RU2106717C1 - Method for anisotropic etching of silicon crystals - Google Patents
Method for anisotropic etching of silicon crystals Download PDFInfo
- Publication number
- RU2106717C1 RU2106717C1 RU96116375A RU96116375A RU2106717C1 RU 2106717 C1 RU2106717 C1 RU 2106717C1 RU 96116375 A RU96116375 A RU 96116375A RU 96116375 A RU96116375 A RU 96116375A RU 2106717 C1 RU2106717 C1 RU 2106717C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- working side
- anisotropic etching
- substrate
- crystal
- crystals
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Weting (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии изготовления дискретных приборов и интегральных схем. Оно может быть использовано для формирования рельефа с заданной геометрией на поверхности структур при изготовлении кристаллографически ограненных канавок, лунок, мезаструктур, мембран и других трехмерных топологических элементов. The invention relates to electronic equipment, namely to the manufacturing technology of discrete devices and integrated circuits. It can be used to form a relief with a given geometry on the surface of structures in the manufacture of crystallographically faceted grooves, holes, mesastructures, membranes, and other three-dimensional topological elements.
Известен способ создания микроструктур на основе кремния, включающий формирование анодной обработкой кремния в растворе фтористоводородной кислоты областей пористого кремния заданной трехмерной топологии и последующее вытравливание пористого кремния в растворах NaOH или KOH [1]. Необходимую топологию областей пористого кремния получают с помощью фотолитографии по маскирующим слоям диоксида или нитрида кремния, локального легирования кремния акцепторными примесями или эпитаксиальным наращиванием пленок кремния различного типа проводимости. Таким способом изготавливают микроструктуры типа мембран и консольных балок, используемых в качестве элементов датчиков ускорения, давления и т.д. A known method of creating microstructures based on silicon, including the formation by anodic treatment of silicon in a solution of hydrofluoric acid regions of porous silicon of a given three-dimensional topology and subsequent etching of porous silicon in solutions of NaOH or KOH [1]. The necessary topology of the porous silicon regions is obtained using photolithography on masking layers of silicon dioxide or nitride, local doping of silicon with acceptor impurities or epitaxial growth of silicon films of various types of conductivity. In this way, microstructures such as membranes and cantilever beams are used, which are used as elements of acceleration, pressure, etc. sensors.
Недостатком способа [1] является низкая точность воспроизведения малых размеров (на уровне 1 - 10 мкм) формируемого рельефа микроструктур. The disadvantage of this method [1] is the low accuracy of reproduction of small sizes (at the level of 1 - 10 microns) of the formed relief of microstructures.
Наиболее близким техническим решением к заявляемому является способ анизотропного травления кристаллов кремния путем обработки рабочей поверхности в химических растворах, скорость растворения кремния в которых зависит от кристаллографического направления [2] . В качестве анизотропных травителей используют водные, водно-спиртовые растворы KOH, гидразин-гидрат, водно-этилендиаминовые растворы пирокатехина и др. Для получения заданного топологического профиля на поверхности кристаллов анизотропное травление осуществляют через вскрытые методом фотолитографии в защитных покрытиях (пленки SiO2, Si3N4 и др.) окна, образующие необходимый рисунок.The closest technical solution to the claimed is a method of anisotropic etching of silicon crystals by treating the working surface in chemical solutions, the dissolution rate of silicon in which depends on the crystallographic direction [2]. As anisotropic etchants, aqueous, aqueous-alcoholic solutions of KOH, hydrazine hydrate, aqueous-ethylenediamine solutions of pyrocatechol, etc. are used. To obtain a given topological profile on the surface of the crystals, anisotropic etching is carried out through the protective coatings opened by photolithography (SiO 2 , Si 3 films N 4 , etc.) windows forming the necessary pattern.
Недостатком способа [2] является микрошероховатость граней вытравливаемого рельефа, проявляющаяся в виде локальных мелких лунок и бугорков. Их образование связано с экранированием травящейся поверхности пузырьками водорода и локальным селективным травлением структурных дефектов, имеющихся в кристалле. The disadvantage of this method [2] is the microroughness of the faces of the etched relief, which manifests itself in the form of local small holes and tubercles. Their formation is associated with the screening of the etching surface with hydrogen bubbles and local selective etching of structural defects present in the crystal.
Для устранения негативного влияния на качество формируемой поверхности пузырьков водорода кристалл обычно травят в вертикальном положении с медленным перемешиванием раствора. Однако подавить селективное травление структурных дефектов этими приемами нельзя. Наличие локальных неоднородностей рельефа формируемой поверхности является одной из причин разрушения или деградации активных пленочных элементов и маскирующих, защитных слоев, наносимых на грани рельефа при изготовлении микроструктур. To eliminate the negative effect on the quality of the formed surface of hydrogen bubbles, the crystal is usually etched in an upright position with slow stirring of the solution. However, the selective etching of structural defects by these methods cannot be suppressed. The presence of local inhomogeneities in the relief of the formed surface is one of the reasons for the destruction or degradation of active film elements and masking, protective layers deposited on the edge of the relief in the manufacture of microstructures.
Техническим результатом заявляемого способа является улучшение качества поверхности граней рельефа, формируемого при анизотропном травлении. The technical result of the proposed method is to improve the surface quality of the faces of the relief formed during anisotropic etching.
Технический результат достигается тем, что формируют на рабочей стороне подложки маску, затем нерабочую сторону подложки облучают ионами гелия с энергией не менее 100 кэВ, а дозу облучения определяют на рабочей стороне контрольного образца по изменению значения периода кристаллической решетки кристалла, когда его величина перестает зависеть от дозы, обрабатывают подложку в анизотропно травящих растворах. The technical result is achieved by the fact that a mask is formed on the working side of the substrate, then the non-working side of the substrate is irradiated with helium ions with an energy of at least 100 keV, and the radiation dose is determined on the working side of the control sample by changing the value of the crystal lattice period of the crystal, when its value ceases to depend on doses, treat the substrate in anisotropic etching solutions.
Новым, необнаруженным при анализе научно-технической и патентной литературы в заявляемом способе является то, что перед тарвлением нерабочую сторону облучают ионами гелия с энергией не менее 100 кэВ, а дозу облучения определяют на рабочей стороне контрольного образца по изменению значения периода кристаллической решетки кристалла, когда его величина перестает зависеть от дозы. A new, undetected in the analysis of scientific, technical and patent literature in the claimed method is that before the pickup, the non-working side is irradiated with helium ions with an energy of at least 100 keV, and the radiation dose is determined on the working side of the control sample by changing the value of the crystal lattice period of the crystal, when its value ceases to be dose dependent.
Технический результат при реализации заявляемого способа достигается благодаря тому, что облучение ионами гелия сопровождается неконсервативной перестройкой структурных дефектов, проявляющейся в очищении (геттерировании) от дефектов областей кристалла вблизи его рабочей стороны. Процесс очищения связан с растворением микродефектов и перемещением дислокационных отрезков с краевой компонентой вектора Бюрргеса в зависимости от ее ориентации к поверхности с выходом на нее или в объем кристалла к нерабочей стороне. Перестройка дефектов обусловлена их взаимодействием с неравновесными точечными дефектами и упругими волнами, возникающими в зоне торможения ионов гелия. Высокие энергии (не менее 10 кэВ) и малая масса ионов обуславливают их глубокое проникновение в кремний и генерацию высокой концентрации неравновесных собственных точечных дефектов, а также возникновение интенсивного поля упругих волн вдоль треков торможения. Перестройка дефектов во время облучения приводит к изменению внутренних полей механических напряжений, связанных с дефектами, что проявляется в изменении периода решетки приповерхностной зоны вблизи рабочей стороны кристалла. Регистрация этих изменений рентгенодифрактометрическим методом по мере набора дозы облучения и фиксация дозы, при которой период решетки стабилизируется, позволяет контролировать процесс очищения кристаллов от дефектов и своевременно прекращать облучения ионами гелия, т.е. без непроизводительных энергозатрат подготавливать кристаллы к следующей операции анизотропного травления. The technical result in the implementation of the proposed method is achieved due to the fact that irradiation with helium ions is accompanied by a non-conservative rearrangement of structural defects, which is manifested in the purification (gettering) of defects in areas of the crystal near its working side. The purification process is associated with the dissolution of microdefects and the movement of dislocation segments with the edge component of the Burgers vector, depending on its orientation to the surface with access to it or in the bulk of the crystal to the non-working side. The rearrangement of defects is due to their interaction with nonequilibrium point defects and elastic waves arising in the zone of stagnation of helium ions. High energies (at least 10 keV) and a small mass of ions determine their deep penetration into silicon and the generation of a high concentration of nonequilibrium intrinsic point defects, as well as the emergence of an intense field of elastic waves along the braking tracks. The rearrangement of defects during irradiation leads to a change in the internal fields of mechanical stresses associated with defects, which is manifested in a change in the lattice period of the near-surface zone near the working side of the crystal. Registration of these changes by the X-ray diffractometric method as the radiation dose is set and fixation of the dose at which the lattice period stabilizes, allows you to control the process of crystal cleansing from defects and timely terminate irradiation with helium ions, i.e. without unproductive energy consumption to prepare crystals for the next anisotropic etching operation.
Заявляемый способ осуществляют следующим образом. На исходных кристаллах выбирают или задают с помощью специальной обработки рабочую (на которой анизотропным травлением будут формировать микроструктуры) и нерабочую стороны. Далее на рабочую сторону наносят маскирующие покрытия SiO2, Si3N4, ХСЛ, фоторезист и др., в которых фотолитографически вскрывают участки поверхности кремния, где будет проводиться анизотропное травление. После этого кристаллы облучают на ускорителе или от радионуклидного источника ионами гелия с энергией не менее 100 кэВ. До облучения и во время облучения рентгеновским методом, например на рентгеновских двух- или трехкристальных спектрометрах, измеряют изменение периода кристаллической решетки в приповерхностных слоях кристалла вблизи его рабочей стороны. Облучение прекращают при достижении дозы, при которой значение периода кристаллической решетки стабилизируется и перестает зависеть от дозы. При обработках больших партий пластин из однотипного кремния целесообразно определить необходимую дозу облучения предварительно за кристаллах-спутниках. Облучению могут подвергаться кристаллы и без нанесенных на рабочую сторону маскирующих слоев при условии, что при последующем формировании таких слоев в кристалле не будут генерироваться дополнительные структурные дефекты, как это происходит, например, при термическом окислении кремния, когда в приповерхностной области возникают окислительные дефекты упаковки. В последнем случае облучение ионами гелия необходимо проводить после окисления. После облучения кристаллы обрабатывают в любом из известных анизотропных травителей [2] и получают на рабочей стороне рельеф с заданной топологией.The inventive method is as follows. On the initial crystals, the working one (on which microstructures will be formed by anisotropic etching) and the non-working side are selected or set using special processing. Next, masking coatings of SiO 2 , Si 3 N 4 , ChL, photoresist, etc. are applied to the working side, in which photolithographically reveal areas of the silicon surface where anisotropic etching will be performed. After that, the crystals are irradiated on an accelerator or from a radionuclide source with helium ions with an energy of at least 100 keV. Before irradiation and during irradiation by the X-ray method, for example, on X-ray two- or three-crystal spectrometers, the change in the period of the crystal lattice in the surface layers of the crystal near its working side is measured. Irradiation is stopped when a dose is reached at which the value of the period of the crystal lattice stabilizes and ceases to be dose dependent. When processing large batches of wafers of the same type of silicon, it is advisable to determine the necessary dose of radiation previously behind the satellite crystals. Crystals can also be irradiated without masking layers deposited on the working side, provided that subsequent formation of such layers does not generate additional structural defects in the crystal, as occurs, for example, during thermal oxidation of silicon, when oxidative stacking defects occur in the surface region. In the latter case, irradiation with helium ions must be carried out after oxidation. After irradiation, the crystals are processed in any of the known anisotropic etchants [2] and a relief with a given topology is obtained on the working side.
Режимы облучения ионами гелия были определены экспериментально на кристаллах кремния марок КДБ-12(001) и КЭФ-4,5(001) при формировании на них мембран толщиной 10 - 30 мкм для производства газовых сенсоров. Толщина исходных пластин составляла 350 - 420 мкм. Топологию мембран формировали методом фотолитографии по маскирующим слоям SiO2 - Si3N4. Облучение ионами гелия с варьируемой плотностью потока от 109 до 1012 см-2 с-1 и энергиями от 50 кэВ до 4,5 МэВ проводили на имплантере Лада-30 и установке с радионуклидным источником на основе полония - 210 с применением алюминиевых поглотителей. Приращения периода кристаллической решетки на рабочей стороне кристаллов измеряли на рентгеновском трехкристалльном спектрометре до облучения и периодически прерывая облучение. После набора дозы, при которой период кристаллической решетки стабилизировался, кристаллы травили в щелочном растворе изопропилового спирта (ИПС) KOH - H O - ИПС с концентрацией ИПС 80 - 85 % и 8 - 11 г/л KOH [2].The modes of irradiation with helium ions were determined experimentally on silicon crystals of the KDB-12 (001) and KEF-4,5 (001) grades when membranes 10-30 μm thick were formed on them for the production of gas sensors. The thickness of the initial plates was 350 - 420 μm. The membrane topology was formed by photolithography using masking layers of SiO 2 - Si 3 N 4 . Helium ions with varying flux densities from 10 9 to 10 12 cm -2 s -1 and energies from 50 keV to 4.5 MeV were irradiated with an Lada-30 implant and an installation with a polonium-210 radionuclide source using aluminum absorbers. The increments of the period of the crystal lattice on the working side of the crystals were measured on an x-ray three-crystal spectrometer before irradiation and periodically interrupting irradiation. After a dose was set at which the crystal lattice period stabilized, the crystals were etched in an alkaline solution of isopropyl alcohol (IPA) KOH – HO – IPA with an IPA concentration of 80–85% and 8–11 g / L KOH [2].
Температура травителя не превышала 70± 3oC. Качество поверхности получаемых мембран контролировали на металлографическом микроскопе МИМ-7. Эксперименты показали, что на поверхности мембран, протравленных на необлученных кристаллах присутствуют микробугорки и микровпадины с размерами 3 - 10 мкм и плотностью до 104 - 105 см-2. Облучение нерабочей стороны ионами гелия снижает плотность бугорков и ямок на поверхности мембран, если энергия ионов составляет величину не менее 100 кэВ, дозы облучения, стабилизирующие изменение периода решетки кристалла вблизи его рабочей стороны, заключены в интервале 1012 - 1015 см-2. Такие режимы облучения позволяют получать мембраны с поверхностью, на которой практически отсутствуют локальные микронеровности рельефа при условии, что во время травления покачиванием образцов или медленным перемешиванием травителя удаляются пузырьки газообразных продуктов реакций (водорода). При энергиях ионов гелия менее 100 кэВ эффект уменьшения плотности бугорков и ямок на протравленной поверхности выражен слабее и для его достижения требуются дозы облучения, превышающие 1016 см-2, т.е. необходимые высокие энергозатраты на облучение.The temperature of the etchant did not exceed 70 ± 3 o C. The surface quality of the obtained membranes was controlled using a MIM-7 metallographic microscope. The experiments showed that on the surface of the membranes etched on unirradiated crystals there are microcuspids and microdepressions with sizes of 3 - 10 microns and a density of up to 10 4 - 10 5 cm -2 . Irradiation of the non-working side with helium ions reduces the density of tubercles and pits on the membrane surface if the ion energy is at least 100 keV, radiation doses stabilizing the change in the crystal lattice period near its working side are in the range 10 12 - 10 15 cm -2 . Such irradiation regimes make it possible to obtain membranes with a surface on which there are practically no local microroughnesses in the relief, provided that during the etching by shaking the samples or by slowly mixing the etchant, bubbles of gaseous reaction products (hydrogen) are removed. At helium ion energies of less than 100 keV, the effect of decreasing the density of tubercles and pits on the etched surface is less pronounced and it requires radiation doses exceeding 10 16 cm -2 , i.e. necessary high energy costs for irradiation.
Пример практической реализации заявляемого способа. An example of a practical implementation of the proposed method.
На кристаллах кремния КДБ-12(001) толщиной 420 мкм изготавливали мембраны толщиной 30 мкм и площадью 5х5 мм2 анизотропным травлением в щелочном растворе изопропилового спирта с концентрацией реагентов, указанных выше. В качестве маскирующих слоев использовали двухслойную композицию SiO2 - Si3N4, в которой литографически формировали квадратное отверстие с ориентацией сторон вдоль направлений <100>. Внутренние грани образовывали плоскости [111].On KDB-12 (001) silicon crystals with a thickness of 420 μm, membranes with a thickness of 30 μm and an area of 5 × 5 mm 2 were prepared by anisotropic etching in an alkaline solution of isopropyl alcohol with the concentration of reagents mentioned above. As the masking layers, we used a two-layer composition of SiO 2 - Si 3 N 4 , in which a square hole was formed lithographically with the sides oriented along the <100> directions. The inner faces formed the [111] plane.
Влияние предварительного облучения кристаллов ионами гелия с нерабочей стороны на качество поверхности мембран, которое оценивали по плотности локальных микронеровностей рельефа на боковых и планарной сторонах мембран, иллюстрируют результаты, представленные в таблице. В таблице приведены также дозы облучения, при которых фиксировалась стабилизация приращения периода решетки, измерявшегося с рабочей стороны на рентгеновском трехкристальном спектрометре. При облучении ионами с энергией 50 - 80 кэВ вплоть до дозы 1,2•1016 см-2 стабилизация периода решетки не наблюдалась.The effect of preliminary irradiation of crystals with helium ions from the non-working side on the surface quality of the membranes, which was estimated by the density of local microroughnesses of the relief on the lateral and planar sides of the membranes, is illustrated by the results presented in the table. The table also shows the radiation doses at which stabilization of the increment of the lattice period, measured from the working side on an x-ray three-crystal spectrometer, was recorded. When irradiated with ions with an energy of 50 - 80 keV up to a dose of 1.2 • 10 16 cm -2, stabilization of the lattice period was not observed.
Как видно из таблицы, заявляемый способ позволяет существенно снизить плотность ямок и бугорков травления на поверхности анизотропно протравленных кристаллов кремния по сравнению со способом-прототипом. Важным позитивным результатом использования заявляемого способа является также и то, что очищение кристаллов от структурных дефектов при облучении способствует улучшению электрофизических и функциональных свойств изготавливаемых на них полупроводниковых приборов, т.е. датчиков физико-химических параметров внешней среды. As can be seen from the table, the inventive method can significantly reduce the density of the pits and tubercles of etching on the surface of anisotropic etched silicon crystals in comparison with the prototype method. An important positive result of using the proposed method is also that the purification of crystals from structural defects during irradiation improves the electrophysical and functional properties of semiconductor devices made on them, i.e. sensors of physical and chemical parameters of the environment.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU96116375A RU2106717C1 (en) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | Method for anisotropic etching of silicon crystals |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU96116375A RU2106717C1 (en) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | Method for anisotropic etching of silicon crystals |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2106717C1 true RU2106717C1 (en) | 1998-03-10 |
| RU96116375A RU96116375A (en) | 1998-10-10 |
Family
ID=20184396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU96116375A RU2106717C1 (en) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | Method for anisotropic etching of silicon crystals |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2106717C1 (en) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2468467C2 (en) * | 2010-01-28 | 2012-11-27 | Кэнон Кабусики Кайся | Liquid composition, method of producing silicon substrate and method of producing liquid discharge head substrate |
| WO2014168665A3 (en) * | 2013-01-18 | 2014-12-31 | Yale University | Methods for making a superconducting device with at least one enclosure |
| RU2623681C1 (en) * | 2016-09-22 | 2017-06-28 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тверской государственный университет" | Method of obtaining periodic profiles on surface of parathellurite crystals |
| RU175042U1 (en) * | 2017-06-20 | 2017-11-16 | Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" | TEST ELEMENT FOR QUALITY CONTROL OF ANISOTROPIC ETCHING OF THE grooves |
| US9948254B2 (en) | 2014-02-21 | 2018-04-17 | Yale University | Wireless Josephson bifurcation amplifier |
| US10404214B2 (en) | 2015-02-27 | 2019-09-03 | Yale University | Techniques for producing quantum amplifiers and related systems and methods |
| US10424711B2 (en) | 2013-01-18 | 2019-09-24 | Yale University | Superconducting device with at least one enclosure |
| US10461385B2 (en) | 2015-02-27 | 2019-10-29 | Yale University | Josephson junction-based circulators and related systems and methods |
| US10468740B2 (en) | 2015-02-27 | 2019-11-05 | Yale University | Techniques for coupling planar qubits to non-planar resonators and related systems and methods |
| US10541659B2 (en) | 2013-10-15 | 2020-01-21 | Yale University | Low-noise josephson junction-based directional amplifier |
| US10693566B2 (en) | 2015-04-17 | 2020-06-23 | Yale University | Wireless Josephson parametric converter |
| US11184006B2 (en) | 2016-01-15 | 2021-11-23 | Yale University | Techniques for manipulation of two-qubit quantum states and related systems and methods |
| US11223355B2 (en) | 2018-12-12 | 2022-01-11 | Yale University | Inductively-shunted transmon qubit for superconducting circuits |
| US11737376B2 (en) | 2017-12-11 | 2023-08-22 | Yale University | Superconducting nonlinear asymmetric inductive element and related systems and methods |
| US11791818B2 (en) | 2019-01-17 | 2023-10-17 | Yale University | Josephson nonlinear circuit |
-
1996
- 1996-08-07 RU RU96116375A patent/RU2106717C1/en not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 1. Бондаренко В.П. и др. Новые области применения пористого кремния в полупроводниковой электронике. Зарубежная электронная техника. 1989, N 9, с. 80 - 82. 2. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников. Под ред. Луфт Б.Д. - М.: Радио и связь, 1982, с. 102 - 117. * |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2468467C2 (en) * | 2010-01-28 | 2012-11-27 | Кэнон Кабусики Кайся | Liquid composition, method of producing silicon substrate and method of producing liquid discharge head substrate |
| US10424712B2 (en) | 2013-01-18 | 2019-09-24 | Yale University | Methods for making a superconducting device with at least one enclosure |
| WO2014168665A3 (en) * | 2013-01-18 | 2014-12-31 | Yale University | Methods for making a superconducting device with at least one enclosure |
| US10424711B2 (en) | 2013-01-18 | 2019-09-24 | Yale University | Superconducting device with at least one enclosure |
| US10541659B2 (en) | 2013-10-15 | 2020-01-21 | Yale University | Low-noise josephson junction-based directional amplifier |
| US11271533B2 (en) | 2014-02-21 | 2022-03-08 | Yale University | Wireless Josephson bifurcation amplifier |
| US9948254B2 (en) | 2014-02-21 | 2018-04-17 | Yale University | Wireless Josephson bifurcation amplifier |
| US10461385B2 (en) | 2015-02-27 | 2019-10-29 | Yale University | Josephson junction-based circulators and related systems and methods |
| US10404214B2 (en) | 2015-02-27 | 2019-09-03 | Yale University | Techniques for producing quantum amplifiers and related systems and methods |
| US10468740B2 (en) | 2015-02-27 | 2019-11-05 | Yale University | Techniques for coupling planar qubits to non-planar resonators and related systems and methods |
| US10693566B2 (en) | 2015-04-17 | 2020-06-23 | Yale University | Wireless Josephson parametric converter |
| US11184006B2 (en) | 2016-01-15 | 2021-11-23 | Yale University | Techniques for manipulation of two-qubit quantum states and related systems and methods |
| RU2623681C1 (en) * | 2016-09-22 | 2017-06-28 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тверской государственный университет" | Method of obtaining periodic profiles on surface of parathellurite crystals |
| RU175042U1 (en) * | 2017-06-20 | 2017-11-16 | Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" | TEST ELEMENT FOR QUALITY CONTROL OF ANISOTROPIC ETCHING OF THE grooves |
| US11737376B2 (en) | 2017-12-11 | 2023-08-22 | Yale University | Superconducting nonlinear asymmetric inductive element and related systems and methods |
| US11223355B2 (en) | 2018-12-12 | 2022-01-11 | Yale University | Inductively-shunted transmon qubit for superconducting circuits |
| US11791818B2 (en) | 2019-01-17 | 2023-10-17 | Yale University | Josephson nonlinear circuit |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2106717C1 (en) | Method for anisotropic etching of silicon crystals | |
| US5868947A (en) | Si substrate and method of processing the same | |
| US4652334A (en) | Method for patterning silicon dioxide with high resolution in three dimensions | |
| US7943497B2 (en) | Method for manufacturing an SOI substrate | |
| US5672449A (en) | Silicon membrane and method of making same | |
| US4092209A (en) | Silicon implanted and bombarded with phosphorus ions | |
| Enquist et al. | The fabrication of amorphous SiO2 substrates suitable for transmission electron microscopy studies of ultrathin polycrystalline films | |
| JP2560251B2 (en) | Manufacturing method of silicon single crystal self-supporting thin film | |
| Flöter et al. | Deposition of diamond on patterned silicon substrates | |
| RU2172537C1 (en) | Silicon substrate treatment method | |
| Rangelow et al. | SIMS and AES investigations of contamination effects by RIE of PIQ layers | |
| RU2134467C1 (en) | Process of gettering working of silicon substrates | |
| US6177358B1 (en) | Photo-stimulated etching of CaF2 | |
| RU2120682C1 (en) | Silicon substrate treatment process | |
| GB2131748A (en) | Silicon etch process | |
| Heuberger et al. | Open silicon stencil masks for demagnifying ion projection | |
| JPS61240635A (en) | Dry etching method | |
| JP3647009B2 (en) | Manufacturing method of microporous membrane using electron beam | |
| RU2137253C1 (en) | Method for getter treatment of semiconductor plates | |
| JPH02230736A (en) | Formation and treatment of dielectric film | |
| RU1455786C (en) | Method of determining thickness of broken layer on crystal surface | |
| JPS58151027A (en) | Etching method | |
| RU2110116C1 (en) | Method of detection of structural defects in silicon crystals | |
| RU2331136C9 (en) | METHOD FOR р-n JUNCTIONS FORMING IN SILICON | |
| RU2176422C2 (en) | Method for carrying out gettering treatment of epitaxial layers of semiconductor structures |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20070808 |