RU172597U1 - Источник опорного напряжения и эталонного тока - Google Patents
Источник опорного напряжения и эталонного тока Download PDFInfo
- Publication number
- RU172597U1 RU172597U1 RU2017111769U RU2017111769U RU172597U1 RU 172597 U1 RU172597 U1 RU 172597U1 RU 2017111769 U RU2017111769 U RU 2017111769U RU 2017111769 U RU2017111769 U RU 2017111769U RU 172597 U1 RU172597 U1 RU 172597U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- voltage
- resistor
- output
- current
- temperature
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
- G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
Abstract
Полезная модель относится к электронике и предназначена для использования в интегральных микросхемах на комплементарных транзисторах структуры металл-диэлектрик-полупроводник (КМДП). Ее технический результат, заключающийся в одновременном получении температурной стабильности вырабатываемых устройством напряжения U и тока I, достигается введением второго потенциалозадающего резистора 2. Принципиально важные функции в работе устройства также выполняют первый потенциалозадающий резистор 1 и диод 3 на р-n переходе, операционный усилитель 4, токозадающий резистор 5, первый и второй МДП-транзисторы 6 и 7 с индуцированным каналом р-типа проводимости. Ток, протекающий в последовательной цепи из резисторов 1, 2 и диода 3, имеет положительный температурный коэффициент, он формирует на резисторах 1, 2 возрастающие с температурой напряжения, напряжение на диоде 3 убывает с ростом температуры в силу физических особенностей р-n перехода. При положительной температурной зависимости сопротивления резистора 5 выходное опорное напряжение U формируется как сумма напряжений на резисторе 1 и диоде 3, в которой температурные дрейфы слагаемых друг друга компенсируют, добавка к этой сумме напряжения на резисторе 2 нацелена на получение напряжения с температурной зависимостью как у сопротивления резистора 5. Когда эта зависимость отрицательна, соотношение напряжений на резисторе 1 и диоде 3 обеспечивает такую же отрицательную зависимость у их суммы, а добавка напряжения на резисторе 2 сводит ее к нулю для выходного опорного напряжения U. 3 ил.
Description
Полезная модель относится к электронике, предназначена для использования в интегральных микросхемах на комплементарных транзисторах структуры металл-диэлектрик-полупроводник (КМДП).
Известно использование в КМДП-схемах параметрических источников опорного напряжения и эталонного тока, уровни которых пропорциональны пороговому напряжению n- или р-канального МДП-транзистора. См., например, патент США №4697154, НКИ 330-277, МКИ H03F 3/18, опубликованный 29 сентября 1987 г. [1]. Подобные устройства не обеспечивают высокую стабильность выходных тока и напряжения, так как пороговое напряжение МДП-транзисторов зависит от температуры и меняется под воздействием дестабилизирующих производственных факторов.
Этот недостаток устранен в источнике эталонного тока, описанном в патенте КНР №105094200, МКИ G05F 1/56, опубликованном 25 ноября 2015 г. [2]. Данное устройство содержит генератор напряжения, цепочка формирования выходного напряжения которого состоит из потенциалозадающего резистора и диода на р-n переходе, р-область которого соединена с первым выводом потенциалозадающего резистора, а n-область подключена к шине отрицательного полюса напряжения питания, и генератор эталонного тока, состоящий из операционного усилителя, токозадающего резистора с определенным температурным коэффициентом сопротивления и первого, второго МДП-транзисторов с индуцированным каналом р-типа проводимости, истоки которых подключены к шине положительного напряжения питания, а затворы соединены с выходом операционного усилителя, сток первого МДП-транзистора подключен к неинвертирующему входу операционного усилителя и через токозадающий резистор соединен с шиной отрицательного полюса напряжения питания, инвертирующий вход операционного усилителя соединен со вторым выводом потенциалозадающего резистора, сток второго МДП-транзистора является выходом эталонного тока.
Вырабатываемое генератором напряжение имеет такой же температурный коэффициент, как у сопротивления токозадающего резистора, в цепочке его формирования происходит сложение напряжения на р-n переходе с отрицательной температурной зависимостью и повышающегося с ростом температуры напряжения на потенциалозадающем резисторе. Выходной ток устройства, вытекающий из стока второго р-МДП-транзистора, пропорционален току стока первого р-МДП-транзистора, определяемого токозадающим резистором. Операционный усилитель формирует потенциал затворов МДП-транзисторов, балансируя потенциалы на своих входах таким образом, чтобы приблизить напряжение на токозадающем резисторе к напряжению на выходной цепочке генератора. Близкое совпадение температурных зависимостей напряжения на токозадающем резисторе и его сопротивления обеспечивает температурную стабильность токов стоков р-МОП-транзисторов.
Недостатком устройства-аналога является ограниченность его функции. Если оно предназначено, чтобы вырабатывать стабилизированный по температуре ток, то напряжение на выходе его генератора температурной стабильности иметь не будет, а если это напряжение стабилизировать, то выходной ток будет меняться с температурой обратно пропорционально сопротивлению токозадающего резистора.
Технический результат полезной модели заключается в одновременном получении температурной стабильности вырабатываемых устройством напряжения и тока.
Технический результат достигается тем, что в источник опорного напряжения и эталонного тока, содержащий генератор напряжения, цепочка формирования выходного напряжения которого состоит из первого потенциалозадающего резистора и диода на р-n переходе, р-область которого соединена с первым выводом первого потенциалозадающего резистора, а n-область подключена к шине отрицательного полюса напряжения питания, и генератор эталонного тока, состоящий из операционного усилителя, токозадающего резистора с определенным коэффициентом сопротивления и первого, второго МДП-транзисторов с индуцированным каналом р-типа проводимости, истоки которых подключены к шине положительного напряжения питания, а затворы соединены с выходом операционного усилителя, сток первого МДП-транзистора подключен к неинвертирующему входу операционного усилителя и через токозадающий резистор соединен с шиной отрицательного полюса напряжения питания, сток второго МДП-транзистора является выходом эталонного тока, дополнительно введен второй потенциалозадающий резистор, первый вывод которого соединен со вторым выводом первого потенциалозадающего резистора, в случае положительного значения температурного коэффициента сопротивления токозадающего резистора первый вывод второго потенциалозадающего резистора является выходом опорного напряжения, а его второй вывод соединен с инвертирующим входом операционного усилителя, в случае отрицательного значения температурного коэффициента сопротивления токозадающего резистора первый вывод второго потенциалозадающего резистора соединен с инвертирующим входом операционного усилителя, а его второй вывод является выходом опорного напряжения.
Указанное выполнение устройства позволяет вырабатывать стабилизированное выходное опорное напряжение в дополнение к напряжению, управляющему генератором эталонного тока.
Отличительными признаками полезной модели являются наличие второго потенциалозадающего резистора и электрические связи.
Полезная модель поясняется чертежами, на которых на фиг. 1 изображена электрическая схема источника опорного напряжения и эталонного тока в случае положительного значения температурного коэффициента сопротивления токозадающего резистора и на фиг. 2 - в случае его отрицательного значения, на фиг. 3 показан пример схемы выполнения операционного усилителя.
Для облегчения понимания работы устройства на чертежах генератор напряжения показан в более подробном виде, в варианте выполнения, как в описании устройства-аналога. Шина отрицательного полюса напряжения питания изображена как общая шина.
Источник опорного напряжения и эталонного тока содержит генератор напряжения, цепочка формирования выходного напряжения которого состоит из первого и второго потенциалозадающих резисторов 1,2 и диода 3 на р-n переходе, р-область которого соединена с первым выводом первого потенциалозадающего резистора 1, второй вывод которого соединен с первым выводом второго потенциалозадающего резистора 2, а n-область диода 3 подключена к общей шине, и генератор эталонного тока, состоящий из операционного усилителя 4, токозадающего резистора 5, первого и второго МДП-транзисторов 6, 7 с индуцированным каналом р-типа проводимости, истоки которых подключены к шине +UП положительного напряжения питания, а затворы соединены с выходом операциионного усилителя 4, сток первого МДП-транзистора 6 подключен к неинвертирующему входу операционного усилителя 4 и через токозадающий резистор 5 соединен с общей шиной, сток второго МДП-транзистора является выходом эталонного тока I. В случае положительного значения температурного коэффициента сопротивления токозадающего резистора 5, первый вывод второго потенциалозадающего резистора 2 является выходом U опорного напряжения, а его второй вывод соединен с инвертирующим входом операционного усилителя 4, в случае отрицательного значения температурного коэффициента сопротивления резистора 5, первый вывод второго потенциалозадающего резистора 2 соединен с инвертирующим входом операционного усилителя 4, а его второй вывод является выходом U опорного напряжения.
Генератор напряжения содержит с третьего по пятый МДП-транзисторы 8-10 с индуцированным каналом р-типа проводимости, истоки которых подключены к шине +UП положительного напряжения питания, а затворы соединены со стоком четвертого р-МДП-транзистора 9, первый и второй МДП-транзисторы 11 и 12 с индуцированным каналом n-типа проводимости, затворы которых соединены со стоками третьего р-МДП-транзистора 8 и первого n-МДП-транзистора 11, сток второго р-МДП-транзистора 9 соединен со стоком второго n-МДП-транзистора 12, второй токозадающий резистор 13, первый вывод которого соединен с истоком второго n-МДП-транзистора 12, сток пятого р-МДП-транзистора 10 соединен со вторым выводом второго потенциалозадающего резистора 2, второй и третий диоды 14 и 15 на р-n переходах, р-области которых соответственно подключены к истоку первого n-МДП-транзистора 11 и ко второму выводу второго токозадающего резистора 13, а n-области соединены с шиной нулевого потенциала.
Операционный усилитель может быть выполнен по достаточно простой схеме из третьего, четвертого и пятого МДП-транзисторов 16, 17 и 18 с индуцированным каналом n-типа проводимости и шестого, седьмого МДП-транзисторов 19, 20 с индуцированным каналом р-типа проводимости, истоки которых подключены к шине +UП положительного напряжения питания, затворы соединены со стоками шестого р-МДП-транзистора 19 и третьего n-МДП-транзистора 16, затвор которого является неинвертирующим входом операционного усилителя, а его выходом - соединенные стоки четвертого n-МДП и седьмого р-МДП транзисторов 17 и 20. Истоки n-МДП-транзисторов 16, 17 соединены со стоком пятого n-МДП-транзистора 18, исток которого соединен с шиной нулевого потенциала, а затвор вместе с затвором четвертого n-МДП-транзистора 17 являются инвертирующим входом операционного усилителя.
Устройство работает следующим образом.
Р-МДП-транзисторы 8, 9 и 10 образуют токовое зеркало, в котором отношения возвращаемых токов стоков р-МДП-транзисторов 8 и 10 к принимаемому току стока р-МДП-транзистора 9 прямо пропорциональны соответствующим отношениям крутизн β транзисторов 8 и 10 к крутизне транзистора 9. N-МОП транзисторы 11 и 12 выполняют функции истоковых повторителей, отношение их крутизн равно отношению крутизн р-МДП-транзисторов 8 и 9, что обеспечивает равенство напряжений UИ11, UИ12 на их истоках.
Известна формула для вольт-амперной характеристики МДП-транзистора в области насыщения, когда прямо приложенное напряжение между его стоком и истоком UСИ превосходит превышение напряжением затвор-исток UЗИ своего порогового значения, то есть когда UСИ>UЗИ-UПОР
где Iс - ток стока, а β - крутизна. Пользуясь (1) и приняв равными значения пороговых напряжений UПOP для транзисторов 8, 9 и 10 одного типа, имеющих одинаковые напряжения затвор - исток, легко вывести равенства
Равенство напряжений
для транзисторов 11 и 12 обеспечивается тем, что токи их стоков соответственно равны токам стоков транзисторов 8 и 9 и, следовательно, относятся как β8/β9 согласно (2), а их крутизны пропорциональны крутизнам транзисторов 8 и 9
Из выражения (3) следует равенство напряжений на истоках транзисторов 11 и 12, имеющих один и тот же потенциал на затворах.
Соотношения площадей р-n переходов SD14 и SD15 диодов 14 и 15 и токов этих диодов обеспечивают более высокую плотность тока у диода 14, поэтому напряжение на диоде 14 выше, чем на диоде 15.
Зависимость напряжения UD на диоде, образованном р-n переходом от абсолютной температуры Т и протекающего тока ID, выражает формула
где Е0 - ширина запрещенной зоны полупроводникового материала, при Т0=298 К у кремния Е0=1,205 В, Т- абсолютная температура, UDO - напряжение на диоде при плотности тока JDO и температуре Т0=298 К, k=1,38⋅10-23 Дж/град - постоянная Больцмана, q=1,6⋅10-19 Кл - заряд электрона, SD - площадь р-n перехода диода.
Приняв токи диодов 14 и 15 соответственно равными токам IC8 и IC9 стоков р-МДП-транзисторов 8 и 9, по формулам (2), (5) и (7) выражена разность напряжений на диодах 14 и 15, приложенную к резистору 13, определяющему ток диода 15 и истока транзистора 9
Выходное опорное напряжение U в схеме устройства на фиг. 1 равно сумме напряжений на диоде 3 и на резисторе 1-U=UD3+UR1, а в схеме на фиг. 2 к этой сумме прибавляется напряжение на резисторе 2, то есть U=UD3+UR1+UR2.
Конструктивное выполнение диодов 3 и 14 должно обеспечивать одинаковые плотности токов в них для получения равенства напряжений UD3=UD14, которые можно выразить как
если диоды 3 и 14 в номинальных условиях работы устройства при Т=Т0 будут иметь плотность тока JDO и логарифм в формуле (5) обратится в нуль.
Напряжениям на первом и втором потенциалозадающих резисторах 1 и 2 соответствуют выражения, учитывающие отношения (2)
Величины напряжений на диоде 3 имеют отрицательный температурный коэффициент, а на резисторах 1 и 2 - положительный, так как в формуле (9) параметр Е0 всегда больше UD0, а значение логарифма в (10) и (11) положительно и, вообще, имеет физический смысл только если его аргумент больше единицы, что обеспечивается конструкцией элементов устройства.
Объединив выражения (9) и (10), получим
Формула (12) демонстрирует устойчивость вырабатываемого напряжения к воздействию дестабилизирующих факторов тем, что в ней присутствуют только конструктивные параметры элементов схемы, физический параметр Е0 полупроводникового материала и опорная точка UD0 вольт-амперной характеристики диодов, являющаяся константой для каждого конкретного производственно-технологического процесса. Отношение сопротивлений резисторов R1 и R13 определяется соотношением их геометрических размеров, когда они имеют одну и ту же физическую структуру, при этом у них будет одинаковая зависимость сопротивлений от температуры.
Условием температурной компенсации опорного напряжения U является равенство нулю производной U по температуре
Из формулы (13) следует, что температурная компенсация будет достигнута, если выполнить равенство
Правая часть формулы (14) совпадет с выражением (12) для выходного опорного напряжения U, если в него подставить Т=Т0, это означает, что левая часть выражения (14) дает значение стабилизированного выходного напряжения устройства в реализации, показанной на фиг. 1.
В схеме фиг. 2 условие температурной стабильности опорного напряжения U выражается так
Выходной ток I устройства вытекает из стока р-МДП-транзистора 7, управляемого операционным усилителем 4, балансирующим напряжение на токозадающем резисторе 5 на уровне напряжения на втором выводе резистора 1 в схеме фиг. 1 или резистора 2 на фиг. 2. Отношение тока I к току резистора 5 пропорционально отношению крутизн β7/β6 р-МДП-транзисторов 7 и 6.
Зависимость тока I от температуры определяется отношением температурного коэффициента напряжения на инвертирующем входе операционного усилителя 4 к температурному коэффициенту сопротивления резистора 5.
В общепринятом выражении температурной зависимости сопротивления интегрального резистора, в данном случае резистора 5
линейная составляющая может быть скомпенсирована, если на инвертирующий вход операционного усилителя 4 будет поступать напряжение, пропорциональное 1+αT1(T-Т0), то есть повышаться с ростом температуры при положительном значении αT1 или снижаться при отрицательном.
В схеме фиг. 1 для случая положительной температурной зависимости сопротивления это напряжение формируется как сумма выходного опорного напряжения U, в номинале равного Е0, и напряжения на резисторе 2 по выражению (11), то есть в соответствии с формулой
Формула (17), так же как линейная часть выражения (16), содержит постоянную и пропорциональную абсолютной температуре Т составляющие. Подбором величины отношения R2/R13 формулу (17) можно привести к выражению
Из равенства, составленного из независящих от температуры составляющих (17) и (18), следует, что
а из равенства составляющих (17) и (18), пропорциональных Т, выходит выражение для искомого отношение R2 к R13.
В схеме фиг. 2 для случая отрицательной температурной зависимости сопротивления напряжение UI, подаваемое на инвертирующий вход операционного усилителя 4, формируется как разность стабильного выходного опорного напряжения U=Е0 и напряжения на резисторе 2 по выражению (11)
Для этого случая тоже справедливо выражение (19), а формула для отношения R2/R13 приобретает минус.
Величина выходного тока I устройства в обоих случаях согласно выражениям (18), (19) и линейной составляющей (16) при выполнении (20) или (22) соответствует формуле
Достижение устойчивости выходного тока I к изменениям температуры подтверждает отсутствие параметра Т в формуле (23).
В схеме фиг. 3 примера реализации операционного усилителя 4 идентичные по параметрам n-МДП-транзисторы 16 и 17 в зависимости от разности входных сигналов перераспределяют ток источника на n-МДП-транзисторе 18 в истоки тоже идентичных между собой нагрузочных р-МДП-транзисторов 19 и 20, образующих токовое зеркало. Если на неинвертирующий вход операционного усилителя 4 поступает более высокий потенциал, чем постоянный потенциал с выхода генератора напряжения на инвертирующем входе, ток стока р-МДП-транзистора 20 превышает ток стока n-МДП-транзистора 17 и выходное напряжение операционного усилителя 4 повышается. В случае противоположного соотношения входных потенциалов, соотношение током стоков МДП-транзисторов 17 и 20 меняется и выходное напряжение снижается. Посредством этого операционный усилитель выполняет свои балансные функции. N-МДП-транзистор 18 вырабатывает достаточно стабильный ток благодаря тому, что его сток-истоковое напряжение UСИ>UЗИ-UПОР, а на затвор поступает напряжение с инвертирующего входа.
Таким образом, источник опорного напряжения и эталонного тока вырабатывает выходной ток и выходное напряжение, значения которых температурно стабилизированы по ширине запрещенной зоны и мало зависят от воздействий производственных и эксплуатационных факторов.
Claims (1)
- Источник опорного напряжения и эталонного тока, содержащий генератор напряжения, цепочка формирования выходного напряжения которого состоит из первого потенциалозадающего резистора и диода на p-n переходе, p-область которого соединена с первым выводом первого потенциалозадающего резистора, а n-область подключена к шине отрицательного полюса напряжения питания, и генератор эталонного тока, состоящий из операционного усилителя, токозадающего резистора с определенным температурным коэффициентом сопротивления и первого, второго МДП-транзисторов с индуцированным каналом p-типа проводимости, истоки которых подключены к шине положительного напряжения питания, а затворы соединены с выходом операционного усилителя, сток первого МДП-транзистора подключен к неинвертирующему входу операционного усилителя и через токозадающий резистор соединен с шиной отрицательного полюса напряжения питания, сток второго МДП-транзистора является выходом эталонного тока, отличающийся тем, что дополнительно содержит второй потенциалозадающий резистор, первый вывод которого соединен со вторым выводом первого потенциалозадающего резистора, в случае положительного значения температурного коэффициента сопротивления токозадающего резистора первый вывод второго потенциалозадающего резистора является выходом опорного напряжения, а его второй вывод соединен с инвертирующим входом операционного усилителя, в случае отрицательного значения температурного коэффициента сопротивления токозадающего резистора, первый вывод второго потенциалозадающего резистора соединен с инвертирующим входом операционного усилителя, а его второй вывод является выходом опорного напряжения.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2017111769U RU172597U1 (ru) | 2017-04-07 | 2017-04-07 | Источник опорного напряжения и эталонного тока |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2017111769U RU172597U1 (ru) | 2017-04-07 | 2017-04-07 | Источник опорного напряжения и эталонного тока |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU172597U1 true RU172597U1 (ru) | 2017-07-13 |
Family
ID=59498729
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2017111769U RU172597U1 (ru) | 2017-04-07 | 2017-04-07 | Источник опорного напряжения и эталонного тока |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU172597U1 (ru) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU183391U1 (ru) * | 2018-07-05 | 2018-09-21 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ") | Источник опорного напряжения и тока |
RU2673243C1 (ru) * | 2018-01-24 | 2018-11-23 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники" | Источник опорного напряжения |
RU195898U1 (ru) * | 2019-10-21 | 2020-02-10 | Акционерное общество Научно-производственный центр "Электронные вычислительно-информационные системы" | Источник опорного напряжения с калибровкой выходного напряжения |
RU2715215C1 (ru) * | 2019-10-21 | 2020-02-26 | Акционерное общество Научно-производственный центр "Электронные вычислительно-информационные системы" | Источник опорного напряжения с калибровкой выходного напряжения |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4697154A (en) * | 1985-03-18 | 1987-09-29 | Fujitsu Limited | Semiconductor integrated circuit having improved load drive characteristics |
US4703249A (en) * | 1985-08-13 | 1987-10-27 | Sgs Microelettronica S.P.A. | Stabilized current generator with single power supply, particularly for MOS integrated circuits |
US5083079A (en) * | 1989-05-09 | 1992-01-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Current regulator, threshold voltage generator |
RU2520426C1 (ru) * | 2013-01-15 | 2014-06-27 | Юрий Владимирович Агрич | Способ и схема уменьшения утечек и стабилизации пороговых напряжений моп транзисторов в ис |
CN105094200A (zh) * | 2015-08-14 | 2015-11-25 | 灿芯半导体(上海)有限公司 | 电流源电路 |
-
2017
- 2017-04-07 RU RU2017111769U patent/RU172597U1/ru active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4697154A (en) * | 1985-03-18 | 1987-09-29 | Fujitsu Limited | Semiconductor integrated circuit having improved load drive characteristics |
US4703249A (en) * | 1985-08-13 | 1987-10-27 | Sgs Microelettronica S.P.A. | Stabilized current generator with single power supply, particularly for MOS integrated circuits |
US5083079A (en) * | 1989-05-09 | 1992-01-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Current regulator, threshold voltage generator |
RU2520426C1 (ru) * | 2013-01-15 | 2014-06-27 | Юрий Владимирович Агрич | Способ и схема уменьшения утечек и стабилизации пороговых напряжений моп транзисторов в ис |
CN105094200A (zh) * | 2015-08-14 | 2015-11-25 | 灿芯半导体(上海)有限公司 | 电流源电路 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2673243C1 (ru) * | 2018-01-24 | 2018-11-23 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники" | Источник опорного напряжения |
RU183391U1 (ru) * | 2018-07-05 | 2018-09-21 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ") | Источник опорного напряжения и тока |
RU195898U1 (ru) * | 2019-10-21 | 2020-02-10 | Акционерное общество Научно-производственный центр "Электронные вычислительно-информационные системы" | Источник опорного напряжения с калибровкой выходного напряжения |
RU2715215C1 (ru) * | 2019-10-21 | 2020-02-26 | Акционерное общество Научно-производственный центр "Электронные вычислительно-информационные системы" | Источник опорного напряжения с калибровкой выходного напряжения |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU172597U1 (ru) | Источник опорного напряжения и эталонного тока | |
US8358119B2 (en) | Current reference circuit utilizing a current replication circuit | |
US9898030B2 (en) | Fractional bandgap reference voltage generator | |
US8013588B2 (en) | Reference voltage circuit | |
KR101253449B1 (ko) | 온도 독립형 기준 회로 | |
US20140091780A1 (en) | Reference voltage generator | |
US8147131B2 (en) | Temperature sensing circuit and electronic device using same | |
KR20090126812A (ko) | 기준 전압 발생 장치 및 방법 | |
US6844772B2 (en) | Threshold voltage extraction circuit | |
KR101618069B1 (ko) | 차동 증폭기 | |
US8237425B1 (en) | Voltage regulator with high noise rejection | |
TWI694321B (zh) | 提供可調恆定電流之電流電路 | |
KR20070026041A (ko) | 정전류 회로 | |
KR20000017044A (ko) | 매우 낮은 전력 공급용 vt 기준 전압 | |
KR101934598B1 (ko) | 기준 전압 회로 | |
US8067975B2 (en) | MOS resistor with second or higher order compensation | |
RU2673243C1 (ru) | Источник опорного напряжения | |
US7358795B2 (en) | MOSFET temperature compensation current source | |
US6465997B2 (en) | Regulated voltage generator for integrated circuit | |
US20150323952A1 (en) | Reference voltage circuit | |
RU153305U1 (ru) | Источник опорного напряжения | |
CN111752328A (zh) | 带隙基准电压产生电路 | |
US9588540B2 (en) | Supply-side voltage regulator | |
RU183391U1 (ru) | Источник опорного напряжения и тока | |
RU192191U1 (ru) | Источник опорного напряжения с широким диапазоном возможных значений |