RU2000104540A - Способ получения адресуемого автоэмиссионного катода и дисплейной структуры на его основе - Google Patents
Способ получения адресуемого автоэмиссионного катода и дисплейной структуры на его основеInfo
- Publication number
- RU2000104540A RU2000104540A RU2000104540/09A RU2000104540A RU2000104540A RU 2000104540 A RU2000104540 A RU 2000104540A RU 2000104540/09 A RU2000104540/09 A RU 2000104540/09A RU 2000104540 A RU2000104540 A RU 2000104540A RU 2000104540 A RU2000104540 A RU 2000104540A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- metal
- layer
- dielectric substrate
- carbon
- discrete elements
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 46
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 30
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 19
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 7
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 7
- 230000001681 protective Effects 0.000 claims 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N titanium Chemical class [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 7
- 239000010936 titanium Chemical class 0.000 claims 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 6
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N zirconium Chemical class [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 6
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 3
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum Chemical class [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N Hafnium Chemical class [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 2
- 150000002751 molybdenum Chemical class 0.000 claims 2
- 229910052904 quartz Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims 2
- 230000002194 synthesizing Effects 0.000 claims 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical class [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010937 tungsten Chemical class 0.000 claims 2
- 241000849798 Nita Species 0.000 claims 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Claims (14)
1. Способ получения адресуемого автоэмиссионного катода, включающий формирование на диэлектрической подложке структуры дискретных чередующихся эмитирующих элементов путем нанесения на диэлектрическую подложку металлических дискретных элементов из высокотемпературного металла с последующим нанесением на них углеродосодержащего эмиссионного слоя, отличающийся тем, что углеродосодержащий эмиссионный слой наносят методом газофазного синтеза, включающим нагрев в реакторе металлических нитей реактора и диэлектрической подложки в потоке водорода, подачу углеродосодержащего газа в поток водорода и осаждение углеродосодержащего эмиссионного слоя через защитный сетчатый экран, при этом режим осаждения выбирают таким, чтобы скорость роста углеродосодержащего эмиссионного слоя на диэлектрической подложке была существенно меньше, чем скорость роста углеродосодержащего эмиссионного слоя на металлических дискретных элементах.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что металлические дискретные элементы наносят из двух слоев металлов, при этом нижний слой наносят из металла с пороговой напряженностью электрического поля возникновения эмиссии выше напряженности электрического поля эмиссии верхнего слоя металла, при котором эмитируется требуемый ток, проводят удаление части верхнего слоя металла до получения требуемых конфигураций из оставшейся части верхнего слоя.
3. Способ по пп. 1 и 2, отличающийся тем, что формирование структуры дискретных чередующихся эмитирующих элементов проводят на диэлектрической подложке, выполненной из высокотемпературного материала из ряда поликор, форстерит, сапфир, ситал, анодированный алюминий, кварц, кремний с окисленным верхним слоем.
4. Способ по пп. 1-3, отличающийся тем, что на диэлектрическую подложку наносят металлические дискретные элементы из высокотемпературного металла из ряда молибден, титан, тантал, вольфрам, гафний, цирконий, их сплавы.
5. Способ по пп. 1, 3, 4, отличающийся тем, что металлические дискретные элементы наносят из титана на диэлектрическую подложку, выполненную из ситала, в поток водорода в качестве углеродосодержащего газа подают метан, а осаждение углеродосодержащего эмиссионного слоя проводят при концентрации метана в газовой смеси 1,5-2,5%, при температуре диэлектрической подложки 750-840oС, при температуре металлических нитей реактора 2000-2070oС, скорости прокачки газовой смеси через реактор 4-6 л/ч, при расположении диэлектрической подложки на расстоянии от металлических нитей реактора 7-10 мм и расстоянии между защитным сетчатым экраном и диэлектрической подложкой 1-4 мм, при этом осаждение проводят в течение 1-3 ч.
6. Способ по пп. 1, 3, 4, отличающийся тем, что металлические дискретные элементы наносят из тантала на диэлектрическую подложку, выполненную из ситала, в поток водорода в качестве углеродосодержащего газа подают метан, а осаждение углеродосодержащего эмиссионного слоя проводят при концентрации метана в газовой смеси 1,5-4%, при температуре диэлектрической подложки 900-950oС, температуре металлических нитей реактора 2150-2200oС, скорости прокачки газовой смеси через реактор 4-6 л/ч, при расположении диэлектрической подложки на расстоянии от металлических нитей реактора 7-10 мм и расстоянии между защитным сетчатым экраном и диэлектрической подложкой 1-4 мм, при этом осаждение проводят в течение 1-3 ч.
7. Способ по пп. 1, 3, 4, отличающийся тем, что металлические дискретные элементы наносят из молибдена, на диэлектрическую подложку, выполненную из форстерита, в поток водорода в качестве углеродосодержащего газа подают метан, а осаждение углеродосодержащего эмиссионного слоя проводят при концентрации метана в газовой смеси метана 1,5-4%, при температуре диэлектрической подложки 900-950oС, температуре металлических нитей реактора 2150-2200oС, скорости прокачки газовой смеси через реактор 4-6 л/ч, при расположении диэлектрической подложки на расстоянии от металлических нитей реактора 7-10 мм и расстоянии между защитным сетчатым экраном и диэлектрической подложкой 1-4 мм, при этом осаждение проводят в течение 1-3 ч.
8. Способ получения дисплейной структуры с триодной схемой управления, включающий формирование анодной структуры, выполненной в виде параллельных дискретных элементов, формирование на диэлектрической подложке перпендикулярно дискретным элементам анодной структуры параллельных металлических дискретных элементов из высокотемпературного металла адресуемого автоэмиссионного катода с контактными площадками, формирование управляющей сетки, расположенной между адресуемым автоэмиссионным катодом и анодной структурой путем нанесения на металлические дискретные элементы адресуемого автоэмиссионного катода, исключая контактные площадки, слоя диэлектрика и поверх него металлического слоя, вскрытие в диэлектрическом и нанесенном на него металлическом слоях в местах пересечения дискретных элементов адресуемого автоэмиссионного катода и анодной структуры окон требуемой конфигурации до дискретных элементов адресуемого автоэмиссионного катода, нанесение углеродосодержащего эмиссионного слоя, отличающийся тем, что на диэлектрический слой наносят металлический слой из металла с пороговой напряженностью электрического поля возникновения эмиссии выше напряженности электрического поля, при котором катод эмитирует требуемый ток, а осаждение углеродосодержащего эмиссионного слоя проводят на металлические дискретные элементы адресуемого автоэмиссионного катода методом газофазного синтеза, включающим нагрев в реакторе металлических нитей реактора и диэлектрической подложки в потоке водорода с подачей углеродосодержащего газа в поток, осаждение углеродосодержащего эмиссионного слоя через защитный сетчатый экран, при этом режим осаждения выбирают таким, чтобы скорость роста углеродосодержащего эмиссионного слоя на диэлектрическом слое была меньше, чем скорость роста углеродосодержащего эмиссионного слоя на металлических дискретных элементах адресуемого автоэмиссионного катода.
9. Способ по п. 8, отличающийся тем, что металлические дискретные элементы адресуемого автоэмиссионного катода наносят из двух слоев металлов, при этом нижний слой наносят из металла с пороговой напряженностью электрического поля возникновения эмиссии выше напряженности электрического поля эмиссии верхнего слоя металла, при котором эмитируется требуемый ток, вскрытие в диэлектрическом и нанесенном на него металлическом слоях окон требуемой конфигурации проводят до верхнего слоя металла дискретных элементов адресуемого автоэмиссионного катода.
10. Способ по п. 9, отличающийся тем, что после вскрытия окон в диэлектрическом и нанесенном на него металлическом слоях проводят удаление части верхнего слоя металла дискретных элементов адресуемого автоэмиссионного катода до получения требуемых конфигураций из оставшейся части верхнего слоя.
11. Способ по пп. 8-10, отличающийся тем, что нанесение металлических дискретных элементов адресуемого автоэмиссионного катода проводят на диэлектрической подложке, выполненной из высокотемпературного материала из ряда поликор, форстерит, сапфир, ситал, анодированный алюминий, кварц, кремний с окисленным верхним слоем.
12. Способ по пп. 8-11, отличающийся тем, что на диэлектрическую подложку наносят металлические дискретные элементы адресуемого автоэмиссионного катода из высокотемпературного металла из ряда молибден, титан, тантал, вольфрам, гафний, цирконий, их сплавы.
13. Способ по пп. 8, 11, 12, отличающийся тем, что на диэлектрическую подложку, выполненную из ситала наносят металлические дискретные элементы адресуемого автоэмиссионного катода в виде полосок титана, поверх полосок титана наносят диэлектрический слой из анодированного алюминия, на который сверху наносят металлический слой из циркония, в слое циркония и в слое анодированного алюминия вскрывают окна, проводят осаждение углеродосодержащего эмиссионного слоя при концентрации метана в потоке водорода 1,5-2,5%, температуре диэлектрической подложки 750-840oС, температуре металлических нитей реактора 2000-2070oС, скорости прокачки газовой смеси через реактор 4-6 л/ч, при расположении диэлектрической подложки на расстоянии от металлических нитей реактора 7-10 мм и расстоянии между защитным сетчатым экраном и диэлектрической подложкой 1-4 мм, осаждение проводят в течение 1-3 ч.
14. Способ по пп. 8, 11, 12, отличающийся тем, что на диэлектрическую подложку, выполненную из кремния с окисленным верхним слоем наносят металлические дискретные элементы адресуемого автоэмиссионного катода в виде полосок титана, поверх полосок титана наносят слой диэлектрика из окиси кремния, на который сверху наносят металлический слой из циркония, в слое циркония и в слое окиси кремния вскрывают окна, проводят осаждение углеродосодержащего эмиссионного слоя при концентрации метана в потоке водорода 1,5-2,5%, температуре диэлектрической подложки 750-840oС, температуре металлических нитей реактора 2000-2070oС, скорости прокачки газовой смеси через реактор 4-6 л/ч, при расположении диэлектрической подложки на расстоянии от металлических нитей реактора 7-10 мм и расстоянии между защитным сетчатым экраном и диэлектрической подложкой 1-4 мм, осаждение проводят в течение 1-3 ч.
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2000104540/09A RU2194329C2 (ru) | 2000-02-25 | 2000-02-25 | Способ получения адресуемого автоэмиссионного катода и дисплейной структуры на его основе |
| KR1020027010812A KR20020072588A (ko) | 2000-02-25 | 2001-02-22 | 어드레스가능한 전계방출 음극 및 그 관련의 디스플레이구조체 제조방법 |
| JP2001562727A JP2003524870A (ja) | 2000-02-25 | 2001-02-22 | アドレス可能な電界放出陰極及び関連したディスプレイ構造物の製造方法 |
| PCT/RU2001/000073 WO2001063637A2 (fr) | 2000-02-25 | 2001-02-22 | Procede de fabrication d'une cathode adressable a champ d'emission et d'une structure d'afficheur correspondante |
| AU2001241312A AU2001241312A1 (en) | 2000-02-25 | 2001-02-22 | Method for producing an addressable field-emission cathode and an associated display structure |
| US10/220,003 US7404980B2 (en) | 2000-02-25 | 2001-02-22 | Method for producing an addressable field-emission cathode and an associated display structure |
| EP01912623A EP1302967A4 (en) | 2000-02-25 | 2001-02-22 | METHOD FOR MANUFACTURING EMISSION FIELD ADDRESSABLE CATHODE AND CORRESPONDING DISPLAY STRUCTURE |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2000104540/09A RU2194329C2 (ru) | 2000-02-25 | 2000-02-25 | Способ получения адресуемого автоэмиссионного катода и дисплейной структуры на его основе |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2000104540A true RU2000104540A (ru) | 2002-08-20 |
| RU2194329C2 RU2194329C2 (ru) | 2002-12-10 |
Family
ID=20231046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2000104540/09A RU2194329C2 (ru) | 2000-02-25 | 2000-02-25 | Способ получения адресуемого автоэмиссионного катода и дисплейной структуры на его основе |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7404980B2 (ru) |
| EP (1) | EP1302967A4 (ru) |
| JP (1) | JP2003524870A (ru) |
| KR (1) | KR20020072588A (ru) |
| AU (1) | AU2001241312A1 (ru) |
| RU (1) | RU2194329C2 (ru) |
| WO (1) | WO2001063637A2 (ru) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060292297A1 (en) * | 2004-07-06 | 2006-12-28 | Nano-Proprietary, Inc. | Patterning CNT emitters |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63159292A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-02 | Showa Denko Kk | ダイヤモンド膜の作製方法 |
| RU2083018C1 (ru) * | 1991-08-20 | 1997-06-27 | Моторола, Инк. | Электронный эмиттер и способ его формирования (варианты) |
| US5258685A (en) * | 1991-08-20 | 1993-11-02 | Motorola, Inc. | Field emission electron source employing a diamond coating |
| CN1134754A (zh) * | 1993-11-04 | 1996-10-30 | 微电子及计算机技术公司 | 制作平板显示系统和元件的方法 |
| US5578901A (en) * | 1994-02-14 | 1996-11-26 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Diamond fiber field emitters |
| US5872422A (en) * | 1995-12-20 | 1999-02-16 | Advanced Technology Materials, Inc. | Carbon fiber-based field emission devices |
| RU2118011C1 (ru) * | 1996-05-08 | 1998-08-20 | Евгений Инвиевич Гиваргизов | Автоэмиссионный триод, устройство на его основе и способ его изготовления |
| US5865657A (en) * | 1996-06-07 | 1999-02-02 | Candescent Technologies Corporation | Fabrication of gated electron-emitting device utilizing distributed particles to form gate openings typically beveled and/or combined with lift-off or electrochemical removal of excess emitter material |
| US6161499A (en) * | 1997-07-07 | 2000-12-19 | Cvd Diamond Corporation | Apparatus and method for nucleation and deposition of diamond using hot-filament DC plasma |
| US5944573A (en) * | 1997-12-10 | 1999-08-31 | Bav Technologies, Ltd. | Method for manufacture of field emission array |
| EP1059266A3 (en) * | 1999-06-11 | 2000-12-20 | Iljin Nanotech Co., Ltd. | Mass synthesis method of high purity carbon nanotubes vertically aligned over large-size substrate using thermal chemical vapor deposition |
| KR100376197B1 (ko) * | 1999-06-15 | 2003-03-15 | 일진나노텍 주식회사 | 탄소 소오스 가스 분해용 촉매금속막을 이용한탄소나노튜브의 저온 합성 방법 |
-
2000
- 2000-02-25 RU RU2000104540/09A patent/RU2194329C2/ru active IP Right Revival
-
2001
- 2001-02-22 JP JP2001562727A patent/JP2003524870A/ja active Pending
- 2001-02-22 US US10/220,003 patent/US7404980B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-22 WO PCT/RU2001/000073 patent/WO2001063637A2/ru not_active Application Discontinuation
- 2001-02-22 AU AU2001241312A patent/AU2001241312A1/en not_active Abandoned
- 2001-02-22 EP EP01912623A patent/EP1302967A4/en not_active Withdrawn
- 2001-02-22 KR KR1020027010812A patent/KR20020072588A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6514113B1 (en) | White light source using carbon nanotubes and fabrication method thereof | |
| JP2001176431A (ja) | 電界放出表示素子及びその製造方法 | |
| JP2001348296A (ja) | 針状表面を有するダイヤモンド、繊毛状表面を有する炭素系材料、その製造方法、それを使用した電極及び電子デバイス | |
| US7755271B2 (en) | Field emission electrode, manufacturing method thereof, and electronic device | |
| RU2000104540A (ru) | Способ получения адресуемого автоэмиссионного катода и дисплейной структуры на его основе | |
| KR100576733B1 (ko) | 일체형 3극구조 전계방출디스플레이 및 그 제조 방법 | |
| EP0959148B1 (en) | Method for producing diamond films using a vapour-phase synthesis system | |
| JP4357066B2 (ja) | 電界電子放出装置およびその製造方法 | |
| JP2004243477A (ja) | 炭素質ナノ構造体の製造方法、炭素質ナノ構造体及びそれを用いた電子源 | |
| KR20010039636A (ko) | 탄소나노튜브를 이용한 백색 광원 및 그 제조 방법 | |
| JP2010006670A (ja) | ナノワイヤ構造体およびその製造方法 | |
| KR100362899B1 (ko) | 탄소 나노튜브를 이용한 전계방출 표시소자의 제조 방법 | |
| RU2194329C2 (ru) | Способ получения адресуемого автоэмиссионного катода и дисплейной структуры на его основе | |
| KR100376198B1 (ko) | 수직 배향된 탄소 나노튜브를 이용한 전계방출 표시소자및 그 제조 방법 | |
| JP3638264B2 (ja) | 冷陰極装置の作製方法及び冷陰極装置並びにそれを用いた表示装置 | |
| KR100502817B1 (ko) | ＧａＮ 나노막대를 이용한 전계방출형 디스플레이 | |
| JP2001035351A (ja) | 円筒型電子源を用いた冷陰極及びその製造方法 | |
| US10475616B2 (en) | Method for manufacturing nanostructures for a field emission cathode | |
| JP4677629B2 (ja) | 窒化ホウ素膜表面に先端の尖った結晶が自己相似性フラクタル模様を呈して電子放出に適った密度で二次元分布してなる窒化ホウ素薄膜エミッターとその製造方法 | |
| RU2158036C2 (ru) | Способ получения алмазных пленок методом газофазного синтеза | |
| KR100634856B1 (ko) | 금속 화합물을 이용한 탄소나노튜브 전자방출원의 제조방법 | |
| JPH09223455A (ja) | 表面構造制御法およびこれを利用した電子源および平面ディスプレィ | |
| KR100671822B1 (ko) | 다중 전극에 의한 탄소나노튜브의 생성 장치 및 방법 | |
| Jin | Research and Development of a New Field Enhanced Low Temperature Thermionic Cathode that Enables Fluorescent Dimming and Loan Shedding without Auxiliary Cathode Heating | |
| KR100464007B1 (ko) | 전계 방출 소자의 ｍｉｍ 에미터 및 그 제조 방법 |