RU1547241C - Способ получени высокотемпературных керамических сверхпроводников - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к технологии высокотемпературных сверхпровод щих керамик и может быть использовано в энергетике, электротехнической , радиоэлектронной промышленност х, в частности при создании переключателей, токонесущих элементов и других устройств. Дл  обеспечени  ориентировки поликристаллов и увеличени  критической плотности тока в продольном направлении порошков, состо щий из монокристаллических пластинчатых частиц, засыпали в емкость (матрицу пресс-формы) при температуре ниже температуры перехода в сверхпровод щее состо ние при одновременном воздействии однородного посто нного магнитного пол  напр женностью от 1 до 10 кЭ, в этих услови х проводили предварительное прессование при удельном давлении от 5 до 20 МПа, затем образец окончательно прессовали при комнатной температуре и термообрабатывали. Критическа  плотность тока при 77 К дл  массивного образца YBa Си О в продольном и поперечном на2 3 7-Х правлени х составила 20 и 12 А/см соответственно максимальна  кажуща с  плотность 5/5 г/см3 4 ил.

Description

Изобретение относи г гехнолсгаи высокотемпературных i UGH .провод щих керамик и может быть использовано в эиер гетике, электротехнической, радиоэлектронной промышленности, зf алвосш поч создании переклюиата ей |0конесущил элементов и других сверчи завод щих 1/гт ройств

Цель изобретена увеличение крити- ческой плотности ток- массивного образца

Дл  этого порошок, coci РЯЩИЙ чз моно кристаллических частиц, засыпали в &л- кость (в матрицу пресс-формы) при температуре ниже температуры перехода в сверхпровод щее состо ние при одновременном воздействии однородного посто нного магнитного пол  напр женностью от 1 до 10 кЭ, в этих услови х проводили предварительное прессование при удельном давлении от 5 до 20 МПа. Затем образец окончательно прессовали при комнатной температуре и термообрабатывэли

На фиг.1 показана пресс-форма г засыпкой порошка сверхпровод щего состава , на фиг.2 изображен образец отпрессованный из такого порошка в котором достигаетс  одинаковое зправлен е ориентирование его MOS-O , частиц. Пресс-форма (6, ij мат- рицу 1 пресс-фоомы пуансои отверсти ми дл  болтового осепи енич ма - рмцы и пуансона - засып / ,-с элт  сзезх- провод щего состава ч ч4сЬрой 5 обозначена ориенп ш-гс фистап- лическа  частица пороикг 8 - аправление силовых t-снорол ( посто нного магнит ого поп  На фиг : приведены S longn ,Мгзг бпочачйнмг тока м сопротивление в попеоеччо-л - coo дольном направлени ) (СО ьетств-ч.- О.

Пороыок сверхпрс одгиего УВа2Сиз07-х, представлюжи ..папчнчгти- ми монокристаллами (0,о -1 С жг с , з зируюг методом (Верцс 3..г.о РГГ-.Ц i/ г

СМеСИ ИСХОЛНЬ Х ОКСИДОВ If

размолом nor.v leiisiO о or 31 i, поесс-формы 1, ЧУПОЛЧ -РП -Ј. - ного материала (тг/тан) чс f сг, р ч остат с жидким кс по to однородное посто нное с, г :

(при помощи окс дно-бас 3t по магнитов) напр хзн огт -  с 0 :С различных опьтах) Пс оши о- ,

щего состасз 4 засчпа.от L 13|рл у 1 мерно по гиошэщ дна и от5 пш

5

g

Q

г

saiprius , он образует слой Частицы порошка 5 при переходе в сверхпровод щее состо ние , 5ла одгр  воздействию однородного магнитного пол , ориентируютс  одинако- ЕЫМ образом из услови  минимального проникновени  в них магнитного пол  (плоскость ab параллельна силовым лини м (С) Пуансон 2 охлаждают до 77 К, вдвигают в матрицу и ст гивают их болтами через отверсти  дл  болтового соединени  в пле- иках 3) достига  закреплени  ориентации частиц в процессе предварительного прес- соЕ5ани  при удельном давлении от 5 до 20 МПа и времени выдержки под давлением от 20 до 300 с. Получают призматические . L размерами от (2 Х2Х 30 мм) до 3V5C - /О мм}, которые извлекают из раз- Г .иой матрицы поесс-формы при комнат--. температуре и провод т окончательное голосование при этой температуре давле- 500 МПа при времени выдержки под давлением 60 ч Спекание образцов провод т при температуре 925-960°С в течение 3-5 ч с последующим охлаждением в токе ,ислорода со скоростью 2-10°С/мин.

Полученные поликристаллические об- имеют кажущуюс  плотность от4,0 до 5,5 г/см° и ориентированную структуру, что и люстеиоуют фу1г.З и фиг 4, представл ю- щ ле заысимостп сопротивлени  о темпе- оатуры полученные по 4-х зондовому ь.негсду

Благодар  ориентированной структуре попичр сталла (массивного образца) удзет- „  гушественно повысить критическую плотность тока в его продольном направление (с77к ™ 20 А/см2) по сравнению с поперечным направпением ( с77к 12 А/см ) В то ле врем , керамика, полученна  по спо- ,ч,обу-пооготипу, не обладает ориентирование и сгоуктурой и в силу этого его коип часчг  глотность тока (при аналог ч- ч их технолог ь есчугх паозметрау) заведомо ц зт ниле .ны 20 А/см7

g(,

ь t 3 а у а о в Н Д 3 и б о о в И П и ,оо - f- - - о о э о д   Ц. а   к э р а м и к а v 3Ј2СизО б+с)Поо элемы

3i о сотеп зрзтурно проводи ио- УЗ, Свердловск ч 1 с Р-.уь L3.Ј 1987 51 №23 р 1954Формула изобретений

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ КЕРАМИЧЕСКИХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ , включающий засыпку порошка сверхпровод щего состава в емкость , воздействие на него посто нным магнитным полем при температуре ниже температуры перехода в сверхпровод щее состо ние, извлечение порошка из емкости , прессование и термообработку, отли0

чающийс  тем, что, с целью обеспечени  ориентации поликристаллов и увеличени  критической плотности тока в продольном направлении, используют порошок из монокристаллических частиц, засыпку производ т при температуре ниже температуры перехода в сверхпровод щее состо ние. при одновременном воздействии однородного посто нного магнитного пол  и полученную ориентацию частиц закрепл ют предварительной подпрессовкой

Т

Фиг.1

tffaa/r

Фиг.1