RU1786540C - Способ изготовлени полупроводникового прибора - Google Patents
Способ изготовлени полупроводникового прибораInfo
- Publication number
- RU1786540C RU1786540C SU904833973A SU4833973A RU1786540C RU 1786540 C RU1786540 C RU 1786540C SU 904833973 A SU904833973 A SU 904833973A SU 4833973 A SU4833973 A SU 4833973A RU 1786540 C RU1786540 C RU 1786540C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- emitter
- junctions
- collector
- angle
- semiconductor structure
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000003801 milling Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000001243 acetic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
Использование: изготовление силовых полупроводниковых приборов. Сущность изобретени заключаетс в том, что изготовл ют полупроводниковую структуру с эмиттерным и коллекторным р-п-перехода- ми, сплавл ют ее с термокомпенсатором, формируют контакт, создают примыкающие одна к другой крутую и пологую фаски по периметру полупроводниковой структуры, осуществл ют химическое травление фасок, контролируют параметры прибора, удал ют материал крутой фаски и устанавливают угол ее наклона равным 15-90°, на поверхности крутой фаски между эмиттерным и коллекторным переходами формируют фрезерованием алмазным диском и химическим травлением кольцевую канавку, при этом устанавливают угол между плоскостью алмазного диска и плоскостью эмиттерного перехода равным 5-10°, а травление осуще- ставл ют в течение 30 с, и защищают фаски компаундом.
Description
Изобретение относитс к полупроводниковому приборостроению, в частности, к технологии изготовлени силовых полупроводниковых приборов.
Цель изобретени - улучшение параметров полупроводникового прибора.
Сущность изобретени заключаетс в том, что изготовл ют полупроводниковую структуру с эмиттерным и коллекторным р-п переходами, сплавл ют ее с термокомпен- еатором, формируют контакт, создают примыкающие одна к другой крутую и пологую фаски по периметру полупроводниковой структуры, осуществл ют химическое травление фасок, контролируют параметры прибора , удал ют материал крутой фаски и устанавливают угол ее наклона равным 15- 90°, на поверхности крутой фаски между
эмиттерным и коллекторным переходами формируют фрезерованием алмазным диском и химическим травлением кольцевую канавку,при этом устанавливают угол между плоскостью алмазного диска и плоскостью эмиттерного перехода равным 5-10°, а травление осуществл ют в течение 30 с и защищают фаски компаундом.
Пример конкретного изготовлени . На партии пластин кремни марки КОФ 60-150 абв в количестве 300 шт., с удельным сопротивлением 150 ± 10% Ом-см и толщиной 0,80i 0,01 мм, последовательно провод диффузию акцепторных примесей, окисление , фотолитографию и диффузию донор- ных примесей, формировали p -p-n-p-n-n+ структуры с глубиной залегани коллекторного и эмиттерного р-п-переходов 120 ± 10
Ч СО
о ел о
мкм, определенных на контрольных образцах методом послойного сошлифовывани и измерени удельного Сопротивлени и типа проводимости, Полученные структуры сплавл ли с термокомпенсаторами из молибдена и со стороны эмиттера напыл ли через маску алюминий. После этого на всех приборах с помощью алмазного инструмента формировали крутую фаску, рассчитанную из номинальных размеров, под углом 33 1° и пологую под углом 2°20 ±5 и проводили струйное травление смесью на основе фтористоводородной, азотной и ук- суйной кислот в течение 30 сек. Ширина j kaiT.bn фаски составл ла 0,8 мм, а пологой- 2,Й мЦ Ширина кольцевого участка между nojfldrotf фаской и контактной поверхностью составл ла 0,5 мм. После травлени все приборы подвергались визуальному контролю и при наличии щелей или рисок они отбраковывались и изымались из партии. На остальныхприборах измер ли вольтампер ные характеристики. Приборы, имеющие напр жени пробо выше 2400В, защищали кремнийорганическим компаундом КЛТ-ЗОА и передавали на последующие операции, Приборы, имеющие блокирующие напр жени ниже 2400В, подвергали кратковременному травлению в течение 10 сек. и снова подвергали контролю. Приборы с .рассчитанными характеристиками передавали на последующие операции. После этого на приборах, имевших щели, царапины и низкие напр жени пробо алмазными инструментом под углом 30° формировали крутую фаску, таким образом, чтобы она заканчивалась в области выхода первоначально созданной пологой фаски. При этом сама фаска практически убираетс полностью. С другой стороны уход от кра термокомпенсатора , как правило, составл л 1,0-1,5 мм. Затем вращающим с алмазным диском, движущимс под углом 5-10° по отношению в катодной поверхности выпр мительного элемента формировали на крутой фаске ка
5
навку между эмиттерным и коллекторным переходами, которую затем травили в ранее указанной смеси кислот в течение 30 секунд . После контрол блокирующих напр жений наблюдалась следующа картина. У одной группы приборов характеристики улучшились настолько, что стали соответствовать расчетным значени м, поэтому их сразу покрывали КЛТ-80.
У другой группы приборов характеристики практически не изменились и их окончательно браковали.
У третьей группы характеристики улучшились , но не достигли расчетных. Эти приборы снова кратковременно травили в течение 10 сек.. .
Экспериментальные исследовани показали , что данный способ позвол ет достичь расчетных характеристик у 50-60% приборов, забракованных после изготовлени с применением способа прототипа.
Claims (1)
- Формула изобретениСпособ изготовлени полупроводникового прибора, включающий изготовление полупроводниковой структуры с эмиттерным и коллекторным р-п-переходами, сплавление ее с термокомпенсатором, формирование контакта, создание примыкающих одна, к другой крутой и пологой фасок по периметру полупроводниковой структуры , химическое травление фасок, контроль параметров прибора и защиту фасок компаундом , отличающийс тем, что, с целью улучшени параметров полупроводникового прибора, перед защитой фасок компаундом удал ют материал крутой фаски и устанавливают угол ее наклона равным 15- 90°, а на поверхности крутой фаски между эмиттерным и коллекторным переходами формируют фрезерованием алмазным диском и химическим травлением кольцевую канавку, при этом устанавливают угол между плоскостью алмазного диска и плоскостью эмиттерного перехода равным 5-10°, а 5 травление осуществл ют в течение 30 с.050500
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU904833973A RU1786540C (ru) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | Способ изготовлени полупроводникового прибора |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU904833973A RU1786540C (ru) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | Способ изготовлени полупроводникового прибора |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU1786540C true RU1786540C (ru) | 1993-01-07 |
Family
ID=21517991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU904833973A RU1786540C (ru) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | Способ изготовлени полупроводникового прибора |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU1786540C (ru) |
-
1990
- 1990-06-04 RU SU904833973A patent/RU1786540C/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| П.С.Агаларзаде и др. Основы конструировани и технологии обработки поверхности p-n-перехода М., Сов. радио, 1978. Расчет силовых полупроводниковых приборов./Под ред. В.А.Кузьмина М., Энерги , 1970, с. 20. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB1219986A (en) | Improvements in or relating to the production of semiconductor bodies | |
| US20040144999A1 (en) | Integrated circuit device | |
| US3980508A (en) | Process of producing semiconductor device | |
| US4040084A (en) | Semiconductor device having high blocking voltage with peripheral circular groove | |
| RU1786540C (ru) | Способ изготовлени полупроводникового прибора | |
| US4400716A (en) | Semiconductor device with glass layer contacting outer periphery of guard ring and adjacent substrate | |
| US7199402B2 (en) | Semiconductor devices | |
| US4680615A (en) | Silicon semiconductor component with an edge contour made by an etching technique, and method for manufacturing this component | |
| JPS6235580A (ja) | モノリシツク温度補償形電圧基準ダイオ−ド | |
| US4126931A (en) | Method of passivating high-voltage power semiconductor devices | |
| CA1038969A (en) | Edge contouring of semiconductor wafers | |
| US4437925A (en) | Etched-source static induction transistor | |
| US4228581A (en) | Method for producing semiconductor bodies having a defined edge profile which has been obtained by etching and is covered with a glass | |
| EP0063416A1 (en) | Semiconductor device comprising a localised doped region | |
| KR101192526B1 (ko) | 웨이퍼로부터 반도체 칩을 제조하기 위한 방법 및 반도체 구성 요소 | |
| US5696402A (en) | Integrated circuit device | |
| JP2678550B2 (ja) | 基準ダイオード及び保護ダイオードを持つツェナーダイオード | |
| EP0702412A1 (en) | Semiconductor device having high breakdown strength | |
| GB968106A (en) | Improvements in or relating to semiconductor devices | |
| JPH0728044B2 (ja) | ガラス被覆半導体チツプの製造方法 | |
| GB2102202A (en) | Semiconductor device passivation | |
| US7038290B1 (en) | Integrated circuit device | |
| JPH029464B2 (ru) | ||
| TWI857266B (zh) | 半導體裝置以及其製造方法 | |
| JPS6068650A (ja) | 半導体装置の製造方法 |