RU192952U1 - Металлокерамический корпус - Google Patents

Металлокерамический корпус Download PDF

Info

Publication number
RU192952U1
RU192952U1 RU2019114660U RU2019114660U RU192952U1 RU 192952 U1 RU192952 U1 RU 192952U1 RU 2019114660 U RU2019114660 U RU 2019114660U RU 2019114660 U RU2019114660 U RU 2019114660U RU 192952 U1 RU192952 U1 RU 192952U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
heat sink
metal
gold
copper
solder
Prior art date
Application number
RU2019114660U
Other languages
English (en)
Inventor
Николай Алексеевич Томилин
Вячеслав Сергеевич Серегин
Лариса Владимировна Пилавова
Original Assignee
Акционерное общество "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Акционерное общество "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ" filed Critical Акционерное общество "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ"
Priority to RU2019114660U priority Critical patent/RU192952U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU192952U1 publication Critical patent/RU192952U1/ru

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus

Abstract

Использование: для разработки металлокрамических корпусов силовых полупроводниковых приборов. Сущность полезной модели заключается в том, что металлокерамический корпус состоит из основания в виде паяного соединения конструкционных элементов, а именно: металлического теплоотводящего фланца, изолятора из многослойной алюмооксидной керамики и теплоотвода-кристаллодержателя в виде пластины из алюмонитридной керамики, и припаиваемой к основанию герметизирующей крышки из алюмооксидной керамики, при этом соединение металлического теплоотводящего фланца с изолятором и теплоотводом-кристаллодержателем выполнено припоем золото-олово, содержащим от 83 до 85 вес. % золота, олово - остальное. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения термических напряжений в паянном соединении. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Description

Полезная модель (ПМ) относится к области электронной техники и может быть использована при разработке корпусов силовых полупроводниковых приборов большой мощности.
При изготовлении металлокерамических корпусов мощных изделий микроэлектроники для обеспечения хорошего отвода выделяющегося от кристалла тепла широко используются конструкционные элементы, изготовленные из металлических и изоляционных материалов с высокой теплопроводностью (медь, псевдосплавы медь-молибден, медь-вольфрам, керамика на основе окиси бериллия или нитрида алюминия и др.), а также применяется технология последовательной (ступенчатой) пайки этих элементов с использованием ряда припоев с различной температурой (интервалом температур) плавления.
Наиболее часто при изготовлении и корпусировании полупроводниковых приборов с использованием технологии ступенчатой пайки применяется ряд эвтектических припоев для соединения конструкционных элементов корпуса (Ag72Cu28), посадки полупроводникового кристалла (Au88Ge12, Au96,8Si3,2) и герметизации корпуса (Au80Sn20) (Рис. 1).
Однако, при пайке элементов, существенно отличающихся по температурному коэффициенту линейного расширения (ТКЛР), в процессе охлаждения в местах соединений возникают термические напряжения, которые могут вызывать их деформацию или разрушение. Величина этих напряжений зависит от разницы ТКЛР, размеров элементов и температуры плавления используемого припоя. Путем снижения величины возникающих при пайке термических напряжений является как использование конструкционных материалов, более согласованных по ТКЛР, так и припоев с более низкой температурой плавления.
Наиболее близким техническим решением является конструкция корпусов мощных полупроводниковых приборов, например, мощного СВЧ-транзистора /1/ с высокой теплорассеивающей способностью (Рис. 2).
Основанием такого корпуса является металлический теплоотводящий фланец, изготовленный из псевдосплава молибдена с медью, на котором размещены изолятор из многослойной металлизированной алюмооксидной керамики с сформированной системой управляющих выводов, включающей контактные площадки с внешней стороны и во внутренней полости корпуса (на рисунке не показаны), и теплоотвод из диэлектрического материала с высокой теплопроводностью - алюмонитридной керамики. Эти конструкционные элементы соединяются высокотемпературной пайкой эвтектическим припоем (1) серебро-медь (Ag72Cu28, Тпл=780°С).
Герметизация корпуса осуществляется пайкой крышки из алюмооксидной керамики с помощью эвтектического припоя (3) золото-олово (Тпл=280°С). Кремниевые кристаллы с транзисторными структурами монтируют на металлизированную поверхность теплоотвода пайкой эвтектическим припоем (2) золото-кремний (Тпл=363°С). В этой конструкции за счет выбора материалов конструкционных элементов и припоев удалось минимизировать величину термических напряжений паяных соединений кристалл - теплоотвод и корпус - крышка.
Однако, из-за недостаточной согласованности ТКЛР спаиваемых элементов (металлического фланца и керамических элементов), и высокой температуры пайки при использовании припоя на основе серебра в основании корпуса возможно возникновение термических напряжений, приводящих к деформации и разрушению конструкции 121.
Целью и техническим результатом заявляемого технического решения является снижение термических напряжений в основании металлокерамического корпуса вследствие уменьшения рассогласований тепловых расширений конструкционных элементов паяных соединений за счет снижения температуры пайки.
Указанный технический результат достигается тем, что в предлагаемой конструкции корпуса состоящего из основания в виде паянного соединения конструкционных элементов, а именно: металлического теплоотводящего фланца, изолятора из многослойной керамики и теплоотвода-кристаллодержателя из диэлектрического материала с высокой теплопроводностью, и припаиваемой к основанию герметизирующей крышки из алюмооксидной керамики, при этом соединение металлического теплоотводящего фланца с изолятором и теплоотводом-кристаллодержателем выполнено припоем золото-олово, содержащим от 83 до 85 вес. % золота, олово - остальное, а металлический теплоотводящий фланец изготовлен из псевдосплава молибден-медь, содержащего от 15 до 50 вес. % меди, или псевдосплава вольфрам-медь, содержащего от 10 до 30 вес. % меди.
Полезная модель поясняется рисунком 2 поперечного сечения металлокерамического корпуса.
Металлокерамический корпус включает в себя теплоотводящий металлический фланец, к которому припаяны керамический теплоотвод, изготовленный в виде пластины из алюмонитридной керамики с нанесенными для пайки с фланцем и кристаллами участками металлизации, и металлизированный изолятор из многослойной алюмооксидной керамики с сформированной системой управляющих выводов и контактных площадок (на рисунке не показаны), (припой 1).
На теплоотводе закреплены (припой 2) кремниевые кристаллы, а герметизация корпуса осуществляется пайкой крышки из алюмооксидной керамики (припой 3).
Суть технического решения показана ниже на примерах: использование золото-оловянного припоя с интервалом температур плавления 280-500°С вместо припоя Ag72Cu28 с температурой плавления 780°С при пайке элементов металлокерамического корпуса (микросхемы) в 3 раза снижает величину термических напряжений; при этом сохраняется возможность использования эвтектических припоев золото-кремний, золото-германий, золото-олово для монтажа кристаллов и герметизации корпуса.
Так в качестве альтернативы припою Ag72Cu28 для соединения конструкционных элементов корпуса может быть предложен золото-оловянный припой (припойный материал) состава (вес. %) Au80+xSn20-x плавящийся в интервале температур (280°С - Тликвидус). По технологическим причинам Тликвидус такого сплава должна быть не ниже 400°С, превышая на 30-40°С температуру пайки кристаллов эвтектическими припоями золото-кремний и золото-германий и обеспечивая возможность осуществления ступенчатой пайки с использованием этих припоев и эвтектического припоя Au80Sn20.
В соответствии с диаграммой состояния (Рис. 3) в равновесном состоянии значениями Тликвидус выше 400°С обладают сплавы, содержащие более 82,7 вес. % золота. Увеличение содержания золота более 85 вес. % (Тликвидус = 500°С) нецелесообразно, так как это вызывает необходимость увеличения температуры пайки.
Проведем сравнительный анализ величин термических напряжений, возникающих при пайке конструкционных элементов из различных материалов эвтектическим припоем Ag72Cu28 и предлагаемым золото-оловянным припоем, содержащим от 83 до 85 вес. % золота (остальное - олово).
Относительное изменение линейных размеров (ΔL/L) i-го элемента паяного изделия при охлаждении в процессе пайки до комнатной температуры (20°С) определяется по формуле
ΔL/L=αi×ΔT,
где ΔT - разница между температурой полного затвердевания припоя (температурой солидус) и комнатной температурой, а αi - средний ТКЛР i-го элемента в интервале температур ΔT.
Для припоя Ag72Cu28 АТ=760°С, а для предлагаемого золото-оловянного припоя ΔТ=260°С.
Величина термических напряжений в паяном соединении пропорциональна разнице в относительных изменениях линейных размеров его элементов (1 и 2) при охлаждении в процессе пайки до комнатной температуры, которая может быть определена по формуле:
(ΔL/L)1-(ΔL/L)2=(α12)×ΔT.
В таблице 1 приведены рассчитанные значения этой величины для различных материалов, наиболее часто используемых в конструкциях мощных изделий микроэлектроники: алюмооксидной и алюмонитридной керамик с высоким содержанием окиси алюминия и нитрида алюминия и псевдосплавов молибден-медь и вольфрам-медь. Следует отметить, что уровень теплофизических и прочностных характеристики многочисленных марок выпускаемых промышленностью псевдосплавов молибден-медь (марок МД, содержащих от 15 до 50 вес. % меди) и вольфрам-медь (марок ВД, содержащих от 10 до 30 вес. % меди) определяется не только соотношением компонентов (составом), но и технологией получения композита и, как правило, эти характеристики не нормируются предприятиями изготовителями. Анализ технической информации показал, что разброс значений ТКЛР псевдосплавов с одинаковым содержанием компонентов может достигать 20% и более. Для расчета рассогласования тепловых расширений конструкционных элементов использовали усредненные справочные значения ТКЛР этих материалов для интервалов температур 20-280°С и 20-780°С (Табл. 2).
Figure 00000001
Figure 00000002
Проведенные расчеты показывают, что предлагаемый золото-оловянный припой, содержащий от 83 до 85 вес. % золота (остальное - олово), может быть применен вместо припоя Ag72Cu28 в технологическом процессе изготовления мощных изделий микроэлектроники с использованием технология ступенчатой пайки. Его применение позволяет значительно снизить температуру пайки (с -800°С до 500°С) и в большинстве случаев более чем в 3 раза уменьшить величину рассогласований тепловых расширений элементов и термических напряжений в паяном соединении.
Источники информации, принятые во внимание при составлении заявки:
1. В. Сидоров. Корпуса СВЧ-транзисторов на основе полиалмаза и алюмонитридной керамики, ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес 4/2007
2. А.И. Ивашко, М.М. Крымко. Металлический корпус для силовых полупроводниковых модулей, Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. Выпуск 4 (247) 2017, с. 61-67
3. Диаграммы состояния двойных металлических систем / под общей редакцией Лякишева Н.П../; т. 1, - М.: Машиностроение, 1996. - 996 с.

Claims (2)

1. Металлокерамический корпус, состоящий из основания в виде паяного соединения конструкционных элементов, а именно: металлического теплоотводящего фланца, изолятора из многослойной алюмооксидной керамики и теплоотвода-кристаллодержателя в виде пластины из алюмонитридной керамики, и припаиваемой к основанию герметизирующей крышки из алюмооксидной керамики, отличающийся тем, что соединение металлического теплоотводящего фланца с изолятором и теплоотводом-кристаллодержателем выполнено припоем золото-олово, содержащим от 83 до 85 вес. % золота, олово - остальное.
2. Металлокерамический корпус по п. 1, отличающийся тем, что металлический теплоотводящий фланец изготовлен из псевдосплава молибден-медь, содержащего от 15 до 50 вес. % меди, или псевдосплава вольфрам-медь, содержащего от 10 до 30 вес .% меди.
RU2019114660U 2019-05-15 2019-05-15 Металлокерамический корпус RU192952U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2019114660U RU192952U1 (ru) 2019-05-15 2019-05-15 Металлокерамический корпус

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2019114660U RU192952U1 (ru) 2019-05-15 2019-05-15 Металлокерамический корпус

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU192952U1 true RU192952U1 (ru) 2019-10-08

Family

ID=68162436

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2019114660U RU192952U1 (ru) 2019-05-15 2019-05-15 Металлокерамический корпус

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU192952U1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU198866U1 (ru) * 2020-03-19 2020-07-31 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" Силовой полупроводниковый модуль
RU2740028C1 (ru) * 2020-03-19 2020-12-30 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" Корпус беспотенциального силового модуля

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU44876U1 (ru) * 2004-09-01 2005-03-27 Открытое Акционерное Общество "Особое Конструкторское Бюро "Искра" (Оао "Окб "Искра") Корпус полупроводникового прибора
RU86047U1 (ru) * 2008-04-23 2009-08-20 Общество с ограниченной ответственностью "Интелсоб" (ООО "Интелсоб") Корпус полупроводниковых приборов
US7605451B2 (en) * 2006-06-27 2009-10-20 Hvvi Semiconductors, Inc RF power transistor having an encapsulated chip package
RU89283U1 (ru) * 2008-04-23 2009-11-27 Общество с ограниченной ответственностью "Интелсоб" (ООО "Интелсоб") Корпус полупроводниковых приборов
US20150064848A1 (en) * 2009-02-02 2015-03-05 Estivation Properties Llc Semiconductor device having a diamond substrate heat spreader
RU2659304C1 (ru) * 2017-06-14 2018-06-29 Российская Федерация, От Имени Которой Выступает Министерство Промышленности И Торговли Российской Федерации Корпус мощной гибридной свч интегральной схемы

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU44876U1 (ru) * 2004-09-01 2005-03-27 Открытое Акционерное Общество "Особое Конструкторское Бюро "Искра" (Оао "Окб "Искра") Корпус полупроводникового прибора
US7605451B2 (en) * 2006-06-27 2009-10-20 Hvvi Semiconductors, Inc RF power transistor having an encapsulated chip package
RU86047U1 (ru) * 2008-04-23 2009-08-20 Общество с ограниченной ответственностью "Интелсоб" (ООО "Интелсоб") Корпус полупроводниковых приборов
RU89283U1 (ru) * 2008-04-23 2009-11-27 Общество с ограниченной ответственностью "Интелсоб" (ООО "Интелсоб") Корпус полупроводниковых приборов
US20150064848A1 (en) * 2009-02-02 2015-03-05 Estivation Properties Llc Semiconductor device having a diamond substrate heat spreader
RU2659304C1 (ru) * 2017-06-14 2018-06-29 Российская Федерация, От Имени Которой Выступает Министерство Промышленности И Торговли Российской Федерации Корпус мощной гибридной свч интегральной схемы

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU198866U1 (ru) * 2020-03-19 2020-07-31 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" Силовой полупроводниковый модуль
RU2740028C1 (ru) * 2020-03-19 2020-12-30 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" Корпус беспотенциального силового модуля

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6646344B1 (en) Composite material, and manufacturing method and uses of same
KR101022583B1 (ko) 방열재 및 땜납 프리폼
EP1973156A2 (en) Integrated circuit package with top-side conduction cooling
EP1414064A1 (en) Semiconductor device and package for housing semiconductor chip made of a metal-diamond composite
RU192952U1 (ru) Металлокерамический корпус
US5798566A (en) Ceramic IC package base and ceramic cover
US5821617A (en) Surface mount package with low coefficient of thermal expansion
JPH06296084A (ja) 高熱伝導体及びこれを備えた配線基板とこれらの製造方法
Zhou et al. Au/Sn solder alloy and its applications in electronics packaging
JP6221590B2 (ja) 絶縁基板と冷却器の接合構造体、その製造方法、パワー半導体モジュール、及びその製造方法
US20040046247A1 (en) Hermetic semiconductor package
Occhionero et al. Aluminum silicon carbide (AlSiC) microprocessor lids and heat sinks for integrated thermal management solutions
TWI484604B (zh) 金屬熱界面材料以及含該材料的構裝半導體
Occhionero et al. Aluminum silicon carbide (AlSiC) for advanced microelectronic packages
JP2000277953A (ja) セラミックス回路基板
CN113809016A (zh) 复合基板
JPH0272655A (ja) 実装部品
JPH0613494A (ja) 半導体装置用基板
US5770890A (en) Using a thermal barrier to provide a hermetic seal surface on aluminum nitride substrate electronic packages
JPS59114845A (ja) 諸特性の改善された容器を用いた半導体装置
JP2004327732A (ja) セラミック回路基板及び電気回路モジュール
JPH04348062A (ja) 半導体搭載用放熱基板の製造法と該基板を用いた半導体用パッケージ
JPH01151252A (ja) セラミックパッケージとその製造方法
JPS6010633A (ja) 半導体装置
Keck et al. New composite packaging

Legal Events

Date Code Title Description
MM9K Utility model has become invalid (non-payment of fees)

Effective date: 20200516