыми с размерами электропроводящих и/или полупроводниковых структур, и осуществляют сканирование структуры материала этим лучом, который модулируют по интенсивности согласно определенному протоколу для формирования комбинации двумерных электропроводящих и/или полупроводниковых структур в слое. 17. The method according to p. 13, characterized in that the spatial modulation of the radiation is carried out in a plane essentially parallel to the layer, by concentrating the radiation into a beam with dimensions compatible with the dimensions of the conductive and / or semiconductor structures, and scan the structure of the material with this beam, which is modulated in intensity according to a specific protocol to form a combination of two-dimensional conductive and / or semiconductor structures in the layer.
18. Способ по п. 13, отличающийся тем, что один или более слоев для создания электропроводящих и/или полупроводниковых структур выбирают путем облучения выбранного слоя или слоев излучением, имеющим определенные характеристики излучения или заданную мощность, причем выбранный слой или слои сформированы из материала, который реагирует на одну или более из характеристик излучения и/или мощность, или на их комбинацию. 18. The method according to p. 13, characterized in that one or more layers for creating electrically conductive and / or semiconductor structures is selected by irradiating the selected layer or layers with radiation having certain radiation characteristics or a given power, and the selected layer or layers are formed of material, which responds to one or more of the characteristics of the radiation and / or power, or a combination thereof.
19. Способ по п. 18, отличающийся тем, что в качестве упомянутых определенных характеристик выбирают интенсивность и/или частоту. 19. The method according to p. 18, characterized in that the intensity and / or frequency are selected as the specified characteristics.
20. Способ по п. 18, отличающийся тем, что один или более слоев для создания электропроводящих и/или полупроводниковых структур выбирают путем облучения электромагнитным излучением на двух или более частотах или в пределах двух или более полос длин волн, так что облучение на данной частоте или в данной полосе длин волн вызывает реакцию в одном или более, но не во всех слоях. 20. The method according to p. 18, characterized in that one or more layers for creating conductive and / or semiconductor structures is selected by irradiation with electromagnetic radiation at two or more frequencies or within two or more wavelength bands, so that irradiation at a given frequency or in a given wavelength band, causes a reaction in one or more, but not all, layers.
21. Способ по п. 19, отличающийся тем, что предварительно добавляют одну или более присадок, которые имеют спектральное поглощение на заданной частоте или в заданном диапазоне длин волн, в материал в одном или более слоев, чтобы вызвать реакцию на излучение на заданной частоте или в заданном диапазоне длин волн, в результате чего, по меньшей мере, в двух слоях в конфигурации стопки обеспечивается взаимно различающиеся спектры поглощения. 21. The method according to p. 19, characterized in that pre-add one or more additives that have spectral absorption at a given frequency or in a given wavelength range, in a material in one or more layers to cause a reaction to radiation at a given frequency or in a given wavelength range, as a result of which mutually different absorption spectra are provided in at least two layers in the stack configuration.
22. Способ по п. 21, отличающийся тем, что электропроводящие и/или полупроводниковые структуры в слое формируют путем поглощения излучения в присадке или присадках в слое, образующих центры реакции, которые вызывают изменение в удельной электропроводности или режиме проводимости материала слоя. 22. The method according to p. 21, characterized in that the conductive and / or semiconductor structures in the layer are formed by absorbing radiation in the additive or additives in the layer, forming reaction centers, which cause a change in the electrical conductivity or conductivity of the layer material.
23. Способ по п. 21, отличающийся тем, что электропроводящие и/или полупроводниковые структуры в слое формируют путем поглощения излучения в присадке или присадках, в результате чего осуществляется нагревание с последующими изменениями в удельной электропроводности или режиме проводимости материала нагреваемого слоя. 23. The method according to p. 21, characterized in that the conductive and / or semiconductor structures in the layer are formed by absorbing radiation in the additive or additives, resulting in heating with subsequent changes in the conductivity or conductivity of the material of the heated layer.
24. Способ по п. 13, отличающийся тем, что электропроводящие и/или полупроводниковые структуры формируют в двух или более слоях в позициях, где одна или более из электропроводящих и/или полупроводниковых структур согласно протоколу соответственно формируют один или более вертикальных электропроводящих и/или полупроводниковых каналов в поперечном направлении через слои в конфигурации стопки. 24. The method according to p. 13, characterized in that the conductive and / or semiconductor structures are formed in two or more layers in positions where one or more of the conductive and / or semiconductor structures according to the protocol respectively form one or more vertical conductive and / or semiconductor channels in the transverse direction through the layers in a stack configuration.
25. Способ по п. 24, отличающийся тем, что согласно протоколу формируют электропроводящие и/или полупроводниковые структуры, которые образуют вертикальный канал через слой в электропроводящем и/или полупроводниковом соединении с одной или более двумерными электропроводящими и/или полупроводниковыми структурами в этом слое. 25. The method according to p. 24, characterized in that according to the Protocol form an electrically conductive and / or semiconductor structure, which form a vertical channel through a layer in an electrically conductive and / or semiconductor connection with one or more two-dimensional electrically conductive and / or semiconductor structures in this layer.
26. Способ по п. 25, отличающийся тем, что каждый канал формируют с электропроводностью или режимом проводимости, которая постоянна для различных слоев. 26. The method according to p. 25, characterized in that each channel is formed with electrical conductivity or conductivity mode, which is constant for different layers.
27. Способ по п. 25, отличающийся тем, что каждый канал формируют с электропроводностью или режимом проводимости, которая изменяется от слоя к слою. 27. The method according to p. 25, characterized in that each channel is formed with a conductivity or conductivity mode, which varies from layer to layer.
28. Способ уничтожения комбинации электропроводящих и/или полупроводниковых трехмерных структур, сформированных в составной матрице, содержащей два или более материалов, обеспеченных в пространственно отдельных и однородных структурах материалов, причем материалы в ответ на подачу энергии могут подвергаться определенным физическим и/или химическим изменениям состояния, которые вызывают переход из электрически непроводящего состояния в электрически проводящее и/или полупроводниковое состояние или наоборот, или изменение в режиме электрической проводимости материала, при этом каждая структура материала содержит сформированную конфигурацию по существу двумерных электропроводящих и/или полупроводниковых структур, представленных определенным протоколом, причем комбинация электропроводящих и/или полупроводниковых трехмерных структур может быть сформирована заново в матрице после уничтожения с использованием способа, по любому из пунктов 13-27, и согласно другому определенному протоколу для двумерных электропроводящих и/или полупроводниковых структур в каждой структуре материала, отличающийся тем, что облучают каждую структуру материала излучением с заданной интенсивностью и/или частотной характеристикой, соответствующим определенной реакции материала на энергию, подаваемую излучением, и осуществляют пространственную модуляцию излучения в каждом случае согласно протоколу, который представляет сформированную конфигурацию электропроводящей и/или полупроводниковой структуры в соответствующей структуре материала, посредством чего в ответ на энергию, поданную излучением, уничтожают двумерные электропроводящие и/или полупроводниковые структуры, присутствующие в структурах материала, согласно протоколу, посредством чего материал структуры материала после этого полностью переходит в электрически непроводящее состояние. 28. A method of destroying a combination of electrically conductive and / or semiconductor three-dimensional structures formed in a composite matrix containing two or more materials provided in spatially separate and uniform structures of materials, and materials in response to energy supply can undergo certain physical and / or chemical state changes that cause a transition from an electrically non-conductive state to an electrically conductive and / or semiconductor state, or vice versa, or a change in the electronic mode electrical conductivity of the material, with each material structure containing a formed configuration of essentially two-dimensional electrically conductive and / or semiconductor structures represented by a certain protocol, the combination of electrically conductive and / or semiconductor three-dimensional structures can be re-formed in the matrix after destruction using the method according to any one of clauses 13-27, and according to another specific protocol for two-dimensional conductive and / or semiconductor structures in each st material structure, characterized in that each structure of the material is irradiated with radiation with a given intensity and / or frequency response corresponding to a particular reaction of the material to the energy supplied by the radiation, and the radiation is spatially modulated in each case according to a protocol that represents a formed configuration of conductive and / or semiconductor structure in the corresponding structure of the material, whereby in response to the energy supplied by radiation, destroy two-dimensional the electrically conductive and / or semiconductor structures present in the structures of the material according to the protocol, whereby the material of the material structure then completely goes into an electrically non-conducting state.
29. Способ по п. 28, отличающийся тем, что электромагнитное излучение, используемое для облучения, выбирают из одного или более из спектральных диапазонов гамма-излучения, рентгеновского излучения, ультрафиолетового излучения, видимого света, инфракрасного или микроволнового излучения. 29. The method according to p. 28, characterized in that the electromagnetic radiation used for irradiation is selected from one or more of the spectral ranges of gamma radiation, x-ray radiation, ultraviolet radiation, visible light, infrared or microwave radiation.
30. Способ по п. 28, отличающийся тем, что излучение частиц, используемых для облучения, выбирают из одного или более следующих типов частиц: элементарные частицы, включая протоны, нейтроны и электроны; ионы, молекулы и агрегатные частицы материала. 30. The method according to p. 28, characterized in that the radiation of particles used for irradiation is selected from one or more of the following types of particles: elementary particles, including protons, neutrons and electrons; ions, molecules and aggregate particles of the material.
31. Способ по п. 28, отличающийся тем, что пространственную модуляцию излучения осуществляют в плоскости, по существу параллельной структуре материала, посредством маски, шаблон которой выполняют согласно определенному протоколу, причем маска модулирует интенсивность и/или фазу падающего на нее излучения для разрушения электропроводящих и/или полупроводниковых структур в структуре материала. 31. The method according to p. 28, characterized in that the spatial modulation of the radiation is carried out in a plane essentially parallel to the structure of the material, by means of a mask, the template of which is performed according to a certain protocol, the mask modulating the intensity and / or phase of the radiation incident on it to destroy the electrically conductive and / or semiconductor structures in the structure of the material.
32. Способ по п. 28, отличающийся тем, что пространственную модуляцию излучения осуществляют в плоскости, по существу параллельной структуре материала, путем концентрации излучения в луч с размерами, совместимыми с размерами электропроводящих и/или полупроводниковых структур, и обеспечивают сканирование структуры материала этим лучом, который модулируют по интенсивности согласно определенному протоколу для уничтожения электропроводящих и/или полупроводниковых структур в структуре материала. 32. The method according to p. 28, characterized in that the spatial modulation of the radiation is carried out in a plane essentially parallel to the structure of the material, by concentrating the radiation into a beam with dimensions compatible with the dimensions of the conductive and / or semiconductor structures, and provide scanning of the material structure with this beam which is modulated in intensity according to a specific protocol for destroying electrically conductive and / or semiconductor structures in a material structure.
33. Способ по п. 28, отличающийся тем, что структуры материала в матрице формируют тонкими слоями в конфигурации стопки, при этом избирательно облучают один или более, но не каждый слой в конфигурации стопки для уничтожения электропроводящих и/или полупроводниковых структур в конкретном выбранном слое или слоях, без создания реакции в остальных слоях. 33. The method according to p. 28, characterized in that the structure of the material in the matrix is formed into thin layers in the stack configuration, while one or more, but not every layer in the stack configuration is selectively irradiated to destroy the electrically conductive and / or semiconductor structures in the particular selected layer or layers, without creating a reaction in the remaining layers.
34. Способ по п. 33, отличающийся тем, что один или более слоев для разрушения электропроводящих и/или полупроводниковых структур выбирают путем облучения выбранного слоя или слоев излучением, имеющим определенные характеристики излучения или заданную мощность, причем выбранный слой или слои формируют из материала, который реагирует на одну или более из характеристик излучения и/или мощность, или на их комбинацию. 34. The method according to p. 33, characterized in that one or more layers for the destruction of conductive and / or semiconductor structures is selected by irradiating the selected layer or layers with radiation having certain radiation characteristics or a given power, the selected layer or layers being formed from a material, which responds to one or more of the characteristics of the radiation and / or power, or a combination thereof.
35. Способ полного уничтожения комбинации электрически проводящих и/или полупроводниковых трехмерных структур в составной матрице, содержащей два или более материалов, обеспеченных в пространственно отдельных и однородных структурах материалов, причем материалы в ответ на подачу энергии могут подвергаться физическим и/или химическим изменениям состояния, которые вызывают переход из электрически непроводящего состояния в электрически проводящее и/или полупроводниковое состояние, или наоборот, и/или изменение в режиме электрической проводимости материала, при этом комбинация электропроводящих и/или полупроводниковых трехмерных структур в измерениях может быть сформирована заново в матрице после уничтожения с использованием способа по любому из пунктов 13-27, и согласно другому определенному протоколу для двумерных электропроводящих и/или полупроводниковых структур в каждой структуре материалов, отличающийся тем, что облучают матрицу глобально излучением с заданной интенсивностью и/или частотной характеристикой, соответствующим определенной реакции материала на энергию, обеспечиваемую излучением до тех пор, пока материал в матрице в ответ на энергию, поданную облучением, полностью не перейдет в электрически непроводящее состояние. 35. A method for completely destroying a combination of electrically conductive and / or semiconductor three-dimensional structures in a composite matrix containing two or more materials provided in spatially separate and homogeneous structures of materials, and materials in response to energy supply can undergo physical and / or chemical state changes, which cause a transition from an electrically non-conductive state to an electrically conductive and / or semiconductor state, or vice versa, and / or a change in the mode of electric conductivity of the material, while the combination of electrically conductive and / or semiconductor three-dimensional structures in the measurements can be re-formed in the matrix after destruction using the method according to any of paragraphs 13-27, and according to another specific protocol for two-dimensional conductive and / or semiconductor structures in each structure materials, characterized in that the matrix is irradiated globally with radiation with a given intensity and / or frequency response corresponding to a specific material reaction energy supplied to the radiation until the material in the matrix in response to the power supplied by irradiation, will not pass completely in an electrically non-conducting state.
36. Способ по п. 35, отличающийся тем, что электромагнитное излучение, используемое для облучения, выбирают из одного или более из спектральных диапазонов гамма-излучения, рентгеновского излучения, ультрафиолетового излучения, видимого света, инфракрасного или микроволнового излучения. 36. The method according to p. 35, wherein the electromagnetic radiation used for irradiation is selected from one or more of the spectral ranges of gamma radiation, x-ray radiation, ultraviolet radiation, visible light, infrared or microwave radiation.
37. Способ по п. 35, отличающийся тем, что излучение частиц, используемых для облучения, выбирают из одного или более следующих типов частиц: элементарные частицы, включая протоны, нейтроны и электроны; ионы, молекулы и агрегатные частицы материала. 37. The method according to p. 35, characterized in that the radiation of particles used for irradiation is selected from one or more of the following types of particles: elementary particles, including protons, neutrons and electrons; ions, molecules and aggregate particles of the material.