RU1455786C - Method of determining thickness of broken layer on crystal surface - Google Patents

Method of determining thickness of broken layer on crystal surface

Info

Publication number
RU1455786C
RU1455786C SU864160051A SU4160051A RU1455786C RU 1455786 C RU1455786 C RU 1455786C SU 864160051 A SU864160051 A SU 864160051A SU 4160051 A SU4160051 A SU 4160051A RU 1455786 C RU1455786 C RU 1455786C
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
thickness
crystal
active gas
layer
concentration
Prior art date
Application number
SU864160051A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Е.Д. Ковтун
Ю.Б. Полторацкий
А.Н. Проценко
Original Assignee
Kovtun E D
Poltoratskij Yu B
Protsenko A N
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kovtun E D, Poltoratskij Yu B, Protsenko A N filed Critical Kovtun E D
Priority to SU864160051A priority Critical patent/RU1455786C/en
Application granted granted Critical
Publication of RU1455786C publication Critical patent/RU1455786C/en

Links

Landscapes

  • Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к обработке кристаллов, может найти применение дл  определени  толщины нарушенных слоев, образующихс  при полировке кристаллов, и позвол ет повысить точность определени  толщины микронных и субмикронных слоев. Кристалл выдерживают в атмосфере активного газа при давлении до 1 Па в течение до 10 мин, затем подвергают травлению потоком ионов инертного газа с измерением толщины удал емого сло . В качестве активного газа используют газ из элементов, не вход щих в состав кристалла и потока. В процессе травлени  осуществл ют контроль степени дефектности структуры поверхности по концентрации активного газа на поверхности кристалла. За толщину нарушенного сло  принимают толщину удаленного сло , при котором концентраци  составл ет 10% от первоначальной. Достигают точности определени  до 10 А.The invention relates to the processing of crystals, can be used to determine the thickness of the broken layers formed by polishing crystals, and can improve the accuracy of determining the thickness of micron and submicron layers. The crystal is kept in an atmosphere of active gas at a pressure of up to 1 Pa for up to 10 minutes, then it is etched with a stream of inert gas ions to measure the thickness of the removed layer. As the active gas, gas is used from elements not included in the composition of the crystal and flow. During etching, the degree of imperfection of the surface structure is monitored by the concentration of active gas on the surface of the crystal. The thickness of the damaged layer is taken to be the thickness of the removed layer, at which the concentration is 10% of the initial one. Achieve accuracy of up to 10 A.

Description

II

Изобретение относитс  к обработке кристаллов, может найти применение дл  определени  толщины нарушенных слоев, образуюиисхс  при пблировке кристаллов.The invention relates to the processing of crystals; it can be used to determine the thickness of the broken layers, which are formed during the processing of crystals.

Целью изобретпннч  вл етс  повыше ние точности определени  толщины микронных и суОмикронньгх слоев.The aim of the invention is to increase the accuracy of determining the thickness of micron and suOmicron layers.

Пример. Кристалл CdS, обра- 6oTaHHhrf ионной полировкой аргоном с энергией 5 кэВ, помещают и установку , содержащую вакуумную камеру, ионную и масс-спектрометр , Камеру заполн ют активньи газом, кислородом , до давлени  10 Па и вьщержи- вают кристалл в этой атмосфере 10 мин,Example. A CdS crystal, irradiated with 6 keTaHHhrf ion polished with argon with an energy of 5 keV, is placed and a setup containing a vacuum chamber, an ion and a mass spectrometer, the chamber is filled with active gas, oxygen to a pressure of 10 Pa and the crystal is kept in this atmosphere for 10 minutes ,

22

5атем в камере откачивают вакуум и провод т травление кристалла потоком ионов аргона с эи.ргией 0,7 кзВ и плотностью тока 10 А См . В ггро- цесср травлени  ос тцесгвл ют масс- спектрометрический контроль КОНЦРН- рации кислорода на .поверхности крис- и измер ют толщину удаленного сло . При толщине удаленного с:лоч,Then vacuum is evacuated in the chamber and the crystal is etched with a stream of argon ions with an energy of 0.7 kV and a current density of 10 A cm. During the etching process, the mass spectrometric monitoring of the oxygen concentration on the surface of the crystal is carried out and the thickness of the removed layer is measured. With the thickness of the remote with: loc,

ОABOUT

равной 80 А, фиксируют уменьшение концентрации кислорода до 10% от первоначальной величины. Исход  изequal to 80 A, fix a decrease in oxygen concentration up to 10% of the original value. Outcome from

ОABOUT

этого величину 80 А принимают за толщину нарушенного поверхностного сло . Достигают точности ее определени  в 10 А.of this, a value of 80 A is taken as the thickness of the disturbed surface layer. Achieve accuracy of its determination in 10 A.

ОДOD

сл cl

QD 05QD 05

Способ по изобретению попиол кт попысить точность определени  тол- гаины поверхностного сло  по сравнению со способом-прототипом в 10 рат.The method according to the invention improves the accuracy of determining the thickness of the surface layer in comparison with the prototype method of 10 rats.

Claims (1)

Формула изобретени The claims Способ определений толщины нару- пенного сло  на поверхности кристаллов , включающий травление, измерение толщины удал емого сло  и контроль степени дефектности структуры поверхности , отличающийс  тем, что, с целью повышени  точности опThe method of determining the thickness of the deposited layer on the surface of the crystals, including etching, measuring the thickness of the removed layer and controlling the degree of imperfection of the surface structure, characterized in that, in order to improve the accuracy of (VllSUnlbl МНКР( (VllSUnlbl CICP ( S-.e. if. U inuS-.e. if. U inu микронных (мтоеп, кристалл пред ари- тепьно ньщер ивают н атмосфере активного га а, не вход шего в состав кристал., при давлении 1 Па и времени ло 10 мнн, в качестве травител  используют поток ионов инертного газа , контроль осуществл ют по концентрации активного газа на поверхности кристалла, а за толщину нарушенного сло  принимают толгаину удаленного сло , при которой конпентраци  активного газа составл ет 107 от прфвона- чальнон.micron (mtoep, the crystal is preliminarily reduced in an atmosphere of an active gas, not included in the crystal., at a pressure of 1 Pa and a time of 10 ppm, an inert gas ion stream is used as an etchant, and the concentration of the active gas on the surface of the crystal, and the thickness of the damaged layer is taken to be the toginaine of the removed layer, at which the concentration of active gas is 107 from the original.
SU864160051A 1986-12-12 1986-12-12 Method of determining thickness of broken layer on crystal surface RU1455786C (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864160051A RU1455786C (en) 1986-12-12 1986-12-12 Method of determining thickness of broken layer on crystal surface

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864160051A RU1455786C (en) 1986-12-12 1986-12-12 Method of determining thickness of broken layer on crystal surface

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU1455786C true RU1455786C (en) 1993-07-07

Family

ID=21272363

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864160051A RU1455786C (en) 1986-12-12 1986-12-12 Method of determining thickness of broken layer on crystal surface

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU1455786C (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Грешн кова Н.С. и др. Рентгенографический метод определени толщины поликристаллических деформиро- ианньгх слоев, - Сб. Аппаратура и rte- тоды рентгеновского анализа. Л.; Ма,шиностроение, 1978 с. 122-126. й{укова Л,А. и др. Электронографи поверхностных cjroes и пленок полупроводниковых материалов, М.: Металлурги , 1971, с. 176. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1172993A (en) Microwave plasma etching
US4324611A (en) Process and gas mixture for etching silicon dioxide and silicon nitride
US4253907A (en) Anisotropic plasma etching
Grundner et al. On the natural Nb2O5 growth on Nb at room temperature
JPS59126778A (en) Method and device for plasma etching
US4468285A (en) Plasma etch process for single-crystal silicon with improved selectivity to silicon dioxide
US5100504A (en) Method of cleaning silicon surface
RU2106717C1 (en) Method for anisotropic etching of silicon crystals
RU1455786C (en) Method of determining thickness of broken layer on crystal surface
JPS5814507B2 (en) Method for selectively ion etching silicon
US4406733A (en) Dry etching method
Soller et al. Application of emission spectroscopy for profile control during oxygen RIE of thick photoresist
JP3015540B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
US5591300A (en) Single crystal silicon dry-etch endpoint based on dopant-dependent and thermally-assisted etch rates
Maissel et al. Sputter-etching of heterogeneous surfaces
Carriere et al. Characterization of silicon nitride films deposited on GaAs by RF magnetron cathodic sputtering: effects of power density and total gas pressure
Mader et al. Ion beam etching of silicon dioxide on silicon
US6875698B2 (en) Dry etching method
JP2001059193A (en) Production of x-ray mask, and device therefor
JPS5847466B2 (en) Plasma ashing method
US6528433B2 (en) Method for monitoring nitrogen processes
JPH0611038B2 (en) Surface treatment method
JPS61160939A (en) Method of dry removal of si surface damage after dry etching
JPH0656846B2 (en) Method for treating semiconductor substrate
RU2120682C1 (en) Silicon substrate treatment process