RU1793344C - Способ определени эффективного структурного параметра материала - Google Patents

Способ определени эффективного структурного параметра материала

Info

Publication number
RU1793344C
RU1793344C SU904890087A SU4890087A RU1793344C RU 1793344 C RU1793344 C RU 1793344C SU 904890087 A SU904890087 A SU 904890087A SU 4890087 A SU4890087 A SU 4890087A RU 1793344 C RU1793344 C RU 1793344C
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
thickness
fracture
depth
dependence
determined
Prior art date
Application number
SU904890087A
Other languages
English (en)
Inventor
Юрий Васильевич Сапрыкин
Асылбек Тороев
Светлана Джумабаевна Акимова
Original Assignee
Бишкекский политехнический институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Бишкекский политехнический институт filed Critical Бишкекский политехнический институт
Priority to SU904890087A priority Critical patent/RU1793344C/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU1793344C publication Critical patent/RU1793344C/ru

Links

Landscapes

  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Description

Изобретение относитс  к способам orределени  размеров структурных па- рг метров, эффективно вли ющих на трещине стойкость и энергоемкость материала nf и разрушении.
Известен способ определени  структурно гр параметра расчетным путем, на основе ха эактеристик механических свойств матеpiала , устанавливаемых при стандартных
механических испытани х.
Недостатками этого способа  вл ютс  .применение косвенного, расчетного, а не пр мого физико-механического метода, а гзкже значительные трудовые, энергетические и материальные затраты на реализацию , особенно дл  конструкционных материалов низкой и средней прочности.
Известен способ рентгенографического определени  размера предразру- шени  по толщине MA h (размер 2НА этой зоны в направлении нормали к поверхности трещины может совпадать или не совпадать с величиной hen 2h эффективного структурного параметра материала) микросло  материала под поверхностью излома с наибольшим градиентом зависимости В f(hi) интегральной ширины дифракционной линии от текущей глубины излома hi,  вл юvi о
Сл СлЭ
Ј
щийс  наиболее близким к изобретению по технической и методической сущности и включающий получение усталостного излома , прицельно-локальные рентгеносъемки с поверхности разрушени  при углах скани- ровани  в 60° и глубине эффективно рас- сеивающего сло  Ьэфф. 1 10 м, чередующиес  с химическим стравливани- ем микрослоев материала толщиной .Ah 1 /2 пэфф при условии, что 1 /2пэфф 5 10 м.сточностью контрол  за толщиной Ah не выше ± 1 мкм, построение зависимости В f(hi) нахождение из нее глубины излома ПА «h. которой соответствует интегральна  ширина дифракционной линии ВА ( 0,7-0,8)ВР, где Вр - интегральна  ширина дифракционной линии при рентгеносъемни- ке непосредственно с поверхности разрушени :Недостатками этого способа  вл ютс  низка  достоверность определени  величины эффективного структурного параметра материала hen-2h и значительные затраты на реализацию, обусловленные ТеЦ, что не определены характеристические размеры образца и услови  формировани  усталостного излома при механическом воздействии на материал с трещиной (начальна  скорость V0 и начальна  длина 10 трещины), при которых глубина излома ПА совпадает с параметром h O.Shcn в некотором интервале изменени  длин трещины (IcHk) и не установлены границы этого интервала; толщина
Ah 5 поочередно стравливаемого с поверхности излома микррсло  материала и глубина Нд.к. рентгенографировани  установлена без учета размеров структурных элементов материала и точности достижени  поставленной цели, поэтому при Ah 5 ми точности контрол  за Ah не выше ±1 м погрешность в определении ПА может достигать 50% и более; произвольно установлена обща  глубина 10 м химического стравливани  излома, вли юща  на точность определени  размера .
Поочередные рентгеносъемники с излома предусмотрены только в симметричной геометрии, не позвол ющей всегда с достаточной достоверностью определ ть эффективный структурный параметр материала, особенно при относительно малых его величинах: hen 8 м.
Условие определени  размера hA h по интегральной ширине дифракционной линии ВА - (0,7-0,8)ВР не  вл етс  посто нным , поскольку величины ВА и Вр завис т от геометрии рентгеносъемки.
. 0 °
и 0
5
5
5
Цель изобретени  - повышение достоверности определени  эффективного структурного параметра материала при снижении затрат на реализацию.
С этой целью применен способ, включающий механическое воздействие на локальные объемы материала с трещиной при начальной скорости V0 (2-5) 10 9м/цикл и начальной длине 0 усталостной трещины lo/B 0,43-0,44 (где В - ширина призматического образца), позвол ющее сформировать под поверхностью усталостного разрушени  микрослой материала с наибольшим градиентом зависимости (3 f(hi) физической ширины /3 дифракционной линии от глубины hi, толщина которого h ПА совпадет в определенном интервале 0,44- 0,55 изменени  длин li/B усталостной трещины с величиной 0,5 henПараметрами , задающими услови  воздействи ,  вл ютс ;
характеристические размеры геометрически подобных стандартных призматических образцов (ГОСТ 25.506-85) - толщина t образцов, при 35 мм t 55 мм, где t f(0b,2) и ширина В, при t/B 0,5;
оптимальные начальна  скорость V0 (2-5) м/цикл и начальна  длина 1о/В 0,43-0,44 усталостной трещины;
определенный интервал 0,44-0,55 изменени  длины li/B усталостной трещины.
Физико-химическое воздействие на поверхность темплета, вырезанного из характеристического участка усталостного излома, заключающеес  в поочередной рен- тгеносъемке поверхности темплета излома на заданную глубину пд.к. и в химическом стравливании микрослоев материала заданной толщина Ahi с указанной поверхности темплета до конкретной глубины-Ик, позвол ющее получить зависимость /3 f(hi) и по положению точки перегиба зависимости Р f(hi) в конце первого, наиболее, крутого этой зависимости определить толщину h , по которой устанавливаетс , в первом приближении, величина hen sa2b эффективного структурного параметра материала, а затем уточн етс  с учетом ее кратности среднему размеру Зэ кристаллических зерен материала.
Параметрами, задающими услови  воздействи ,  вл ютс  жесткость рентгеновского излучени  подбираема  с учетом среднего размера d3 кристаллических зерен материала; геометри  рентгеносъемки - асимметрична  или симметрична  в зависимости от величины d3 и жесткости рентгеновского излучени ; глубина Ьд.к. f(d3) рентгеносъемки при условии, что (da/ha..)
51793344 б
, - - .
-п - целое число, большее единицы; толщи-поверхности усталостного излома: конечtjia Дгц 0,5сП) микрослоев материала поо-нз  глубина hk (2,5-3)3 химического
чередно химически стравливаемых сстравливани  излома.

Claims (1)

  1. Формула изобретени  Способ определени  эффективного структурного параметра материала, харак- т еризующего его трещиностойкость, заключающийс  в. том, что определ ют предел тэкучести О),2 и средний размер 6з кристаллических зерен материала, выращивают ус- т местную трещину в стандартном образце атериала толщиной t и шириной В при у ;ловии t/B 0,5 путем приложени  эксцен- тзичного циклического раст жени  при посто нной нагрузке до излома образца, в срезают темплет из характеристического участка излома; определ ют зависимость {$ f(hi) физической ширины дифракционной л 1нии от глубины hi путем поочередной рентгеносъемки поверхности темплета излома н з глубину Нэк и химического стравливани  м лкрослоев материала толщиной A hi с указанной поверхности темплета до глубины иллома И, по найденной зависимости определ ют толщину h микросло  материала подА поверхностью разрушени  с наибольшим градиентом этой зависимости и определ ют величину искомого структурного параметра hen из соотношени  hen 2h,o т л ич а ю щ и и с   тем/что, с целью повышени  достоверности при снижении затрат на реализацию , выращивание усталостной тре- щины производ т при начальной скорости V0 (2-5) 10 9м/цикл и начальной длине lo трещины lo/B 0,43-0,44, глубину излома hx выбирают из услови  hK (2,5-3,0)5з, рентгеносъемку .производ т в асимметричной или симметричной геометрии с участков поверхности темплета излома, расположенных на рассто нии li от точки приложени  нагрузки при I|/B 0,44-0,55, толщину A hj стравливаемых микрослоев материала выбирают из услови  A hi О.бЗз, толщину h определ ют по положению точки перегиба зависимости р(hi) в конце первого, наиболее крутого спада этой зависимости и величину hen определ ют с учетом ее кратности
    величине 6з.
SU904890087A 1990-09-13 1990-09-13 Способ определени эффективного структурного параметра материала RU1793344C (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU904890087A RU1793344C (ru) 1990-09-13 1990-09-13 Способ определени эффективного структурного параметра материала

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU904890087A RU1793344C (ru) 1990-09-13 1990-09-13 Способ определени эффективного структурного параметра материала

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU1793344C true RU1793344C (ru) 1993-02-07

Family

ID=21549553

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU904890087A RU1793344C (ru) 1990-09-13 1990-09-13 Способ определени эффективного структурного параметра материала

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU1793344C (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2488099C1 (ru) * 2011-12-29 2013-07-20 Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "Сатурн" Способ рентгеноструктурного контроля детали

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2488099C1 (ru) * 2011-12-29 2013-07-20 Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "Сатурн" Способ рентгеноструктурного контроля детали

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Andersson et al. In-situ SEM study of fatigue crack growth behaviour in IN718
Del Valle et al. Influence of texture on dynamic recrystallization and deformation mechanisms in rolled or ECAPed AZ31 magnesium alloy
White et al. Fracture behavior of cyclically loaded PZT
Ogawa et al. Nanometer-scale mapping of the strain and Ge content of Ge/Si quantum dots using enhanced Raman scattering by the tip of an atomic force microscope
RU1793344C (ru) Способ определени эффективного структурного параметра материала
Melo et al. Thickness effect on the structure, grain size, and local piezoresponse of self-polarized lead lanthanum zirconate titanate thin films
Duttagupta et al. Microhardness of porous silicon films and composites
Cooper Orientation effects in fibre-reinforced metals
Wang et al. Microstructure and mechanical properties of Ag-containing diamond-like carbon films in mid-frequency dual-magnetron sputtering
KR20160101111A (ko) 굽힘에 의해 코팅 평판 제품의 마모 특성을 결정하기 위한 방법 및 장치
EP0942297A3 (en) Optical element made from fluoride single crystal and method of manufacturing the optical element
Rout et al. Localized surface plasmon-influenced fluorescence decay in dye-doped metallo-dielectric opals
Korzekwa et al. Two‐step method for preparation of Al2 O 3/IF‐WS 2 nanoparticles composite coating
Ramos-Cano et al. Effect of the orientation polarization and texturing on nano-mechanical and piezoelectric properties of PZT (52/48) films
US20100044211A1 (en) Apparatus and method for detecting target molecules
FR2582679A1 (fr) Monofilament de carbure de silicium pour composite a meilleures caracteristiques transversales
Ahmed et al. Characterizing dislocation structure evolution during cyclic deformation using electron channelling contrast imaging
Nine Asymmetric deformation in fatigue of body‐centered‐cubic single crystals
JP2006071354A (ja) 結晶表面層の結晶性評価方法
KR20140014225A (ko) 여기된 방사체의 복사 특성 변경 방법
JPH0712485B2 (ja) 線引きダイス用素材および該素材を用いた線引きダイス
JP4863460B2 (ja) 半導体ナノ細線を用いたプローブ及びその製造方法
JPH05142067A (ja) 集中応力分布測定方法
Aguilar-Santillan Wetting of the (0001) α-Al 2 O 3 Sapphire Surface by Molten Aluminum: Effect of Surface Roughness
DE19950378B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines impedimetrischen Sensors