RU2000120226A - Способ получения кремниевых наноструктур - Google Patents
Способ получения кремниевых наноструктурInfo
- Publication number
- RU2000120226A RU2000120226A RU2000120226/28A RU2000120226A RU2000120226A RU 2000120226 A RU2000120226 A RU 2000120226A RU 2000120226/28 A RU2000120226/28 A RU 2000120226/28A RU 2000120226 A RU2000120226 A RU 2000120226A RU 2000120226 A RU2000120226 A RU 2000120226A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- matrix
- heated
- silicon
- medium
- nanocavities
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims 4
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N silicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000011022 opal Substances 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
Claims (6)
1. Способ получения кремниевых наноструктур, включающий воздействие физико-химическим фактором на кремнийсодержащее вещество и последующее осаждение выделяющегося при упомянутом воздействии кремния в нанополостях силикатной матрицы, отличающийся тем, что нагревают саму матрицу в восстановительной среде до температуры 700-950oС и выдерживают ее при этой температуре в течение времени, определяемого из предварительно построенной зависимости заданного размера наноструктуры от времени нагрева упомянутой матрицы.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что нагревают силикатную матрицу с открытыми нанополостями на поверхности.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что нагревают матрицу, выполненную из обезвоженного опала.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что нагревают матрицу при пониженном давлении среды.
5. Способ по п. 4, отличающийся тем, что нагревают матрицу при давлении среды 10-5-10-6 мм рт. ст.
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что скорость нагрева матрицы выбирают в пределах 20-500oС/мин.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2000120226/28A RU2183364C2 (ru) | 2000-07-19 | 2000-07-19 | Способ получения кремниевых наноструктур |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2000120226/28A RU2183364C2 (ru) | 2000-07-19 | 2000-07-19 | Способ получения кремниевых наноструктур |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2000120226A true RU2000120226A (ru) | 2002-04-27 |
| RU2183364C2 RU2183364C2 (ru) | 2002-06-10 |
Family
ID=20238557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2000120226/28A RU2183364C2 (ru) | 2000-07-19 | 2000-07-19 | Способ получения кремниевых наноструктур |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2183364C2 (ru) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1628908A4 (en) * | 2003-01-31 | 2007-08-01 | Inst Of Geol & Nuclear Science | FORMATION OF SILICON NANOSTRUCTURES |
-
2000
- 2000-07-19 RU RU2000120226/28A patent/RU2183364C2/ru not_active IP Right Cessation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1214973A4 (en) | CARRIER FOR CATALYST AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF | |
| KR850000690A (ko) | 반사 방지성 실리카 피복조성물 및 피복방법 | |
| WO2001086709A3 (en) | Simplified method to produce nanoporous silicon-based films | |
| JP2006501507A5 (ru) | ||
| MY126083A (en) | Process film for use in producing cermaic green sheet and method for producing the film | |
| ATE460687T1 (de) | Methode zur erzeugung einer flachdruckplatte | |
| CN111153379A (zh) | 一种通过角度沉积薄膜制作尺寸可控纳米通道的方法 | |
| RU2000120226A (ru) | Способ получения кремниевых наноструктур | |
| JP2009545157A5 (ru) | ||
| SE0402941D0 (sv) | Behållare för rening av vatten medelst solljus | |
| JP2002274077A5 (ru) | ||
| WO2004067458A3 (de) | Verfahren zur herstellung eines hohlzylinders aus synthetischem quarzglas unter einsatz einer haltevorrichtung sowie geeignete haltevorrichtung zur durchführung des verfahrens | |
| JPS6456315A (en) | Method for improving film quality of silicon-compound coated film | |
| JP2001294447A5 (ru) | ||
| RU2008114316A (ru) | Теплообменник, в частности теплообменник отработанных газов, способ изготовления теплообменника | |
| JP2775416B2 (ja) | 紫外光照射により体積変化するガラス材料 | |
| CN207930953U (zh) | 一种橡胶生产用的干燥装置 | |
| RU2001108806A (ru) | Способ получения радиотехнического материала | |
| JPS6487760A (en) | Stainless steel member for semiconductor producing device | |
| JPH09501020A (ja) | 半導体ウエハ処理方法 | |
| JPS59168642A (ja) | 半導体基板の酸化装置 | |
| JP2003094521A5 (ru) | ||
| SU681030A1 (ru) | Крышка пропарочной камеры | |
| JP2002248418A5 (ru) | ||
| JP2605268B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |