RU2176422C2 - Method for carrying out gettering treatment of epitaxial layers of semiconductor structures - Google Patents
Method for carrying out gettering treatment of epitaxial layers of semiconductor structures Download PDFInfo
- Publication number
- RU2176422C2 RU2176422C2 RU99108307A RU99108307A RU2176422C2 RU 2176422 C2 RU2176422 C2 RU 2176422C2 RU 99108307 A RU99108307 A RU 99108307A RU 99108307 A RU99108307 A RU 99108307A RU 2176422 C2 RU2176422 C2 RU 2176422C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- structures
- irradiation
- energy
- ion
- epitaxial
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
Description
Предлагаемое изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии изготовления дискретных приборов и интегральных схем для улучшения электрических параметров эпитаксиальных полупроводниковых слоев приборных структур за счет снижения в них неконтролируемых фоновых примесей, кристаллографических дефектов и механических напряжений. The present invention relates to the field of production of semiconductor devices and can be used in the manufacturing technology of discrete devices and integrated circuits to improve the electrical parameters of the epitaxial semiconductor layers of device structures by reducing uncontrolled background impurities, crystallographic defects and mechanical stresses in them.
Известен способ геттерирующей обработки эпитаксиальных слоев кремниевых структур, включающий формирование на нерабочей стороне подложек структурно нарушенного слоя абразивным шлифованием, высокотемпературный отжиг, например, в окисленной атмосфере и эпитаксиальное наращивание приборного слоя на рабочую сторону подложки [1]. Наличие структурно нарушенного слоя геттера на нерабочей стороне подложек во время отжига приводит к удалению из кристалла, в частности, из областей вблизи рабочей стороны, быстродиффундирующих фоновых примесей, неравновесных собственных точечных дефектов и микродефектов (кластеров), т. е. приводит к геттерированию неконтролируемых компонентов примесно-дефектного состава материала подложки. Вследствие этого снижается вероятность образования и накопления нежелательных структурных дефектов и примесей в наращиваемом эпитаксиальном слое, что улучшает его электрофизические характеристики. Недостаток известного способа [1] в том, что структурные нарушения, образующие геттер, обуславливают возникновение в структурах макроскопических механических напряжений, сопровождающихся искривлением структур и, как следствие, увеличением брака на операции литографического формирования топологии активных областей приборов. Кроме того, в процессе эпитаксиального наращивания при повышенных температурах подложки в пленке из-за неконтролируемых вариаций режимов и условий роста возникает пресыщение по собственным точечным дефектам, которое стабилизируется за счет гомо- и гетерогенного (на примесях, например) образования комплексов и кластеров точечных дефектов, не связанных с примесно-дефектным составом подложки. Эти процессы снижают эффективность геттерирования и ухудшают электрофизические параметры эпитаксиальных слоев и выход годных приборов. A known method for the getter treatment of epitaxial layers of silicon structures, including the formation on the non-working side of the substrates of a structurally disturbed layer by abrasive grinding, high-temperature annealing, for example, in an oxidized atmosphere, and epitaxial buildup of the instrument layer on the working side of the substrate [1]. The presence of a structurally disturbed getter layer on the non-working side of the substrates during annealing leads to the removal of rapidly diffusing background impurities, nonequilibrium intrinsic point defects, and microdefects (clusters) from the crystal, in particular, near the working side, i.e., leads to gettering of uncontrolled components impurity-defective composition of the substrate material. As a result, the probability of the formation and accumulation of undesirable structural defects and impurities in the build-up epitaxial layer is reduced, which improves its electrophysical characteristics. The disadvantage of this method [1] is that the structural violations that form the getter cause the appearance of macroscopic mechanical stresses in the structures, accompanied by a curvature of the structures and, as a result, an increase in rejects on the operation of lithographic formation of the topology of the active areas of devices. In addition, during epitaxial growth at elevated substrate temperatures in the film, due to uncontrolled variations in the growth conditions and conditions, a supersaturation occurs due to intrinsic point defects, which is stabilized due to the homo- and heterogeneous (on impurities, for example) formation of point defect complexes and clusters, not related to the impurity-defective composition of the substrate. These processes reduce the efficiency of gettering and worsen the electrophysical parameters of the epitaxial layers and the yield of suitable devices.
Наиболее близким техническим решением к заявляемому является способ геттерирующей обработки эпитаксиальных слоев полупроводниковых структур, включающий аморфизацию структур с нерабочей стороны подложки облучением ионами средних энергий, т.е. ионами с энергией из интервала 10-500 кэВ [2]. Этот способ позволяет управлять величиной механических напряжений и снижать остаточную дефектность эпитаксиальных пленок, в результате чего улучшаются их электрофизические характеристики. Повышение качества эпитаксиальных слоев при реализации способа [2] происходит в результате взаимодействия с исходными структурными нарушениями в пленках потоков неравновесных собственных дефектов и упругих волн, возникающих в зоне торможения ионов, аморфизирующих нерабочую сторону подложек. Применение ионов средних энергий, имеющих малые пробеги в материалах, не создает значительных механических напряжений и не деформирует структуры из-за малых толщин радиационно-нарушенных слоев (< 1 мкм) по сравнению с толщинами стандартных полупроводниковых структур (100-500 мкм). The closest technical solution to the claimed is a method of getter treatment of epitaxial layers of semiconductor structures, including amorphization of structures from the non-working side of the substrate by irradiation with medium-energy ions, i.e. ions with energies from the range of 10–500 keV [2]. This method allows you to control the magnitude of the mechanical stresses and reduce the residual defectiveness of the epitaxial films, resulting in improved their electrical characteristics. The quality improvement of epitaxial layers during the implementation of the method [2] occurs as a result of interaction with the initial structural defects in the films of flows of nonequilibrium intrinsic defects and elastic waves arising in the stagnation zone of ions that amorphize the non-working side of the substrates. The use of medium-energy ions with small ranges in materials does not create significant mechanical stresses and does not deform structures due to the small thicknesses of radiation-damaged layers (<1 μm) compared to the thicknesses of standard semiconductor structures (100-500 μm).
Недостаток способа [2] - низкая эффективность геттерирования примесей и радиационных дефектов в эпитаксиальных слоях вследствие ослабления амплитуды упругих волн и уменьшения концентрации точечных дефектов за счет поглощения в подложках, особенно в случае, если в качестве последних используются полупроводниковые соединения, например A3B5. Поэтому после ионного облучения по способу [2] в эпитаксиальных слоях сохраняется достаточно высокий уровень остаточной дефектности, что неприемлемо для современных полупроводниковых приборов.The disadvantage of the method [2] is the low efficiency of gettering of impurities and radiation defects in the epitaxial layers due to weakening of the amplitude of elastic waves and a decrease in the concentration of point defects due to absorption in substrates, especially if semiconductor compounds, for example, A 3 B 5 , are used as the latter. Therefore, after ion irradiation according to the method of [2], a rather high level of residual imperfection remains in the epitaxial layers, which is unacceptable for modern semiconductor devices.
Техническим результатом заявляемого способа является повышение эффективности геттерирующей обработки за счет снижения концентрации остаточной дефектности в эпитаксиальных слоях полупроводниковых структур. The technical result of the proposed method is to increase the efficiency of gettering treatment by reducing the concentration of residual imperfection in the epitaxial layers of semiconductor structures.
Технический результат достигается тем, что в способе геттерирующей обработки эпитаксиальных слоев полупроводниковых структур, включающем аморфизацию структур с нерабочей стороны подложки облучением ионами средних энергий, перед аморфизацией нерабочую сторону структур облучают протонами с энергией, равной энергии ионов при последующем облучении дозой не ниже дозы аморфизации подложки ионным облучением. The technical result is achieved by the fact that in the method of getter treatment of epitaxial layers of semiconductor structures, which includes amorphization of structures from the non-working side of the substrate by irradiation with medium-energy ions, before amorphization, the non-working side of structures is irradiated with protons with an energy equal to ion energy during subsequent irradiation with a dose not lower than the ion amorphization dose of the substrate irradiation.
Новым, не обнаруженным при анализе патентной и научно-технической литературы, в данном способе является то, что перед аморфизацией нерабочую сторону структур облучают протонами с энергией, равной энергии ионов при последующем облучении, и дозой не ниже дозы аморфизации подложки ионным облучением. The new, not discovered in the analysis of patent and scientific and technical literature, in this method is that before amorphization, the non-working side of the structures is irradiated with protons with an energy equal to the ion energy during subsequent irradiation, and a dose not lower than the dose of amorphization of the substrate by ion irradiation.
Технический результат при реализации заявляемого способа достигается благодаря тому, что облучение протонами перед аморфизацией нерабочей стороны подложек имплантированных ионов средних энергий создает слой, насыщенный простейшими метастабильными комплексами точечных дефектов, которые диссоциируют (отжигаются) на подвижные компоненты френкелевских пар при последующем облучении этой стороны структур более тяжелыми ионами. Свободные вакансии и собственные междоузельные атомы материала подложки диффундируют к эпитаксиальному слою, где за счет пространственного разделения их потоков полями упругих напряжений на границе раздела пленка-подложка (из-за несоответствия периодов кристаллических решеток сопрягающих слоев) и полями напряжений стабильных дефектов в пленке происходит взаимодействие неравновесных точечных дефектов с исходными нарушениями в эпитаксиальном слое, уменьшающими их концентрацию. То есть протонное облучение увеличивает концентрацию свободных точечных дефектов, ответственных за геттерирование компонентов исходного примесно-дефектного состава пленок. Кроме того, поскольку каждый акт диссоциации или аннигиляции дефектов сопровождается излучением упругих волн, то увеличение концентрации таких волн, увеличение концентрации таких метастабильных дефектов при протонном облучении, естественно, приводит при последующей аморфизации ионной имплантацией к росту амплитуды упругих волн и расширению их частотного диапазона, что расширяет и спектр исходных нарушений в эпитаксиальных слоях, чувствительных к динамическим напряжениям. Это является дополнительным (к потокам неравновесных точечных дефектов) существенным фактором, усиливающим геттерирование. Равенство энергий ионов, аморфизирующих подложку, и протонов обеспечивает пространственное разделение профилей распределения по глубине радиационных дефектов протонной и затем ионной бомбардировкой. Максимум концентрации метастабильных дефектов после протонирования залегает на больших глубинах, чем после облучения ионами тех же энергий. Этим объясняется увеличение концентрации свободных точечных дефектов и амплитуды упругих волн, достигающих эпитаксиальных слоев при аморфизации ионным облучением. Количество точечных дефектов и амплитуда упругих волн, участвующих в геттерировании, сохраняется на достаточно высоком уровне в случае, если доза облучения протонами не меньше, чем доза последующей ионной имплантации. Этим также достигается повышение эффективности геттерирования неконтролируемых примесей и структурных дефектов в эпитаксиальных слоях полупроводниковых композиций. The technical result in the implementation of the proposed method is achieved due to the fact that irradiation with protons before the amorphization of the non-working side of the substrates of implanted medium-energy ions creates a layer saturated with the simplest metastable complexes of point defects that dissociate (anneal) on the moving components of the Frenkel pairs upon subsequent irradiation of this side of the structures with heavier ions. Free vacancies and intrinsic interstitial atoms of the substrate material diffuse to the epitaxial layer, where due to the spatial separation of their flows by the fields of elastic stresses at the film-substrate interface (due to the mismatch between the periods of the crystal lattices of the conjugate layers) and the stress fields of stable defects in the film, the interaction of nonequilibrium point defects with initial disturbances in the epitaxial layer, reducing their concentration. That is, proton irradiation increases the concentration of free point defects responsible for the gettering of the components of the initial impurity-defective composition of the films. In addition, since each act of dissociation or annihilation of defects is accompanied by the emission of elastic waves, an increase in the concentration of such waves, an increase in the concentration of such metastable defects during proton irradiation naturally leads to an increase in the amplitude of elastic waves and an expansion of their frequency range during subsequent amorphization with ion implantation, which expands the spectrum of initial disturbances in epitaxial layers sensitive to dynamic stresses. This is an additional factor (to the flows of nonequilibrium point defects) that enhances gettering. The equality of the energies of the ions amorphizing the substrate and the protons provides a spatial separation of the depth distribution profiles of radiation defects by proton and then ion bombardment. The maximum concentration of metastable defects after protonation lies at greater depths than after irradiation with ions of the same energy. This explains the increase in the concentration of free point defects and the amplitude of elastic waves reaching the epitaxial layers during amorphization by ion irradiation. The number of point defects and the amplitude of the elastic waves involved in gettering are kept at a sufficiently high level if the dose of irradiation with protons is not less than the dose of subsequent ion implantation. This also achieves an increase in the efficiency of gettering of uncontrolled impurities and structural defects in the epitaxial layers of semiconductor compositions.
Заявляемый способ осуществляют следующим образом. После эпитаксиального наращивания пленки или многослойной композиции любым из известных методов (газофазным, жидкостным, молекулярно-лучевым) готовую структуру подвергают облучению потоком протонов со стороны подложки. При этом энергию протонов задают равной энергии того сорта ионов, которые будут затем использованы для аморфизации подложки. Значения энергий и доз аморфизации для большинства типов ионов, используемых в технологии микроэлектроники, известны и протабулированы. The inventive method is as follows. After epitaxial growth of the film or multilayer composition by any of the known methods (gas phase, liquid, molecular beam), the finished structure is subjected to irradiation with a stream of protons from the side of the substrate. In this case, the proton energy is set equal to the energy of that kind of ions, which will then be used to amorphize the substrate. The energies and doses of amorphization for most types of ions used in microelectronics technology are known and tabulated.
Дозу облучения протонами выбирают такой, чтобы ее величина была не меньше дозы аморфизации для выбранного сорта ионов. После облучения протонами в структуры со стороны подложки проводят имплантацию ионов средних энергий дозами, которые при данной температуре облучения обеспечивают аморфизацию материала, т. е. максимальную для данных режимов и условий облучения концентрацию радиационных дефектов. Целесообразно на этом этапе использовать ионы инертных газов типа неона или аргона. После ионного облучения структуры передают на последующие технологические операции формирования функциональных элементов полупроводниковых приборов в эпитаксиальном слое. The dose of irradiation with protons is chosen such that its value is not less than the dose of amorphization for the selected type of ion. After proton irradiation, medium-energy ions are implanted into the structures from the substrate side at doses that ensure amorphization of the material at a given irradiation temperature, i.e., the maximum concentration of radiation defects for these irradiation conditions and conditions. It is advisable at this stage to use ions of inert gases such as neon or argon. After ion irradiation, the structures are transferred to subsequent technological operations for the formation of functional elements of semiconductor devices in the epitaxial layer.
Как будет показано ниже, заявляемый способ геттерирующей обработки применим не только к эпитаксиальным структурам - полуфабрикатам, но и к структурам, в эпитаксиальном слое которых уже сформированы элементы или приборы в целом. As will be shown below, the inventive method of gettering treatment is applicable not only to epitaxial structures - semi-finished products, but also to structures in the epitaxial layer of which elements or devices as a whole have already been formed.
Примеры практической реализации заявляемого способа. Examples of practical implementation of the proposed method.
ПРИМЕР 1. Геттерирующей обработке подвергали полученные газотранспортным методом эпитаксиальные кремниевые структуры: пленки КЭФ-1.0 толщиной 6 мкм, выращенные на подложках ЭКЭС-0.01 толщиной 250 мкм с ориентацией поверхности [111] . Геттерирование осуществляли: по способу-прототипу [2] путем аморфизации структур с нерабочей стороны подложек облучением ионами аргона с энергией 40 кэВ и дозой 3.71•1015 ион/см2 при комнатной температуре (доза аморфизации кремния ионами аргона (4-8)•1014 ион/см2); по заявляемому способу перед аморфизацией ионами аргона структуры со стороны подложки облучали протонами с различными энергиями и дозами, а затем облучали ионами аргона в режимах, указанных выше.EXAMPLE 1. Epitaxial silicon structures obtained by gas transport were subjected to gettering treatment: KEF-1.0 films 6 μm thick, grown on ECES-0.01 substrates 250 μm thick with a surface orientation [111]. Gettering was carried out: according to the prototype method [2] by amorphizing structures on the non-working side of substrates by irradiation with argon ions with an energy of 40 keV and a dose of 3.71 • 10 15 ion / cm 2 at room temperature (dose of amorphization of silicon with argon ions (4-8) • 10 14 ion / cm 2 ); according to the claimed method, before amorphization with argon ions, structures on the substrate side were irradiated with protons with different energies and doses, and then irradiated with argon ions in the modes indicated above.
Контроль качества эпитаксиальных слоев до и после геттерирования проводили по результатам рентгеновских измерений деформации кристаллической решетки эпитаксиального слоя, фиксировавшейся на трехкристальном рентгеновском спектрометре, а также по плотности эпитаксиальных дефектов упаковки в пленках после окисления структур в потоке влажного кислорода при 1120oC в течение 30 минут. Дефекты упаковки выявляли селективным травлением образцов в хромовом травителе и их плотность подсчитывали по количеству ямок травления усреднением по 17-20 полям зрения металлографического микроскопа Neophot - 32 при стравливании эпитаксиального слоя на глубину 2.5-3 мкм. Наряду со средними значениями деформации кристаллической решетки в эпитаксиальном слое оценивалась дисперсия этих параметров по поверхности структур, характеризующая степень однородности примесно-дефектного состава пленки до и после различных геттерирующих обработок.Quality control of the epitaxial layers before and after gettering was carried out according to the results of X-ray measurements of the deformation of the crystal lattice of the epitaxial layer fixed on a three-crystal X-ray spectrometer, as well as by the density of epitaxial stacking faults in the films after oxidation of the structures in a stream of moist oxygen at 1120 ° C for 30 minutes. Packaging defects were detected by selective etching of samples in a chromium etcher and their density was calculated by the number of etching pits by averaging over 17-20 fields of view of a Neophot - 32 metallographic microscope when etching the epitaxial layer to a depth of 2.5-3 μm. Along with the average values of the crystal lattice deformation in the epitaxial layer, the dispersion of these parameters over the surface of the structures was estimated, which characterizes the degree of uniformity of the impurity-defective composition of the film before and after various getter treatments.
Результаты измерений представлены в таблице 1. The measurement results are presented in table 1.
Из данных таблицы 1 видно, что применение геттерирующей обработки по способу-прототипу [2] уменьшает как деформацию кристаллической решетки эпитаксиального слоя, так и плотность окислительных дефектов упаковки в нем. Однако эти изменения лежат практически в пределах доверительного интервала погрешностей измерений. Наиболее существенное улучшение структурного совершенства эпитаксиальных пленок наблюдается на образцах, облученных перед аморфизацией протонами с энергией 40 кэВ и дозами (3.71-4.56)•1015 ион/см2, т. е. в режимах реализации заявляемого способа.From the data of table 1 it is seen that the use of gettering treatment according to the prototype method [2] reduces both the deformation of the crystal lattice of the epitaxial layer and the density of oxidative packaging defects in it. However, these changes lie almost within the confidence interval of measurement errors. The most significant improvement in the structural perfection of epitaxial films is observed on samples irradiated before amorphization with protons with an energy of 40 keV and doses (3.71-4.56) • 10 15 ion / cm 2 , that is, in the modes of implementation of the proposed method.
ПРИМЕР 2. На эпитаксиальных структурах n+-n-GaAs (001) толщиной 100 мкм по стандартной технологии формировали полевые транзисторы с барьером Шоттки. Часть структур была контрольной, а две другие обрабатывали по способу-прототипу (облучение со стороны подложки ионами аргона с E = 90 кэВ дозой 1•1016 ион/см2) и по заявляемому способу с предварительным облучением подложки протонами с E = 90 кэВ и дозой 1•1016 ион/см2. После обработки на структурах методами вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик измеряли профиль концентрации и подвижности носителей заряда в канале транзисторов (n-слой). Без обработки подвижность электронов составляла в среднем 3600-3800 см2/(В с), после обработки по способу-прототипу 3800-4200 см2/(В с), а после обработки по заявляемому способу 4470-4900 см2/(В с). Профиль распределения электронов по глубине после обработки по заявляемому способу стал более резким: градиент концентрации по толщине эпитаксиального слоя увеличился в среднем на 30%. После обработки по способу-прототипу в приделах точности измерений изменения профиля носителей заряда не обнаружено. Кроме того, при измерениях фоточувствительности транзисторных структур в видимом диапазоне длин волн обнаружено увеличение чувствительности на образцах, обработанных по заявляемому способу в 5-6 раз. Это имеет явное практическое значение для создания фотоприемников и фотореле на структурах на основе полупроводниковых соединений.EXAMPLE 2. On epitaxial structures of n + -n-GaAs (001) with a thickness of 100 μm, Schottky barrier field effect transistors were formed by standard technology. Some of the structures were control, and the other two were treated according to the prototype method (irradiation from the side of the substrate with argon ions with E = 90 keV with a dose of 1 • 10 16 ion / cm 2 ) and according to the claimed method with preliminary irradiation of the substrate with protons with E = 90 keV and dose of 1 • 10 16 ion / cm 2 . After processing the structures with the methods of volt-ampere and capacitance-voltage characteristics, the concentration and mobility profiles of charge carriers in the transistor channel (n-layer) were measured. Without treatment, the electron mobility averaged 3600-3800 cm 2 / (V s), after processing according to the prototype method 3800-4200 cm 2 / (V s), and after processing according to the claimed method, 4470-4900 cm 2 / (V s) ) The depth distribution profile of electrons after processing by the present method has become sharper: the concentration gradient over the thickness of the epitaxial layer increased by an average of 30%. After processing by the prototype method, no changes in the profile of charge carriers were detected in the aisles of measurement accuracy. In addition, when measuring the photosensitivity of transistor structures in the visible wavelength range, an increase in sensitivity on samples processed by the present method by 5-6 times was found. This is of obvious practical importance for the creation of photodetectors and photorelay on structures based on semiconductor compounds.
Таким образом, заявляемый способ обеспечивает достижение технического результата. Thus, the claimed method ensures the achievement of a technical result.
ЛИТЕРАТУРА
1. Бурмистров А. Н. , Пекарев А.И., Ушаков А.С., Чистяков Ю.Д. Влияние механической обработки нерабочей стороны кремниевой подложки на плотность дефектов. //Сб. "Активируемые процессы технологии микроэлектроники". Таганрог. Изд. ТРТИ, 1978, Вып. 8, с. 91-102.LITERATURE
1. Burmistrov A.N., Pekarev A.I., Ushakov A.S., Chistyakov Yu.D. The effect of machining the non-working side of a silicon substrate on the density of defects. // Sat "Activated processes of microelectronics technology." Taganrog. Ed. TRTI, 1978, no. 8, p. 91-102.
2. Павлов П.В., Пашков В.И., Скупов В.Д. Влияние обработки ионами средних энергий на внутренние механические напряжения в эпитаксиальных структурах. //Электронная техника, Сер. 7, ТОПО, 1980, с. 24-26 (прототип). 2. Pavlov P.V., Pashkov V.I., Skupov V.D. The effect of treatment with medium-energy ions on internal mechanical stresses in epitaxial structures. // Electronic Engineering, Ser. 7, TOPO, 1980, p. 24-26 (prototype).
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU99108307A RU2176422C2 (en) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | Method for carrying out gettering treatment of epitaxial layers of semiconductor structures |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU99108307A RU2176422C2 (en) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | Method for carrying out gettering treatment of epitaxial layers of semiconductor structures |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU99108307A RU99108307A (en) | 2001-01-27 |
| RU2176422C2 true RU2176422C2 (en) | 2001-11-27 |
Family
ID=20218860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU99108307A RU2176422C2 (en) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | Method for carrying out gettering treatment of epitaxial layers of semiconductor structures |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2176422C2 (en) |
-
1999
- 1999-04-19 RU RU99108307A patent/RU2176422C2/en not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ПАВЛОВ П.В. Влияние обработки ионами средних энергий на внутренние механические напряжения в эпитаксиальных структурах. - Электронная техника, сер.7, ТОПО, 1980, с. 24-26. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Bean et al. | Electron irradiation damage in silicon containing carbon and oxygen | |
| US5198371A (en) | Method of making silicon material with enhanced surface mobility by hydrogen ion implantation | |
| DE69004201T2 (en) | Method of manufacturing an SOI semiconductor device. | |
| Von der Linde et al. | Observation of an electronic plasma in picosecond laser annealing of silicon | |
| Rabinzohn et al. | Cleaning of Si and GaAs crystal surfaces by ion bombardment in the 50–1500 eV range: influence of bombarding energy and sample temperature on damage and incorporation | |
| Mizuo et al. | Effects of Back‐Side Oxidation of Si Substrates on Sb Diffusion at Front Side | |
| DE19712796A1 (en) | Epitaxial silicon carbide wafer with conductivity correction | |
| US6383902B1 (en) | Method for producing a microelectronic semiconductor component | |
| RU2176422C2 (en) | Method for carrying out gettering treatment of epitaxial layers of semiconductor structures | |
| Vanhellemont et al. | Generation and annealing behaviour of MeV proton and/sup 252/Cf irradiation induced deep levels in silicon diodes | |
| Elliman et al. | Kinetics, Microstructure And Mechanisms of Ion Beam Induced Epitaxial Crystallization of Semiconductors. | |
| Mchedlidze et al. | Properties of an iron–vacancy pair in silicon | |
| JP7334849B2 (en) | Method for controlling donor concentration in silicon single crystal substrate | |
| JPH05229896A (en) | Production of conductive diamond | |
| RU2120682C1 (en) | Silicon substrate treatment process | |
| JP3942853B2 (en) | Semiconductor material manufacturing equipment | |
| DE102017203996B4 (en) | p-n junction silicon wafer manufacturing process | |
| RU2331136C9 (en) | METHOD FOR р-n JUNCTIONS FORMING IN SILICON | |
| Feklisova et al. | Effect of irradiation in SEM on electrical properties of silicon | |
| JPH0661234A (en) | Production of semiconductor device | |
| Job et al. | Doping of Oxidized Float Zone Silicon by Thermal Donors-a Low Thermal Budget Doping Method for Device Applications? | |
| Brower et al. | Electron paramagnetic resonance and capacitance‐voltage studies of ultraviolet irradiated Si‐SiO2 interfaces | |
| Misra | Reactive ion etching (CF4+ O2 plasma) induced deep levels in metal–oxide–semiconductor devices | |
| RU2156520C2 (en) | Method for checking structure characteristics of single-crystalline semiconductor plates | |
| Pande et al. | A simplified capless annealing of GaAs for MESFET applications |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20070420 |